壳体、其制备方法及电子设备与流程

1.本技术涉及电子领域，具体涉及一种壳体、其制备方法及电子设备。


背景技术：

2.陶瓷具有温润的手感和高光泽的质感，因此，常被用做高端电子设备壳体、中框、装饰件等外观结构件中。然而，陶瓷的密度大，加工条件苛刻，加工成本高，使得应用大大受限。


技术实现要素：

3.针对上述问题，本技术实施例提供一种壳体，其具有重量较轻、较低的加工成本，此外，还可以具有更高的硬度、更好的光泽度及反光率。
4.本技术实施例提供了一种壳体，其包括：
5.壳体本体，所述壳体本体的原料组分包括陶瓷粉体及粘合剂；所述粘合剂包括聚乙烯醇缩丁醛胶水。
6.此外，本技术实施例还提供了一种壳体的制备方法，所述壳体包括壳体本体，所述方法包括：
7.将所述壳体本体的原料组分混合，形成浆料；
8.将所述浆料进行流延，制得生胚；
9.对所述生胚进行冷等静压；以及
10.进行热处理，以使所述粘合剂发生聚合反应，得到壳体本体。
11.此外，本技术实施例还提供了一种电子设备，其包括：
12.本技术实施例所述的壳体组件，所述壳体组件具有容置空间；
13.显示组件，用于显示；以及
14.电路板组件，所述电路板组件设置于所述容置空间，且与所述显示组件电连接，用于控制所述显示组件进行显示。
15.本技术实施例的壳体包括壳体本体，壳体本体的原料组分包括陶瓷粉体及粘合剂；所述粘合剂包括聚乙烯醇缩丁醛胶水。从而使得制得的壳体具有较轻的重量，较低的加工成本。此外，采用流延方式成型，可以获得陶瓷粉体重量含量超过90％的壳体本体，相较于采用热塑性树脂和陶瓷粉体注塑成型制得的壳体，本技术可以制得具有更高的硬度、更好的光泽度及反光率的壳体。再者，本技术的壳体本体的原料组分包括陶瓷粉体及聚乙烯醇缩丁醛胶水，聚乙烯醇缩丁醛胶水粘度较低，使得陶瓷粉体与聚乙烯醇缩丁醛胶水混合时，具有更均匀的分散性，当陶瓷粉体的重量含量相同时，相较于采用注塑成型制得的壳体本体，采用本技术的方法制得的壳体本体具有更好的硬度、光泽度及反光率。
附图说明
16.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附
图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
17.图1是本技术一实施例的壳体的结构示意图。
18.图2是本技术又一实施例的壳体的结构示意图。
19.图3是本技术一实施例的壳体的制备流程示意图。
20.图4是本技术又一实施例的壳体的制备流程示意图。
21.图5是本技术实施例的电子设备的结构示意图。
22.图6是本技术实施例的电子设备的电路框图。
23.附图标记说明：
24.100
‑
壳体
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50
‑
防护层
25.10
‑
壳体本体
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400
‑
电子设备
26.101
‑
容置空间
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410
‑
显示组件
27.11
‑
底板
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430
‑
电路板组件
28.13
‑
侧板
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431
‑
处理器
29.30
‑
硬化层
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433
‑
存储器
具体实施方式
30.为了使本技术领域的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
31.本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
32.下面将结合附图，对本技术实施例中的技术方案进行描述。
33.需要说明的是，为便于说明，在本技术的实施例中，相同的附图标记表示相同的部件，并且为了简洁，在不同实施例中，省略对相同部件的详细说明。
34.陶瓷具有温润的手感和高光泽的质感，因此，常被用做高端电子设备壳体、中框、装饰件等外观结构件中。然而，陶瓷的密度大，制得的电子设备外观结构件较重，且铅笔硬度高、容易碎裂、加工难度大，此外，陶瓷的加工成本较高，这使得陶瓷的应用大大受限。为了提高陶瓷的性能及成本，相关技术中采用热塑性树脂与陶瓷粉体(无机粉体)混合，通过注塑成型制得电子设备的壳体，然而，采用注塑成型，陶瓷粉体的含量很难达到90％以上，当陶瓷粉体的含量超过陶瓷粉体与热塑性树脂重量总重量的90％时，则混合形成的热塑性树脂/陶瓷粉体的流动性差，注塑过程阻力大、流痕明显。因此，注塑成型时，陶瓷粉体的含量通常小于90％，然而，当陶瓷粉体的含量小于90％时，制得的电子设备的壳体的硬度较低，耐磨性较差，从而降低了电子设备的壳体的寿命。
35.请参见图1，本技术实施例提供一种壳体100，其包括：壳体本体10，所述壳体本体
10的原料组分包括陶瓷粉体及粘合剂；所述粘合剂包括聚乙烯醇缩丁醛胶水。
36.可选地，本技术的壳体100可以为电子设备的外壳、中框、装饰件等。本技术实施例的壳体100可以为2d结构、2.5d结构、3d结构等。如图1所示，可选地，所述壳体100包括底板11及与所述底板11弯折相连的侧板13。所述底板11与所述侧板13围合成容置空间101。在一些实施例中，所述底板11与所述侧板13为一体结构，在另一些实施例中，所述底板11与所述侧板13分别成型后，再连接到一起。在一具体实施例中，所述底板11为电子设备的后盖，所述侧板13为电子设备的中框。
37.本技术实施例的壳体100包括壳体本体10，壳体本体10的原料组分包括陶瓷粉体及粘合剂；所述粘合剂包括聚乙烯醇缩丁醛胶水。从而使得制得的壳体100具有较轻的重量，较低的加工成本。此外，采用流延方式成型，可以获得陶瓷粉体重量含量超过90％的壳体本体10，相较于采用热塑性树脂和陶瓷粉体注塑成型制得的壳体100，本技术可以制得具有更高的硬度、更好的光泽度及反光率的壳体100。再者，本技术的壳体本体10的原料组分包括陶瓷粉体及聚乙烯醇缩丁醛胶水，聚乙烯醇缩丁醛胶水粘度较低，使得陶瓷粉体与聚乙烯醇缩丁醛胶水混合时，具有更均匀的分散性，当陶瓷粉体的重量含量相同时，相较于采用注塑成型制得的壳体本体10，采用本技术的方法制得的壳体本体10具有更好的硬度、光泽度及反光率。
38.可选地，壳体本体10的厚度为0.3mm至2mm；具体地，壳体本体10的厚度可以为但不限于为0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1mm、1.3mm、1.5mm、1.8mm、2mm等。当壳体本体10太薄时，不能很好的起到支撑和保护作用，且机械强度不能很好的满足电子设备壳体100的要求，当壳体本体10的太厚时，则增加电子设备的重量，影响电子设备的手感，用户体验不好。
39.可选地，壳体本体10的表面粗糙度为ra0.02至ra0.08，具体地，可以为但不限于为ra0.02、ra0.03、ra0.04、ra0.05、ra0.06、ra0.07、ra0.08等。粗糙度过大，则影响壳体100的陶瓷质感，粗糙度过小，则对工艺要求过于苛刻，制备成本高。
40.在一些实施例中，所述陶瓷粉体与所述粘合剂的重量比为3:2至18:1；具体地，可以为但不限于为，3:2、2:1、3:1、4:1、5:1、6:1、7:1、8:1、9:1、10:1、11:1、12:1、13:1、14:1、15:1、16:1、17:1、18:1。进一步地，所述陶瓷粉体与所述粘合剂的重量比7:1至18:1，具体地，可以为但不限于为6:1、7:1、8:1、9:1、10:1、12:1、14:1、16:1、18:1等。当陶瓷粉体与所述粘合剂的重量比处于这个范围时，制得的壳体100具有更好的手感、更高的硬度、更好的光泽度及反光率。更进一步地，所述陶瓷粉体与所述粘合剂的重量比9:1至18:1，这样可以使得壳体100具有更接近纯陶瓷件的手感、硬度、光泽度及反光率，且具有较低的加工条件及密度。
41.可选地，所述陶瓷粉体包括氧化锆、氧化铝、二氧化硅、二氧化钛、碳化硅、氮化硅、硅、氧化镁、氧化铍、五氧化二钒、三氧化二硼、尖晶石、氧化钙、莫来石、钛酸钡中的一种或多种。可选地，陶瓷粉体的粒径为20nm至1000nm；具体地，可以为但不限于为20nm、100nm、200nm、300nm、400nm、500nm、600nm、700nm、800nm、1000nm等。当陶瓷粉体的粒径过大时，陶瓷粉体的体积占比较小，使得制得的壳体本体10的硬度偏低，当陶瓷粉体的粒径过小，则陶瓷粉体颗粒之间容易团聚，不好分散，进行后续抛光时容易在壳体本体10表面产生坑点，影响壳体100的外观和质感。
42.可选地，所述粘合剂还包括聚氨酯胶水、环氧树脂胶水、丙烯酸树脂胶水中的一种或多种。聚氨酯胶水、环氧树脂胶水及丙烯酸树脂胶水进行加热固化后的聚合物的交联度比聚乙烯醇缩丁醛胶水固化后的聚合物的交联度更高，这样使得制得的壳体100具有更高的硬度。
43.在一些实施例中，粘合剂包括聚乙烯醇缩丁醛胶水及聚氨酯胶水。在又一些实施例中，粘合剂包括聚乙烯醇缩丁醛胶水及环氧树脂胶水。在又一些实施例中，粘合剂包括聚乙烯醇缩丁醛胶水及丙烯酸树脂胶水。在再一些实施例中，粘合剂包括聚乙烯醇缩丁醛胶水、聚氨酯胶水、环氧树脂胶水、及丙烯酸树脂胶水。可选地，所述聚乙烯醇缩丁醛胶水的含量为所述粘合剂总重量的50％至80％，具体地，可以为但不限于为50％、55％、60％、65％、70％、75％、80％。当聚乙烯醇缩丁醛胶水的含量太少时，粘合剂的粘度较高，影响陶瓷粉体与粘合剂混合的分散性能。
44.在一些实施例中，本技术实施例的壳体本体10的原料组分还包括表面改性剂、色料、第一分散剂、第二分散剂、消泡剂、增塑剂及溶剂。可选地，在壳体本体10成型(制得生胚)之前，先将陶瓷粉体与表面改性剂、色料及第一分散剂混合均匀后，再与第二分散剂、消泡剂、增塑剂及溶剂混合制得浆料。这样可以使陶瓷粉体可以更均匀的分散在浆料中，有利于提高值得的壳体本体10的机械性能。
45.可选地，所述表面改性剂可以为硅烷偶联剂、柠檬酸铵、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸铵、三乙醇铵中的一种或多种。表面改性剂用于对陶瓷粉体进行改性，增加陶瓷粉体与粘合剂之间的相容性，提高陶瓷粉体与粘合剂之间的结合力，并使陶瓷粉体与粘合剂混合更均匀，混合后的体系更稳定，从而提高壳体本体10的机械性能。可选地，所述表面改性剂的含量为所述陶瓷粉体重量的0.1％至3％；具体地，可以为但不限于为0.1％、0.5％、0.8％、1.0％、1.5％、1.8％、2.0％、2.3％、2.8％、3.0％等。当表面改性剂的含量小于0.1％时，对陶瓷粉体的改性不完全，换言之，有部分陶瓷粉体未进行改性，影响陶瓷粉体与粘合剂之间的结合力，当表面改性剂的含量大于3％时，则陶瓷粉体表面沉积过多的表面改性剂分子，使获得的陶瓷粉体容易团聚，不易均匀分散于粘合剂中，不利于提高壳体本体10的机械性能。
46.可选地，色料可以为有机色料，也可以为无机色料。所述色料用于使所述壳体本体10具有彩色图案或色彩，从而使得壳体100具有彩色图案或色彩，例如青花瓷的花纹和色彩等。通过控制色料的色彩及配比，可以使得壳体本体10呈现出不同的外观效果，从而使得壳体100呈现出不同的外观效果。可选地，有机色料可以为但不限于为偶氮颜料、酞菁颜料等。所述有机色料的含量为所述陶瓷粉体重量的1％至5％，具体地，可以为但不限于为1％、2％、3％、4％、5％等。可选地，无机色料可以为但不限于为氧化铁、氧化钴、氧化锰、炭黑等。无机色料的含量为所述陶瓷粉体重量的3％至20％，具体地，可以为但不限于为3％、5％、8％、10％、12％、15％、18％、20％等。
47.可选地，第一分散剂可以为聚乙烯醇(pva)、聚乙二醇(peg)、硬脂酸、硬脂酸铵中的一种或多种。所述第一分散剂用于改善陶瓷粉体的分散性能，提高陶瓷粉体在粘合剂中的分散性，使得陶瓷粉体与粘合剂混合更加均匀，进而使得制得的壳体本体10具有更好的机械性能。可选地，第一分散剂的含量为所述陶瓷粉体重量的0.1％至1％，具体地，可以为但不限于为0.1％、0.3％、0.5％、0.8％、1.0％等。当第一分散剂含量小于0.1％时，第一分
散剂无法将所有的陶瓷粉体颗粒包裹，对陶瓷粉体的分散性的改进较小；当第一分散剂含量大于1％时，则陶瓷粉体表面沉积过多的第一分散剂分子，使获得的陶瓷粉体容易团聚，不易均匀分散于粘合剂中，不利于提高壳体本体10的机械性能。
48.可选地，所述第二分散剂可以为辛酸、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、聚乙烯醇、蓖麻油中的一种或多种。第二分散剂用于使陶瓷粉体在粘合剂中可以更均匀的分散，混合后的浆料更稳定。可选地，第二分散剂的含量可以为陶瓷粉体与粘合剂总重量的0.3％至2％，具体地，可以为但不限于为0.3％、0.5％、1％、1.5％、2％等。
49.可选地，消泡剂可以为异丁醇、乙二醇中的一种或两种。消泡剂用于消除陶瓷粉体与粘合剂混合浆料中的气泡，防止浆料中产生过多的气泡，影响制得的壳体本体10的机械性能。可选地，可选地，消泡剂的含量可以为陶瓷粉体与粘合剂总重量的0.1％至1％，具体地，可以为但不限于为0.1％、0.3％、0.5％、0.8％、1％等，消泡剂含量太低，起不到消泡作用，消泡剂含量太高，浆料的粘度下降，不利于生胚的成型。
50.可选地，增塑剂可以为邻苯二甲酸二辛酯(dop)、癸二酸二丁酯(dbs)和邻苯二甲酸丁苄酯(bbp)中一种或多种。增塑剂用于增加粘合剂的塑性以及陶瓷粉体与粘合剂混合后浆料的流动性，使得浆料可以更好的进行流延，形成生胚。可选地，增塑剂的含量可以为陶瓷粉体与粘合剂总重量的1％至10％，具体地，可以为但不限于为1％、2％、3％、4％、5％、6％、8％、10％等，增塑剂的含量太低，浆料的流延性能较差，增塑剂含量太高，降低制得的壳体本体的硬度。
51.可选地，溶剂可以为乙醇、二甲苯等中的一种或多种。所述溶剂用于溶解粘合剂、消泡剂、分散剂(第一分散剂及第二分散剂)、增塑剂等。溶剂的含量可以为陶瓷粉体与粘合剂总重量的30％至55％，具体地，可以为但不限于为30％、35％、40％、45％、50％、55％等，溶剂的含量太少，球磨时各组分的分散性能不好，溶剂的含量太多，流延成型时，溶剂不易挥发，影响制得的壳体本体的机械性能。
52.请参见图2，在一些实施例中，本技术实施例的所述壳体100还包括：硬化层30，所述硬化层30设置于所述壳体本体10的表面，所述硬化层30用于提高壳体本体10的硬度及耐磨性；以及防护层50，所述防护层50设置于所述硬化层30远离所述壳体本体10的一侧，所述防护层50用于防污、防指纹，以提高壳体100的用户体验。
53.可选地，所述硬化层30的原料组分为石墨、氧化铝、氧化锆、氧化硅、氮化铬、氮化钛中的一种或多种。具体地，可以通过溅射真空镀或蒸发镀膜的方式，在壳体本体10的表面镀一层硬化层30。可选地，硬化层30的厚度为500nm至3μm，具体地，可以为但不限于为500nm、600nm、700nm、800nm、1μm、2μm、3μm等。当硬化层30的厚度太薄时，起不到耐磨效果，当硬化层30的厚度太厚时，硬化层30容易崩裂，导致硬化层脱落。
54.在一些实施例中，防护层50的原料组分可以包括但不限于包括全氟聚醚、全氟聚醚衍生物等中的一种或多种，防护层50通过在壳体本体10表面蒸镀一层防护层50的原料组分组成的胶液形成。全氟聚醚及全氟聚醚衍生物具有优异的耐指纹性能，可以起到很好的防指纹及防污作用。
55.在一些实施例中，防护层50的水接触角大于105
°
，具体地，可以为但不限于为106
°
、110
°
、115
°
、120
°
、125
°
、130
°
、140
°
、150
°
等，水接触角越大，防护层505030具有越好的防指纹作用。
56.可选地，防护层50是透光的，防护层50的光学透过率大于或等于80％，具体地，可以为但不限于为80％、82％、85％、88％、90％、92％、95％、96％、97％等。防护层50具有较高的透光率，这样不会遮挡壳体本体10的陶瓷质感及纹路色彩，从而影响壳体100的外观效果，此外，防护层50还可以使得壳体100具有釉质感。
57.可选地，防护层50的厚度为5nm至20nm，具体地，可以为但不限于为5nm、6nm、8nm、10nm、12nm、14nm、16nm、18nm、20nm等。防护层50厚度太薄，则起不到防污和防指纹作用，防护层50太厚，则增加壳体100的制备成本，还影响壳体100的手感。
58.相较于采用热塑性树脂和陶瓷粉体注塑成型制得的壳体100，本技术可以获得具有更高陶瓷粉体含量的壳体100，且陶瓷粉体与粘合剂具有更好的分散性，因此，制得的壳体100可以具有更高的硬度、更好的光泽度及反光率。经测试本技术的壳体100的铅笔硬度可达4h至7h，例如为4h、5h、6h、7h等。壳体100的维氏硬度可达300hv至600hv，例如为300hv、350hv、400hv、450hv、500hv、550hv、600hv等。壳体100的光泽度(60
°
测试)可达140至160，例如为140、145、150、155、160等。壳体100的反光率(波长550nm)可达10％至12％，例如为10％、11％、12％等。
59.请参见图1和图3，本技术实施例还提供一种壳体100的制备方法，所述壳体100包括壳体本体10，所述方法包括：
60.s201，将所述壳体本体10的原料组分混合，形成浆料；
61.可选地，所述将所述壳体本体10的原料组分混合，形成浆料，包括：
62.s2011，对陶瓷粉体进行改性，得到改性粉体；以及
63.具体地，将陶瓷粉体、表面改性剂及第一分散剂按上述实施例的重量比置于球磨罐中，加入水及氧化铝球或氧化锆球，进行湿法球磨后，干燥得到改性粉体。当壳体本体10的原料组分还包括色料时，球磨前，还包括加入色料。可选地，原料(陶瓷粉体、表面改性剂、第一分散剂及色料总重量)与水、球子的重量比为1:(1至3):(0.5至1)。
64.可选地，球磨时间为12h至48h；具体地，可以为但不限于为12h、15h、18h、20h、24h、28h、32h、36h、40h、44h、48h等。球磨时间太短，则陶瓷粉体分散、改性不完全，球磨时间太长对于陶瓷粉体的改性不会有进一步的变化，且增加制备成本。
65.可选地，干燥可以于干燥塔内喷雾干燥，进料温度可以为70℃至80℃；进风温度为130℃至160℃；排风温度为70℃至85℃；塔内温度为70
‑
90℃；塔内负压为50pa至150pa。例如：干燥塔内条件控制为进料温度为70℃；进风温度为130℃；排风温度为75℃；塔内温度为90℃；塔内负压为150pa。
66.s2012，将改性粉体、粘结剂及溶剂混合，得到浆料。
67.可选地，将改性粉体、粘结剂及溶剂混合后，于球磨罐中球磨12h至24h后，静置2h至6h得到浆料。可选地，当壳体本体10的原料组分还包括第二分散剂、消泡剂及增塑剂时，则本步骤混合时还包括加入第二分散剂、消泡剂及增塑剂。
68.s202，将所述浆料进行流延成型，制得生胚；
69.具体地，将浆料导入流延机的浆料盒中，让浆料流平或刮平后，烘干后制得生胚。可选地，生胚的厚度可以通过流延机的传送带与刮刀的间隙来进行控制。
70.可选地，流延机采用逐步升温的方式或者多个温度段进行干燥，以逐步去除浆料中的溶剂，防止浆料中的溶剂挥发太快，制得的生胚表面产生坑点等缺陷。在一具体实施例
中，浆料刮平后，流延机采用四个温度段进行干燥成型，四个温度段成型包括：第一段成型、第二段成型、第三段成型及第四段成型，第一段成型的温度小于第二段成型的温度，第二段成型的温度小于第三段成型的温度，第三段成型的温度小于第四段成型的温度。可选地，第一段成型的温度为30℃至55℃，具体地，可以为但不限于为30℃、35℃、40℃、45℃、50℃、55℃等。第二段成型的温度为40℃至60℃，具体地，可以为但不限于为40℃、45℃、50℃、55℃、60℃等。第三段成型的温度为50℃至70℃，具体地，可以为但不限于为50℃、55℃、60℃、65℃、70℃等。第四段成型的温度为60℃至80℃，具体地，可以为但不限于为60℃、65℃、70℃、75℃、80℃等。可选地，沿传送带的传输方向，每段温度段成型的温度可以逐渐增加，也可以为恒定的温度，本技术不作具体限定。
71.可选地，流延机的传送带的传输速度为50mm/min至500mm/min；具体地，可以为但不限于为50mm/min、100mm/min、200mm/min、300mm/min、400mm/min、500mm/min。当传送带的传输速度太快时，则浆料中的溶剂未完全挥发，进行热处理时，容易在壳体本体10中产生孔洞、在壳体本体10表面产生坑点，因此传送带的传输速度不宜太快。
72.在一些实施例中，所述将所述浆料进行流延成型之前，所述方法还包括：对所述浆料进行除泡。
73.可选地，将所述浆料置于除泡机中，进行搅拌，于负压状态下进行除泡。可选地，负压值可以为
‑
0.095mpa(换言之，除泡气压为0.006mpa)，除泡时间可以为但不限于为25min至60min，具体地，可以为但不限于为25min、30min、35min、40min、45min、50min、55min、60min等。除泡时间太短，无法将浆料中的气泡尽可能去除，除泡时间太长，对浆料中气泡的继续减少有限，且增加生产成本。
74.s203，对所述生胚进行冷等静压；以及
75.具体地，于常温下，将所述生胚放于模具中，采用真空袋装好后进行抽真空处理，放于水压设备中进行冷等静压，以使生胚更致密，从而使得制得的壳体本体10致密性更强，有利于提高制得的壳体本体10的硬度。
76.可选地，冷等静压的压力为150mpa至250mpa；具体地，可以为但不限于为150mpa、160mpa、180mpa、200mpa、220mpa、240mpa、250mpa等。压力太小，对于生胚致密性的提升有限，不能很好提高制得的壳体本体10的硬度，压力太大对设备要求较高，但是生胚的致密性基本稳定，不会再有太大变化。
77.可选地，冷等静压的时间为10min至60min；具体地，可以为但不限于为10min、20min、30min、40min、50min、60min等。时间太短，对于生胚致密性的提升有限，不能很好提高制得的壳体本体10的硬度，时间太长，影响生产效率，且生胚的致密性已基本稳定，不会再有太大变化。
78.s204，进行热处理，以得到壳体本体10。
79.可选地，将生胚放于具有一定自重(例如5kg至20kg)的治具中，于烘箱中进行热处理，以使所述粘合剂发生聚合反应，降温后得到壳体本体10。经过热处理后，粘合剂发生聚合反应生成高分子，形成聚合物网络结构，以将陶瓷粉体束缚在聚合物网络结构中。此外，热处理时，治具具有一定自重，可以进一步防止生胚在热处理的过程中发生变形，从而使得制得的壳体本体10的形状发生改变。
80.可选地，所述热处理为分段热处理，所述分段热处理包括：第一段热处理及第二段
热处理；所述第二段热处理的温度高于所述第一段热处理的温度。在其他实施例中，也可以只采用一段式热处理。采用分段热处理，可以防止热处理过程中，粘合剂的反应过于剧烈，使制得的壳体本体10内部困住太多气泡，影响制得的壳体100的外观效果及质感，同时又可以使粘合剂反应更为完全，可以更好的将陶瓷粉体束缚在聚合物网络中，使得制得的壳体本体10具有更好的机械性能。
81.可选地，所述第一段热处理包括：逐步升温至130℃至160℃，并于130℃至160℃下保温2h至4h。可选地，第一段热处理的温度可以为但不限于为130℃、135℃、140℃、145℃、150℃、155℃、160℃等。逐步升温时间为0.5h至1h；具体地，可以为但不限于为0.5h、0.8h、1h等。可选地，130℃至160℃的保温时间可以为但不限于为2h、2.5h、3h、3.5h、4h等。于130℃至160℃进行热处理，可以使得大部分粘合剂发生聚合反应，形成聚合物网络结构，同时，反应又不会太剧烈。
82.可选地，所述第二段热处理包括：逐步升温至180℃至250℃，并于180℃至250℃下保温2h至12h。可选地，第二段热处理的温度可以为但不限于为180℃、190℃、200℃、210℃、220℃、230℃、240℃、250℃等。逐步升温时间为0.5h至4h；具体地，可以为但不限于为0.5h、1h、1.5h、2h、2.5h、3h、3.5h、4h等。180℃至250℃的保温时间可以为但不限于为2h、4h、6h、8h、10h、12h等。第二段热处理可以使粘合剂聚合反应更为完全，从而使得制得的壳体本体10具有更高的硬度。
83.在一些实施例中，所述进行热处理后，申请的壳体100的制备方法还包括：进行计算机数字化控制精密机械加工(cnc加工)。
84.可选地，采用聚晶金刚石刀(金刚石pcd铣刀)对壳体本体10进行cnc加工。可选地，主轴转速为10000rpm至25000rpm；单次切削量为0.01mm至0.50mm。
85.在一些实施例中，申请的壳体100的制备方法还包括：进行研磨抛光。
86.可选地，研磨抛光包括粗抛和精抛，换言之，先进行粗抛，再进行精抛。
87.可选地，粗抛可以采用扫光机、双面研磨机、五轴抛光机中的一种或多种进行处理。抛光盘可以为猪毛、磨皮盘、阻尼布、胶丝、铜丝、地毯、猪毛/磨皮复合材料中的一种或多种；抛光助剂可以为水系钻石研磨液、油系钻石研磨液中的一种或多种。可选地，水系钻石研磨液或油系钻石研磨液的粒径可以为0.5μm至20μm；具体地，可以为但不限于为0.5μm、1μm、3μm、5μm、7μm、10μm、12μm、15μm、18μm、20μm等。水系钻石研磨液或油系钻石研磨液的粒径的质量浓度1％至30％；具体地，可以为但不限于为1％、3％、5％、8％、10％、13％、15％、18％、20％、23％、25％、28％、30％等。
88.可选地，精抛可以采用扫光机、双面研磨机的一种或两种进行处理。抛光液可以为氧化硅抛光液、氧化铈抛光液中的一种或多种。氧化硅抛光液或氧化铈抛光液的粒径可以为50nm至500nm；具体地，可以为但不限于为50nm、80nm、100nm、120nm、150nm、180nm、200nm、250nm、300nm、350nm、400nm、450nm、500nm等。氧化硅抛光液或氧化铈抛光液的质量浓度为5％至45％；具体地，可以为但不限于为5％、8％、10％、13％、15％、18％、20％、23％、25％、28％、30％、35％、40％、45％等。
89.本技术实施例的壳体的制备方法，采用流延的方式制备壳体本体10，使得可以制备陶瓷粉体重量含量超过90％的壳体本体10，从而可以获得具有更高的硬度、更好的光泽度及反光率的壳体100。此外，粘合剂相较于熔融热塑性树脂具有较低的粘度，陶瓷粉体与
粘合剂混合时，具有更均匀的分散性，当陶瓷粉体的重量含量相同时，相较于采用注塑成型制得的壳体100，采用本技术的方法制得的壳体100具有更好的硬度、光泽度及反光率。再者，在进行热处理之前，对生胚进行冷等静压，冷等静压使得生胚更加致密化，从而使得制得的壳体100具有更高的硬度。
90.本实施例未展开描述且与上述实施例相同的特征部分，请参见上述实施例对应部分的描述，在此不再赘述。
91.请参见图2和图4，本技术实施例还提供一种壳体100的制备方法，所述壳体100包括壳体本体10；硬化层30，所述硬化层30设置于所述壳体本体10的表面；以及防护层50，所述防护层50设置于所述硬化层30远离所述壳体本体10的一侧；所述方法包括：
92.s301，将所述壳体本体10的原料组分混合，形成浆料；
93.s302，将所述浆料进行流延成型，制得生胚；
94.s303，对所述生胚进行冷等静压；
95.s304，进行热处理，以得到壳体本体10；
96.步骤s301至s304的详细描述，请参见上述实施例对应部分的描述，在此不再赘述。
97.s305，在壳体本体10的表面形成硬化层30；以及
98.可选地，以石墨、氧化铝、氧化锆、氧化硅、氮化铬、氮化钛中的一种或多种为原料，采用溅射真空镀或蒸发镀膜，在壳体本体10的表面镀一层硬化层30，提高壳体本体10的硬度及耐磨性。
99.s306，在所述硬化层30远离所述壳体本体10的表面形成防护层50。
100.可选地，采用全氟聚醚、全氟聚醚衍生物等中的一种或多种，在所述硬化层30远离所述壳体本体10的表面蒸镀一层防护层50，以起到防指纹及防污作用。
101.本实施例未展开描述且与上述实施例相同的特征部分，请参见上述实施例对应部分的描述，在此不再赘述。
102.以下通过具体实施例对本技术实施例的壳体100做进一步的介绍。
103.实施例1流延成型
104.1)陶瓷粉体改性：将氧化铝、氧化硅、硅烷偶联剂、pva、peg、氧化铁、氧化钴、氧化锰，放于球磨罐中，湿法球磨(水中球磨)分散24h后，进行喷雾干燥得到改性粉体，其中，氧化铝与氧化硅的重量比为5:1；硅烷偶联剂的重量为氧化铝与氧化硅总重量的0.3％；pva和peg的总重量为氧化铝与氧化硅总重量的0.2％，pva和peg的重量比为1:1；氧化铁、氧化钴及氧化锰为氧化铝与氧化硅总重量的15％；氧化铁、氧化钴及氧化锰的重量比为3:1:1。
105.2)将改性粉体、聚乙烯醇缩丁醛(pvb)胶水(粘合剂)、聚氨酯胶水(粘合剂)、聚乙烯吡咯烷酮(分散剂)、异丁醇(消泡剂)、邻苯二甲酸二辛酯(增塑剂)、乙醇(溶剂)混合，于球磨罐中球磨20h后静置2h，得到浆料；其中，改性粉体与粘合剂(聚乙烯醇缩丁醛胶水和聚氨酯胶水)的重量比为16:3；聚乙烯醇缩丁醛胶水与聚氨酯胶水的重量比为8:2；聚乙烯吡咯烷酮的重量为改性粉体与粘合剂总重量的0.6％；异丁醇的重量为改性粉体与粘合剂总重量的0.1％；邻苯二甲酸二辛酯的重量为改性粉体与粘合剂总重量的4％；乙醇的重量为改性粉体与粘合剂总重量的30％。
106.3)将浆料置于除泡机中，于负压
‑
0.095mpa下，除泡60min。
107.4)进行流延，制得生胚；其中：流延机的第一段的温度为35℃，第二段的温度为40
℃，第三段的温度为60℃，第四段的温度为75℃，传送带传输速度100mm/min，生胚厚度为0.8mm。
108.5)进行冷等静压，压力为180mpa，时间为30min。
109.6)进行热处理：于0.5h升温到150℃；于150℃保温2h；于0.5h升温至200℃，于200℃保温6h。
110.7)进行cnc加工，研磨抛光，得到壳体。
111.对比例1注塑成型
112.1)陶瓷粉体改性：将氧化铝、氧化硅、硅烷偶联剂、pva、peg、氧化铁、氧化钴、氧化锰，放于球磨罐中，湿法球磨(水中球磨)分散24h后，进行喷雾干燥得到改性粉体，其中，氧化铝与氧化硅的重量比为5:1；硅烷偶联剂的重量为氧化铝与氧化硅总重量的0.3％；pva和peg的总重量为氧化铝与氧化硅总重量的0.2％，pva和peg的重量比为1:1；氧化铁、氧化钴及氧化锰为氧化铝与氧化硅总重量的15％；氧化铁、氧化钴及氧化锰的重量比为3:1:1。
113.2)将改性粉体、聚苯硫醚(热塑性树脂)、聚乙烯吡咯烷酮(分散剂)、异丁醇(消泡剂)、邻苯二甲酸二辛酯(增塑剂)进行挤出共混形成粒料；其中，改性粉体与聚苯硫醚的重量比为16:3；聚乙烯醇缩丁醛胶水与聚氨酯胶水的重量比为8:2；聚乙烯吡咯烷酮的重量为改性粉体与聚苯硫醚总重量的0.6％；异丁醇的重量为改性粉体与聚苯硫醚总重量的0.1％；邻苯二甲酸二辛酯的重量为改性粉体与聚苯硫醚总重量的4％.
114.3)于注塑机中采用以下温度段，逐渐升温进行注塑成型：第一温段270℃至290℃、第二温段290℃至310℃、第三温段310℃至330℃、第四温段330℃至350℃、机头温度330℃至350℃；模具温度：160℃；得到厚度为0.8mm的壳体组件。
115.4)进行cnc加工，研磨抛光，得到壳体。
116.对上述实施例及对比例制得的壳体的各项性能进行测试，测试方法如下：
117.1)光泽度测试(60
°
测试)：采用光泽度仪进行测量。
118.2)反光率测试(波长550nm)：采用紫外分光光度计进行测量。
119.3)铅笔硬度测试：采用gb/t 6739
‑
1996进行测试。
120.4)维氏硬度：采用gb/t 4340.1
‑
2009进行测试。
121.测试结果如下表1所示。
122.表1实施例及对比例的壳体的性能参数
123.性能参数实施例1对比例1光泽度150120反光率12％8％铅笔硬度(h)5h2h维氏硬度(hv)450hv55hv
124.从表1可知，相较于采用注塑成型方法制得的壳体，当陶瓷粉体的含量相同时，采用本技术实施例的组分及流延成型方法制得的壳体具有更好的光泽度和反光率，同时，也具有更高的铅笔硬度及维氏硬度。
125.请参见图5，本技术实施例还提供一种电子设备400，其包括：本技术实施例所述的壳体100，所述壳体100具有容置空间101；显示组件410，用于显示；以及电路板组件430，所述电路板组件430设置于所述容置空间101，且与所述显示组件410电连接，用于控制所述显
示组件410进行显示。可选地，所述显示组件410还用于封闭所述容置空间101；换言之，所述壳体100与所述显示组件410围合成封闭的容置空间101。
126.本技术实施例的电子设备400可以为但不限于为手机、平板、笔记本电脑、台式电脑、智能手环、智能手表、电子阅读器、游戏机等便携式电子设备。
127.关于壳体100的详细描述，请参见上述实施例对应部分的描述，在此不再赘述。
128.可选地，所述显示组件410可以为但不限于为液晶显示组件、发光二极管显示组件(led显示组件)、微发光二极管显示组件(microled显示组件)、次毫米发光二极管显示组件(miniled显示组件)、有机发光二极管显示组件(oled显示组件)等中的一种或多种。
129.请一并参见图6，可选地，电路板组件430可以包括处理器431及存储器433。所述处理器431分别与所述显示组件410及存储器433电连接。所述处理器431用于控制所述显示组件410进行显示，所述存储器433用于存储所述处理器431运行所需的程序代码，控制显示组件410所需的程序代码、显示组件410的显示内容等。
130.可选地，处理器431包括一个或者多个通用处理器431，其中，通用处理器431可以是能够处理电子指令的任何类型的设备，包括中央处理器(central processing unit,cpu)、微处理器、微控制器、主处理器、控制器以及asic等等。处理器431用于执行各种类型的数字存储指令，例如存储在存储器433中的软件或者固件程序，它能使计算设备提供较宽的多种服务。
131.可选地，存储器433可以包括易失性存储器(volatile memory)，例如随机存取存储器(random access memory，ram)；存储器433也可以包括非易失性存储器(non
‑
volatilememory，nvm)，例如只读存储器(read
‑
only memory，rom)、快闪存储器(flash memory，fm)、硬盘(hard disk drive，hdd)或固态硬盘(solid
‑
state drive，ssd)。存储器433还可以包括上述种类的存储器的组合。
132.在本文中提及“实施例”“实施方式”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现所述短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
133.最后应说明的是，以上实施方式仅用以说明本技术的技术方案而非限制，尽管参照以上较佳实施方式对本技术进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本技术的技术方案进行修改或等同替换都不应脱离本技术技术方案的精神和范围。