比较器基准电压的控制电路、比较器和IGBT控制芯片的制作方法

技术特征：
1.一种比较器基准电压的控制电路，其特征在于，所述控制电路包括：线性稳压器、多个dac模块和控制器；所述线性稳压器的输入端使用时与外部电源相连，用于将所述外部电源的输入电压进行稳压，得到第一电压；所述控制器分别与所述多个dac模块相连，用于输出多个电压参数；所述多个dac模块的输入端与所述线性稳压器的输出端相连，所述多个dac模块的输出端使用时分别与多个比较器相连，用于根据所述多个电压参数，将所述第一电压转换成多个目标电压，使所述多个目标电压作为所述多个比较器相匹配的基准电压；其中，所述线性稳压器、所述多个dac模块、所述控制器与所述多个比较器集成在同一芯片中。2.如权利要求1所述的比较器基准电压的控制电路，其特征在于，每个dac模块包括：分压单元、选择芯片和多个选择支路；所述分压单元分别与所述多个选择支路相连，所述分压单元的输出端为所述每个dac模块的输出端，所述选择芯片的输入端与所述控制器相连，所述选择芯片的多个输出端分别与所述多个选择支路相连，所述多个选择支路还与所述线性稳压器的输出端相连；所述选择芯片用于根据所述控制器输出的电压参数，通过所述多个选择支路控制所述分压单元输出相应的目标电压。3.如权利要求2所述的比较器基准电压的控制电路，其特征在于，每个选择支路包括：第一电阻，所述第一电阻的第一端与所述选择芯片的输出端相连；三极管，所述三极管的栅极与所述第一电阻的第二端相连，所述三极管的发射极与所述线性稳压器的输出端相连；第二电阻，所述第二电阻的第一端与所述三极管的集电极相连，所述第二电阻的第二端与所述分压单元相连。4.如权利要求2所述的比较器基准电压的控制电路，其特征在于，所述分压单元包括：多个分压电阻，所述多个分压电阻串联连接，所述多个选择支路分别与两个相邻分压电阻之间的交点电连接。5.如权利要求1所述的比较器基准电压的控制电路，其特征在于，所述线性稳压器包括：稳压芯片，所述稳压芯片的第一端与所述外部电源的正极输出端相连，所述稳压芯片的第二端接地，所述稳压芯片的第三端为所述线性稳压器的输出端；第三电阻，所述第三电阻的第一端与所述外部电源的负极输出端相连；第四电阻，所述第四电阻的第一端与所述第三电阻的第二端相连；第一二极管，所述第一二极管的阴极与所述第四电阻的第二端相连，所述第一二极管的阳极与所述稳压芯片的第二端相连；第二二极管，所述第二二极管的阴极与所述稳压芯片的第一端相连，所述第二二极管的阳极与所述第一二极管的阴极相连。6.如权利要求5所述的比较器基准电压的控制电路，其特征在于，所述线性稳压器还包括：第一电容，所述第一电容的第一端与所述稳压芯片的第一端相连，所述第一电容的第二端与所述稳压芯片的第二端相连；
第二电容，所述第二电容的第一端与所述稳压芯片的第一端相连，所述第二电容的第二端与所述稳压芯片的第二端相连。7.如权利要求6所述的比较器基准电压的控制电路，其特征在于，所述线性稳压器还包括：第三电容，所述第三电容的第一端与所述稳压芯片的第三端相连，所述第三电容的第二端与所述稳压芯片的第二端相连；第四电容，所述第四电容的第一端与所述稳压芯片的第三端相连，所述第四电容的第二端与所述稳压芯片的第二端相连。8.如权利要求7所述的比较器基准电压的控制电路，其特征在于，所述线性稳压器还包括：保险丝，所述保险丝的第一端与所述外部电源的正极输出端相连，所述保险丝的第二端与所述稳压芯片的第一端相连；第五电容，所述第五电容的第一端与所述第三电阻的第一端相连，所述第五电容的第二端与所述第三电阻的第二端相连。9.一种比较器，其特征在于，所述比较器包括权利要求1
‑
8所述的比较器基准电压的控制电路。10.一种igbt控制芯片，其特征在于，所述控制芯片包括权利要求1
‑
8所述的比较器基准电压的控制电路。

技术总结
本实用新型提供比较器基准电压的控制电路、比较器和IGBT控制芯片，所述控制电路包括：线性稳压器、多个DAC模块和控制器；所述线性稳压器用于将所述外部电源的输入电压进行稳压，得到第一电压；所述控制器用于输出多个电压参数；所述多个DAC模块用于根据所述多个电压参数，将所述第一电压转换成多个目标电压，使所述多个目标电压作为所述多个比较器相匹配的基准电压；其中，所述线性稳压器、所述多个DAC模块、所述控制器与所述多个比较器集成在同一芯片中；解决了现有技术中比较器基准电压的精度受制于外部电压模块和外部环境影响的问题，提高了比较器的比较精度。提高了比较器的比较精度。提高了比较器的比较精度。


技术研发人员：吴家洪 周彦 杨勇 柳泽宇 苗小雨
受保护的技术使用者：中微半导体（深圳）股份有限公司
技术研发日：2021.04.16
技术公布日：2021/9/28