一种金属箔层和导电硅胶的复合材料及其制备方法和SMT方面的用途与流程

一种金属箔层和导电硅胶的复合材料及其制备方法和smt方面的用途
技术领域
1.本发明涉及一种金属箔层和导电硅胶的复合片状材料及其制备方法和smt方面的用途。


背景技术：

2.表面组装技术(surface mounted technology，smt)是电子组装行业里最流行的一种技术和工艺。它是一种将无引脚或短引线表面组装元器件(surface mounted device，smd)安装在印制电路板(printed circuit board，pcb)的表面或其它基板的表面上，通过回流焊或浸焊等方法加以焊接组装的电路装连技术。smt贴片泡棉是可用于表面组装技术的接地端子，且为表面组装元件之一。在电气/电子机器方面为了避免因不需要的电磁波而产生机能失常或消减emi屏蔽材料噪音的emc对策配件，在pcb钎焊可使用的接地端子。其特点是可高速表面组装，且具有适合的电气导电性与卓越的耐热性以及接地特性，拥有优良耐久性与信赖性的pcb接地用导电性弹性端子，当电气/电子机器受到外部冲击或掉落所产生的冲击，smt贴片泡棉有着优异的吸收冲击特点，具有保护内部配件缓冲的作用。但随着电子电气器件以及产品的微型化，其要求pcb印刷组件上的smt贴片器件也需要进行微型结构化的调整，而传统的smt贴片泡棉由于生产成本高、生产工艺条件限制无法实现更小的微型化尺寸而限制了其满足未来发展的要求，所以集微型尺寸化、高导电、低压缩力，低成本于一体的smt贴片emi材料是未来电子电气产品的发展方向，这也受到了人们广泛的关注和研究开发。
3.传统的smt泡棉贴片一般由单表面镀铜镀锡金属层的pi(聚酰亚胺)薄膜包覆高弹性的泡棉，使用高粘性的粘合胶通过包覆生产工艺制备而成。专利cn207820462u制备了一种耐高温高弹性的导电电磁屏蔽smt泡棉，其由基材及包裹在基材表面的镀金属聚酰亚胺薄膜层构成。基材一般选用耐高温的低压缩力的硅胶泡棉，两者通过高粘性胶进行包覆工艺制备而成。但目前的传统包覆工艺限制下无法制得产品高度尺寸更小的规格(最小高度h＝1.5mm)，此外还受限于硅胶泡棉原材料来料的厚度及其精度，因此无法满足未来对smt emi贴片材料更小的微型厚度规格的要求。
4.同时为了代替传统常用smt金属弹片和smt泡棉贴片，专利cn108424653a也制备了一种由导电橡胶、可焊接金属层、导电粘结层组成的smt贴片emi材料，其中导电橡胶为空心结构的smd导电橡胶组合物，smd导电橡胶组合物可以通过将导电橡胶的原料混炼，再和金属层、粘结层共挤硫化后裁切的方式得到，制得的组合物进行了空心的橡胶结构设计，进一步降低的导电橡胶组合物的压缩力。但该组合物的厚度在1
‑
10mm之间，因此也无法更好的解决和满足未来对smt emi贴片材料更小厚度规格的要求。


技术实现要素：

5.有鉴于此，为了克服上述存在的缺陷和不足，本发明提供一种结构组成简单、高导
电、低压缩、电磁屏蔽性能优异、加工工艺选择性多的金属箔层和导电硅胶的复合片状材料与制备方法。本发明选用金属箔片为基底，在其表面电镀锡或镍，制备两种金属层的基底材料；同时选用高粘性、低压缩率的硅胶基体，导电填料选择高导电率的镀银系填料，和添加一系列的助剂，通过工艺方法制备导电硅胶层；通过在基底材料单面涂覆一层增粘剂，将导电硅胶层均匀地涂覆在金属箔层材料的表面，然后通过工艺设备控制材料的厚度精度，最后经过高温固化制得具有厚度尺寸更小的emi垫片材料。此外，该垫片材料还可通过应用场景选择多种不同的工艺制得相应的垫片产品，如通过精确的裁切工艺制得微型尺寸的smt emi贴片材料；通过模切工艺制得常见的异性结构emi垫片材料。
6.本发明一个方面提供了一种金属箔层和导电硅胶的复合材料，其由金属箔片基底和导电硅胶制成；所述金属箔片基底为表面镀有金属表面镀层的金属箔片；所述导电硅胶为包含导电填料的有机硅胶；所述金属箔层和导电硅胶的复合材料通过在金属箔片基底上涂增粘剂，然后再涂覆导电硅胶并高温固化，获得金属箔层和导电硅胶的复合材料。
7.在本发明一个具体实施方案中，所述金属箔片为铜箔、铝箔、金箔、银箔的一种或多种。
8.在本发明一个具体实施方案中，所述金属箔片的厚度为0.005
‑
0.080mm，例如为0.018mm、0.025mm、0.035mm的一种或多种。
9.在本发明一个具体实施方案中，所述金属表面镀层中的金属选自金、银、铜、镍、铝、钨、铁、钛、钯、铂中的一种或多种。
10.优选地，所述金属表面镀层通过化学方法或物理方法实现的。
11.更优选地，所述金属表面镀层为1或2层镀层；更优选为1层。
12.在本发明一个具体实施方案中，所述金属表面镀层的厚度为0.005mm
‑
0.050mm，例如为0.005mm、0.01mm、0.015mm、0.02mm。
13.在本发明一个具体实施方案中，金属箔片基底的总厚度在0.010mm—0.100mm范围之间；优选地，总厚度在0.015mm
‑
0.050mm，例如为0.015mm、0.020mm、0.025mm、0.035mm。
14.在本发明一个具体实施方案中，所述导电硅胶由含乙烯基官能团的硅氧烷与导电填料及其相关助剂制成。
15.在本发明一个具体实施方案中，所述含乙烯基官能团的硅氧烷占导电硅胶的质量百分数为12wt％～30wt％；优选地，含乙烯基官能团的硅氧烷的质量百分数为15wt％
‑
25wt％；例如，15wt％、17wt％、19wt％、21wt％、23wt％、25wt％。
16.优选地，所述含乙烯基官能团的硅氧烷选自甲基乙烯基硅氧烷、二甲基二苯基乙烯基聚硅氧烷、甲基苯基乙烯基硅氧烷、乙烯基聚二甲基硅氧烷中的一种或多种。
17.更优选地，所述含乙烯基官能团的硅氧烷其黏度范围为1000
‑
30000mpas，优选地，黏度范围度为10000
‑
20000mpas，例如为12000mpas、14000mpas、16000mpas、18000mpas。
18.在本发明一个具体实施方案中，所述导电填料为空心银玻璃微球导电粉、银玻璃纤维导电粉、银镍导电粉、银铜导电粉、金镍导电粉的一种或多种。
19.在本发明一个具体实施方案中，所述导电填料中10％
‑
90％以上的导电填料为纤维，更优选为30％
‑
60％。
20.在本发明一个具体实施方案中，所述导电填料颗粒粒径为20μm—40μm，或纤维直径在10μm—20μm，长度为50μm—200μm之间，更优选地为80μm—150μm。
21.在本发明一个具体实施方案中，所述导电填料占导电硅胶的质量百分数为65wt％～81.5wt％，更优选为68wt％
‑
80wt％；例如，65wt％、70wt％、72wt％、75wt％、78wt％、80wt％。
22.在本发明一个具体实施方案中，所述相关助剂包括黏度调节剂、交联剂和催化剂。
23.在本发明一个具体实施方案中，所述黏度调节剂为低黏度的有机硅油或矿物油精，优选地，所述低黏度的有机硅油或矿物油精为羟基硅油、二甲基硅氧烷硅油中的一种或多种；更优选地，选自黏度范围为0.1
‑
1.0mpas。
24.优选地，低黏度的有机硅油占导电硅胶的质量百分数为0wt％～5wt％；更优选地为1.5wt％
‑
3.0wt％。
25.在本发明一个具体实施方案中，所述催化剂为pt铂金催化剂，其ppm值在10000
‑
30000之间；更优选地为ppm值在20000
‑
25000之间。
26.在本发明一个具体实施方案中，所述交联剂为含氢的功能团硅氧烷和羟基封端硅油的聚合物，其黏度范围为500
‑
2000mpas，优选地，黏度范围度为1000
‑
2000mpas，例如为1200mpas、1400mpas、1600mpas、1800mpas、2000mpas。
27.在本发明一个具体实施方案中，导电硅胶各组分之和为100％。
28.在本发明一个具体实施方案中，金属箔层和导电硅胶的复合材料的厚度为0.50mm
‑
3.0mm，更优选地为0.50mm
‑
1.50mm。
29.在本发明一个具体实施方案中，涂覆的方法为采用自动式刮涂机进行涂覆，刮涂速率为1
‑
10mm/s。
30.在本发明一个具体实施方案中，固化的条件为温度100℃
‑
150℃，固化时间为60
‑
90min。
31.本发明另一个方面提供了上述金属箔层和导电硅胶的复合材料作为电磁屏蔽垫片材料的用途，优选地，用于smt表面组装贴片的电磁屏蔽衬垫材料的用途。
32.本发明再一个方面提供了上述金属箔层和导电硅胶的复合材料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
33.s1)在金属箔片表面镀金属表面镀层，获得金属箔片基底；
34.s2)配制导电硅胶：将含乙烯基官能团的硅氧烷聚合物、导电填料以及相关助剂依次混合，配制成导电硅胶；
35.s3)在金属箔片基底上涂覆增粘剂，然后将导电硅胶涂布于涂覆增粘剂的表面，并固化得到金属箔层和导电硅胶的复合材料。
36.在本发明一个具体实施方案中，步骤s1)在金属箔片表面镀金属表面镀层的制备方法包括：
37.s1
‑
1)对金属箔片表面进行清洁；
38.s1
‑
2)对清洁处理后的金属箔片表面镀金属表面镀层；
39.s1
‑
3)干燥。
40.在本发明一个具体实施方案中，s1
‑
2)清洁化处理后的金属箔片浸入到配制好的金属镀液中，水浴锅保持温度为30℃
‑
45℃，保持搅拌并排除产生的气体，镀金属表面镀层的时间为30min
‑
60min。
41.在本发明一个具体实施方案中，s1
‑
2)中金属镀液为镀铜镀液、镀铝镀液、镀金镀
液、镀银镀液、镀镍镀液、镀钨镀液、镀铁镀液、镀钛镀液、镀钯镀液、镀铂镀液中的任意一种。
42.在本发明一个具体实施方案中，s2)配制导电硅胶的方法为：
43.s2
‑
1)对导电填料进行前处理；
44.s2
‑
2)导电硅胶液的配制：
45.s2
‑
21)将含乙烯基官能团的硅氧烷聚合物、交联剂进行预混；
46.s2
‑
22)在预混的液体中分次加入导电填料，并混合均匀；
47.s2
‑
23)加入催化剂并进行混合；
48.任选地，在步骤s2
‑
21)、s2
‑
22)和或s2
‑
23)中，还包括加入黏度调节剂进行粘度调节的步骤。
49.在本发明一个具体实施方案中，在步骤s2
‑
21)、s2
‑
22)和或s2
‑
23)中进行真空混合。
50.在本发明一个具体实施方案中，在步骤s3)中，将导电硅胶涂布于金属箔层的镀两层金属的表面，并固化为一次涂布并固化、分两次涂布并固化或分三次涂布并固化。
51.在本发明一个具体实施方案中，在步骤s3)中一次涂布并固化，涂布的厚度为0.2
‑
1.5mm，优选为0.3
‑
0.8mm。
52.在本发明一个具体实施方案中，固化的条件为90℃～150℃下，固化时间45～90min。
53.在本发明一个具体实施方案中，制备方法中还包括通过裁切、模切的方法制得各个厚度及尺寸形状的金属箔层和导电硅胶的复合材料。
54.有益效果
55.1、为解决提供更小尺寸的、用于表面组装技术的电磁屏蔽材料，本发明提供了一种与现有技术完全不同结构的复合片状材料，该材料的最小厚度能够达到0.5mm。解决了现有技术中无法实现更小尺寸表面组装贴片的问题。
56.2、本发明采用金属箔片作为基底，其厚度薄且可控、能够满足使用焊接时高温的要求，进而实现自动化的smt贴装生产使用。
57.3、本发明在金属箔层上进行金属镀层操作，在smt贴装技术使用中与锡膏进行的焊接可避免金属电位差带来的电化学腐蚀，提高了使用稳定性。
58.4、本发明使用的有机硅胶基体，具有高粘性的特征，在电子封装领域中可与电路基板进行有效的高温固化粘合，可同时满足fip点胶工艺的使用，这进一步提升本发明复合片状材料的应用范围。
59.5、发明使用真空球形镀银系列的导电填料，导电颗粒具有密度低，不易在有机硅胶中沉积，同时具有较高的电导率，所制导电硅胶混合更均匀、性能稳定、导电性良好。
60.6、本发明的复合片状材料可实现高速表面组装，且具有适合的电气导电性与接地特性；是拥有优良耐久性与信赖性的pcb接地用导电性的弹性端子。
61.7、当电气/电子机器受到外部冲击或掉落所产生的冲击，采用本发明的复合片状材料，则赋予电子器件优异的吸收冲击特点，具有保护内部配件缓冲的作用。
附图说明
62.图1为镀锡金属箔片的sem截面图。
63.图2为镀锡金属箔片的sem表面图。
64.图3为有机导电硅胶的sem截面图。
65.图4为有机导电硅胶的sem表面图。
66.图5为金属箔层和导电硅胶的复合片状材料截面sem图。
67.图6为金属箔层和导电硅胶的复合片状材料在pcb板上smt贴片材料性能应用的实例测试图。
68.图7为金属箔层和导电硅胶的复合片状材料样品实物图。
具体实施方式
69.为了使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面对本发明的具体实施方式做详细的说明，但不能理解为对本发明的可实施范围的限定。
70.实施例1：金属箔层和导电硅胶的复合片状材料的制备
71.以平均厚度约为w0＝35μm，初始z轴电阻为5.0mω的金属铜箔，通过化学镀工艺在其两个表面进行化学镀锡，从而得到镀锡铜箔(如图1
‑
2所示)。化学镀锡铜箔的制备步骤如下：
72.‑
化学镀锡
73.1)铜箔表面清洁处理：将铜箔裁切成100mm
×
100mm尺寸规格放入容器中，往容器中加入铜件酸洗溶液至完全浸泡铜箔，时间1h；
74.2)水洗：取出铜箔，用等离子水进行两道水的表面清洗；
75.3)化学镀锡液的调配：称取化学镀锡水原液至容器中，放入恒温水浴锅中，加热至60
‑
80℃，然后加入适量的镀锡添加剂，使之充分搅拌完全溶解于化学镀锡原液中；
76.4)铜箔化学镀锡：将酸洗后的铜箔完全浸泡在镀锡溶液中，过程中进行搅拌便于气体的排除，镀锡时间为15min；
77.5)水洗：将镀锡的铜箔取出用等离子水进行3
‑
4道水清洗；
78.6)烘干：将清洗的镀锡铜箔在真空烘箱中60℃烘干12h
‑
24h得到镀锡铜箔；
79.7)检测：测量镀锡后铜箔的厚度w1＝48.5μm，z轴电阻为6.5mω，可知镀锡层厚度w2＝w1‑
w0＝48.5μm
‑
35μm＝13.5μm，其z轴的电阻变化不大。
80.‑
制备导电硅胶
81.以平均粒径约为40μm的空心银玻璃微球导电粉为导电填料，黏度为10000mpas乙烯基硅氧烷硅胶为基体，通过行星搅拌机制备导电硅胶，其制备步骤如下：
82.1)前期物料处理准备工作：称取1000g的空心银玻璃微球导电粉，在真空烘箱150℃中进行3h的干燥，充分冷却后待用；
83.2)硅胶预混：称取174.375g的有机硅胶，加入62.5g的交联剂与10g的小分子硅油进行真空搅拌混合，温度控制在10℃
‑
20℃，转速500r/min，时间为10min；
84.3)导电硅胶混合配制：将冷却后的导电粉分成四等份，每份250g依次加入到步骤2)预混好的硅胶中，每次混合的条件为：真空状态下，温度控制在10℃
‑
20℃，转速500r/min，时间为5min，其中根据混合中导电硅胶的流动性适量的加入硅油进行调试；
85.4)加入其他助剂：导电粉充分与硅胶混合后加入0.625g的铂金催化剂和12.5g的羟基硅油，混合条件为真空状态下，温度控制在10℃
‑
20℃，转速500r/min，时间为10min，最终的导电硅胶混合后进行真空包装，并保存在低温冰箱中8h
‑
12h以备待用。
86.对上述导电硅胶制成的硅胶片性能进行检测。
87.高温固化：将混合制备好的导电硅胶在涂布机上刮涂为厚度1mm的片状样品，在鼓风干燥箱中进行固化，温度为130℃，时间为1h。
88.样品性能测试：将固化后的样品裁切成l25mm
×
w25mm
×
h1mm的尺寸，用力学压缩
‑
电阻仪进行压电性能的测试，测试中：在@30％的压缩规格尺寸下，当h＝0.70mm时，此时的材料压缩力为58psi，z轴电阻值为0.150ω。
89.‑
材料复合
90.将上述制得的金属箔片基底与导电硅胶通过涂布工艺进行复合，主要步骤如下：
91.1)镀锡铜箔涂覆增粘剂：将上述制得的镀锡铜箔在其任意一面贴上低粘度的塑料膜，保持其表面的平整性并固定在涂布机上，用刷子蘸取增粘剂液体，使之均匀地刷涂在镀锡铜箔表面，然后在空气中静置30
‑
45min或80℃烘箱中干燥10min；所述增粘剂是能够增加金属与非金属表面粘结性的助剂，主要成分是有机硅树脂的异烷烃混合溶液。
92.2)设备调试：调试好设备刮刀的间距为0.5mm，设备开机调试，镀锡铜箔真空吸附固定其位置，将刮刀调整好位置；
93.3)涂布导电硅胶：称取80g的导电硅胶于刮刀中，设定涂布速率为8mm/s进行作业；
94.4)高温固化：将涂布好硅胶的铜箔放入鼓风干燥箱中进行固化，温度为130℃，时间为1h；
95.5)金属箔层复合导电硅胶材料样品性能测试：将固化后的样品裁切成l25mm
×
w25mm的尺寸，测试其材料总厚度w＝0.520mm，同样用力学压缩
‑
电阻仪进行压电性能的测试，测试数据为：在@30％的压缩规格尺寸下，当h＝0.364mm时，此时的金属箔层复合导电硅胶材料压缩力为60.32psi，z轴电阻值为0.080ω，采用同轴法在30mhz
‑
3ghz频率范围测试材料的电磁屏蔽效能为85db
‑
90db。
96.实施例2：金属箔层和导电硅胶的复合片状材料的制备
97.以平均厚度约为w0＝35μm，初始z轴电阻为5.0mω的金属铜箔，通过化学镀工艺在其两个表面进行化学镀锡，从而得到镀锡铜箔(如图1
‑
2所示)。化学镀锡铜箔的制备步骤如下：
98.‑
化学镀锡
99.1)铜箔表面清洁处理：将铜箔裁切成100mm
×
100mm尺寸规格放入容器中，往容器中加入铜件酸洗溶液至完全浸泡铜箔，时间1h；
100.2)水洗：取出铜箔，用等离子水进行两道水的表面清洗；
101.3)化学镀锡液的调配：称取化学镀锡水原液至容器中，放入恒温水浴锅中，加热至60
‑
80℃，然后加入适量的镀锡添加剂，使之充分搅拌完全溶解于化学镀锡原液中；
102.4)铜箔化学镀锡：将酸洗后的铜箔完全浸泡在镀锡溶液中，过程中进行搅拌便于气体的排除，镀锡时间为15min；
103.5)水洗：将镀锡的铜箔取出用等离子水进行3
‑
4道水清洗；
104.6)烘干：将清洗的镀锡铜箔在真空烘箱中60℃烘干12h
‑
24h得到镀锡铜箔；
105.7)检测：测量镀锡后铜箔的厚度w1＝48.5μm，z轴电阻为6.5mω，可知镀锡层厚度w2＝w1‑
w0＝48.5μm
‑
35μm＝13.5μm，其z轴的电阻变化不大。
106.‑
制备导电硅胶
107.以平均粒径约为20μm，长度为100μm的银纤维导电粉和平均粒径为40μm的空心银玻璃微球导电粉为混合导电填料，黏度为10000mpas乙烯基硅氧烷硅胶为基体，通过行星搅拌机制备导电硅胶，其制备步骤如下：
108.1)前期物料处理准备工作：称取500g的空心银玻璃微球导电粉和500g的银纤维导电粉，在真空烘箱150℃中进行3h的干燥，充分冷却后待用；
109.2)硅胶预混：称取174.375g的有机硅胶，加入62.5g的交联剂与10g的小分子硅油进行真空搅拌混合，温度控制在10℃
‑
20℃，转速500r/min，时间为10min；
110.3)导电硅胶混合配制：将冷却后的导电粉分成四等份，每份250g依次加入到步骤2)预混好的硅胶中，每次混合的条件为：真空状态下，温度控制在10℃
‑
20℃，转速500r/min，时间为5min，其中根据混合中导电硅胶的流动性适量的加入硅油进行调试；
111.4)加入其他助剂：导电粉充分与硅胶混合后加入0.625g的铂金催化剂和12.5g的羟基硅油，混合条件为真空状态下，温度控制在10℃
‑
20℃，转速500r/min，时间为10min，最终的导电硅胶混合后进行真空包装，并保存在低温冰箱中8h
‑
12h以备待用。
112.对上述导电硅胶制成的硅胶片性能进行检测。
113.高温固化：将混合制备好的导电硅胶在涂布机上刮涂为厚度1mm的片状样品，在鼓风干燥箱中进行固化，温度为130℃，时间为1h。
114.样品性能测试：将固化后的样品裁切成l25mm
×
w25mm
×
h1mm的尺寸，用力学压缩
‑
电阻仪进行压电性能的测试，测试中：在@30％的压缩规格尺寸下，当h＝0.70mm时，此时的材料压缩力为54psi，z轴电阻值为0.090ω。
115.‑
材料复合
116.将上述制得的金属箔片基底与导电硅胶通过涂布工艺进行复合，主要步骤如下：
117.1)镀锡铜箔涂覆增粘剂：将上述制得的镀锡铜箔在其任意一面贴上低粘度的塑料膜，保持其表面的平整性并固定在涂布机上，用刷子蘸取增粘剂液体，使之均匀地刷涂在镀锡铜箔表面，然后在空气中静置30
‑
45min或80℃烘箱中干燥10min；所述增粘剂是能够增加金属与非金属表面粘结性的助剂，主要成分是有机硅树脂的异烷烃混合溶液。
118.2)设备调试：调试好设备刮刀的间距为0.5mm，设备开机调试，镀锡铜箔真空吸附固定其位置，将刮刀调整好位置；
119.3)涂布导电硅胶：称取80g的导电硅胶于刮刀中，设定涂布速率为8mm/s进行作业；
120.4)高温固化：将涂布好硅胶的铜箔放入鼓风干燥箱中进行固化，温度为130℃，时间为1h；
121.金属箔层复合导电硅胶材料样品性能测试：将固化后的样品裁切成l25mm
×
w25mm的尺寸，测试其材料总厚度w＝0.520mm，同样用力学压缩
‑
电阻仪进行压电性能的测试，测试数据为：在@30％的压缩规格尺寸下，当h＝0.364mm时，此时的金属箔层复合导电硅胶材料压缩力为56.5psi，z轴电阻值为0.075ω，采用同轴法在30mhz
‑
3ghz频率范围测试材料的电磁屏蔽效能为90db
‑
95db。
122.实施例3：金属箔层和导电硅胶的复合片状材料的制备
123.以平均厚度约为w0＝18μm，初始z轴电阻为3.0mω的金属铜箔，通过化学镀工艺在其两个表面进行化学镀锡，从而得到镀锡铜箔(如图1
‑
2所示)。化学镀锡铜箔的制备步骤如下：
124.‑
化学镀锡
125.1)铜箔表面清洁处理：将铜箔裁切成100mm
×
100mm尺寸规格放入容器中，往容器中加入铜件酸洗溶液至完全浸泡铜箔，时间1h；
126.2)水洗：取出铜箔，用等离子水进行两道水的表面清洗；
127.3)化学镀锡液的调配：称取化学镀锡水原液至容器中，放入恒温水浴锅中，加热至60
‑
80℃，然后加入适量的镀锡添加剂，使之充分搅拌完全溶解于化学镀锡原液中；
128.4)铜箔化学镀锡：将酸洗后的铜箔完全浸泡在镀锡溶液中，过程中进行搅拌便于气体的排除，镀锡时间为15min；
129.5)水洗：将镀锡的铜箔取出用等离子水进行3
‑
4道水清洗；
130.6)烘干：将清洗的镀锡铜箔在真空烘箱中60℃烘干12h
‑
24h得到镀锡铜箔；
131.7)检测：测量镀锡后铜箔的厚度w1＝32.5μm，z轴电阻为3.5mω，可知镀锡层厚度w2＝w1‑
w0＝32.5
‑
15＝17.5μm，其z轴的电阻变化不大。
132.‑
制备导电硅胶
133.以平均粒径约为20μm，长度为100μm的银纤维导电粉和平均粒径为40μm的空心银玻璃微球导电粉为混合导电填料，黏度为10000mpas乙烯基硅氧烷硅胶为基体，通过行星搅拌机制备导电硅胶，其制备步骤如下：
134.1)前期物料处理准备工作：称取500g的空心银玻璃微球导电粉和500g的银纤维导电粉，在真空烘箱150℃中进行3h的干燥，充分冷却后待用；
135.2)硅胶预混：称取174.375g的有机硅胶，加入62.5g的交联剂与10g的小分子硅油进行真空搅拌混合，温度控制在10℃
‑
20℃，转速500r/min，时间为10min；
136.3)导电硅胶混合配制：将冷却后的导电粉分成四等份，每份250g依次加入到步骤2)预混好的硅胶中，每次混合的条件为：真空状态下，温度控制在10℃
‑
20℃，转速500r/min，时间为5min，其中根据混合中导电硅胶的流动性适量的加入硅油进行调试；
137.4)加入其他助剂：导电粉充分与硅胶混合后加入0.625g的铂金催化剂和12.5g的羟基硅油，混合条件为真空状态下，温度控制在10℃
‑
20℃，转速500r/min，时间为10min，最终的导电硅胶混合后进行真空包装，并保存在低温冰箱中8h
‑
12h以备待用。
138.对上述导电硅胶制成的硅胶片性能进行检测。
139.高温固化：将混合制备好的导电硅胶在涂布机上刮涂为厚度1mm的片状样品，在鼓风干燥箱中进行固化，温度为130℃，时间为1h。
140.样品性能测试：将固化后的样品裁切成l25mm
×
w25mm
×
h1mm的尺寸，用力学压缩
‑
电阻仪进行压电性能的测试，测试中：在@30％的压缩规格尺寸下，当h＝0.70mm时，此时的材料压缩力为54psi，z轴电阻值为0.090ω。
141.‑
材料复合
142.将上述制得的金属箔片基底与导电硅胶通过涂布工艺进行复合，主要步骤如下：
143.1)镀锡铜箔涂覆增粘剂：将上述制得的镀锡铜箔在其任意一面贴上低粘度的塑料膜，保持其表面的平整性并固定在涂布机上，用刷子蘸取增粘剂液体，使之均匀地刷涂在镀
锡铜箔表面，然后在空气中静置30
‑
45min或80℃烘箱中干燥10min；所述增粘剂是能够增加金属与非金属表面粘结性的助剂，主要成分是有机硅树脂的异烷烃混合溶液。
144.2)设备调试：调试好设备刮刀的间距为0.60mm，设备开机调试，镀锡铜箔真空吸附固定其位置，将刮刀调整好位置；
145.3)涂布导电硅胶：称取50g的导电硅胶于刮刀中，设定涂布速率为8mm/s进行作业；
146.4)高温固化：将涂布好硅胶的铜箔放入鼓风干燥箱中进行固化，温度为130℃，时间为1h；
147.金属箔层复合导电硅胶材料样品性能测试：将固化后的样品裁切成l25mm
×
w25mm的尺寸，测试其材料总厚度w＝0.750mm，同样用力学压缩
‑
电阻仪进行压电性能的测试，测试数据为：在@30％的压缩规格尺寸下，当h＝0.525mm时，此时的金属箔层复合导电硅胶材料压缩力为59.32psi，z轴电阻值为0.100ω，采用同轴法在30mhz
‑
3ghz频率范围测试材料的电磁屏蔽效能为85db
‑
90db。
148.虽然本发明以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求书的申请专利范围所界定者为准。