固晶片、及带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法与流程

技术特征：
1.一种固晶片，其具备基材，并通过在所述基材上依次层叠粘着剂层、中间层及膜状粘合剂而构成，制作大小为4.5mm
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15mm的所述基材的试验片，使用热机械分析装置，将负荷设为2g，以不使所述试验片发生温度变化的方式，测定所述试验片的温度为23℃时的位移量x0，针对测定所述位移量x0后的所述试验片，测定将升温速度设为20℃/min、负荷设为2g并将所述试验片的温度升温至70℃时的所述试验片的位移量的最大值x1，针对测定所述位移量x1后的所述试验片，测定将负荷设为2g并在23℃的温度条件下放冷时的所述试验片的位移量的最小值x2，此时，利用式(1)：(x1‑
x0)/15
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100计算的所述试验片的位移量的加热时变化率为0～2％，利用式(2)：(x2‑
x1)/15
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100计算的所述试验片的位移量的放冷时变化率为
‑
2～0％，利用式(3)：(x2‑
x0)/15
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100计算的所述试验片的位移量的综合变化率为
‑
2～1％。2.根据权利要求1所述的固晶片，其中，所述中间层的宽度的最大值为150～160mm、200～210mm或300～310mm。3.根据权利要求1或2所述的固晶片，其中，[所述中间层在0℃下的拉伸弹性模量]/[所述基材在0℃下的拉伸弹性模量]的值为0.5以下。4.一种带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，所述带膜状粘合剂的半导体芯片具备半导体芯片与设置在所述半导体芯片的背面上的膜状粘合剂，所述制造方法具有下述工序：通过以聚焦于设定在半导体晶圆内部的焦点的方式照射激光，从而在所述半导体晶圆的内部形成改质层的工序；通过研磨形成所述改质层后的所述半导体晶圆的背面，同时利用施加于所述半导体晶圆的研磨时的力，从而在所述改质层的形成部位分割所述半导体晶圆，得到多个半导体芯片处于整齐排列状态的半导体芯片组的工序；一边对权利要求1～3中任一项所述的固晶片进行加热，一边将其中的膜状粘合剂贴附于所述半导体芯片组中的所有半导体芯片的背面的工序；一边冷却贴附于所述半导体芯片组后的所述固晶片，一边沿与其表面平行的方向进行拉伸，由此沿所述半导体芯片的外周切断所述膜状粘合剂，得到多个带所述膜状粘合剂的半导体芯片处于整齐排列状态的带膜状粘合剂的半导体芯片组的工序；将得到所述带膜状粘合剂的半导体芯片组后的、源自所述固晶片的基材、粘着剂层及中间层的层叠片沿与所述粘着剂层的表面平行的方向扩展，进一步以维持该状态的方式，对所述层叠片中的未载置所述带膜状粘合剂的半导体芯片的周缘部进行加热的工序；及将所述带膜状粘合剂的半导体芯片自加热所述周缘部后的所述层叠片中的所述中间层上分离，从而拾取所述带膜状粘合剂的半导体芯片的工序，所述中间层的宽度的最大值与所述半导体晶圆的宽度的最大值之差为0～10mm。

技术总结
本发明提供一种固晶片(101)，其具备基材(11)，并通过在基材(11)上依次层叠粘着剂层(12)、中间层(13)及膜状粘合剂(14)而构成，针对基材(11)的试验片，进行热机械分析，将23℃时的位移量设为X0、将升温至70℃时的位移量的最大值设为X1、将在23℃的温度条件下放冷时的位移量的最小值设为X2时，(X1‑


技术研发人员：岩屋涉 佐藤阳辅
受保护的技术使用者：琳得科株式会社
技术研发日：2020.03.06
技术公布日：2021/10/15