一种封装材料、封装胶膜及其制作方法和光伏组件与流程

1.本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种封装材料、封装胶膜及其制作方法和光伏组件。


背景技术：

2.乙烯
‑
醋酸乙烯共聚物(ethylene
‑
vinyl acetate copolymer，简称eva)是一种热固性有粘性的胶膜，可以放在夹胶玻璃中间。由于eva在粘着力、耐久性、光学特性等方面具有显著的优越性，被越来越广泛地应用于电流组件以及各种光学产品中。
3.相关技术，可以采用高透明、抗紫外及耐老化性能优异、粘接性较好、具有弹性的eva胶膜将太阳能电池片封装起来，并与上层保护材料(例如玻璃) 和下层保护材料(例如背板或玻璃)粘合在一起，共同构成光伏组件。在实际应用中，双玻组件利用封装胶膜对电池单元进行封装，并利用封装胶膜将电池组件将玻璃盖板与电池单元粘结在一起。玻璃盖板大多为硅酸盐玻璃，其主要成分为二氧化硅、氧化钾、氧化钠、氧化镁等无机氧化物，在湿热状态下，这些碱正电荷离子、碱土正电荷离子容易从玻璃盖板上析出，并有向太阳能电池单元迁移的可能。当碱正电荷离子、碱土正电荷离子等正电荷离子向太阳能电池单元表面迁移时，高电压流经太阳能电池单元现电池功率下降，这种现象被称为电位诱发衰减pid(potential induced degradation)现象，导致组件功率下降。
4.鉴于pid现象会导致光伏组件功能出现不同程度的降低，为了减少pid的影响，业内多选择乙烯
‑
辛烯共聚物(polyolefin elastomer,缩写为poe)胶膜作为双玻光伏组件的封装材料。但poe胶膜存在成本高、层压时间长等缺点。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种封装材料、封装胶膜及其制作方法和光伏组件，以保证封装材料不仅具有良好的抗pid性能，还具有较低的生产成本。
6.第一方面，本发明提供一种封装材料，用于封装光伏组件，所述封装材料包括：聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物、纳米级无机填料、交联剂组分、偶联剂以及助剂组分。纳米级无机填料为可带负电的纳米级无机氧化物，纳米级无机氧化物用于阻断光伏组件内的正电荷离子迁移。
7.采用上述技术方案的情况下，封装材料所选择的各个组分易于购买，且成本较低，在交联剂组分、偶联剂的作用下，聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物可以与助剂组分发生反应，形成三维立体网络，使得纳米级无机填料以均匀分散的方式被三维立体网络包围。同时，在小尺寸效应下，纳米级无机氧化物具有良好的透光性，从而保证含有纳米级无机氧化物的封装材料用于光伏组件时，不会影响光伏组件的光线利用率；不仅如此，在湿热环境下带有负电荷，使得采用该封装材料封装电池单元时，光伏组件在湿热环境下产生的可迁移正电荷离子穿过封装胶膜迁移至电池模组的过程中，被三维立体网络包围的纳米级无机氧化物可以静电吸附正电荷离子，从而减少正电荷离子迁移到电池模组表面所产生的pid现象。不
仅如此，由于纳米级无机氧化物均匀分散的被三维立体网络包围，因此，当纳米级无机氧化物静电吸附正电荷离子时，三维立体网络可以锁定吸附在纳米级无机氧化物的正电荷离子，防止正电荷离子从纳米级无机氧化物脱离。由此可见，本发明提供的封装材料用于封装光伏组件时，通过封装材料所含有的各个组分之间的相互配合，阻断光伏组件内的正电荷离子迁移至电池模组的表面，从而降低pid现象对光伏组件的影响，提高光伏组件在湿热环境的功率。经验证，本发明提供的封装材料用于光伏组件，其功率衰减率至少可以下降29.7％。
8.由上可见，本发明提供的封装材料不仅具有良好的抗pid性能，还具有较低的生产成本。
9.在一种可选方式中，上述纳米级无机氧化物包括氧化硅和/或第四副族元素氧化物。当纳米级无机氧化物为氧化硅或第四副族元素氧化物时，纳米级无机氧化物保证封装材料用于封装光伏组件的时候，降低封装材料挡光的几率。同时，纳米级无机氧化物在湿热环境下，其可以带负电荷，可以吸附正电荷离子，从而降低pid现象对光伏组件的影响。
10.在一种可能的实现方式中，上述第四副族元素氧化物包括二氧化钛和/或氧化锆。
11.在一种可能的实现方式中，上述纳米级无机氧化物的结构至少包括颗粒结构、棒状结构或片状结构。
12.在一种可能的实现方式中，上述纳米级无机氧化物的粒径小于100nm。
13.在一种可能的实现方式中，上述纳米级无机氧化物的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物的质量的0.01％～5％。此时，通过控制纳米级无机氧化物的加入量不仅可以充分发挥纳米级无机氧化物的离子迁移阻断功能，还可以减少纳米级无机氧化物对封装材料的性能影响，保证封装材料制作的封装胶膜保佑原有封装胶膜的特征。
14.在一种可能的实现方式中，上述聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物含有的醋酸乙烯酯质量含量为23％～35％。当封装材料处在湿热条件下，封装材料所含有的聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物具有较低的水解率，可以保证所制作的封装胶膜具有的三维网状结构尽可能完整。基于此，当含有封装胶膜的光伏组件在湿热条件时，封装胶膜具有的三维网状结构不易被水汽破坏，从而保证三维网状结构锁定吸附在纳米级无机氧化物的正电荷离子能力比较好，以进一步提高封装材料的抗pid性能。
15.在一种可能的实现方式中，上述交联剂组分包括主交联剂和助交联剂；其中，主交联剂的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物的质量的0.3％～2％，助交联剂的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物的质量的0.1％～0.5％。
16.在一种可能的实现方式中，上述主交联剂至少包括碳酸二苯酯、过氧化苯甲酰、三聚氰酸三烯丙酯或过氧化缩酮类交联剂。
17.在一种可能的实现方式中，上述助交联剂至少包括氧化锌、氧化镁、三烯丙基三聚氰酸酯、三烯丙基三异氰酸酯或三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸甲酯。
18.在一种可能的实现方式中，上述偶联剂的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物的质量的0.3％～1％。
19.在一种可能的实现方式中，上述偶联剂至少包括乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷或乙烯基三(β
‑
甲氧乙氧基)硅烷。
20.在一种可能的实现方式中，上述助剂组分至少包括抗氧剂。抗氧剂的质量为所述
聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物的质量的0.1％～1％。抗氧剂至少包括2,6
‑
二叔丁基
‑4‑
甲基苯酚、三壬基苯基亚磷酸酯、磷酸三苯酯或二(十二烷基)
‑
3,3'
‑
硫代双丙酸酯。
21.在一种可能的实现方式中，上述助剂组分至少包括光稳定剂。光稳定剂的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物的质量的0.1％～1％，光稳定剂至少包括苯甲酸2,2,6,6
‑
四甲基哌啶酯或2,2,6,6
‑
四甲基哌啶
‑
氮
‑
氧化物。
22.在一种可能的实现方式中，上述助剂组分至少包括热稳定剂。热稳定剂的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物的质量的1％～5％。热稳定剂至少包括硬脂酸盐、环氧氯丙烷辛酯、亚磷酸三烷基酯、三芳基酯或季戊四醇。
23.在一种可能的实现方式中，上述助剂组分至少包括增粘剂。增粘剂的质量为所述聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物的质量的0.2％～0.8％，所述增粘剂至少包括萜烯类树脂、松香类增粘剂或季戊四醇酯。
24.在一种可能的实现方式中，上述助剂组分至少包括增塑剂。增塑剂的质量为所述聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物的质量的1％～3％，增塑剂至少包括邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯或邻苯二甲酸酯。
25.第二方面，本发明提供一种封装胶膜，包括第一方面或第一方面任一可能的实现方式描述的封装材料。
26.第二方面提供的封装胶膜的有益效果与第一方面或第一方面任一可能的实现方式描述的封装材料的有益效果相同，此处不做赘述。
27.第三方面，本发明提供一种封装胶膜的制作方法，应用第一方面或第一方面任一可能的实现方式描述的封装材料，所述封装材料的制作方法包括：
28.将无机填料、交联剂、偶联剂、助剂组分和聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物加热熔化，获得熔融液体；
29.利用所述熔融液体制作封装胶膜。
30.第三方面提供的封装胶膜的制作方法的有益效果与第一方面或第一方面任一可能的实现方式描述的封装材料的有益效果相同，此处不做赘述。
31.第四方面，本发明提供一种光伏组件，包括第一方面或第一方面任一可能的实现方式描述的封装材料，或第二方面或第二方面任一可能的实现方式描述的封装胶膜。
32.第四方面提供的封装胶膜的制作方法的有益效果与第一方面或第一方面任一可能的实现方式描述的封装材料的有益效果相同，此处不做赘述。
具体实施方式
33.为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
34.需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
35.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者
隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。“若干”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。
36.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于实施例所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
37.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
38.本发明实施例提供一种光伏组件，其中所含有的封装材料可以以胶膜、封装块体等存在形式存在，具有良好的抗pid性能和生产成本。本发明实施例提供的封装材料，可以用于封装光伏组件，其不仅可以以封装胶膜的形式粘结盖板与电池模组，也可以用于粘结边框和电池模组。当封装材料以胶膜形式存在时，本发明实施例还保护一种封装胶膜，其包括的封装材料仍然良好的抗pid 性能和生产成本。
39.本发明实施例提供的封装胶膜所使用的封装材料包括：聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物、纳米级无机填料、交联剂组分、偶联剂以及助剂组分。纳米级无机填料为可带负电荷的纳米级无机氧化物。纳米级无机氧化物用于阻断所述光伏组件内的正电荷离子迁移。此处的正电荷离子可以为钠离子、钾离子等金属离子，但不排除有机阳离子等可能形式的阳离子。
40.上述聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物和主机组分可以在交联剂组分和偶联剂的作用下发生反应，形成三维立体网络，使得纳米级无机氧化物以均匀分散的方式被三维立体网络包围。发明人发现：在小尺寸效应下，纳米级无机氧化物具有良好的透光性，从而保证含有纳米级无机氧化物的封装材料用于光伏组件时，不会影响光伏组件的光线利用率。当透明材料处在湿热环境下，纳米级无机氧化物带有负电荷，可以吸附带有正电荷离子。基于此，采用该封装材料封装电池单元时，光伏组件在湿热环境下产生的可迁移正电荷离子在穿过封装胶膜迁移至电池模组表面时，可以被三维立体网络包围的纳米级无机氧化物可以静电吸附正电荷离子，从而减少正电荷离子迁移到电池模组表面所产生的pid现象。不仅如此，由于纳米级无机氧化物均匀分散的被三维立体网络包围，因此，当纳米级无机氧化物静电吸附正电荷离子时，三维立体网络可以锁定吸附在纳米级无机氧化物的正电荷离子，防止正电荷离子从纳米级无机氧化物脱离。由此可见，本发明实施例提供的封装材料用于封装光伏组件时，通过封装材料所含有的各个组分之间的相互配合，阻断光伏组件内的正电荷离子迁移至电池模组的表面，从而降低pid现象对光伏组件的影响，提高光伏组件在湿热环境的功率。经验证，本发明提供的封装材料用于光伏组件，其功率衰减率至少可以下降29.7％。
41.由上可见，本发明实施例提供的封装材料不仅具有良好的抗pid性能，还具有较低的生产成本。
42.作为一种可能的实现方式，为了保证纳米级无机氧化物的透光性能，可以限定纳
米级无机氧化物的粒径小于100nm，可见光波长在400nm～800nm，使得纳米级无机氧化物的粒径和可见光波长的差异达到4倍以上，因此，纳米级无机氧化物具有良好的透光性。该纳米级无机氧化物的结构至少包括颗粒结构、棒状结构或片状结构。纳米级无机氧化物可以为单一结构，也可以为至少两种结构混合。如果纳米级无机氧化物的结构为颗粒结构，则纳米级无机氧化物为纳米颗粒。如果纳米级无机氧化物的结构为棒状结构，纳米级无机氧化物为纳米棒。如果纳米级无机氧化物的结构为片状结构，则纳米级无机氧化物为纳米片。
43.上述纳米级无机氧化物可以包括氧化硅和/或第四副族元素氧化物，但不仅限于此。第四副族元素氧化物可以为二氧化钛和/或氧化锆等。
44.当无机氧化物为氧化硅或第四副族元素氧化物时，无机氧化物保证封装材料用于封装光伏组件的时候，降低封装材料挡光的几率。同时，无机氧化物在湿热环境下，其可以带负电荷，可以吸附正电荷离子，从而降低pid现象对光伏组件的影响。
45.作为一种可能的实现方式，上述纳米级无机氧化物的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物的质量的0.01％～5％。此时，密封材料形成的密封胶膜不仅可以充分发挥纳米级无机氧化物的离子迁移阻断功能，还可以减少纳米级无机氧化物对封装材料的性能影响，保证封装材料制作的封装胶膜保佑原有封装胶膜的特征。
46.上述聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物可以为热熔级的聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物。为了减少湿热环境的水解所导致的胶膜性能下降问题，上述聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物含有的醋酸乙烯酯质量含量为23％～35％，进一步可以为 28％～33％。聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物可以选择eva日本三井220(醋酸乙烯酯质量含量为28％)、韩国乐天eva900乙烯
‑
醋酸乙烯酯共聚物(醋酸乙烯酯质量含量为28％)、杜邦公司的eva 360(醋酸乙烯酯质量含量为25％)、韩国韩华1533乙烯
‑
醋酸乙烯酯共聚物(醋酸乙烯酯质量含量为33％)、eva日本三井150(醋酸乙烯酯质量含量为33％)等。
47.当封装材料处在湿热条件下，封装材料所含有的聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物具有较低的水解率，可以保证所制作的封装胶膜具有的三维网状结构尽可能完整。基于此，当含有封装胶膜的光伏组件在湿热条件时，封装胶膜具有的三维网状结构不易被水汽破坏，从而保证三维网状结构锁定吸附在纳米级无机氧化物的正电荷离子能力比较好，以进一步提高封装材料的抗pid性能。
48.作为一种可能的实现方式，上述交联剂组分包括主交联剂和助交联剂。主交联剂的质量可以大于助交联剂的质量。主交联剂的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物的质量的0.3％～2％，助交联剂的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物的质量的0.1％～0.5％。此处采用主交联剂和助交联剂相互配合的方式实现聚乙烯
‑ꢀ
聚醋酸乙烯酯共聚物与主机组分交联，可以保证交联效果比较好。
49.上述主交联剂至少包括碳酸二苯酯、过氧化苯甲酰、三聚氰酸三烯丙酯或过氧化缩酮类交联剂。过氧化缩酮类交联剂可以为1,1
‑
双(叔丁基过氧)
‑
3,3,5
‑
三甲基环己烷等。助交联剂至少包括无机交联剂和有机交联剂中的一种。无机交联剂可以为氧化锌、氧化镁等。有机交联剂可以为三烯丙基三聚氰酸酯、三烯丙基三异氰酸酯或三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸甲酯。当助交联剂为无机氧化物，可以利用无机氧化物交联聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物和助剂组分。由于无机氧化物作为助交联剂的反应能级比较低，使得交联反应可以在比较低的温度下进行，在较低的温度下聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物和助剂组分可以发生
反应。反应所产生的热量可以促进主交联剂分解，从而降低主交联剂分解温度，使得封装膜材更容易制作。
50.上述偶联剂的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物的质量的0.3％～1％。该偶联剂可以为硅烷类偶联剂，至少包括乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷或乙烯基三(β
‑
甲氧乙氧基)硅烷等。
51.上述助剂组分可以包括抗氧剂、光稳定剂、光稳定剂、热稳定剂、增粘剂、增塑剂中的一种或多种，但不仅限于此。
52.当上述助剂组分至少包括抗氧剂，抗氧剂的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物的质量的0.1％～1％；所述抗氧剂至少包括2,6
‑
二叔丁基
‑4‑
甲基苯酚、三壬基苯基亚磷酸酯、磷酸三苯酯或二(十二烷基)
‑
3,3'
‑
硫代双丙酸酯；和/或，
53.上述光稳定剂的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物的质量的0.1％～1％，该光稳定剂至少包括苯甲酸2,2,6,6
‑
四甲基哌啶酯或2,2,6,6
‑
四甲基哌啶
‑
氮
‑
氧化物。
54.上述热稳定剂的质量为所述聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物的质量的1％～5％，该热稳定剂至少包括硬脂酸盐、环氧氯丙烷辛酯、亚磷酸三烷基酯、三芳基酯或季戊四醇。三芳基酯可以为三异丙苯基磷酸酯、三苯基磷酸酯等。
55.上述增粘剂的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物的质量的0.2％～0.8％，所述增粘剂至少包括萜烯类树脂、松香类增粘剂或季戊四醇酯。萜烯类树脂可以为萜烯树脂t80 t90t100(生产公司江西金林化工有限公司)、萜烯树脂t
‑
90 (生产公司河南盛坤化工产品有限公司)等。松香类增粘剂可以为松香改性树脂(骏隆化工)、水性松香增粘树脂wt3179(威斯达west tech)等。
56.上述增塑剂的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物的质量的1％～3％，增塑剂至少包括邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯或邻苯二甲酸酯。
57.本发明实施例还可以提供一种封装胶膜的制作方法，其使用的原料为上述实施例所述的封装材料。该封装胶膜的制作方法可以包括：将无机填料、交联剂、偶联剂、助剂组分和聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物加热熔化，获得熔融液体；利用熔融液体制作封装胶膜。例如可以将无机填料、交联剂、偶联剂和助剂组分先加热熔融，接着与聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物混合加热熔融，再采用流延成膜、压延成膜等成膜方式形成封装胶膜，当然也可以采用其他现有成膜工艺制作封装胶膜。
58.下面以流延工艺形成的封装胶膜为例，对本发明实施例的封装胶膜进行描述。
59.实施例一
60.本发明实施例提供的封装胶膜含有的封装材料包括聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物、纳米级无机氧化物、交联剂、偶联剂以及助剂组分。聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物为eva日本三井220，含有的醋酸乙烯酯质量含量为28％。纳米级无机氧化物为粒径3nm～5nm的颗粒状二氧化钛，交联剂包括过氧化苯甲酰和三烯丙基三聚氰酸酯，偶联剂为乙烯基三乙氧基硅烷，助剂组分包括2,6
‑
二叔丁基
‑4‑ꢀ
甲基苯酚、苯甲酸2,2,6,6
‑
四甲基哌啶酯、环氧氯丙烷辛酯和萜烯类树脂 t80 t90t100。
61.颗粒状二氧化钛的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.8％，过氧化苯甲酰的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.5％，三烯丙基三聚氰酸酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.3％，乙烯基三乙氧基硅烷的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯
酯共聚物质量的0.3％，2,6
‑
二叔丁基
‑4‑
甲基苯酚的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.8％，苯甲酸2,2,6,6
‑
四甲基哌啶酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.5％，环氧氯丙烷辛酯的质量为聚乙烯
‑ꢀ
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的3％，萜烯类树脂t80 t90t100的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.6％，邻苯二甲酸二辛酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的2％。
62.实施例二
63.本发明实施例提供的封装胶膜含有的封装材料与实施例一的不同之处在于，其所使用的纳米级无机氧化物为粒径10nm～50nm的棒状二氧化钛。棒状二氧化钛的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.1％。
64.实施例三
65.本发明实施例提供的封装胶膜含有的封装材料与实施例一的不同之处在于，聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物为eva日本三井150，聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物含有的醋酸乙烯酯质量含量为33％。其所使用的纳米级无机氧化物为粒径 10nm～50nm的棒状二氧化钛。棒状二氧化钛的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.05％。抗氧剂为二(十二烷基)
‑
3,3'
‑
硫代双丙酸酯，其质量为聚乙烯
‑ꢀ
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的1％，增塑剂为邻苯二甲酸酯，其质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的1％。乙烯基三乙氧基硅烷的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.8％。
66.实施例四
67.本发明实施例提供的封装胶膜含有的封装材料包括聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物、纳米级无机氧化物、交联剂、偶联剂以及助剂组分。聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物为杜邦公司的eva 360，含有的醋酸乙烯酯质量含量为25％。纳米级无机氧化物为粒径60nm～80nm的片状氧化硅，交联剂包括碳酸二苯酯、三聚氰酸三烯丙酯和氧化锌，偶联剂为乙烯基三甲氧基硅烷，助剂组分包括三壬基苯基亚磷酸酯、2,2,6,6
‑
四甲基哌啶
‑
氮
‑
氧化物和亚磷酸三烷基酯。
68.片状氧化硅的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.01％，碳酸二苯酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.1％，三聚氰酸三烯丙酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.2％，氧化锌的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.1％，乙烯基三甲氧基硅烷的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.5％，三壬基苯基亚磷酸酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.08％，二(十二烷基)
‑
3,3'
‑
硫代双丙酸酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.02％，2,2,6,6
‑
四甲基哌啶
‑
氮
‑
氧化物的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的1％，亚磷酸三烷基酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的 2％。
69.实施例五
70.本发明实施例提供的封装胶膜含有的封装材料包括聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物、纳米级无机氧化物、交联剂、偶联剂以及助剂组分。聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物为韩国韩华1533，含有的醋酸乙烯酯质量含量为33％。纳米级无机氧化物为粒径30nm～90nm的颗粒氧化硅，交联剂包括1,1
‑
双(叔丁基过氧)
‑
3,3,5
‑ꢀ
三甲基环己烷、氧化镁和三烯丙基三异氰酸酯，偶联剂为乙烯基三(β
‑
甲氧乙氧基)硅烷，助剂组分包括磷酸三苯酯、2,6
‑
二叔丁基
‑4‑
甲基苯酚、2,2,6,6
‑
四甲基哌啶
‑
氮
‑
氧化物、硬脂酸钠盐、三异丙苯基磷酸酯、萜烯树
脂t80 t90t100和邻苯二甲酸二丁酯。
71.颗粒氧化硅的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的3％，1,1
‑
双(叔丁基过氧)
‑
3,3,5
‑
三甲基环己烷的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的2％，氧化镁的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.3％，三烯丙基三异氰酸酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.2％，乙烯基三(β
‑
甲氧乙氧基)硅烷的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的1％，磷酸三苯酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.7％，2,6
‑
二叔丁基
‑4‑
甲基苯酚的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.3％，2,2,6,6
‑
四甲基哌啶
‑
氮
‑
氧化物的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.1％，硬脂酸钠盐的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.5％，三异丙苯基磷酸酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的 0.5％，萜烯树脂t80 t90t100的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的 0.2％，邻苯二甲酸二丁酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的3％。
72.实施例六
73.本发明实施例提供的封装胶膜含有的封装材料包括聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物、纳米级无机氧化物、交联剂、偶联剂以及助剂组分。聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物含有的醋酸乙烯酯质量含量为35％。纳米级无机氧化物包括粒径 30nm～70nm的棒状氧化锆和粒径10nm～50nm的片状氧化硅，交联剂包括三聚氰酸三烯丙酯和三烯丙基三异氰酸酯，偶联剂包括乙烯基三乙氧基硅烷和乙烯基三甲氧基硅烷，助剂组分包括2,6
‑
二叔丁基
‑4‑
甲基苯酚、苯甲酸2,2,6,6
‑
四甲基哌啶酯、2,2,6,6
‑
四甲基哌啶
‑
氮
‑
氧化物、季戊四醇、水性松香增粘树脂wt3179、邻苯二甲酸二丁酯和邻苯二甲酸酯。
74.棒状氧化锆的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的2％，片状氧化硅的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的3％，三聚氰酸三烯丙酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的1％，三烯丙基三异氰酸酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.4％，乙烯基三乙氧基硅烷的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.2％，乙烯基三甲氧基硅烷的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.4％，2,6
‑
二叔丁基
‑4‑
甲基苯酚的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.6％，2,2,6,6
‑
四甲基哌啶
‑
氮
‑
氧化物的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.1％，苯甲酸2,2,6,6
‑
四甲基哌啶酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.3％，季戊四醇的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.5％，水性松香增粘树脂wt3179的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.8％，邻苯二甲酸二丁酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的3％，邻苯二甲酸酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的1％。
75.实施例七
76.本发明实施例提供的封装胶膜含有的封装材料包括聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物、纳米级无机氧化物、交联剂、偶联剂以及助剂组分。聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物含有的醋酸乙烯酯质量含量为23％。纳米级无机氧化物为粒径 30nm～50nm的颗粒状氧化锆，交联剂包括三聚氰酸三烯丙酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸甲酯和三烯丙基三聚氰酸酯，偶联剂包括乙烯基三乙氧基硅烷，助剂组分包括磷酸三苯酯、苯甲酸2,2,6,6
‑
四甲基哌啶酯、三苯基磷酸酯、环氧氯丙烷辛酯、萜烯树脂t
‑
90、季戊四醇酯和邻苯二甲酸二丁酯。
77.颗粒状氧化锆的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的2％，三聚氰酸三烯丙酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的1％，三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸甲酯的质
量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.1％，三烯丙基三聚氰酸酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.1％，乙烯基三乙氧基硅烷的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.7％，磷酸三苯酯的质量为聚乙烯
‑ꢀ
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.5％，苯甲酸2,2,6,6
‑
四甲基哌啶酯、三苯基磷酸酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.2％，三苯基磷酸酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的2％，环氧氯丙烷辛酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的1％，萜烯树脂t
‑
90的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.4％，季戊四醇酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.1％，邻苯二甲酸二丁酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的1％。
78.对比例
79.本对比例提供的封装胶膜含有的封装材料包括聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物、交联剂、偶联剂以及助剂组分。聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物为eva日本三井 220，含有的醋酸乙烯酯质量含量为28％。交联剂包括过氧化苯甲酰和三烯丙基三聚氰酸酯，偶联剂为乙烯基三乙氧基硅烷，助剂组分包括2,6
‑
二叔丁基
‑4‑
甲基苯酚、苯甲酸2,2,6,6
‑
四甲基哌啶酯、环氧氯丙烷辛酯和萜烯类树脂 t80 t90t100。
80.过氧化苯甲酰的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.5％，三烯丙基三聚氰酸酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.3％，乙烯基三乙氧基硅烷的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.3％，2,6
‑
二叔丁基
‑4‑
甲基苯酚的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.8％，苯甲酸2,2,6,6
‑
四甲基哌啶酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.5％，环氧氯丙烷辛酯的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的3％，萜烯类树脂t80 t90t100的质量为聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的0.6％，邻苯二甲酸二辛酯的质量为聚乙烯
‑ꢀ
聚醋酸乙烯酯共聚物质量的2％。
81.为了证明本发明实施例提供的密封胶膜的抗pid效果，下面以对比例为参考，选择有代表性意义的实施例一至实施例三提供的密封胶膜进行抗pid测试，测试结果如表1所示。
82.表1封装胶膜含有的封装材料的功率衰减测试结果
[0083][0084]
由表1可以看出，本发明实施例一至实施例三提供的封装胶膜具有较低的功率衰减。相对于对比例，pid96h后功率衰减下降了43.8％～54.8％，pid192h 后功率衰减下降了29.6％～68.4％。经过分析发现，对比例未添加纳米级无机氧化物，本技术通过添加纳米级无机氧化物，并通过纳米级无机氧化物与其它组分的协同配合作用，使得封装胶膜具有良好的抗pid效果。
[0085]
对实施例一至实施例三的封装胶膜进行pid96h测试可以发现，pid96h测试后功率衰减最小的封装胶膜为实施例三的封装胶膜，其功率衰减下降可以达到54.8％，实施例三
的封装胶膜中封装材料所含有的纳米级无机氧化物最少(相对于实施例一、实施例二)，但是其抗pid效果最佳。这有可能是如下三个原因综合作用的结果：
[0086]
第一，棒状二氧化钛的形貌细长，可以利用其在轴向方向具有较长尺寸这一优势，吸附更多的正电荷离子，如钠离子、钾离子等金属离子。
[0087]
第二，在主交联剂、助交联剂和偶联剂的作用下，聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物和助剂组分交联的过程中，将棒状二氧化钛包围，使得纳米级无机氧化物均匀分散在最后生成的三维立体网络结构内。当钠离子、钾离子等正电荷离子通过封装胶膜时，不仅可以利用棒状二氧化钛吸附这些正电荷离子，还可以利用三维立体网络可以锁定吸附在纳米级无机氧化物的正电荷离子，防止正电荷离子从纳米级无机氧化物脱离。
[0088]
第三，聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物的醋酸乙烯酯质量含量合适，使得封装胶膜平衡封装和水解两方面的要求，使得封装胶膜的隔离性比较好，进而在一定程度上防止正电荷离子从纳米级无机氧化物脱离。
[0089]
综合上述三种原因，虽然实施例三添加的纳米级无机氧化物只有0.05％，但是其功率衰减值比纳米级无机氧化物添加最多的实施例一公开的封装胶膜的功率衰减还要高一些，使得实施例三在较低的纳米级无机氧化物添加量的基础上，具有良好的抗pid效果。
[0090]
对实施例一至实施例三的封装胶膜进行pid192h测试后，可以发现pid192h 测试后功率衰减最小的封装胶膜为实施例一的封装胶膜，实施例一的封装胶膜的功率衰减下降可达68.4％。这可能是以下两个原因综合作用的结果：
[0091]
第一，在pid192h测试条件下，测试刚开始，实施例三的封装胶膜的抗pid 效果有可能比较好，但是随着测试增加，棒状二氧化钛的正电荷离子吸附达到饱和，导致实施例三提供的封装胶膜无法进一步发挥抗pid效果。此时，实施例一和实施例二的封装胶膜中，封装材料所含有的纳米级无机氧化物添加量的效果就会显现，从而使得实施例一和实施例二的封装胶膜具有良好的抗pid效果。
[0092]
第二，在pid192h测试条件下，测试刚开始，聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物含有的醋酸乙烯酯的分解还不是比较严重，使得三维立体网络的结构未发生大面积坍塌，因此，三维立体网络仍然可以发挥锁定吸附在纳米级无机氧化物的正电荷离子的效果。但是随着测试时间的增加，聚乙烯
‑
聚醋酸乙烯酯共聚物含有的醋酸乙烯酯的分解加剧，导致三维立体网络无法有效锁定吸附在纳米级无机氧化物的正电荷离子。
[0093]
综合上述两种原因，实施例一至实施例三公开的封装胶膜的抗pid效果与纳米级无机氧化物的添加量有着紧密的联系，使得实施例一至实施例三公开的封装胶膜的抗pid效果按照纳米级无机氧化物的添加量依次下降。
[0094]
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0095]
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。