扩片方法以及半导体装置的制造方法与流程

技术特征：
1.一种扩片方法，该方法包括：使贴合有多个半导体装置的第1片伸展，以扩大所述多个半导体装置的间隔的工序，所述多个半导体装置分别具有第1半导体装置面、和所述第1半导体装置面的相反侧的第2半导体装置面，所述多个半导体装置分别是在所述第1半导体装置面或所述第2半导体装置面与所述第1片之间包含着保护层而贴合的。2.根据权利要求1所述的扩片方法，其中，在所述第1半导体装置面形成所述保护层之后，将所述多个半导体装置贴合于所述第1片。3.根据权利要求1或2所述的扩片方法，其中，对加工对象物进行切割而得到所述多个半导体装置。4.根据权利要求3所述的扩片方法，其中，在所述加工对象物上形成所述保护层，对所述加工对象物及所述保护层进行切割而得到所述多个半导体装置。5.根据权利要求4所述的扩片方法，其中，将形成有所述保护层的所述加工对象物贴合于具有第2粘合剂层和第2基材的第2粘合片的所述第2粘合剂层，对所述保护层及所述加工对象物进行切割而得到所述多个半导体装置，将所述第1片贴合于切割后的所述保护层。6.根据权利要求5所述的扩片方法，其中，在将所述第1片贴合于切割后的所述保护层之后，将所述第2粘合片剥离。7.根据权利要求3或4所述的扩片方法，其中，将所述加工对象物贴合于具有所述保护层和第3片的复合片的所述保护层，对所述加工对象物及所述保护层进行切割而得到所述多个半导体装置，将所述第3片从所述保护层剥离。8.根据权利要求3所述的扩片方法，其中，所述保护层和所述第1片预先层叠在一起，所述加工对象物由所述保护层支撑，对所述加工对象物及所述保护层进行切割而得到所述多个半导体装置。9.根据权利要求3～8中任一项所述的扩片方法，其中，所述加工对象物为半导体晶片。10.根据权利要求1～9中任一项所述的扩片方法，其中，所述第1片为扩展片。11.根据权利要求1～10中任一项所述的扩片方法，其中，所述第1半导体装置面具有电路。12.一种半导体装置的制造方法，该方法包括权利要求1～11中任一项所述的扩片方法。

技术总结
本发明提供一种扩片方法，该方法包括：使贴合有多个半导体装置(CP)的第1片(10)伸展，以扩大多个半导体装置(CP)的间隔的工序，多个半导体装置(CP)分别具有第1半导体装置面(W1)、和第1半导体装置面(W1)的相反侧的第2半导体装置面(W3)，多个半导体装置(CP)分别是在第2半导体装置面(W3)与上述第1片(10)之间包含着保护层(100)而贴合的。含着保护层(100)而贴合的。含着保护层(100)而贴合的。


技术研发人员：布施启示 稻男洋一 山田忠知
受保护的技术使用者：琳得科株式会社
技术研发日：2020.01.29
技术公布日：2021/9/6