扩片方法以及半导体装置的制造方法与流程

1.本发明涉及扩片方法以及半导体装置的制造方法。


背景技术：

2.近年来，电子设备的小型化、轻质化及高功能化不断发展。对于电子设备所搭载的半导体装置也要求小型化、薄型化及高密度化。半导体芯片有时被安装于与其尺寸接近的封装件。这样的封装件有时也被称为芯片级封装件(chip scale package；csp)。作为csp之一，可以举出晶圆级封装(wafer level package；wlp)。在wlp中，在通过切割进行单片化之前，在晶片形成外部电极等，最终将晶片切割而进行单片化。作为wlp，可以列举扇入(fan
‑
in)型和扇出(fan
‑
out)型。在扇出型的wlp(以下，也称为，有时简称为“fo
‑
wlp”)中，将半导体芯片用密封材料覆盖成为比芯片尺寸大的区域，形成半导体芯片密封体，不仅在半导体芯片的电路面、在密封材料的表面区域也形成再布线层及外部电极。
3.例如，专利文献1中记载了一种半导体封装件的制造方法，该方法包括：对于由半导体晶片经单片化而成的多个半导体芯片，保留其电路形成面，使用模具构件将其周围包围而形成扩张晶片，使再布线图案延伸至半导体芯片外的区域而形成半导体封装件。在专利文献1所记载的制造方法中，在用模具构件包围单片化而成的多个半导体芯片之前，转粘于扩片用的晶片贴装带，将晶片贴装带延展而使多个半导体芯片之间的距离扩大。
4.另外，专利文献2中记载了一种粘合片，其依次具备第二基材层、第一基材层、及第一粘合剂层，且第二基材层的断裂伸长率为400％以上。专利文献2中记载的半导体装置的制造方法包括：将半导体晶片贴合于该粘合片的第一粘合剂层的工序；通过切割而将半导体晶片单片化，形成多个半导体芯片的工序；以及将粘合片抻展，以扩大半导体芯片彼此的间隔的工序。
5.现有技术文献
6.专利文献
7.专利文献1：国际公开第2010/058646号
8.专利文献2：日本特开2017
‑
076748号公报


技术实现要素：

9.发明要解决的问题
10.在扩片工序中使用的带通常具有用于将带上的半导体芯片固定的粘合剂层、和用于支撑粘合剂层的基材。在如专利文献1中记载的那样将扩片用的晶片贴装带抻展时，不仅带的基材、粘合剂层也会被抻展。而在扩片工序后将半导体芯片从粘合剂层剥离时，有时会发生在与粘合剂层相接在一起的半导体芯片的表面残留粘合剂层的不良情况。在本说明书中，有时将这样的不良情况称为残胶。
11.需要说明的是，在使用专利文献2中记载的粘合片来实施扩片工序时，可认为，由于与半导体芯片相接在一起的粘合剂层不会发生抻展，因此不易产生残胶。但由于专利文
献2中记载的粘合片是使第二基材层、第一基材层及第一粘合剂层层叠而成的带构成，因此，对于能够采用更简单的带构成来防止残胶的扩片方法存在要求。另外，在专利文献2记载的工艺中，是对粘合片上的半导体晶片进行切割，不转印至其它粘合片而直接将粘合片抻展来实施扩片工序。因此，需要小心地控制切割刀片的切痕深度以使切割时的切割刀片不会到达第二基材层，因而还对能够采用更简单的方法来防止残胶的扩片方法存在要求。
12.需要说明的是，在扩片方法中，作为支撑在粘合片上的被粘附物，不仅包括半导体芯片，还可列举例如晶片、半导体装置封装件、及微型led等半导体装置。关于这些半导体装置，也与半导体芯片同样地，有时使半导体装置彼此的间隔扩张。
13.本发明的目的在于提供与以往相比可以简化带构成及工艺中的至少任一者、同时可以抑制残胶的扩片方法，以及包含该扩片方法的半导体装置的制造方法。
14.解决问题的方法
15.根据本发明的一个实施方式，可提供一种扩片方法，该方法包括：使贴合有多个半导体装置的第1片伸展，以扩大上述多个半导体装置的间隔的工序，上述多个半导体装置分别具有第1半导体装置面、和上述第1半导体装置面的相反侧的第2半导体装置面，上述多个半导体装置分别是在上述第1半导体装置面或上述第2半导体装置面与上述第1片之间包含着保护层而贴合的。
16.在本发明的一个方式涉及的扩片方法中，优选在上述第1半导体装置面形成上述保护层之后，将上述多个半导体装置贴合于上述第1片。
17.在本发明的一个方式涉及的扩片方法中，优选对加工对象物进行切割而得到上述多个半导体装置。
18.在本发明的一个方式涉及的扩片方法中，优选在上述加工对象物上形成上述保护层，且对上述加工对象物及上述保护层进行切割而得到上述多个半导体装置。
19.在本发明的一个方式涉及的扩片方法中，优选将形成有上述保护层的上述加工对象物贴合于具有第2粘合剂层和第2基材的第2粘合片的上述第2粘合剂层，对上述保护层及上述加工对象物进行切割而得到上述多个半导体装置，将上述第1片贴合于切割后的上述保护层。
20.在本发明的一个方式涉及的扩片方法中，优选在将上述第1片贴合于切割后的上述保护层之后，将上述第2粘合片剥离。
21.在本发明的一个方式涉及的扩片方法中，优选将上述加工对象物贴合于具有上述保护层和第3片的复合片的上述保护层，对上述加工对象物及上述保护层进行切割而得到上述多个半导体装置，将上述第3片从上述保护层剥离。
22.在本发明的一个方式涉及的扩片方法中，优选上述保护层和上述第1片预先层叠在一起，上述加工对象物由上述保护层支撑，对上述加工对象物及上述保护层进行切割而得到上述多个半导体装置。
23.在本发明的一个方式涉及的扩片方法中，上述加工对象物优选为半导体晶片。
24.在本发明的一个方式涉及的扩片方法中，优选上述第1片为扩展片。
25.在本发明的一个方式涉及的扩片方法中，优选上述第1半导体装置面具有电路。
26.根据本发明的一个实施方式，可提供包括上述本发明的一个方式涉及的扩片方法的半导体装置的制造方法。
27.根据本发明的一个实施方式，可提供与以往相比可以简化带构成及工艺中的至少任一者、同时可以抑制残胶的扩片方法。根据本发明的另一个实施方式，可以提供包含该扩片方法的半导体装置的制造方法。
附图说明
28.图1a是对第1实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
29.图1b是对第1实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
30.图1c是对第1实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
31.图2a是对第1实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
32.图2b是对第1实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
33.图3是对第1实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
34.图4a是对第1实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
35.图4b是对第1实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
36.图5a是对第1实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
37.图5b是对第1实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
38.图6a是对第2实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
39.图6b是对第2实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
40.图6c是对第2实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
41.图7a是对第2实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
42.图7b是对第2实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
43.图7c是对第2实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
44.图8a是对第3实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
45.图8b是对第3实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
46.图8c是对第3实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
47.图9是对第3实施方式涉及的制造方法进行说明的剖面图。
48.图10是对实施例中使用的双向拉伸扩片装置进行说明的俯视图。
49.图11是用于对芯片对齐性的测定方法进行说明的示意图。
50.符号说明
51.10
…
第1片、
52.100、100a、100b
…
保护层、
53.11
…
第1基材、
54.12
…
第1粘合剂层、
55.130、140
…
复合片、
56.20
…
第2粘合片、
57.w
…
半导体晶片(加工对象物)、
58.w1
…
电路面(第1半导体装置面)、
59.w3
…
背面(第2半导体装置面)。
具体实施方式
60.[第1实施方式]
[0061]
以下，针对本实施方式涉及的扩片方法及包括该扩片方法的半导体装置的制造方法进行说明。
[0062]
图1(图1a、图1b及图1c)、图2(图2a及图2b)、图3、图4(图4a及图4b)及图5(图5a及图5b)是对包括本实施方式涉及的扩片方法的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。
[0063]
本实施方式涉及的扩片方法至少具备以下的工序(p1)～(p2)。
[0064]
(p1)准备贴合于第1片的多个半导体装置的工序。多个半导体装置与第1片之间是包含着保护层而贴合的。
[0065]
(p2)使第1片伸展以扩大多个半导体装置的间隔的工序。
[0066]
图1a、图1b、图1c、图2a及图2b是用于对工序(p1)进行说明的图。
[0067]
(加工对象物)
[0068]
图1a示出了具有保护层的加工对象物的剖面示意图。
[0069]
在本实施方式中，列举作为加工对象物的半导体晶片w为例进行说明。在本发明中，加工对象物并不限定于晶片。
[0070]
半导体晶片w具有作为第1加工对象物面的电路面w1、和作为第2加工对象物面的背面w3。在电路面w1形成有电路w2。在本实施方式中，在电路面w1设置有保护层100。
[0071]
半导体晶片w例如可以是硅晶片，也可以是镓
‑
砷等化合物半导体晶片。作为在半导体晶片w的电路面w1形成电路w2的方法，可列举通用的方法，例如，可列举蚀刻法及揭开
‑
剥离法(lift
‑
off method)等。
[0072]
(保护层)
[0073]
保护层100是覆盖电路面w1及电路w2的层。保护层100只要可以保护电路面w1及电路w2则没有特殊限定。保护层100的厚度优选为1μm以上、更优选为5μm以上。保护层100的厚度优选为500μm以下、更优选为300μm以下。
[0074]
作为保护层100，可列举例如：保护膜、及保护片。
[0075]
作为保护膜，优选为例如将树脂材料在电路面w1上成膜而得到的膜。构成保护膜的层可以是一层，也可以是两层以上。作为成膜方法，可列举例如：印刷法、喷涂法、旋涂法及浸渍法。
[0076]
作为保护片，可列举例如具有粘合剂层和基材的粘合片。作为保护片中的基材，只要能够作为构成保护层的构件之一而适当地发挥功能、且支撑粘合剂层，则对其构成材料没有特殊限定。保护片中的基材优选由以树脂类的材料为主材料的膜形成。作为以树脂类的材料为主材料的膜，可列举例如：烯属共聚膜、聚烯烃类膜、聚氯乙烯类膜、聚酯类膜、聚氨酯膜、聚酰亚胺膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、及氟树脂膜。
[0077]
作为保护片中的粘合剂层，只要能够作为构成保护层的构件之一而适当地发挥功能、且密合于基材及电路面w1，则对其构成材料没有特殊限定。作为保护片中的粘合剂层，优选由选自例如丙烯酸类粘合剂、氨基甲酸酯类粘合剂、聚酯类粘合剂、橡胶类粘合剂及有机硅类粘合剂中的至少一种粘合剂形成，更优选由丙烯酸类粘合剂形成。
[0078]
在本实施方式中，列举保护层100为由一层构成的保护膜的情况为例进行了说明，
但本发明并不限定于这样的实施方式。
[0079]
[背磨工序]
[0080]
半导体晶片w优选为通过经过背磨工序而得到的晶片。准备贴合于第1片的多个半导体装置的工序(p1)优选包括该背磨工序作为工序(p1
‑
1)。
[0081]
在背磨工序中，将半导体晶片w的与电路面w1相反侧的面磨削至给定的厚度。背面w3优选为对半导体晶片w进行背面磨削而形成的面。将对半导体晶片w进行磨削之后露出的面作为背面w3。
[0082]
作为对半导体晶片w进行磨削的方法，没有特殊限定，可列举例如使用了磨床等的公知的方法。对半导体晶片w进行磨削时，为了保护电路w2，优选将被称为背磨片的粘合片贴合于电路面w1。在晶片的背面磨削中，利用卡盘台等将半导体晶片w的电路面w1侧、即背磨片侧固定，并利用磨床对未形成电路的背面侧进行磨削。也将在电路面w1贴合背磨片的工序称为背磨片的贴合工序。
[0083]
磨削前的半导体晶片w的厚度没有特殊限定，通常为500μm以上且1000μm以下。
[0084]
磨削后的半导体晶片w的厚度没有特殊限定，通常为20μm以上且500μm以下。
[0085]
[第2粘合片的贴合工序]
[0086]
图1b示出了在背面w3贴合有第2粘合片20的半导体晶片w。
[0087]
工序(p1)中准备的半导体晶片w优选为经过背磨工序、进一步经过在背面w3贴合第2粘合片20的贴合工序而得到的晶片。有时将该贴合工序称为第2粘合片的贴合工序。
[0088]
如后所述，在工序(p2)中，半导体晶片w经切割而被单片化成多个半导体芯片cp。对半导体晶片w进行切割时，为了保持半导体晶片w，优选将被称为切割片的粘合片贴合于背面w3。在本实施方式中，第2粘合片20优选为切割片。在使用第2粘合片20作为切割片的情况下，将半导体晶片w的背面w3向着第2粘合片20的第2粘合剂层22而贴合。半导体晶片w的电路面w1相当于半导体芯片cp的电路面w1。半导体晶片w的背面w3相当于半导体芯片cp的背面w3。
[0089]
[切割工序]
[0090]
图1c是用于对切割作为加工对象物的半导体晶片w的切割工序进行说明的图。图1c示出了保持于第2粘合片20的多个半导体芯片cp。在本实施方式中，作为半导体装置的一例，列举半导体芯片cp为例进行了说明，但本发明并不限定于这样的实施方式。作为半导体装置，可列举例如：晶片、半导体装置封装件、及微型led。
[0091]
工序(p1)中准备的多个半导体装置优选为通过在切割工序中对半导体晶片w进行切割而得到的多个半导体芯片cp。工序(p1)优选包括对被第2粘合片20支撑的半导体晶片w进行切割的切割工序作为工序(p1
‑
2)。
[0092]
在电路面w1设置有保护层100，背面w3贴合有第2粘合片20的状态的半导体晶片w经切割而被单片化，形成多个半导体芯片cp。在本实施方式中，从保护层100侧切入切痕，将保护层100切断，进一步将半导体晶片w切断。切割工序后的多个半导体芯片cp的电路面w1分别为被切断后的保护层100覆盖的状态。
[0093]
切割可使用切片机(dicing saw)等切断机构。
[0094]
切割时的切割深度只要是能够将保护层100及半导体晶片w单片化的深度则没有特殊限定。从切实地切断半导体晶片w这样的观点考虑，切割工序中的切痕优选以从保护层
100侧起到达第2粘合片20为止的深度形成，更优选以到达第2粘合片20的第2粘合剂层22的深度形成。通过切割，第2粘合剂层22也被切割成与半导体芯片cp相同的尺寸。此外，有时通过切割在第2基材21也形成切痕。
[0095]
[第1片的贴合工序]
[0096]
图2a是用于对在切割工序之后在多个半导体芯片cp上贴合第1片10的工序进行说明的图。图2a示出了在通过切割工序得到的多个半导体芯片cp上粘贴有第1片10的状态。本实施方式的第1片10是具有第1粘合剂层12和第1基材11的粘合片。第1片10的详情如后所述。需要说明的是，在本发明中，第1片并不限定于具有第1粘合剂层和第1基材的双层结构的粘合片。
[0097]
在本实施方式中，第1片10被贴合于多个半导体芯片cp的电路面w1侧时，可得到在多个半导体芯片cp与第1片10的第1粘合剂层12之间夹隔有经单片化后的保护层100的层叠结构。
[0098]
[第2粘合片的剥离工序]
[0099]
图2b是用于对在第1片的贴合工序之后将第2粘合片20剥离的工序进行说明的图。有时将该工序称为第2粘合片的剥离工序。图2b示出了在贴合第1片10之后将第2粘合片20从半导体晶片w的背面w3剥离了的状态。
[0100]
在贴合第1片10之后将第2粘合片20剥离时，多个半导体芯片cp的背面w3露出。
[0101]
需要说明的是，在第2粘合剂层22配合有能量射线聚合性化合物的情况下，优选从第2基材21侧向第2粘合剂层22照射能量射线，在使能量射线聚合性化合物固化后将第2粘合片20剥离。
[0102]
[扩片工序]
[0103]
图3是用于对工序(p2)进行说明的图。有时将工序(p2)称为扩片工序。图3示出了在将第2粘合片20剥离后使第1片10伸展以扩大多个半导体芯片cp的间隔的状态。
[0104]
扩大多个半导体芯片cp的间隔时，优选在利用被称为扩展片的粘合片而保持着多个半导体芯片cp的状态下使扩展片伸展。在本实施方式中，第1片10优选为扩展片。
[0105]
在扩片工序中使第1片10抻展的方法没有特殊限定。作为抻展第1片10的方法，可列举例如：架到环形或圆形的扩展器上来抻展第1片10的方法、及使用抓握构件等抓住第1片10的外周部而进行抻展的方法等。在本实施方式中，多个半导体芯片cp的间隔d1依赖于半导体芯片cp的尺寸，因此没有特殊限制。特别是，贴合于粘合片的单面的多个半导体芯片cp中相邻的半导体芯片cp的相互的间隔d1优选为200μm以上。需要说明的是，该半导体芯片cp的相互的间隔的上限没有特殊限制。该半导体芯片cp的相互的间隔的上限例如可以为6000μm。
[0106]
[第1转印工序]
[0107]
在本实施方式中，可以在扩片工序之后实施将贴合在第1片10上的多个半导体芯片cp转印至另一粘合片(例如，第5粘合片)的工序(以下，有时称为“第1转印工序”)。
[0108]
图4a示出了对将贴合在第1片10上的多个半导体芯片cp转印至第5粘合片50的工序(以下，有时称为“转印工序”)进行说明的图。
[0109]
第5粘合片50只要能够保持多个半导体芯片cp则没有特殊限定。第5粘合片50具有第5基材51和第5粘合剂层52。
[0110]
在本实施方式中实施转印工序的情况下，优选例如在扩片工序之后，在多个半导体芯片cp的背面w3贴合第5粘合片50、然后将第1片10剥离。
[0111]
第5粘合片50可以连同多个半导体芯片cp一起被贴合于第二环形框架。在该情况下，将环形框架载置于第5粘合片50的第5粘合剂层52上，对其轻轻按压而进行固定。然后，将在环形框架的环形的内侧露出的第5粘合剂层52压接至半导体芯片cp的背面w3，将多个半导体芯片cp固定于第5粘合片50。
[0112]
图4b示出了对贴合第5粘合片50之后将第1片10剥离的工序进行说明的图。
[0113]
在本实施方式中，列举了在将第1片10剥离时，将覆盖半导体芯片cp的电路面w1的经单片化后的第1片10连同保护层100一起一并地剥离的方式为例进行了说明。需要说明的是，也可以是使覆盖电路面w1的经单片化后的保护层100残留在半导体芯片cp上而仅将第1片10剥离的方式。
[0114]
在贴合第5粘合片50之后将第1片10及保护层100剥离时，多个半导体芯片cp的电路面w1露出。优选在剥离了第1片10及保护层100之后在扩片工序中也保持着扩张后的多个半导体芯片cp间的间隔d1。
[0115]
[第2转印工序]
[0116]
图5a示出了对将贴合于第5粘合片50的多个半导体芯片cp转印至第6粘合片60的工序(以下，有时称为“第2转印工序”)进行说明的图。
[0117]
从第5粘合片50转印至第6粘合片60的多个半导体芯片cp优选保持着半导体芯片cp间的间隔d1。
[0118]
第6粘合片60只要能够保持多个半导体芯片cp则没有特殊限定。第6粘合片60具有第6基材61和第6粘合剂层62。
[0119]
在想要密封至第6粘合片60上的多个半导体芯片cp的情况下，作为第6粘合片60，优选使用密封工序用的粘合片，更优选使用具有耐热性的粘合片。另外，在使用具有耐热性的粘合片作为第6粘合片60的情况下，第6基材61及第6粘合剂层62分别优选由具有能够耐受在密封工序中施加的温度的耐热性的材料形成。
[0120]
从第5粘合片50转印至第6粘合片60的多个半导体芯片cp是以电路面w1向着第6粘合剂层62而贴合的。
[0121]
[密封工序]
[0122]
图5b示出了对使用密封构件300密封多个半导体芯片cp的工序(以下，有时称为“密封工序”)进行说明的图。
[0123]
在本实施方式中，密封工序是在多个半导体芯片cp被转印至第6粘合片60之后实施的。
[0124]
在密封工序中，在电路面w1被第6粘合片60保护着的状态下，利用密封构件300覆盖多个半导体芯片cp，由此形成密封体3。在多个半导体芯片cp之间也填充有密封构件300。由于电路面w1及电路w2是由第6粘合片60覆盖着的，因此可以防止电路面w1被密封构件300覆盖。
[0125]
通过密封工序，可得到以给定距离分离开的多个半导体芯片cp被埋入密封构件300的密封体3。在密封工序中，优选多个半导体芯片cp以保持着实施扩片工序后的间隔d1的状态被密封构件300所覆盖。
[0126]
在密封工序之后，将第6粘合片60剥离。将第6粘合片60剥离时，半导体芯片cp的电路面w1及密封体3的与第6粘合片60接触过的面3a露出。
[0127]
在上述的扩片工序之后，通过重复任意次数的转印工序及扩片工序，可以使半导体芯片cp间的距离达到期望的距离，使密封半导体芯片cp时的电路面的朝向成为期望的朝向。
[0128]
[其它工序]
[0129]
将粘合片从密封体3剥离之后，对于该密封体3，依次进行形成与半导体芯片cp电连接的再布线层的再布线层形成工序、和将再布线层与外部端子电极进行电连接的连接工序。通过再布线层形成工序及与外部端子电极的连接工序，可使半导体芯片cp的电路与外部端子电极电连接。
[0130]
对连接了外部端子电极的密封体3以半导体芯片cp单元进行单片化。使密封体3单片化的方法没有特殊限定。通过将密封体3单片化，可制造半导体芯片cp单元的半导体封装件。连接了扇出至半导体芯片cp的区域外的外部电极的半导体封装件作为扇出型的晶圆级封装(fo
‑
wlp)而被制造。
[0131]
(第1片)
[0132]
本实施方式的第1片10具有第1基材11和第1粘合剂层12。第1粘合剂层12被层叠于第1基材11。
[0133]
·
第1基材
[0134]
第1基材11只要能够在扩片工序等期望的工序(例如，工序(p2))中适当地发挥功能，则对其构成材料没有特殊限定。
[0135]
第1基材11具有第1基材表面及第1基材背面。第1基材背面是与第1基材表面为相反侧的面。
[0136]
在第1片10中，优选在第1基材表面及第1基材背面中的一面设置有第1粘合剂层12，而优选在另一面未设置粘合剂层。
[0137]
从易于大幅拉伸的观点考虑，第1基材11的材料优选为热塑性弹性体或橡胶类材料，更优选为热塑性弹性体。
[0138]
另外，作为第1基材11的材料，从易于大幅拉伸的观点考虑，优选使用玻璃化转变温度(tg)较低的树脂。这样的树脂的玻璃化转变温度(tg)优选为90℃以下、更优选为80℃以下、进一步优选为70℃以下。
[0139]
作为热塑性弹性体，可以列举：氨基甲酸酯类弹性体、烯烃类弹性体、氯乙烯类弹性体、聚酯类弹性体、苯乙烯类弹性体、丙烯酸类弹性体、以及酰胺类弹性体等。热塑性弹性体可以单独使用一种，或者组合使用两种以上。作为热塑性弹性体，从易于大幅拉伸的观点考虑，优选使用氨基甲酸酯类弹性体。
[0140]
氨基甲酸酯类弹性体通常是使长链多元醇、扩链剂及二异氰酸酯进行反应而得到的。氨基甲酸酯类弹性体包含软链段和硬链段，所述软链段具有由长链多元醇衍生的结构单元，所述硬链段具有由扩链剂与二异氰酸酯经反应而得到的聚氨酯结构。
[0141]
如果根据长链多元醇的种类进行分类，则可以将氨基甲酸酯类弹性体分为聚酯类聚氨酯弹性体、聚醚类聚氨酯弹性体、以及聚碳酸酯类聚氨酯弹性体等。氨基甲酸酯类弹性体可以单独使用一种，或者组合使用两种以上。在本实施方式中，从易于大幅拉伸的观点考
虑，氨基甲酸酯类弹性体优选为聚醚类聚氨酯弹性体。
[0142]
作为长链多元醇的例子，可以列举：内酯类聚酯多元醇及己二酸酯类聚酯多元醇等聚酯多元醇；聚亚丙基(亚乙基)多元醇及聚四亚甲基醚二醇等聚醚多元醇；聚碳酸酯多元醇等。在本实施方式中，从易于大幅拉伸的观点考虑，长链多元醇优选为己二酸酯类聚酯多元醇。
[0143]
作为二异氰酸酯的例子，可以列举：2,4
‑
甲苯二异氰酸酯、2,6
‑
甲苯二异氰酸酯、4,4
’‑
二苯基甲烷二异氰酸酯、以及六亚甲基二异氰酸酯等。在本实施方式中，从易于大幅拉伸的观点考虑，二异氰酸酯优选为六亚甲基二异氰酸酯。
[0144]
作为扩链剂，可以列举：低分子多元醇(例如，1,4
‑
丁二醇、及1,6
‑
己二醇等)、以及芳香族二胺等。其中，从易于大幅拉伸的观点考虑，优选使用1,6
‑
己二醇。
[0145]
作为烯烃类弹性体，可以举出包含选自乙烯/α
‑
烯烃共聚物、丙烯/α
‑
烯烃共聚物、丁烯/α
‑
烯烃共聚物、乙烯/丙烯/α
‑
烯烃共聚物、乙烯/丁烯/α
‑
烯烃共聚物、丙烯/丁烯/α
‑
烯烃共聚物、乙烯/丙烯/丁烯/α
‑
烯烃共聚物、苯乙烯/异戊二烯共聚物、以及苯乙烯/乙烯/丁烯共聚物中的至少一种树脂的弹性体。烯烃类弹性体可以单独使用一种，或者组合使用两种以上。
[0146]
烯烃类弹性体的密度没有特别限定。例如，烯烃类弹性体的密度优选为0.860g/cm3以上且小于0.905g/cm3、更优选为0.862g/cm3以上且小于0.900g/cm3、特别优选为0.864g/cm3以上且小于0.895g/cm3。通过使烯烃类弹性体的密度满足上述范围，基材的在将作为被粘附物的半导体装置粘贴于粘合片时的凹凸跟随性等优异。
[0147]
对于烯烃类弹性体而言，在用于形成该弹性体的全部单体中，包含烯烃类化合物的单体的质量比率(在本说明书中也称为“烯烃含有率”)优选为50质量％以上且100质量％以下。
[0148]
烯烃含有率过低的情况下，不易表现出作为包含来自于烯烃的结构单元的弹性体的性质，基材难以显示出柔软性及橡胶弹性。
[0149]
从稳定地获得柔软性及橡胶弹性的观点考虑，烯烃含有率优选为50质量％以上、更优选为60质量％以上。
[0150]
作为苯乙烯类弹性体，可以列举：苯乙烯
‑
共轭二烯共聚物、以及苯乙烯
‑
烯烃共聚物等。作为苯乙烯
‑
共轭二烯共聚物的具体例子，可以列举：苯乙烯
‑
丁二烯共聚物、苯乙烯
‑
丁二烯
‑
苯乙烯共聚物(sbs)、苯乙烯
‑
丁二烯
‑
丁烯
‑
苯乙烯共聚物、苯乙烯
‑
异戊二烯共聚物、苯乙烯
‑
异戊二烯
‑
苯乙烯共聚物(sis)、苯乙烯
‑
乙烯
‑
异戊二烯
‑
苯乙烯共聚物等未氢化的苯乙烯
‑
共轭二烯共聚物、苯乙烯
‑
乙烯/丙烯
‑
苯乙烯共聚物(seps、苯乙烯
‑
异戊二烯
‑
苯乙烯共聚物的氢化物)、以及苯乙烯
‑
乙烯
‑
丁烯
‑
苯乙烯共聚物(sebs、苯乙烯
‑
丁二烯共聚物的加氢产物)等氢化苯乙烯
‑
共轭二烯共聚物等。另外，在工业上，作为苯乙烯类弹性体，可以列举：tufprene(旭化成株式会社制造)、kraton(kraton polymers japan公司制造)、sumitomo tpe
‑
sb(住友化学株式会社制造)、epofriend(株式会社大赛璐制造)、rubberron(三菱化学株式会社制造)、septon(可乐丽株式会社制造)、以及tuftec(旭化成株式会社制造)等商品名。苯乙烯类弹性体可以是加氢产物，也可以是未氢化物。
[0151]
作为橡胶类材料，可以列举例如：天然橡胶、合成异戊二烯橡胶(ir)、丁二烯橡胶(br)、丁苯橡胶(sbr)、氯丁橡胶(cr)、丁腈橡胶(nbr)、丁基橡胶(iir)、卤代丁基橡胶、丙烯
酸橡胶、氨基甲酸酯橡胶、以及聚硫橡胶等。橡胶类材料可以单独使用这些中的一种，或者组合使用两种以上。
[0152]
第1基材11也可以是将由多个上述那样的材料(例如，热塑性弹性体或橡胶类材料)形成的膜层叠而得到的层叠膜。另外，第1基材11还可以是将由上述那样的材料(例如，热塑性弹性体或橡胶类材料)形成的膜和其它膜层叠而得到的层叠膜。
[0153]
第1基材11可以在以上述的树脂类材料作为主材料的膜内含有添加剂。作为添加剂的具体例，与在第1基材11的说明中列举的添加剂相同。作为添加剂，可列举例如：颜料、染料、阻燃剂、增塑剂、防静电剂、润滑剂、以及填料等。作为颜料，可列举例如：二氧化钛及炭黑等。另外，作为填料，可以示例出三聚氰胺树脂这样的有机类材料、气相法二氧化硅这样的无机类材料、以及镍粒子这样的金属类材料。膜内任选含有的添加剂的含量没有特殊限定，优选落在能够使第1基材11发挥出期望的功能的范围。
[0154]
对于第1基材11而言，也可以使第1基材11的单面或两面被实施了用于提高与被层叠于第1基材11的表面的第1粘合剂层12的密合性的处理。
[0155]
在第1粘合剂层12含有能量射线固化性粘合剂的情况下，优选第1基材11具有对能量射线的透射性。在使用紫外线作为能量射线的情况下，优选第1基材11对紫外线具有透射性。在使用电子束作为能量射线的情况下，优选第1基材11具有电子束透射性。
[0156]
对于第1基材11的厚度而言，只要第1片10在希望的工序中可以适当发挥功能即可，没有限定。第1基材11的厚度优选为20μm以上、更优选为40μm以上。另外，第1基材11的厚度优选为250μm以下、更优选为200μm以下。
[0157]
另外，在第1基材11的第1基材表面或第1基材背面的面内方向以2cm间隔测定多个部位的厚度时，第1基材11的厚度的标准偏差优选为2μm以下、更优选为1.5μm以下、进一步优选为1μm以下。通过使该标准偏差为2μm以下，第1片10具有高精度的厚度，能够均匀地对第1片10进行拉伸。
[0158]
在23℃下，第1基材11的md方向及cd方向的拉伸弹性模量分别为10mpa以上且350mpa以下，在23℃下，第1基材11的md方向及cd方向的100％应力分别为3mpa以上且20mpa以下。
[0159]
通过使拉伸弹性模量及100％应力为上述范围，可以将第1片10大幅拉伸。
[0160]
第1基材11的100％应力是如下方式得到的值。从第1基材11切下150mm(长度方向)
×
15mm(宽度方向)的大小的试验片。用夹具夹住切下的试验片的长度方向两端，使得夹具间的长度为100mm。在用夹具夹住试验片之后，以200mm/分的速度沿长度方向拉伸，读取夹具间的长度达到200mm时的拉伸力的测定值。第1基材11的100％应力是将读取到的拉伸力的测定值除以基材的截面积而得到的值。第1基材11的截面积是按照宽度方向长度15mm
×
第1基材11(试验片)的厚度计算的。该切下以使基材制造时的行进方向(md方向)或垂直于md方向的方向(cd方向)与试验片的长度方向一致的方式进行。需要说明的是，在该拉伸试验中，试验片的厚度没有特别限定，可以与作为试验对象的基材的厚度相同。
[0161]
在23℃下，第1基材11的md方向及cd方向的断裂伸长率分别优选为100％以上。
[0162]
通过使第1基材11的md方向及cd方向的断裂伸长率分别为100％以上，可以大幅拉伸第1片10而不发生断裂。
[0163]
基材的拉伸模量(mpa)及基材的断裂伸长率(％)可以如下所述进行测定。将基材
裁切为15mm
×
140mm而得到试验片。对于该试验片，按照jis k7161:2014及jis k7127:1999测定23℃下的断裂伸长率及拉伸模量。具体而言，对于上述试验片，使用拉伸试验机(株式会社岛津制作所制造，产品名“autograph ag
‑
is 500n”)，将卡盘间距离设定为100mm，然后以200mm/分的速度进行拉伸试验，测定断裂伸长率(％)及拉伸模量(mpa)。需要说明的是，测定沿基材制造时的行进方向(md)及与其成直角的方向(cd)这两个方向进行。
[0164]
·
第1粘合剂层
[0165]
第1粘合剂层12只要能够在扩片工序等期望的工序中适当地发挥功能，则对其构成材料没有特殊限定。作为第1粘合剂层12中所含的粘合剂，可列举例如：橡胶类粘合剂、丙烯酸类粘合剂、有机硅类粘合剂、聚酯类粘合剂及氨基甲酸酯类粘合剂。
[0166]
·
能量射线固化性树脂(ax1)
[0167]
第1粘合剂层12优选含有能量射线固化性树脂(ax1)。能量射线固化性树脂(ax1)在分子内具有能量射线固化性的双键。
[0168]
含有能量射线固化性树脂的粘合剂层会通过照射能量射线而发生固化，从而使粘合力降低。在欲将被粘附物与粘合片分离的情况下，可以通过对粘合剂层照射能量射线而容易地分离。
[0169]
能量射线固化性树脂(ax1)优选为(甲基)丙烯酸类树脂。
[0170]
能量射线固化性树脂(ax1)优选为紫外线固化性树脂，更优选为紫外线固化性的(甲基)丙烯酸类树脂。
[0171]
能量射线固化性树脂(ax1)是受到能量射线照射时会发生聚合固化的树脂。作为能量射线，可以举出例如紫外线及电子束等。
[0172]
作为能量射线固化性树脂(ax1)的例子，可以举出具有能量射线聚合性基团的低分子量化合物(单官能的单体、多官能的单体、单官能的低聚物、以及多官能的低聚物)。能量射线固化性树脂(a1)具体可以使用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4
‑
丁二醇二丙烯酸酯、以及1,6
‑
己二醇二丙烯酸酯等丙烯酸酯、二环戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯、以及丙烯酸异冰片酯等含有环状脂肪族骨架的丙烯酸酯、以及聚乙二醇二丙烯酸酯、低聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物、环氧改性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、以及衣康酸低聚物等丙烯酸酯类化合物。能量射线固化性树脂(a1)可以单独使用一种，或者组合使用两种以上。
[0173]
能量射线固化性树脂(ax1)的分子量通常为100以上且30000以下、优选为300以上且10000以下左右。
[0174]
·
(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)
[0175]
第1粘合剂层12优选进一步包含(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)。(甲基)丙烯酸类共聚物与上述的能量射线固化性树脂(ax1)不同。
[0176]
(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)优选具有能量射线固化性的碳
‑
碳双键。即，在本实施方式中，第1粘合剂层12优选含有能量射线固化性树脂(ax1)、和能量射线固化性的(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)。
[0177]
第1粘合剂层12中，相对于(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)100重量份，优选以10重量份以上的比例含有能量射线固化性树脂(ax1)，更优选以20质量份以上的比例含有、进一步
优选以25质量份以上的比例含有能量射线固化性树脂(ax1)。
[0178]
第1粘合剂层12中，相对于(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)100重量份，优选以80重量份以下的比例含有能量射线固化性树脂(ax1)，更优选以70质量份以下的比例含有、进一步优选以60质量份以下的比例含有能量射线固化性树脂(ax1)。
[0179]
(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)的重均分子量(mw)优选为1万以上、更优选为15万以上、进一步优选为20万以上。
[0180]
另外，(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)的重均分子量(mw)优选为150万以下、更优选为100万以下。
[0181]
需要说明的是，本说明书中的重均分子量(mw)是利用凝胶渗透色谱法(gpc法)测得的换算为标准聚苯乙烯的值。
[0182]
(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)优选为侧链导入了具有能量射线固化性的官能团(能量射线固化性基团)的(甲基)丙烯酸酯聚合物(b2)(以下，有时称为“能量射线固化性聚合物(b2)”)。
[0183]
·
能量射线固化性聚合物(b2)
[0184]
能量射线固化性聚合物(b2)优选为具有含官能团单体单元的丙烯酸类共聚物(b21)与具有与该官能团键合的官能团的含不饱和基团化合物(b22)进行反应而得到的共聚物。
[0185]
在本说明书中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯这两者。其它类似用语也同样。
[0186]
丙烯酸类共聚物(b21)优选包含来自于含官能团单体的结构单元、以及来自于(甲基)丙烯酸酯单体或(甲基)丙烯酸酯单体衍生物的结构单元。
[0187]
作为丙烯酸类共聚物(b21)的结构单元的含官能团单体优选为分子内具有聚合性的双键、以及官能团的单体。官能团优选为选自羟基、羧基、氨基、取代氨基、以及环氧基等中的至少任一种官能团。
[0188]
作为含羟基单体，可列举例如：(甲基)丙烯酸2
‑
羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2
‑
羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3
‑
羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2
‑
羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3
‑
羟基丁酯、以及(甲基)丙烯酸4
‑
羟基丁酯等。含羟基单体可以单独使用一种，或者组合使用两种以上。
[0189]
作为含羧基单体，可列举例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、马来酸、衣康酸、以及柠康酸等烯属不饱和羧酸。含羧基单体可以单独使用一种，或者组合使用两种以上。
[0190]
作为含氨基单体或含取代氨基单体，可列举例如：(甲基)丙烯酸氨基乙酯、以及(甲基)丙烯酸正丁基氨基乙酯等。含氨基单体或含取代氨基单体可以单独使用一种，或者组合使用两种以上。
[0191]
作为构成丙烯酸类共聚物(b21)的(甲基)丙烯酸酯单体，除了烷基碳原子数为1以上且20以下的(甲基)丙烯酸烷基酯以外，还可以优选使用例如分子内具有脂环结构的单体(含脂环结构单体)。
[0192]
作为(甲基)丙烯酸烷基酯，优选为烷基碳原子数为1以上且18以下的(甲基)丙烯酸烷基酯。(甲基)丙烯酸烷基酯更优选为例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、以及(甲基)丙烯酸2
‑
乙基己酯等。(甲基)丙烯酸烷基酯可以单独使用一种，或者组合使用两种以上。
[0193]
作为含脂环结构单体，可以优选使用例如(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸金刚烷酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、以及(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯等。含脂环结构单体可以单独使用一种，或者组合使用两种以上。
[0194]
丙烯酸类共聚物(b21)优选以1质量％以上的比例含有来自于上述含官能团单体的结构单元，更优选以5质量％以上的比例含有、进一步优选以10质量％以上的比例含有来自于上述含官能团单体的结构单元。
[0195]
另外，丙烯酸类共聚物(b21)优选以35质量％以下的比例含有来自于上述含官能团单体的结构单元，更优选以30质量％以下的比例含有、进一步优选以25质量％以下的比例含有来自于上述含官能团单体的结构单元。
[0196]
进一步，丙烯酸类共聚物(b21)优选以50质量％以上的比例含有来自于(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物的结构单元，更优选以60质量％以上的比例含有、进一步优选以70质量％以上的比例含有来自于(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物的结构单元。
[0197]
另外，丙烯酸类共聚物(b21)优选以99质量％以下的比例含有来自于(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物的结构单元，更优选以95质量％以下的比例含有、进一步优选以90质量％以下的比例含有来自于(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物的结构单元。
[0198]
丙烯酸类共聚物(b21)可通过利用通常方法使上述的含官能团单体与(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物共聚而得到。
[0199]
就丙烯酸类共聚物(b21)而言，除上述的单体以外，还可以含有选自二甲基丙烯酰胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、以及苯乙烯等中的至少任一种的结构单元。
[0200]
通过使具有上述含官能团单体单元的丙烯酸类共聚物(b21)与具有和其官能团键合的官能团的含不饱和基团化合物(b22)发生反应，可得到能量射线固化性聚合物(b2)。
[0201]
含不饱和基团化合物(b22)具有的官能团可以根据丙烯酸类共聚物(b21)具有的含官能团单体单元的官能团的种类而适当选择。例如，在丙烯酸类共聚物(b21)具有的官能团为羟基、氨基或取代氨基的情况下，作为含不饱和基团化合物(b22)具有的官能团，优选为异氰酸酯基或环氧基，在丙烯酸类共聚物(b21)具有的官能团为环氧基的情况下，作为含不饱和基团化合物(b22)具有的官能团，优选为氨基、羧基或氮丙啶基。
[0202]
含不饱和基团化合物(b22)在1个分子中至少包含1个能量射线聚合性的碳
‑
碳双键，优选包含1个以上且6个以下、更优选包含1个以上且4个以下能量射线聚合性的碳
‑
碳双键。
[0203]
作为含不饱和基团化合物(b22)，可列举例如：2
‑
甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(甲基丙烯酸2
‑
异氰酸基乙酯)、间异丙烯基
‑
α,α
‑
二甲基苄基异氰酸酯、甲基丙烯酰基异氰酸酯、烯丙基异氰酸酯、1,1
‑
(双丙烯酰氧基甲基)乙基异氰酸酯；通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物与(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物、多元醇化合物、以及(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2
‑
(1
‑
氮丙啶基)乙酯、2
‑
乙烯基
‑2‑
唑啉、2
‑
异丙烯基
‑2‑
唑啉等。
[0204]
相对于丙烯酸类共聚物(b21)的含官能团单体的摩尔数，优选以50摩尔％以上的比例(加成率)使用含不饱和基团化合物(b22)、更优选以60摩尔％以上的比例使用、进一步
优选以70摩尔％以上的比例使用。
[0205]
另外，相对于丙烯酸类共聚物(b21)的含官能团单体的摩尔数，优选以95摩尔％以下的比例使用含不饱和基团化合物(b22)，更优选以93摩尔％以下的比例使用、进一步优选以90摩尔％以下的比例使用含不饱和基团化合物(b22)。
[0206]
在丙烯酸类共聚物(b21)与含不饱和基团化合物(b22)的反应中，可以根据丙烯酸类共聚物(b21)具有的官能团和含不饱和基团化合物(b22)具有的官能团的组合而适当选择反应的温度、压力、溶剂、时间、有无催化剂、以及催化剂的种类。由此，丙烯酸类共聚物(b21)具有的官能团与含不饱和基团化合物(b22)具有的官能团发生反应，在丙烯酸类共聚物(b21)的侧链导入不饱和基团，得到能量射线固化性聚合物(b2)。
[0207]
能量射线固化性聚合物(b2)的重均分子量(mw)优选为1万以上、更优选为15万以上、进一步优选为20万以上。
[0208]
另外，能量射线固化性聚合物(b2)的重均分子量(mw)优选为150万以下、更优选为100万以下。
[0209]
·
光聚合引发剂(c)
[0210]
在第1粘合剂层12含有紫外线固化性的化合物(例如，紫外线固化性树脂)的情况下，第1粘合剂层12优选含有光聚合引发剂(c)。
[0211]
通过使第1粘合剂层12含有光聚合引发剂(c)，可以减少聚合固化时间及光照射量。
[0212]
光聚合引发剂(c)的具体例可列举例如：苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、酰基氧化膦化合物、二茂钛化合物、噻吨酮化合物及过氧化物化合物。此外，作为光聚合引发剂(c)，可列举例如：胺或醌等光敏剂等。
[0213]
作为更具体的光聚合引发剂(c)，可列举例如：1
‑
羟基环己基苯基酮、2
‑
羟基
‑2‑
甲基
‑1‑
苯基丙烷
‑1‑
酮、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苄、丁二酮、8
‑
氯蒽醌及双(2,4,6
‑
三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦。光聚合引发剂(c)可以单独使用一种，也可以将两种以上组合使用。
[0214]
相对于粘合性树脂100重量份，光聚合引发剂(c)的配合量优选为0.01重量份以上且10重量份以下、更优选为0.03重量份以上且5重量份以下、进一步优选为0.05重量份以上且5重量份以下。
[0215]
在粘合剂层中配合能量射线固化性树脂(ax1)及(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)的情况下，相对于能量射线固化性树脂(ax1)及(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)的总量100质量份，优选以0.1质量份以上的量使用光聚合引发剂(c)、更优选以0.5质量份以上的量使用。
[0216]
另外，在粘合剂层中配合能量射线固化性树脂(ax1)及(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)的情况下，相对于能量射线固化性树脂(ax1)及(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)的总量100质量份，优选以10质量份以下的量使用光聚合引发剂(c)，更优选以6质量份以下的量使用。
[0217]
第1粘合剂层12除上述成分以外，还可以适当配合其它成分。作为其它成分，可以举出例如交联剂(e)等。
[0218]
·
交联剂(e)
[0219]
作为交联剂(e)，可以使用与(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)等所带有的官能团具有反应性的多官能性化合物。作为第1片10中的多官能性化合物的例子，可列举：异氰酸酯化
合物、环氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、肼化合物、醛化合物、唑啉化合物、金属醇盐化合物、金属螯合物化合物、金属盐、铵盐、以及反应性酚醛树脂等。
[0220]
相对于(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)100质量份，交联剂(e)的配合量优选为0.01质量份以上、更优选为0.03质量份以上、进一步优选为0.04质量份以上。
[0221]
另外，相对于(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)100质量份，交联剂(e)的配合量优选为8质量份以下、更优选为5质量份以下、进一步优选为3.5质量份以下。
[0222]
第1粘合剂层12的厚度没有特殊限定。第1粘合剂层12的厚度例如优选为10μm以上、更优选为20μm以上。另外，第1粘合剂层12的厚度优选为150μm以下、更优选为100μm以下。
[0223]
第1片10的复原率优选为70％以上、更优选为80％以上、进一步优选为85％以上。第1片10的复原率优选为100％以下。通过使复原率为上述范围，可以大幅拉伸粘合片。
[0224]
复原率是通过以下方式得到的：对于将粘合片切成150mm(长度方向)
×
15mm(宽度方向)的试验片，用夹具夹住长度方向的两端、并使夹具间的长度为100mm，然后，以200mm/分的速度拉伸至夹具间的长度达到200mm，在夹具间的长度扩张至200mm的状态下保持1分钟，然后，以200mm/分的速度沿长度方向恢复至夹具间的长度为100mm，在夹具间的长度恢复至100mm的状态下保持1分钟，然后，以60mm/分的速度沿长度方向拉伸，测定拉伸力的测定值显示0.1n/15mm时的夹具间的长度，将该长度减去初始的夹具间长度100mm而得到的长度设为l2(mm)、并将上述扩张的状态下的夹具间长度200mm减去初始的夹具间长度100mm而得到的长度设为l1(mm)时，通过下式(数学式2)进行计算。
[0225]
复原率(％)＝{1－(l2
÷
l1)}
×
100
···
(数学式2)
[0226]
复原率为上述范围的情况下，表示粘合片即使在大幅拉伸后也容易复原。一般而言，将具有屈服点的片拉伸至屈服点以上时，片会发生塑性变形，而发生了塑性变形的部分、即经过了极端拉伸的部分会成为不均存在的状态。将这样的状态的片进一步拉伸时，会从上述的经过了极端拉伸的部分发生断裂、或者即使不发生断裂也会导致扩片变得不均匀。另外，在分别以应变为x轴、伸长率为y轴作图而得到的应力
‑
应变曲线图中，即使是斜率dx/dy不取到从正值变化至0或负值的应力值、不显示明确的屈服点的片，随着拉伸量变大，片也会发生塑性变形，同样会引发断裂、或导致扩片变得不均匀。另一方面，在发生弹性变形、而不是塑性变形的情况下，通过解除应力，片容易复原至原来的形状。为此，通过使作为表征以足够大的拉伸量、即100％伸长后复原至何种程度的指标的复原率在上述范围，可以将大幅拉伸粘合片时的膜的塑性变形抑制于最小限，能够实现不易发生断裂、且均匀的扩片。
[0227]
(剥离片)
[0228]
第1片10的表面粘贴有剥离片。具体而言，剥离片被粘贴于第1片10的第1粘合剂层12的表面。剥离片通过被粘贴于第1粘合剂层12的表面而在运送时及保管时保护第1粘合剂层12。剥离片以可剥离的方式被粘贴于第1片10，并在使用第1片10之前，从第1片10被剥离而去除。
[0229]
剥离片可使用至少一面经过了剥离处理的剥离片。具体而言，可列举例如：具备剥离片用基材、和在该基材的表面上涂布剥离剂而形成的剥离剂层的剥离片。
[0230]
作为剥离片用基材，优选为树脂膜。作为构成作为剥离片用基材的树脂膜的树脂，
可列举例如：聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂及聚萘二甲酸乙二醇酯树脂等聚酯树脂膜、以及聚丙烯树脂及聚乙烯树脂等聚烯烃树脂等。
[0231]
作为剥离剂，可列举例如：有机硅类树脂、烯烃类树脂、异戊二烯类树脂、丁二烯类树脂等橡胶类弹性体、长链烷基类树脂、醇酸类树脂及氟类树脂。
[0232]
剥离片的厚度没有特殊限制，但优选为10μm以上且200μm以下、更优选为20μm以上且150μm以下。
[0233]
(粘合片的制造方法)
[0234]
作为第1片10及其它的本说明书中记载的粘合片的制造方法，没有特殊限制，可利用公知的方法制造。
[0235]
例如，可以将设置在剥离片上的粘合剂层贴合于基材的单面，从而制造在粘合剂层的表面粘贴有剥离片的粘合片。另外，通过将设置在剥离片上的缓冲层与基材贴合、并将剥离片除去，可得到缓冲层与基材的层叠体。然后，将设置在剥离片上的粘合剂层贴合于层叠体的基材侧，从而可以制造在粘合剂层的表面粘贴有剥离片的粘合片。需要说明的是，在基材的两面设置有缓冲层的情况下，粘合剂层形成在缓冲层上。对于被粘贴于粘合剂层的表面的剥离片，只要在使用粘合片之前适当剥离而除去即可。
[0236]
作为粘合片的制造方法的更为具体的一例，可列举如下所述的方法。首先，制备含有构成粘合剂层的粘合性组合物、以及根据需要而进一步添加的溶剂或分散介质的涂敷液。接着，利用涂布机构将涂敷液涂布于基材的一面上而形成涂膜。作为涂布机构，可列举例如：模涂机、帘涂机、喷涂机、狭缝涂布机及刮涂机等。接着，通过使该涂膜干燥，可以形成粘合剂层。涂敷液只要能够进行涂布即可，对其性状没有特别限定。就涂敷液而言，既包括含有用于形成粘合剂层的成分作为溶质的情况，又包括含有用于形成粘合剂层的成分作为分散质的情况。同样地，也可以在基材的单面或缓冲层上直接涂布粘合剂组合物而形成粘合剂层。
[0237]
另外，作为粘合片的制造方法的更为具体的另一例，可列举如下所述的方法。首先，在上述的剥离片的剥离面上涂布涂敷液而形成涂膜。接着，使涂膜干燥而形成由粘合剂层和剥离片构成的层叠体。接下来，可以在该层叠体的粘合剂层的与剥离片侧的面相反一侧的面上粘贴基材，从而得到粘合片与剥离片的层叠体。对于该层叠体中的剥离片而言，可以将其作为工序材料而剥离，也可以用其保护着粘合剂层、直到在粘合剂层粘贴被粘附物(例如，半导体芯片、及半导体晶片等)为止。
[0238]
在涂敷液含有交联剂的情况下，可以通过变更涂膜的干燥条件(例如，温度及时间等)、或者通过另行进行加热处理，从而使例如涂膜内的(甲基)丙烯酸类共聚物与交联剂的交联反应进行，在粘合剂层内以希望的存在密度形成交联结构。为了使该交联反应充分进行，可以在通过上述的方法等使粘合剂层层叠于基材之后，进行将得到的粘合片在例如23℃、相对湿度50％的环境中静置数天的调理。
[0239]
第1片10的厚度优选为30μm以上、更优选为50μm以上。第1片10的厚度优选为400μm以下、更优选为300μm以下。
[0240]
(第2粘合片)
[0241]
本实施方式的第2粘合片20具有第2基材21和第2粘合剂层22。第2粘合剂层22层叠于第2基材21。
[0242]
·
第2基材
[0243]
本实施方式的第2基材21只要能够在切割工序等期望的工序中适当地发挥功能，则对其构成材料没有特殊限定。
[0244]
第2基材21优选由以树脂类的材料为主材料的膜构成。作为以树脂类的材料为主材料的膜，可列举例如：烯属共聚膜、聚烯烃类膜、聚氯乙烯类膜、聚酯类膜、聚氨酯膜、聚酰亚胺膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、及氟树脂膜。
[0245]
·
第2粘合剂层
[0246]
第2粘合剂层22只要能够在切割工序等期望的工序中适当地发挥功能，则对其构成材料没有特殊限定。
[0247]
作为第2粘合剂层22，优选由例如选自丙烯酸类粘合剂、氨基甲酸酯类粘合剂、聚酯类粘合剂、橡胶类粘合剂及有机硅类粘合剂中的至少一种粘合剂形成，更优选由丙烯酸类粘合剂形成。
[0248]
第2粘合剂层22可以由非能量射线固化性粘合剂形成，也可以由能量射线固化性粘合剂形成。
[0249]
[本实施方式的效果]
[0250]
根据本实施方式的扩片方法，在使第1片10伸展时，半导体芯片cp的电路面w1未与第1片10的第1粘合剂层12相接在一起。对于各个半导体芯片cp而言，在电路面w1与第1粘合剂层12之间夹隔着在切割工序中经过了单片化的保护层100，因此，即使使第1片10伸展，与电路面w1相接在一起的保护层100也不会被抻展。其结果，根据本实施方式的扩片方法，可以抑制残胶。
[0251]
另外，在本实施方式的扩片方法中使用的粘合片均为包含基材和粘合剂层的简单构成。另外，由于是在实施扩片工序之前，从实施切割工序时所使用的粘合片转粘至扩片工序用的粘合片，因此，不需要小心地控制切痕深度以使得在切割工序中切割刀片不会到达切割片的基材。
[0252]
因此，根据本实施方式的扩片方法，与以往相比可以简化粘合片构成及工艺、并且抑制残胶。
[0253]
进一步，可以提供包括本实施方式的扩片方法的半导体装置的制造方法。
[0254]
[第2实施方式]
[0255]
接下来，针对本发明的第2实施方式进行说明。
[0256]
第1实施方式和第2实施方式主要在以下方面存在差异。在第1实施方式中，在加工对象物(半导体晶片w)的第1加工对象物面(电路面w1)设置有保护层，而与此相对，在第2实施方式中，通过将加工对象物(半导体晶片w)的第2加工对象物面(背面w3)贴合于具有保护层和第3片的复合片的该保护层，从而在加工对象物设置保护层。
[0257]
在以下的说明中，主要针对与第1实施方式不同的部分进行说明，而关于重复的说明，进行省略或简化。对于与第1实施方式同样的构成，赋予相同的符号并省略或简化其说明。
[0258]
图6(图6a、图6b及图6c)及图7(图7a、图7b及图7c)是对包括本实施方式的扩片方法的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。
[0259]
本实施方式涉及的扩片方法具备以下的工序(px1)～(px5)的工序。
[0260]
(px1)在具有保护层和第3片的复合片的该保护层贴合加工对象物的工序。
[0261]
(px2)从加工对象物的第1加工对象物面侧切入切痕，将晶片切断，然后至少将保护层切断而将多个半导体装置单片化的工序。第1加工对象物面成为半导体装置的电路面，第2加工对象物面成为半导体装置的背面。
[0262]
(px3)以将保护层残留于半导体装置的背面的状态将第3片剥离的工序。
[0263]
(px4)将第1片粘贴于半导体装置的背面侧的保护层的工序。
[0264]
(px5)使第1片伸展而扩大多个半导体装置的间隔的工序。
[0265]
(复合片)
[0266]
图6a示出了在本实施方式中使用的复合片130的剖面示意图。
[0267]
复合片130具有保护层100a和第3片30。在对半导体晶片w进行切割时，复合片130保持半导体晶片w。半导体晶片w以背面w3向着复合片130的保护层100a贴合。
[0268]
(保护层)
[0269]
复合片130中的保护层100a被层叠在第3片30上。保护层100a只要能够贴合于作为加工对象物的半导体晶片w及作为半导体装置的半导体芯片cp的背面w3(半导体装置的背面)而保护背面w3则没有特殊限定。作为保护层100a，可列举例如：保护膜、及保护片。保护层100a的厚度优选为1μm以上、更优选为5μm以上。保护层100a的厚度优选为500μm以下、更优选为300μm以下。
[0270]
作为保护层100a，可以是与例如在第1实施方式中进行了说明的保护层100同样的保护层。
[0271]
(第3片)
[0272]
复合片130中的第3片30是支撑保护层100a的构件。第3片30只要能够支撑保护层100a，则对其构成材料没有特殊限定。在本实施方式的工序(px3)中，是保持着将保护层100a残留于半导体芯片cp的背面w3的状态将第3片30剥离，因此，第3片30优选由能够从保护层100a剥离的材质等形成。
[0273]
关于复合片130的更详细的例子，在后述说明。
[0274]
[复合片的贴合工序]
[0275]
图6b是用于对工序(px1)进行说明的图。图6b中记载了贴合有复合片130的半导体晶片w。本实施方式中的半导体晶片w也优选为通过经过背磨工序而得到的晶片。有时将该工序(px1)称为复合片的贴合工序。
[0276]
如后所述，在工序(px2)中，半导体晶片w经切割而被单片化成多个半导体芯片cp。在本实施方式中，为了在对半导体晶片w进行切割时保持半导体晶片w，在背面w3贴合复合片130。半导体晶片w以背面w3向着复合片130的保护层100贴合。
[0277]
在本实施方式中，列举以露出了电路面w1的状态进行工艺的方式为例进行说明，而作为其他方式的例子，可列举例如：以在电路面w1贴合有不同于保护层100a的另外的保护片或保护膜等保护构件的状态进行工艺的方式。
[0278]
[切割工序]
[0279]
图6c是用于对工序(px2)进行说明的图。有时将工序(px2)称为切割工序。图6c中示出了保持于复合片130的多个半导体芯片cp。
[0280]
在背面w3贴合有复合片130的状态的半导体晶片w经切割而被单片化，从而形成多
个半导体芯片cp。作为第1半导体装置面的电路面w1相当于芯片的电路面。作为第2半导体装置面的背面w3相当于芯片背面。
[0281]
在本实施方式中，从电路面w1侧切入切痕，切断半导体晶片w，进而将复合片130的至少保护层100a切断。
[0282]
切割时的切割深度只要是能够将半导体晶片w及保护层100a单片化的深度则没有特殊限定。在本实施方式中，列举未将切痕切至第3片30的方式为例进行了说明，但本发明并不限定于这样的实施方式。例如，在另一实施方式中，从将半导体晶片w及保护层100a切实地切断的观点考虑，也可以通过切割而以到达第3片30为止的深度形成切痕。
[0283]
[第3片的剥离工序]
[0284]
图7a是用于对工序(px3)进行说明的图。有时将工序(px3)称为第3片的剥离工序。图7a示出了在切割工序后在保持保护层100a残留于经单片化后的半导体芯片cp的背面w3的状态下将第3片30剥离的工序。
[0285]
作为复合片130的一个方式，在第3片30上直接层叠有保护层100a的情况下，优选在第3片的剥离工序中，在优选在保护层100a与第3片30的界面进行剥离。将第3片30剥离后，可得到在背面w3贴合有保护层100a的多个半导体芯片cp。
[0286]
将第3片30从保护层100a剥离时的剥离力优选为10mn/25mm以上且2000mn/25mm以下。通过使将第3片30从保护层100a剥离时的剥离力为10mn/25mm以上，可获得切割时的半导体芯片保持性优异这样的效果。通过使将第3片30从保护层100a剥离时的剥离力为2000mn/25mm以下，可获得切割后的半导体芯片的拾取性优异这样的效果。将第3片30从保护层100a剥离时的剥离力优选为30mn/25mm以上且1000mn/25mm以下、进一步优选为50mn/25mm以上且500mn/25mm以下。
[0287]
[第1片的贴合工序]
[0288]
图7b是用于对工序(px4)进行说明的图。有时将工序(px4)称为第1片的贴合工序。图7b示出了在通过切割工序得到的多个半导体芯片cp粘贴有第1片10的状态。本实施方式的第1片10与在第1实施方式中使用的第1片10相同。
[0289]
在本实施方式中，第1片10被粘贴于多个半导体芯片cp的背面w3侧时，可得到在多个半导体芯片cp与第1片10的第1粘合剂层12之间夹隔有经单片化后的保护层100a的层叠结构。
[0290]
[扩片工序]
[0291]
图7c是用于对工序(px5)进行说明的图。有时将工序(px5)称为扩片工序。图7c示出了在贴合第1片10之后使第1片10伸展而扩大了多个半导体芯片cp的间隔的状态。
[0292]
在本实施方式中的扩片工序中，对第1片10进行抻展的方法也与第1实施方式相同。在本实施方式中，多个半导体芯片cp的间隔d1也由于依赖于半导体芯片cp的尺寸而没有特殊限制。相邻的半导体芯片cp的相互的间隔d1优选为200μm以上。需要说明的是，该半导体芯片cp的相互的间隔的上限没有特殊限制。该半导体芯片cp的相互的间隔的上限例如可以为6000μm。
[0293]
[第1转印工序]
[0294]
在本实施方式中，在扩片工序之后，可以实施将贴合在第1片10上的多个半导体芯片cp与第1实施方式同样地贴合于第6粘合片60的工序(以下，有时称为“第1转印工序”)。
[0295]
在本实施方式中实施转印工序的情况下，优选例如在扩片工序之后，在多个半导体芯片cp的电路面w1贴合第6粘合片60，并在其后将第1片10及保护层100a从背面w3剥离。既可以将第1片10及保护层100a一起从背面w3剥离，也可以在先将第1片10剥离之后再将保护层100a从背面w3剥离。有时将从背面w3剥离保护层100a的工序称为保护层的剥离工序。
[0296]
优选在保护层100a的剥离工序之后也使在扩片工序中发生了扩张的多个半导体芯片cp间的间隔d1得以保持。
[0297]
将保护层100a从背面w3剥离时，从抑制在背面w3的残胶这样的一种观点考虑，优选保护层100a含有第1能量射线固化性树脂。在保护层100a含有第1能量射线固化性树脂的情况下，向保护层100a照射能量射线而使第1能量射线固化性树脂固化。使第1能量射线固化性树脂固化时，可以使保护层100a的凝聚力提高，从而使保护层100a与半导体芯片cp的背面w3之间的粘合力下降或消失。作为能量射线，可列举例如紫外线(uv)、电子束(eb)等，优选为紫外线。因此，第1能量射线固化性树脂优选为紫外线固化型的树脂。
[0298]
从将第1片10与保护层100a一起从背面w3剥离这样的一种观点考虑，在第1片10具备第1粘合剂层12的情况下，优选第1粘合剂层12含有第2能量射线固化性树脂。在保护层100a含有第1能量射线固化性树脂、且第1粘合剂层12含有第2能量射线固化性树脂的情况下，从第1基材11侧向第1粘合剂层12及保护层100a照射能量射线，使第2能量射线固化性树脂及第1能量射线固化性树脂固化。作为用以使第2能量射线固化性树脂固化的能量射线，可列举例如紫外线(uv)、电子束(eb)等，优选为紫外线。因此，第2能量射线固化性树脂优选为紫外线固化型的树脂。第1基材11优选具有能量射线的透过性。
[0299]
需要说明的是，作为与本实施方式不同的实施方式，也可以不将保护层100a从半导体芯片cp的背面w3剥离，而是将其用作保护半导体芯片cp的背面w3的保护膜。将保护层100a用作背面w3的保护膜的情况下，优选保护层100a含有固化性的粘合剂组合物。
[0300]
[密封工序及其它工序]
[0301]
在本实施方式中，也可以与第1实施方式同样地实施密封工序、以及其它工序(再布线层形成工序及与外部端子电极的连接工序)。
[0302]
(复合片)
[0303]
在本实施方式的一个方式中，也优选复合片130的保护层100a为第3粘合剂层、第3片30为第3基材。即，优选复合片130为具有第3基材和第3粘合剂层、且能够在第3基材与第3粘合剂层之间剥离的粘合片。
[0304]
·
第3基材
[0305]
本实施方式的第3基材只要能够在期望的工序中适当地发挥功能，则对其构成材料没有特殊限定。第3基材是支撑第3粘合剂层的构件。
[0306]
第3基材例如为树脂膜。作为树脂膜，可使用选自下组中的至少任意的膜：例如，聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜、聚氨酯膜、乙烯
‑
乙酸乙烯酯共聚物膜、离聚物树脂膜、乙烯
‑
(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯
‑
(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚酰亚胺膜、及氟树脂膜。另外，作为第3基材，也可以使用它们的交联膜。此外，第3基材还可以是这些膜的层叠膜。
[0307]
另外，第3基材也可以是例如硬质支撑体。硬质支撑体的材质只要考虑到机械强度
及耐热性等而适当确定即可。硬质支撑体的材质可列举例如：sus等金属材料；玻璃、硅晶片等非金属无机材料；环氧类、abs、丙烯酸类、工程塑料、特种工程塑料、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺等树脂材料；玻璃环氧树脂等复合材料等，其中，优选为sus、玻璃、及硅晶片等。作为工程塑料，可列举：尼龙、聚碳酸酯(pc)、及聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)等。作为特种工程塑料，可列举：聚苯硫醚(pps)、聚醚砜(pes)、及聚醚醚酮(peek)等。
[0308]
第3基材的厚度没有特殊限定。第3基材的厚度优选为20μm以上且50mm以下、更优选为60μm以上且20mm以下。通过使第3基材的厚度在上述范围，在第3基材为树脂膜的情况下，第3片30具有充分的挠性，因此会显示出对加工对象物(工件)的良好的贴附性。作为加工对象物，例如为晶片或半导体元件，作为更具体的例子，为半导体晶片或半导体芯片等。在第3基材为硬质支撑体的情况下，对于硬质支撑体的厚度，考虑到机械强度、及操作性等而适当确定即可。硬质支撑体的厚度例如为100μm以上且50mm以下。
[0309]
·
第3粘合剂层
[0310]
第3粘合剂层只要能够在期望的工序中适当地发挥功能，则对其构成材料没有特殊限定。
[0311]
在第3粘合剂层的一个方式中，优选由例如选自丙烯酸类粘合剂、氨基甲酸酯类粘合剂、聚酯类粘合剂、橡胶类粘合剂及有机硅类粘合剂中的至少一种粘合剂形成，更优选由丙烯酸类粘合剂形成。
[0312]
在第3粘合剂层的一个方式中，优选含有从外部接受能量而发生固化的固化性的粘合剂组合物。作为从外部供给的能量，可列举例如：紫外线、电子束、及热等。第3粘合剂层优选含有紫外线固化型粘合剂及热固化型粘合剂中的至少任一种。在第3基材具备耐热性的情况下，由于能够抑制热固化时的残余应力的产生，因此优选粘合剂层为含有热固化型粘合剂的热固性的粘合剂层。
[0313]
第3粘合剂层例如含有第一粘接剂组合物。第一粘接剂组合物含有粘合剂聚合物成分(a)及固化性成分(b)。
[0314]
(a)粘合剂聚合物成分
[0315]
为了对第3粘合剂层赋予充分的粘合性及造膜性(片形成性)，可使用粘合剂聚合物成分(a)。作为粘合剂聚合物成分(a)，可使用以往公知的丙烯酸聚合物、聚酯树脂、氨基甲酸酯树脂、丙烯酸氨基甲酸酯树脂、有机硅树脂、橡胶类聚合物等。
[0316]
粘合剂聚合物成分(a)的重均分子量(mw)优选为1万以上且200万以下、更优选为10万以上且120万以下。在本说明书中，重均分子量(mw)是通过凝胶渗透色谱(gel permeation chromatography；gpc)法测定的换算为标准聚苯乙烯的值。
[0317]
作为粘合剂聚合物成分(a)，可优选使用丙烯酸聚合物。丙烯酸聚合物的玻璃化转变温度(tg)优选在
‑
60℃以上且50℃以下、更优选在
‑
50℃以上且40℃以下、进一步优选在
‑
40℃以上且30℃以下的范围。
[0318]
作为形成上述丙烯酸聚合物的单体，可列举(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物。例如，可列举烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，具体可列举：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2
‑
乙基己酯等。另外，可列举具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯，具体可列举：(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯
酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯、酰亚胺(甲基)丙烯酸酯等。此外，作为具有官能团的单体，可列举：具有羟基的(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2
‑
羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2
‑
羟基丙酯等；以及，具有环氧基的(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。丙烯酸聚合物中，含有具有羟基的单体的丙烯酸聚合物由于与后述的固化性成分(b)的相容性良好，因此优选。另外，上述丙烯酸聚合物也可以由例如选自丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈及苯乙烯中的至少一种共聚而成。
[0319]
进一步，作为粘合剂聚合物成分(a)，也可以配合用于保持固化后的第3粘合剂层的膜的挠性的热塑性树脂。作为这样的热塑性树脂，优选重均分子量为1000以上且10万以下的树脂，进一步优选为3000以上且8万以下的树脂。热塑性树脂的玻璃化转变温度优选为
‑
30℃以上且120℃以下、进一步优选为
‑
20℃以上且120℃以下。作为热塑性树脂，可列举：聚酯树脂、氨基甲酸酯树脂、苯氧树脂、聚丁烯、聚丁二烯、或聚苯乙烯等。这些热塑性树脂可以单独使用一种、或将两种以上混合使用。
[0320]
(b)固化性成分
[0321]
固化性成分(b)可使用热固性成分及能量射线固化性成分中的至少任意成分。作为固化性成分(b)，可使用热固性成分及能量射线固化性成分。
[0322]
作为热固性成分，可使用热固化树脂及热固化剂。作为热固化树脂，优选为例如环氧树脂。
[0323]
作为环氧树脂，可使用以往公知的环氧树脂。作为环氧树脂，具体可列举：多官能性环氧树脂、双酚a二缩水甘油醚或其加氢产物、邻甲酚酚醛清漆环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双酚a型环氧树脂、双酚f型环氧树脂、亚苯基骨架型环氧树脂等分子中具有双官能以上的环氧化合物。这些环氧树脂可以单独使用一种、或将两种以上混合使用。
[0324]
在第3粘合剂层中，相对于粘合剂聚合物成分(a)100重量份，热固化树脂的含量优选为1重量份以上且1000重量份以下、更优选为10重量份以上且500重量份以下、进一步优选为20重量份以上且200重量份以下。热固化树脂的含量为1重量份以上时，可以抑制无法获得充分的粘合性这样的不良情况。热固化树脂的含量为1000重量份以下时，可以防止第3粘合剂层与第3基材的剥离力变得过高。若可防止该剥离力变得过高，则可以防止第3粘合剂层对半导体芯片cp的背面w3的转印不良。
[0325]
热固化剂作为对热固化树脂、特别是环氧树脂的固化剂而发挥功能。作为优选的热固化剂，可列举1分子中具有2个以上能够与环氧基反应的官能团的化合物。作为能够与环氧基反应的官能团，可列举酚羟基、醇羟基、氨基、羧基、及酸酐基等。这些官能团中，优选列举酚羟基、氨基、及酸酐基等，进一步优选列举酚羟基、及氨基。
[0326]
作为酚类固化剂的具体例，可列举多官能类酚醛树脂、联苯酚、酚醛清漆型酚醛树脂、双环戊二烯类酚醛树脂、xylock型酚醛树脂、及芳烷基酚醛树脂。作为胺类固化剂的具体例，可列举dicy(双氰胺)。这些热固化剂可以单独使用一种、或将两种以上混合使用。
[0327]
相对于热固化树脂100重量份，热固化剂的含量优选为0.1重量份以上且500重量份以下、更优选为1重量份以上且200重量份以下。
[0328]
第3粘合剂层含有热固性成分作为固化性成分(b)的情况下，第3粘合剂层具有热固性。在该情况下，能够通过加热使第3粘合剂层固化，而对于本实施方式的第1片10而言，
在第3基材具有耐热性的情况下，在第3粘合剂层发生热固化时，不易发生在基材产生残余应力而引发不良情况的问题。
[0329]
作为能量射线固化性成分，可以使用包含能量射线聚合性基团、在受到紫外线、电子束等能量射线的照射时会发生聚合固化的低分子化合物(能量射线聚合性化合物)。作为这样的能量射线固化性成分，具体可列举：三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、或者1,4
‑
丁二醇二丙烯酸酯、1,6
‑
己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、低聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物、环氧改性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯及衣康酸低聚物等丙烯酸酯类化合物。这样的化合物的分子内具有至少1个聚合性双键，且重均分子量通常为100以上且30000以下、优选为300以上且10000以下。相对于粘合剂聚合物成分(a)100重量份，能量射线聚合性化合物的配合量优选为1重量份以上且1500重量份以下、更优选为10重量份以上且500重量份以下、进一步优选为20重量份以上且200重量份以下。
[0330]
另外，作为能量射线固化性成分，可以使用在粘合剂聚合物成分(a)的主链或侧链键合能量射线聚合性基团而成的能量射线固化型聚合物。这样的能量射线固化型聚合物兼具作为粘合剂聚合物成分(a)的功能、和作为固化性成分(b)的功能。
[0331]
能量射线固化型聚合物的主骨架没有特殊限定，可以是作为粘合剂聚合物成分(a)而通用的丙烯酸聚合物，另外也可以是聚酯、聚醚等，但从合成及物性的控制容易的方面出发，优选以丙烯酸聚合物为主骨架。
[0332]
在能量射线固化型聚合物的主链或侧链键合的能量射线聚合性基团例如为包含能量射线聚合性的碳
‑
碳双键的基团，具体可示例出(甲基)丙烯酰基等。能量射线聚合性基团也可以经由亚烷基、亚烷基氧基、聚亚烷基氧基而键合于能量射线固化型聚合物。
[0333]
键合有能量射线聚合性基团的能量射线固化型聚合物的重均分子量(mw)优选为1万以上且200万以下、更优选为10万以上且150万以下。另外，能量射线固化型聚合物的玻璃化转变温度(tg)优选为
‑
60℃以上且50℃以下、更优选为
‑
50℃以上且40℃以下、进一步优选为
‑
40℃以上且30℃以下。
[0334]
能量射线固化型聚合物例如可使含有官能团的丙烯酸聚合物与含聚合性基团的化合物反应而得到。作为该含有官能团的丙烯酸聚合物所具有的官能团，可列举例如：羟基、羧基、氨基、取代氨基、及环氧基等。该含聚合性基团的化合物是每1分子具有1～5个与丙烯酸聚合物所具有的该取代基反应的取代基和能量射线聚合性碳
‑
碳双键的含聚合性基团的化合物。作为与该官能团反应的取代基，可列举异氰酸酯基、缩水甘油基、及羧基等。
[0335]
作为含聚合性基团的化合物，可列举：(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基
‑
α,α
‑
二甲基苄基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、烯丙基异氰酸酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、及(甲基)丙烯酸等。
[0336]
丙烯酸聚合物优选为由具有羟基、羧基、氨基、取代氨基、及环氧基等官能团的(甲基)丙烯酸单体或其衍生物、和能够与其共聚的其它(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物形成的共聚物。
[0337]
作为具有羟基、羧基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的(甲基)丙烯酸单体或其衍生物，可列举例如：具有羟基的(甲基)丙烯酸2
‑
羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2
‑
羟基丙酯；具有羧基的丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸；具有环氧基的甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸缩水
甘油酯等。
[0338]
作为能够与上述(甲基)丙烯酸单体共聚的其它(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物，可列举例如烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，具体可列举：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、及(甲基)丙烯酸2
‑
乙基己酯等。
[0339]
作为能够与上述(甲基)丙烯酸单体共聚的其它(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物，可列举例如具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯，具体可列举：(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酸二环戊酯、丙烯酸二环戊烯酯、丙烯酸二环戊烯氧基乙酯、及酰亚胺丙烯酸酯等。另外，上述丙烯酸聚合物可以共聚有例如选自乙酸乙烯酯、丙烯腈、及苯乙烯中的至少任意单体。
[0340]
在使用能量射线固化型聚合物的情况下，也既可以组合使用上述的能量射线聚合性化合物，另外也可以组合使用粘合剂聚合物成分(a)。对于本实施方式的第3粘合剂层中这三者的配合量的关系而言，相对于能量射线固化型聚合物及粘合剂聚合物成分(a)的质量的总和100重量份，能量射线聚合性化合物的含量优选为1重量份以上且1500重量份以下、更优选为10重量份以上且500重量份以下、进一步优选为20重量份以上且200重量份以下。
[0341]
通过对第3粘合剂层赋予能量射线固化性，可以简便地且在短时间内使第3粘合剂层固化，从而提高带固化粘合剂层的芯片的生产效率。固化粘合剂层也可以作为用以保护半导体元件的保护膜而发挥功能。以往，芯片等半导体元件用的保护膜通常是由环氧树脂等热固化树脂形成的，但由于热固化树脂的固化温度超过200℃、并且固化时间需要2小时左右，因此成为了提高生产效率的障碍。但能量射线固化性的粘合剂层由于可以通过照射能量射线而在短时间内固化，因此能够简便地形成保护膜，能够有助于生产效率的提高。
[0342]
·
其它成分
[0343]
第3粘合剂层中除了上述粘合剂聚合物成分(a)及固化性成分(b)以外，可以包含下述成分。
[0344]
(cx)着色剂
[0345]
第3粘合剂层在一个方式中含有着色剂(cx)。通过在第3粘合剂层中配合着色剂，在使第3粘合剂层固化而形成半导体芯片cp的保护膜的情况下，在设备中组装半导体装置时，保护膜会屏蔽由周围的装置产生的红外线等，从而能够防止由这些红外线等引起的半导体装置的误动作。另外，向使含有着色剂(cx)的第3粘合剂层固化而得到的固化粘合剂层(保护膜)进行制品序号等的印字时的文字的视觉辨认性提高。即，对于形成有保护膜的半导体装置、半导体芯片，通常通过激光打标法(利用激光进行将保护膜表面削除的印字的方法)而向保护膜的表面进行产品编号等的印字。通过使保护膜含有着色剂(cx)，可充分获得保护膜的被激光削除了的部分与未被削除的部分之间的对比度差，从而使视觉辨认性提高。作为着色剂(cx)，可使用有机颜料、无机颜料、有机染料、及无机染料中的至少任意种类。作为着色剂(cx)，从电磁波及红外线屏蔽性的观点出发，优选为黑色颜料。作为黑色颜料，可使用炭黑、氧化铁、二氧化锰、苯胺黑、及活性炭等，但并不限定于这些黑色颜料。从提高半导体装置的可靠性的观点考虑，作为着色剂(cx)，特别优选为炭黑。着色剂(cx)可以单独使用一种，也可以将两种以上组合使用。本实施方式中的第3粘合剂层的高固化性在使用
既可以使可见光及红外线中的至少任一者也可以使紫外线的透过性降低的着色剂而使得紫外线的透过性降低了的情况下尤其可理想地发挥出来。作为既可以使可见光及红外线中的至少任一者也可以使紫外线的透过性降低的着色剂，除了上述的黑色颜料以外，只要是在可见光及红外线中的至少任一者以及紫外线的波长范围均具有吸收性或反射性的着色剂则没有特殊限定。
[0346]
相对于构成第3粘合剂层的全部固体成分100重量份，着色剂(cx)的配合量优选为0.1重量份以上且35重量份以下、更优选为0.5重量份以上且25重量份以下、进一步优选为1重量份以上且15重量份以下。
[0347]
(d)固化促进剂
[0348]
固化促进剂(d)用于调整第3粘合剂层的固化速度。固化促进剂(d)特别是在固化性成分(b)中组合使用环氧树脂和热固化剂的情况下优选使用。
[0349]
作为优选的固化促进剂，可列举：三亚乙基二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)苯酚等叔胺类；2
‑
甲基咪唑、2
‑
苯基咪唑、2
‑
苯基
‑4‑
甲基咪唑、2
‑
苯基
‑
4,5
‑
二羟基甲基咪唑、2
‑
苯基
‑4‑
甲基
‑5‑
羟基甲基咪唑等咪唑类；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有机膦类；四苯基硼四苯基磷、三苯基膦四苯基硼酸盐等四苯基硼盐等。这些固化促进剂可以单独使用一种、或将两种以上混合使用。
[0350]
相对于固化性成分(b)100重量份，固化促进剂(d)的含量优选为0.01重量份以上且10重量份以下、进一步优选为0.1重量份以上且1重量份以下。
[0351]
(ex)偶联剂
[0352]
偶联剂(ex)可以用于提高第3粘合剂层对半导体元件的粘合性、密合性及固化粘合剂层(保护膜)的凝聚性中的至少任意特性。另外，通过使用偶联剂(ex)，可以不损害使第3粘合剂层固化而得到的固化粘合剂层(保护膜)的耐热性而提高其耐水性。
[0353]
作为偶联剂(ex)，可优选使用具有与粘合剂聚合物成分(a)、固化性成分(b)等所具有的官能团反应的基团的化合物。作为偶联剂(ex)，优选为硅烷偶联剂。作为这样的偶联剂，可列举：γ
‑
环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ
‑
环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、β
‑
(3,4
‑
环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ
‑
(甲基丙烯酰氧基丙基)三甲氧基硅烷、γ
‑
氨基丙基三甲氧基硅烷、n
‑6‑
(氨基乙基)
‑
γ
‑
氨基丙基三甲氧基硅烷、n
‑6‑
(氨基乙基)
‑
γ
‑
氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、n
‑
苯基
‑
γ
‑
氨基丙基三甲氧基硅烷、γ
‑
脲基丙基三乙氧基硅烷、γ
‑
巯基丙基三甲氧基硅烷、γ
‑
巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、双(3
‑
三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。这些偶联剂(ex)可以单独使用一种、或将两种以上混合使用。
[0354]
相对于粘合剂聚合物成分(a)及固化性成分(b)的合计100重量份，偶联剂(ex)的含有比例通常为0.1重量份以上且20重量份以下、优选为0.2重量份以上且10重量份以下、更优选为0.3重量份以上且5重量份以下。
[0355]
(f)无机填充材料
[0356]
通过在第3粘合剂层中配合无机填充材料(f)，能够对固化后的固化粘合剂层(保护膜)中的热膨胀系数进行调整。
[0357]
作为优选的无机填充材料，可列举二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、氧化钛、氧化铁、碳化硅、及氮化硼等的粉末、将这些粉末球形化而成的珠、单晶纤维以及玻璃纤维等。在
这些无机填充材料中，优选二氧化硅填料及氧化铝填料。上述无机填充材料(f)可以单独使用一种或将两种以上混合使用。相对于构成粘接剂层的全部固体成分100重量份，无机填充材料(f)的含量通常可以在1重量份以上且80重量份以下的范围内调整。
[0358]
(g)光聚合引发剂
[0359]
在第3粘合剂层中含有能量射线固化性成分作为前述的固化性成分(b)的情况下，在使用其时，照射紫外线等能量射线而使能量射线固化性成分固化。此时，通过使构成第3粘合剂层的组合物中含有光聚合引发剂(g)，可以缩短聚合固化时间，此外，可以减少光线照射量。
[0360]
作为这样的光聚合引发剂(g)，具体可列举：二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶姻异丁基醚、苯甲酰苯甲酸、苯甲酰苯甲酸甲酯、安息香双甲醚、2,4
‑
二乙基噻唑酮、α
‑
羟基环己基苯基酮、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、苯偶酰、联苄、丁二酮、1,2
‑
二苯基甲烷、2
‑
羟基
‑2‑
甲基
‑1‑
[4
‑
(1
‑
甲基乙烯基)苯基]丙酮、2,4,6
‑
三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦及β
‑
氯蒽醌等。光聚合引发剂(g)可以单独使用一种、或者将两种以上组合使用。
[0361]
相对于能量射线固化性成分100重量份，光聚合引发剂(g)的配合比例优选为0.1重量份以上且10重量份以下、更优选为1重量份以上且5重量份以下。光聚合引发剂(g)的配合比例为0.1重量份以上时，可以防止由于光聚合的不足而无法获得令人满意的转印性这样的不良情况。光聚合引发剂(g)的配合比例为10重量份以下时，可以防止生成不利于光聚合的残留物而导致第3粘合剂层的固化性变得不充分这样的不良情况。
[0362]
(h)交联剂
[0363]
为了调节第3粘合剂层的初始粘合力及凝聚力，也可以向第3粘合剂层添加交联剂。作为交联剂(h)，可列举有机多元异氰酸酯化合物、及有机多元亚胺化合物等。
[0364]
作为上述有机多元异氰酸酯化合物，可列举：芳香族多元异氰酸酯化合物、脂肪族多元异氰酸酯化合物、脂环族多元异氰酸酯化合物及这些有机多元异氰酸酯化合物的三聚体、以及使这些有机多元异氰酸酯化合物与多元醇化合物反应而得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物等。
[0365]
作为有机多元异氰酸酯化合物，可列举例如：2,4
‑
甲苯二异氰酸酯、2,6
‑
甲苯二异氰酸酯、1,3
‑
二甲苯二异氰酸酯、1,4
‑
二甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷
‑
4,4
’‑
二异氰酸酯、二苯基甲烷
‑
2,4
’‑
二异氰酸酯、3
‑
甲基二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷
‑
4,4
’‑
二异氰酸酯、二环己基甲烷
‑
2,4
’‑
二异氰酸酯、三羟甲基丙烷加合物甲苯二异氰酸酯及赖氨酸异氰酸酯。
[0366]
作为上述有机多元亚胺化合物，可列举：n,n
’‑
二苯基甲烷
‑
4,4
’‑
双(1
‑
氮丙啶甲酰胺)、三羟甲基丙烷三(β
‑
氮丙啶基丙酸酯)、四羟甲基甲烷三(β
‑
氮丙啶基丙酸酯)及n,n
’‑
甲苯
‑
2,4
‑
双(1
‑
氮丙啶甲酰胺)三亚乙基三聚氰胺等。
[0367]
相对于粘合剂聚合物成分(a)及能量射线固化型聚合物的合计量100重量份，交联剂(h)通常以0.01重量份以上且20重量份以下的比率使用、优选以0.1重量份以上且10重量份以下的比率使用、更优选以0.5重量份以上且5重量份以下的比率使用。
[0368]
(i)通用添加剂
[0369]
第3粘合剂层中除了上述成分以外，也可以根据需要而配合各种添加剂。作为各种
添加剂，可列举：流平剂、增塑剂、抗静电剂、抗氧剂、离子捕获剂、吸气剂、及链转移剂等。
[0370]
包含如上所述的各成分的第3粘合剂层具有粘合性和固化性，通过在未固化状态下挤压加工对象物(半导体晶片或芯片等)而容易地进行粘接。需要说明的是，第3粘合剂层可以是单层结构，另外，只要是包含一层以上的含有上述成分的层则也可以是多层结构。
[0371]
第3粘合剂层的厚度没有特殊限定。第3粘合剂层的厚度优选为3μm以上且300μm以下、更优选为5μm以上且250μm以下、进一步优选为7μm以上且200μm以下。
[0372]
以上是关于第3粘合剂层的说明。
[0373]
·
剥离片
[0374]
复合片130的表面也可以粘贴有剥离片。具体而言，剥离片被粘贴于复合片130的第3粘合剂层的表面。剥离片通过粘贴于第3粘合剂层的表面而在运送时及保管时保护第3粘合剂层。剥离片以可剥离的方式粘贴于复合片130，并在使用复合片130之前从复合片130剥离而去除。
[0375]
剥离片可使用至少一面经过了剥离处理的剥离片。具体而言，可列举例如具备剥离片用基材、和在该基材的表面上涂布剥离剂而形成的剥离剂层的剥离片。
[0376]
作为剥离片用基材，优选为树脂膜。作为构成作为剥离片用基材的树脂膜的树脂，可列举例如：聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂及聚萘二甲酸乙二醇酯树脂等聚酯树脂膜、以及聚丙烯树脂及聚乙烯树脂等聚烯烃树脂等。
[0377]
作为剥离剂，可列举例如：有机硅类树脂、烯烃类树脂、异戊二烯类树脂、丁二烯类树脂等橡胶类弹性体、长链烷基类树脂、醇酸类树脂及氟类树脂。
[0378]
剥离片的厚度没有特殊限制，但优选为10μm以上且200μm以下、更优选为20μm以上且150μm以下。
[0379]
[本实施方式的效果]
[0380]
根据本实施方式的扩片方法，使第1片10伸展时，半导体芯片cp的背面w3与第1片10的第1粘合剂层12未相接。对于各个半导体芯片cp而言，由于在背面w3与第1粘合剂层12之间夹隔有在切割工序中经过了单片化的保护层100a，因此，即使使第1片10伸展，与背面w3相接的第1粘合剂层12也不会发生抻展。其结果，根据本实施方式的扩片方法，可以抑制残胶。
[0381]
另外，在本实施方式中，在切割工序时，并不是利用切割片来支撑半导体晶片w，而是利用复合片130来进行支撑。因此，为了形成用以保护切割后的半导体芯片cp的背面w3的层(在本实施方式中为保护层100a)，即使不实施从在切割工序中使用的粘合片转粘于另外的粘合片的工序，只要能够在保护层100a与第3片30之间进行剥离，则可以形成用以保护背面w3的层。
[0382]
此外，在实施扩片工序之前，不需要为了从实施切割工序时所使用的粘合片转粘于扩片工序用的粘合片而小心地控制切痕深度以使得在切割工序中切割刀片不会达到切割片的基材。
[0383]
因此，根据本实施方式的扩片方法，与以往相比可以简化带构成及工艺、并且抑制残胶。
[0384]
进一步，可以提供包括本实施方式涉及的扩片方法的半导体装置的制造方法。
[0385]
[第3实施方式]
[0386]
接下来，针对本发明的第3实施方式进行说明。
[0387]
第1实施方式和第3实施方式主要在以下方面存在差异。
[0388]
在第1实施方式中，在加工对象物(半导体晶片w)的第1加工对象物面(电路面w1)设置有保护层，并在切割工序之后且扩片工序之前从切割片(第2粘合片20)转粘于扩展片(第1片)。而与此相对，在第3实施方式中，通过将加工对象物(半导体晶片w)的第2加工对象物面(背面w3)贴合于具有保护层和第1片的复合片的该保护层，从而在加工对象物设置保护层，并在切割工序之后不将第1片转粘于另外的片而实施扩片工序。
[0389]
在以下的说明中，主要针对与第1实施方式不同的部分进行说明，而关于重复的说明，进行省略或简化。对于与第1实施方式同样的构成，赋予相同的符号并省略或简化其说明。
[0390]
本实施方式涉及的扩片方法具备以下的工序(py1)～(py3)的工序。
[0391]
(py1)在具有保护层和第1片的复合片的该保护层贴合加工对象物的工序。保护层与加工对象物为大致相同形状。
[0392]
(py2)从加工对象物的第1加工对象物面侧切入切痕，将晶片切断，然后至少将保护层切断而将多个半导体装置单片化的工序。第1加工对象物面成为半导体装置的电路面，第2加工对象物面成为半导体装置的背面。
[0393]
(py3)使第1片伸展而扩大多个半导体装置的间隔的工序。
[0394]
图8(图8a、图8b及图8c)及图9是对包括本实施方式的扩片方法的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。
[0395]
(复合片)
[0396]
图8a示出了在本实施方式中使用的复合片140的剖面示意图。
[0397]
复合片140具有保护层100b和第1片10。在对半导体晶片w进行切割时，复合片140保持半导体晶片w，而在实施扩片工序时，复合片140保持半导体芯片cp。半导体晶片w以背面w3向着复合片140的保护层100b贴合。
[0398]
贴合于背面w3的第1片10及保护层100b优选为预先经层叠而成的层叠型的复合片140。
[0399]
(保护层)
[0400]
复合片140中的保护层100b被层叠在第1片10上。保护层100b只要能够贴合于作为加工对象物的半导体晶片w及作为半导体装置的半导体芯片cp的背面w3(半导体装置的背面)而保护背面w3则没有特殊限定。
[0401]
在本实施方式中，保护层100b与半导体晶片w的背面w3为大致相同形状。保护层100b的形状优选为能够覆盖半导体晶片w的背面w3的形状。因此，保护层100b优选形成为与半导体晶片w的背面w3基本相同、或比背面w3稍大。
[0402]
另外，保护层100b优选形成为在片的面方向上比第1片10小。在第1片10的第1粘合剂层12中的未层叠保护层100b的部分可以粘贴环形框架等装配架。
[0403]
本实施方式的保护层100b由单层构成。需要说明的是，保护层100b也可以是由多个层层叠而成的片。从透光率的控制的容易性及制造成本的观点出发，保护层100b优选由单层构成。
[0404]
保护层100b的厚度优选为1μm以上、更优选为5μm以上。保护层100b的厚度优选为
500μm以下、更优选为300μm以下。
[0405]
作为保护层100b，可列举例如保护膜、及保护片。作为保护层100b，可以是例如与在第1实施方式中进行了说明的保护层100同样的保护层。另外，针对不同于保护层100b的另外的实施方式，在后述进行说明。
[0406]
(第1片)
[0407]
复合片140中的第1片10是支撑保护层100b的构件。第1片10只要能够支撑保护层100b，则对其构成材料没有特殊限定。
[0408]
复合片140中的第1片10具有第1粘合剂层12和第1基材11。第1片10与第1实施方式的第1片10相同。
[0409]
在本实施方式中，在第1片10由能够从保护层100b剥离的材质等形成的情况下，也可以保持将保护层100b残留于半导体芯片cp的背面w3的状态而将第1片10剥离。
[0410]
[复合片的贴合工序]
[0411]
图8b是用于对工序(py1)进行说明的图。图8b中记载了贴合有具有第1片10及保护层100b的复合片140的半导体晶片w。本实施方式中的半导体晶片w也优选为通过经过背磨工序而得到的晶片。有时将该工序(py1)称为复合片的贴合工序。
[0412]
如后所述，在工序(py2)中，半导体晶片w经切割而被单片化成多个半导体芯片cp。在本实施方式中，为了在对半导体晶片w进行切割时保持半导体晶片w，在背面w3贴合复合片140。半导体晶片w以背面w3向着复合片140的保护层100b贴合。保护层100b与背面w3形成为大致相同形状，因此能够覆盖背面w3。在本实施方式中，在半导体晶片w与第1片10之间夹持有保护层100b。
[0413]
在本实施方式中，列举以露出了电路面w1的状态进行工艺的方式为例进行说明，而作为其他方式的例子，可列举例如：以在电路面w1贴合有不同于保护层100b的另外的保护片或保护膜等保护构件的状态进行工艺的方式。
[0414]
需要说明的是，在背面w3贴合第1片10及保护层100b的工序并不限定于使用层叠型的复合片140的方式，例如也可以是在半导体晶片w的背面w3贴合了保护层100b后将第1片10贴合于保护层100b的方式。
[0415]
[切割工序]
[0416]
图8c是用于对工序(py2)进行说明的图。有时将工序(py2)称为切割工序。图8c中示出了保持于第1片10的多个半导体芯片cp。
[0417]
在背面w3贴合有第1片10及保护层100b的状态的半导体晶片w经切割而被单片化，从而形成多个半导体芯片cp。
[0418]
在本实施方式中，从电路面w1侧切入切痕，切断半导体晶片w，然后将保护层100b切断，进而使切痕到达第1粘合剂层12。通过该切割，保护层100b也被切断成与半导体芯片cp为相同尺寸。
[0419]
切割时的切割深度只要是能够将半导体晶片w及保护层100b单片化的深度则没有特殊限定。在本实施方式中，列举未将切痕切至第1基材11的方式为例进行了说明，但本发明并不限定于这样的实施方式。例如，在另一实施方式中，从将半导体晶片w及保护层100b更切实地切断这样的观点考虑，也可以通过切割而以到达第1基材11的深度形成切痕。另外，还可以不使切痕到达第1粘合剂层12而将保护层100b切断。
[0420]
在本实施方式中，通过切割工序，可得到在半导体芯片cp的背面w3侧，在多个半导体芯片cp与第1片10的第1粘合剂层12之间夹隔有经单片化后的保护层100b的层叠结构。
[0421]
[扩片工序]
[0422]
图9是用于对工序(py3)进行说明的图。有时将工序(py3)称为扩片工序。图9示出了在切割工序之后使第1片10伸展而扩大了多个半导体芯片cp的间隔的状态。
[0423]
在本实施方式中的扩片工序中，对第1片10进行抻展的方法也与第1实施方式相同。在本实施方式中，多个半导体芯片cp的间隔d1也由于依赖于半导体芯片cp的尺寸而没有特殊限制。相邻的半导体芯片cp的相互的间隔d1优选为200μm以上。需要说明的是，该半导体芯片cp的相互的间隔的上限没有特殊限制。该半导体芯片cp的相互的间隔的上限例如可以为6000μm。
[0424]
[转印工序、密封工序及其它工序]
[0425]
在本实施方式中，也与第1实施方式或第2实施方式同样地可以实施转印工序、密封工序、以及其它工序(再布线层形成工序及与外部端子电极的连接工序)。
[0426]
(保护层)
[0427]
在保护层100b的一个方式中，优选由未固化的固化性粘接剂形成。在该情况下，通过在保护层100b叠合半导体晶片w等加工对象物(工件)之后使保护层100b固化，可以将保护层100b的固化物(保护膜)强固地粘接于加工对象物，从而可以相对于半导体芯片cp等半导体装置而形成具有耐久性的保护膜。
[0428]
保护层100b优选在常温下具有粘合性、或通过加热而发挥出粘合性。由此，在如上所述地将半导体晶片w等加工对象物叠合于保护层100b时，可以使两者贴合。因此，可以在使保护层100b固化之前切实地进行定位。
[0429]
构成具有如上所述的特性的保护层100b的固化性粘接剂优选含有固化性成分和粘合剂聚合物成分。作为固化性成分，可以使用热固性成分、能量射线固化性成分、或它们的混合物，但特别优选使用热固性成分。即，保护层100b优选由热固性粘接剂形成。
[0430]
作为热固性成分，可列举例如：环氧树脂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂、脲醛树脂、聚酯树脂、氨基甲酸酯树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、苯并嗪树脂等、以及它们的混合物。这些树脂中，作为热固性成分，可优选使用环氧树脂、酚醛树脂及它们的混合物。
[0431]
环氧树脂具有受热时发生三维网状化、形成强固的被膜的性质。作为这样的环氧树脂，可使用自以往即公知的各种环氧树脂。通常优选为数均分子量300～2000左右的环氧树脂、更优选为数均分子量300～500的环氧树脂。进一步优选使用将数均分子量330～400的常态下为液态的环氧树脂、与数均分子量400～2500(优选为数均分子量500～2000)的常温下为固体的环氧树脂共混而成的共混型的环氧树脂。另外，环氧树脂的环氧当量优选为50g/eq～5000g/eq。另外，环氧树脂的数均分子量可以通过使用了gpc法的方法求出。
[0432]
作为这样的环氧树脂，具体可列举例如：双酚a、双酚f、间苯二酚、苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆等酚类的缩水甘油醚；丁二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等醇类的缩水甘油醚；邻苯二甲酸、间苯二甲酸、四氢邻苯二甲酸等羧酸的缩水甘油醚；苯胺异氰脲酸酯等氮原子上键合的活性氢被缩水甘油基取代而成的缩水甘油基型或烷基缩水甘油基型的环氧树脂；乙烯基环己烷二环氧化物、3,4
‑
环氧环己基甲基
‑
3,4
‑
二环己烷甲酸酯、2
‑
(3,4
‑
环氧)环己基
‑
5,5
‑
螺(3,4
‑
环氧)环己烷
‑
间二氧六环等这样的通过例如氧化而对分子内的碳
‑
碳双键
导入环氧而成的所谓的脂环型环氧化物。此外，也可以使用例如具有选自联苯骨架、二环己二烯骨架、及萘骨架中的至少一种骨架的环氧树脂。
[0433]
在这些环氧树脂的具体例中，作为环氧树脂，优选使用双酚类缩水甘油基型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、以及苯酚酚醛清漆型环氧树脂。这些环氧树脂可以单独使用一种、或者组合使用两种以上。
[0434]
在使用环氧树脂的情况下，作为助剂，优选组合使用热活化型潜伏性环氧树脂固化剂。热活化型潜伏性环氧树脂固化剂是指在室温下不与环氧树脂反应、而通过加热至一定温度以上会发生活化而与环氧树脂反应的类型的固化剂。热活化型潜伏性环氧树脂固化剂的活化方法包括：通过基于加热的化学反应而生成活性种(阴离子、阳离子)的方法；在室温附近稳定地分散在环氧树脂中、而在高温下与环氧树脂相容/溶解从而引发固化反应的方法；利用分子筛封入型的固化剂在高温下溶出而引发固化反应的方法；利用微胶囊的方法等。
[0435]
作为热活化型潜伏性环氧树脂固化剂的具体例，可列举：各种盐、二元酸二酰肼化合物、双氰胺、胺加合物固化剂、咪唑化合物等高熔点活性氢化合物等。这些热活化型潜伏性环氧树脂固化剂可以单独使用一种、或者组合使用两种以上。相对于环氧树脂100重量份，如上所述的热活化型潜伏性环氧树脂固化剂的使用比例优选为0.1重量份以上20重量份以下、更优选为0.2重量份以上且10重量份以下、进一步优选为0.3重量份以上5重量份以下。
[0436]
作为酚类树脂，可无特殊限制地使用烷基酚、多元酚、萘酚等酚类与醛类的缩合物等。具体可使用例如：苯酚酚醛清漆树脂、邻甲酚酚醛清漆树脂、对甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、双环戊二烯甲酚树脂、聚对乙烯基苯酚树脂、双酚a型酚醛清漆树脂、或者它们的改性物等。
[0437]
这些酚类树脂中所含的酚性羟基可以通过加热与上述环氧树脂的环氧基容易地发生加成反应而形成耐冲击性高的固化物。因此，作为热固性成分，也可以将环氧树脂与酚类树脂组合使用。
[0438]
粘合剂聚合物成分能够为保护层100b赋予适度的粘性。粘合剂聚合物的重均分子量(mw)通常在5万以上且200万以下、优选在10万以上且150万以下、更优选在20万以上且100万以下的范围。分子量过低时，保护层100b的成膜变得不充分，过高时，会由于与其它成分的相容性变差而妨碍均匀的膜形成。作为这样的粘合剂聚合物成分，可使用例如：选自丙烯酸类聚合物、聚酯树脂、苯氧树脂、氨基甲酸酯树脂、有机硅树脂、及橡胶类聚合物中的至少一种树脂，特别优选使用丙烯酸类聚合物。
[0439]
作为丙烯酸类聚合物，可列举例如：由来自于(甲基)丙烯酸酯单体和(甲基)丙烯酸衍生物的构成单元形成的(甲基)丙烯酸酯共聚物。其中，作为(甲基)丙烯酸酯单体，优选使用烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等。另外，作为(甲基)丙烯酸衍生物，可列举例如：(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸羟基乙酯等。
[0440]
上述中，使用甲基丙烯酸缩水甘油酯等作为构成单元而向丙烯酸类聚合物导入了缩水甘油基时，与上述的作为热固性成分的环氧树脂之间的相容性提高，保护层100b的固化后的玻璃化转变温度(tg)提高，耐热性提高。另外，上述中，使用丙烯酸羟基乙酯等作为
构成单元而向丙烯酸类聚合物导入了羟基时，可以控制相对于加工对象物的密合性、粘合物性。
[0441]
使用丙烯酸类聚合物作为粘合剂聚合物的情况下，上述聚合物的重均分子量(mw)优选为10万以上、更优选为15万以上且100万以下。丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度通常为20℃以下、优选为
‑
70℃～0℃左右，丙烯酸类聚合物在常温(23℃)下具有粘合性。
[0442]
就热固性成分与粘合剂聚合物成分的配合比率而言，相对于粘合剂聚合物成分100重量份，热固性成分的配合量优选为50重量份以上且1500重量份以下、更优选为70重量份以上且1000重量份以下、进一步优选为80重量份以上且800重量份以下。以这样的比例将热固性成分与粘合剂聚合物成分配合时，在固化前显示出适度的粘性，能够稳定地进行粘贴作业，并且在固化后可得到被膜强度优异的保护膜。
[0443]
保护层100b优选含有着色剂及填料中的至少任一者，特别优选含有着色剂及填料这两者。
[0444]
作为着色剂，可使用例如无机系颜料、有机系颜料、有机系染料等公知的着色剂，但从提高透光率的控制性的观点考虑，优选着色剂含有有机系的着色剂。从提高着色剂的化学稳定性(具体可示例出：不易溶出性、颜色转移的不易发生性、经时变化的少量程度)的观点考虑，优选着色剂由颜料构成。
[0445]
作为填料，可列举例如：结晶二氧化硅、熔融二氧化硅、合成二氧化硅等二氧化硅、氧化铝、玻璃球等无机填料。这些无机填料中，作为填料，优选二氧化硅，更优选合成二氧化硅，优选尽可能除去了成为半导体装置的误动作的主要原因的α射线源的类型的合成二氧化硅。作为填料的形状，可列举球形、针状、不规则形状等，优选为球形，更优选为正球形。
[0446]
另外，保护层100b也可以含有偶联剂。通过含有偶联剂，在保护层100b固化后，可以不损害保护膜的耐热性而提高保护膜与加工对象物的粘接性/密合性，同时可以提高耐水性(耐湿热性)。作为偶联剂，从其通用性及成本优势等考虑，优选硅烷偶联剂。
[0447]
作为硅烷偶联剂，可列举例如：γ
‑
环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ
‑
环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、β
‑
(3,4
‑
环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ
‑
(甲基丙烯酰氧基丙基)三甲氧基硅烷、γ
‑
氨基丙基三甲氧基硅烷、n
‑6‑
(氨基乙基)
‑
γ
‑
氨基丙基三甲氧基硅烷、n
‑6‑
(氨基乙基)
‑
γ
‑
氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、n
‑
苯基
‑
γ
‑
氨基丙基三甲氧基硅烷、γ
‑
脲基丙基三乙氧基硅烷、γ
‑
巯基丙基三甲氧基硅烷、γ
‑
巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、双(3
‑
三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。作为硅烷偶联剂，可以单独使用这些硅烷偶联剂中的一种、或混合使用两种以上。
[0448]
为了调节固化前的凝聚力，保护层100b中也可以含有有机多元异氰酸酯化合物、有机多元亚胺化合物、有机金属螯合化合物等交联剂。另外，为了抑制静电、提高芯片的可靠性，保护层100b中也可以含有抗静电剂。进一步，为了提高保护膜的阻燃性能、改善作为封装件的可靠性，保护层100b中也可以含有磷酸化合物、溴化合物、磷类化合物等阻燃剂。
[0449]
保护层100b的厚度没有特殊限定。在使保护层100b固化而作为保护膜使用的情况下，为了使其有效地发挥出作为保护膜的功能，保护层100b的厚度优选为3μm以上且300μm以下、更优选为5μm以上且200μm以下、进一步优选为7μm以上且100μm以下。
[0450]
[本实施方式的效果]
[0451]
根据本实施方式的扩片方法，使第1片10伸展时，半导体芯片cp的背面w3与第1片10的第1粘合剂层12未相接。对于各个半导体芯片cp而言，由于在背面w3与第1粘合剂层12之间夹隔有在切割工序中经过了单片化的保护层100b，因此，即使使第1片10伸展，与背面w3相接的保护层100b也不会发生抻展。其结果，根据本实施方式的扩片方法，可以抑制残胶。
[0452]
另外，在本实施方式中，保护层100b与半导体晶片w的背面w3为大致相同形状，对于通过切割而来自于半导体晶片w的端部侧所形成的半导体芯片cp(外周侧的半导体芯片)的背面w3而言，保护层100b也经过了单片化，因此能够充分地扩张半导体芯片cp彼此的间隔。
[0453]
另外，在本实施方式中，在切割工序时，并不是利用切割片来支撑半导体晶片w，而是利用具有第1片10及保护层100b的复合片140来进行支撑。因此，为了形成用以保护切割后的半导体芯片cp的背面w3的层(在本实施方式中为保护层100b)，也可以不实施从在切割工序中使用的粘合片转粘于另外的粘合片的工序，能够简化工艺。
[0454]
此外，在实施扩片工序之前，不需要从实施切割工序时所使用的粘合片转粘于扩片工序用的粘合片。
[0455]
因此，根据本实施方式的扩片方法，与以往相比可以简化工艺，并且可以在充分扩张芯片彼此的间隔的同时抑制残胶。
[0456]
进一步，可以提供包括本实施方式涉及的扩片方法的半导体装置的制造方法。
[0457]
[实施方式的变形]
[0458]
本发明并不受上述实施方式的任何限定。在能够实现本发明目的的范围，本发明包含将上述的实施方式变形而得到的实施方式等。
[0459]
例如，半导体晶片、半导体芯片中的电路等并不限定于图示的排列、形状等。半导体封装件中的与外部端子电极的连接结构等也并不限定于上述实施方式中说明的方式。在上述的实施方式中，以制造fo
‑
wlp型的半导体封装件的方式为例进行了说明，但本发明也适用于制造扇入型的wlp等其它半导体封装件的方式。
[0460]
上述的fo
‑
wlp的制造方法可以变更部分工序、或省略部分工序。
[0461]
切割工序中的切割也可以代替使用上述的切断机构而对半导体晶片照射激光来进行。例如，可以通过照射激光将半导体晶片完全割断，单片化为多个半导体芯片。在这些方法中，激光的照射可以从半导体晶片的任意一侧进行。
[0462]
在第2实施方式中，作为复合片130，列举具有保护层100a和第3片30的形式、或保护层100a为第3粘合剂层且第3片30为第3基材的形式进行了说明，但本发明并不限定于这些形式。例如，也可以是在第3粘合剂层与第3基材之间具有剥离层的粘合片。剥离层优选使用与第1实施方式的说明中的剥离片同样的材料来形成。
[0463]
实施例
[0464]
以下，结合实施例对本发明进行了更为详细的说明，但本发明完全不受这些实施例的限定。
[0465]
(粘合片的制作)
[0466]
[实施例1]
[0467]
使丙烯酸丁酯(ba)62重量份、甲基丙烯酸甲酯(mma)10重量份、及丙烯酸2
‑
羟基乙
酯(2hea)28重量份共聚而得到了丙烯酸类共聚物。相对于该丙烯酸类共聚物加成2
‑
异氰酸酯甲基丙烯酸乙酯(昭和电工株式会社制、制品名“karenz moi”(注册商标))而制备了树脂(丙烯酸a)的溶液(粘合剂主剂、固体成分35.0质量％)。加成率为：相对于丙烯酸类共聚物的2hea 100摩尔％，使2
‑
异氰酸酯甲基丙烯酸乙酯为90摩尔％。
[0468]
所得树脂(丙烯酸a)的重均分子量(mw)为60万、mw/mn为4.5。通过凝胶渗透色谱(gpc)法测定了换算为标准聚苯乙烯的重均分子量mw、及数均分子量mn，并根据各个测定值而求出了分子量分布(mw/mn)。
[0469]
在该粘合剂主剂中添加了uv树脂a(10官能氨基甲酸酯丙烯酸酯、三菱化学株式会社制、制品名“uv
‑
5806”、mw＝1740、包含光聚合引发剂)、及作为交联剂的甲苯二异氰酸酯类交联剂(日本聚氨酯工业株式会社制、制品名“coronate l”)。相对于粘合剂主剂中的固体成分100重量份，添加了50重量份的uv树脂a，并添加了0.2重量份的交联剂。添加后，搅拌30分钟，制备了粘合剂组合物a1。
[0470]
接着，将所制备的粘合剂组合物a1的溶液涂布于聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)类剥离膜(琳得科株式会社制、制品名“sp
‑
pet381031”、厚度38μm)并使其干燥，在剥离膜上形成了厚度40μm的粘合剂层。
[0471]
在该粘合剂层上贴合作为基材的聚酯类聚氨酯弹性体片(sheedom株式会社制，制品名“higress dus202”，厚度100μm)之后，将宽度方向上的端部的不要部分裁切除去而制作了粘合片sa1。
[0472]
(芯片间隔的测定方法)
[0473]
将实施例1中得到的粘合片切断成210mm
×
210mm而得到了试验用片。此时，进行的裁切使得裁切后的片的各边与粘合片中的基材的md方向平行或垂直。
[0474]
按照如下所示的顺序准备了待贴合于粘合片的半导体芯片。将作为保护层的片(在实施例中，有时称为保护片)贴合于6英寸硅晶片。作为保护片，使用了琳得科株式会社制“e
‑
3125kl”(制品名)。接着，从保护片侧切割6英寸硅晶片，以使3mm
×
3mm尺寸的芯片沿x轴方向呈5列、以及沿y轴方向呈5列的方式切出共计25个芯片。针对各个芯片，贴合了经切割后的保护片。
[0475]
将试验用片的剥离膜剥离，在所露出的粘合剂层的中心部粘贴了上述切出的共计25个芯片的保护片侧。此时，芯片以x轴方向5列、及y轴方向5列排列。
[0476]
接着，将粘贴有芯片的试验用片设置于能够双向拉伸的扩片装置(疏离装置)。图10中示出了对该扩片装置400进行说明的俯视图。图10中，x轴及y轴成相互正交的关系，将该x轴的正的方向设为 x轴方向、将该x轴的负的方向设为
‑
x轴方向、将该y轴的正的方向设为 y轴方向、将该y轴的负的方向设为
‑
y轴方向。试验用片500以各边与x轴或y轴平行的方式设置于扩片装置400。其结果，试验用片500中的基材的md方向与x轴或y轴平行。需要说明的是，在图10中，芯片被省略。
[0477]
如图10所示，扩片装置400分别在 x轴方向、
‑
x轴方向、 y轴方向及
‑
y轴方向具备5个保持机构401(共计20个保持机构401)。在各方向的5个保持机构401中，保持机构401a位于两端，保持机构401c位于中央，保持机构401b位于保持机构401a与保持机构401c之间。试验用片500的各边由这些保持机构401所抓握。
[0478]
这里，如图10所示，试验用片500的边长为210mm。另外，各边上保持机构401彼此的
间隔为40mm。另外，试验用片500的一边上的端部(片的顶点)、与存在于该边上且与该端部最近的保持机构401a的间隔为25mm。
[0479]
接着，驱动与各个保持机构401相对应的未图示的多个张力赋予机构，以使保持机构401各自独立地移动。利用抓持夹具将试验用片的四边固定，分别沿x轴方向及y轴方向以5mm/s的速度、200mm的扩张量将试验用片进行了扩片。然后，利用环形框架保持了试验用片500的扩张状态。
[0480]
在保持扩张状态的状态下，利用数码显微镜测定各芯片间的距离，将各芯片间的距离的平均值作为芯片间隔。
[0481]
将芯片间隔为1800μm以上时判定为合格“a”，将芯片间隔小于1800μm时判定为不合格“b”。
[0482]
(芯片对齐性的测定方法)
[0483]
测定了上述测定了芯片间隔的工件的在x轴及y轴方向上相邻芯片的相对于中心线的偏离率。
[0484]
图11示出了具体的测定方法的示意图。
[0485]
在x轴方向上选出排列有5个芯片的一列，并利用数码显微镜测定了在该列中芯片的最上端与芯片的最下端的距离dy。基于下述算式(数学式3)计算出了y轴方向的偏离率。sy为y轴方向的芯片尺寸，在本实施例中设为了3mm。
[0486]
y轴方向的偏离率[％]＝[(dy－sy)/2]/sy
×
100
···
(数学式3)
[0487]
对于x轴方向上排列有5个芯片的其它4列，也同样地计算出了y轴方向的偏离率。
[0488]
在y轴方向上选出排列有5个芯片的一列，并利用数码显微镜测定了在该列中芯片的最左端与芯片的最右端的距离dx。基于下述算式(数学式4)计算出了x轴方向的偏离率。sx是x轴方向的芯片尺寸，在本实施例中设为了3mm。
[0489]
x轴方向的偏离率[％]＝[(dx－sx)/2]/sx
×
100
···
(数学式4)
[0490]
对于y轴方向上排列有5个芯片的其它4列，也同样地计算出了x轴方向的偏离率。
[0491]
在算式(数学式3)及(数学式4)中，除以2是为了以绝对值表现扩张后的芯片相对于给定位置偏离的最大距离。
[0492]
将在x轴方向及y轴方向的所有列(共计10列)中偏离率均小于
±
10％的情况判定为合格“a”，而在1个以上的列中为
±
10％以上时判定为不合格“b”。
[0493]
(残胶的评价方法)
[0494]
在上述的芯片间隔的测定方法中记载的条件下进行了扩片之后，使用紫外线照射装置(琳得科株式会社制“rad
‑
2000m/12”)，从实施例1的粘合片的搭载有芯片的一面相反侧的面以照度220mw/cm2、光量460mj/cm2的条件进行了紫外线照射。紫外线照射后，将芯片保持于吸附带，将粘合片剥离。剥离粘合片之后，利用光学显微镜对贴合有粘合片的芯片表面进行了观察。将在芯片表面未观察到残胶的情况判定为合格“a”，将观察到了残胶的情况判定为不合格“b”。
[0495]
使用实施例1的粘合片进行扩片时，芯片间隔的评价结果为合格“a”判定、芯片对齐性的评价结果为合格“a”判定。
[0496]
使芯片与实施例的粘合片之间夹隔有保护片而将粘合片进行扩片时，芯片表面的残胶评价结果为合格“a”判定。