扩片方法及半导体装置的制造方法与流程

1.本发明涉及扩片方法及半导体装置的制造方法。


背景技术：

2.近年来，电子设备的小型化、轻质化及高功能化不断发展。对于电子设备所搭载的半导体装置也要求小型化、薄型化及高密度化。半导体芯片有时被安装于与其尺寸接近的封装件。这样的封装件有时也被称为芯片级封装件(chip scale package；csp)。作为csp之一，可以举出晶片级封装件(wafer level package；wlp)。在wlp中，在通过切割进行单片化之前，在晶片形成外部电极等，最终将晶片切割而进行单片化。作为wlp，可以列举扇入(fan
‑
in)型和扇出(fan
‑
out)型。在扇出型的wlp(以下，有时简称为“fo
‑
wlp”)中，将半导体芯片用密封材料覆盖成为比芯片尺寸大的区域，形成半导体芯片密封体，不仅在半导体芯片的电路面、在密封材料的表面区域也形成再布线层及外部电极。
3.例如，专利文献1中记载了一种半导体封装件的制造方法，该方法包括：对于由半导体晶片经单片化而成的多个半导体芯片，保留其电路形成面，使用模具构件将其周围包围而形成扩展晶片，使再布线图案延伸至半导体芯片外的区域而形成半导体封装件。在专利文献1所记载的制造方法中，在用模具构件包围单片化而成的多个半导体芯片之前，转贴于扩片用的晶片贴装带，将晶片贴装带延展而使多个半导体芯片之间的距离扩大。
4.另外，专利文献2中记载了一种粘合片，其依次具备第二基材层、第一基材层、及第一粘合剂层，且第二基材层的断裂伸长率为400％以上。专利文献2中记载的半导体装置的制造方法包括：将半导体晶片粘贴于该粘合片的第一粘合剂层的工序；通过切割将半导体晶片单片化而形成多个半导体芯片的工序；以及将粘合片抻展，以扩大半导体芯片彼此的间隔的工序。
5.现有技术文献
6.专利文献
7.专利文献1：国际公开第2010/058646号
8.专利文献2：日本特开2017
‑
076748号公报


技术实现要素：

9.发明要解决的课题
10.在专利文献1记载的制造方法中，将半导体晶片单片化时所使用的胶带与为了使半导体芯片之间的距离扩大而将胶带进行扩片时所使用的胶带是不同的，因此需要更换粘贴胶带。
11.在专利文献2记载的半导体装置的制造方法中，将半导体晶片单片化时所使用的粘合片与将半导体芯片之间的距离扩大时所使用的粘合片相同。然而，专利文献2中使用的粘合片是使第二基材层、第一基材层、以及第一粘合剂层层叠而成的片构成，因此，希望能够以更简单的胶带结构进行切割及扩片的方法。另外，在专利文献2记载的工艺中，需要小
心地控制切割刀的切痕深度，以使切割时的切割刀片不到达第二基材层。因此，也希望进一步简化的扩片方法。
12.本发明的目的在于提供与现有相比将胶带结构及工艺简化的扩片方法、以及包括该扩片方法的半导体装置的制造方法。
13.解决问题的方法
14.根据本发明的一个方式，可以提供一种扩片方法，该方法包括：在具有第1晶片面和所述第1晶片面的相反侧的第2晶片面的晶片的所述第2晶片面粘贴具有第1粘合剂层和第1基材的第1粘合片，形成有深度50μm的切痕的所述第1基材的拉伸伸长率为300％以上，从所述第1晶片面侧切入切痕，将所述晶片单片化为多个芯片，进一步将所述第1粘合片的所述第1粘合剂层切断，使所述第1粘合片伸展，扩大所述多个芯片的间隔。
15.在本发明的一个方式的扩片方法中，优选所述切痕以从所述第1晶片面侧到达所述第1基材的深度形成。
16.在本发明的一个方式的扩片方法中，优选所述第1基材的厚度为t1，切入所述第1基材的所述切痕的深度t2为0.2
×
t1以下。
17.在本发明的一个方式的扩片方法中，优选所述第1基材含有热塑性弹性体。
18.在本发明的一个方式的扩片方法中，优选所述第1基材含有氨基甲酸酯类弹性体。
19.在本发明的一个方式的扩片方法中，优选所述第1粘合剂层含有能量射线固化性树脂。
20.在本发明的一个方式的扩片方法中，优选在使所述第1粘合片伸展而扩大了所述多个芯片的间隔之后，对所述第1粘合剂层照射能量射线，使所述第1粘合剂层固化。
21.在本发明的一个方式的扩片方法中，优选所述第1粘合片为扩展片。
22.在本发明的一个方式的扩片方法中，优选所述晶片为半导体晶片。
23.在本发明的一个方式的扩片方法中，优选所述第1晶片面具有电路。
24.根据本发明的一个方式，可以提供包括上述的本发明的一个方式的扩片方法的半导体装置的制造方法。
25.根据本发明的一个方式，可以提供与现有相比将胶带结构及工艺简化的扩片方法。根据本发明的另一个方式，可以提供包括该扩片方法的半导体装置的制造方法。
附图说明
26.图1a是对第1实施方式的制造方法进行说明的剖面图。
27.图1b是对第1实施方式的制造方法进行说明的剖面图。
28.图2是对第1实施方式的制造方法进行说明的局部放大剖面图。
29.图3a是对第1实施方式的制造方法进行说明的剖面图。
30.图3b是对第1实施方式的制造方法进行说明的剖面图。
31.图4a是对第1实施方式的制造方法进行说明的剖面图。
32.图4b是对第1实施方式的制造方法进行说明的剖面图。
33.图5是对实施例中使用的双向拉伸扩片装置进行说明的俯视图。
34.图6是用于对芯片对对齐性的测定方法进行说明的示意图。
35.符号说明
36.10
···
第1粘合片、
37.11
···
第1基材、
38.12
···
第1粘合剂层、
39.cp
···
半导体芯片、
40.w
···
半导体晶片(晶片)、
41.w1
···
电路面(第1晶片面)、
42.w2
···
电路、
43.w3
···
背面(第2晶片面)。
具体实施方式
44.〔第1实施方式〕
45.以下，对本实施方式的扩片方法及包括该扩片方法得到半导体装置的制造方法进行说明。
46.图1(图1a及图1b)、图2、图3(图3a及图3b)及图4(图4a及图4b)是对包括本实施方式的扩片方法的半导体装置的制造方法进行说明的剖面示意图。
47.本实施方式的扩片方法具备以下的工序(p1)～工序(p3)。(p1)是在具有第1晶片面及第2晶片面的晶片的第2晶片面粘贴第1粘合片的工序。第1粘合片具有第1粘合剂层和第1基材。
48.(p2)是从第1晶片面侧切入切痕，将晶片及第1粘合剂层切断而单片化为多个芯片的工序。第1晶片面成为芯片的电路面，第2晶片面成为芯片背面。将切痕切入至第1粘合剂层。只要是给定深度的切痕，也可以到达第1基材。
49.(p3)是使第1粘合片伸展而将多个芯片的间隔扩大的工序。
50.图1a是用于对工序(p1)进行说明的图。图1a中记载了粘贴有第1粘合片10的晶片w。
51.半导体晶片w具有作为第1晶片面的电路面w1和作为第2晶片面的背面w3。电路面w1形成有电路w2。
52.半导体晶片w例如可以为硅晶片，也可以为镓/砷等的化合物半导体晶片。作为在半导体晶片w的电路面w1形成电路w2的方法，可列举通用的方法，例如可列举蚀刻法及揭开
‑
剥离法(lift
‑
off method)等。
53.半导体晶片w被保持在第1粘合片10上。在本实施方式中，列举在电路面w1露出的状态下进行工艺的方式为例进行说明，作为其它方式的例子，可列举例如在电路面w1粘贴有保护片或保护膜等保护构件的状态下进行工艺的方式。
54.第1粘合片10具有第1粘合剂层12和第1基材11。
55.本实施方式的第1基材11在切入给定深度的切痕并测定拉伸伸长率时为300％以上。具体而言，切入了深度50μm的切痕的第1基材11的拉伸伸长率优选为300％以上。该拉伸伸长率为300％以上时，即使通过切割工序在第1基材11切入深度50μm的切痕，也能够不用更换粘贴其它粘合片而直接将第1粘合片10进行扩片，不使第1粘合片断裂地扩大半导体芯片cp彼此的间隔。切入了深度50μm的切痕的第1基材11的拉伸伸长率优选为3000％以下。
56.例如，在对于厚度60μm的第1基材形成了深度50μm的切痕的情况下，即，在对于第1
基材11的厚度60μm形成了约83％(50μm/60μm≒0.83)深度的切痕的情况下，只要第1基材11具有上述的拉伸伸长率，则即使进行扩片，第1粘合片也不会断裂。切痕的深度相对于第1基材11的厚度优选为85％以下、更优选为70％以下、进一步优选为60％以下。
57.(拉伸伸长率的测定方法)
58.将基材裁切为15mm
×
140mm的尺寸，得到试验片。对于该试验片，依据jis k6732:2006测定在23℃下的拉伸伸长率。具体而言，使用拉伸试验机(株式会社岛津制作所制造，产品名“autograph ag
‑
is 500n”)设定为卡盘间距离100mm后，以200mm/min的速度对上述试验片进行拉伸试验，测定伸长率(％)。
59.第1基材11具有第1基材表面11a、以及与第1基材表面11a为相反侧的第1基材背面11b(参照图2)。第1粘合剂层12层叠于第1基材表面11a。
60.与第1粘合片10相关的其它详细情况在后面进行说明。
61.[背磨工序]
[0062]
工序(p1)中准备的半导体晶片w优选为经过背磨工序而得到的晶片。
[0063]
在背磨工序中，对半导体晶片w的与电路面w1为相反侧的面进行磨削，直至晶片成为给定的厚度。背面w3优选为对半导体晶片w进行背面磨削而形成的面。将对半导体晶片w进行磨削后而露出的面作为背面w3。
[0064]
作为对半导体晶片w进行磨削的方法，没有特别限定，可列举例如使用了磨床等的公知的方法。在对半导体晶片w进行磨削时，为了保护电路w2，优选在电路面w1粘贴被称为背磨片的粘合片。在晶片的背面磨削中，利用卡盘台等将半导体晶片w的电路面w1侧、即背磨片侧固定，并利用磨床对未形成电路的背面侧进行磨削。
[0065]
磨削前的半导体晶片w的厚度没有特别限定，通常为500μm以上且1000μm以下。
[0066]
磨削后的半导体晶片w的厚度没有特别限定，通常为20μm以上且500μm以下。
[0067]
[第1粘合片的粘贴工序]
[0068]
工序(p1)中准备的半导体晶片w优选为经过背磨工序、并进一步经过在背面w3粘贴第1粘合片10的粘贴工序而得到的晶片。有时将该粘贴工序称为第1粘合片的粘贴工序。
[0069]
如后面所述，在工序(p2)中，半导体晶片w通过切割而被单片化为多个半导体芯片cp，在工序(p3)中，通过扩片而使多个半导体芯片cp彼此的间隔扩大。在本实施方式中，为了在切割半导体晶片w时保持半导体晶片w，并且为了在将粘合片扩片时保持半导体芯片cp，在背面w3粘贴第1粘合片10。
[0070]
[切割工序]
[0071]
图1b是用于对工序(p2)进行说明的图。有时将工序(p2)称为切割工序。图1b示出了保持于第1粘合片10的多个半导体芯片cp。切割可使用切片机(dicing saw)等切断机构。
[0072]
在背面w3粘贴有第1粘合片10的状态的半导体晶片w通过切割而被单片化，形成多个半导体芯片cp。作为第1晶片面的电路面w1相当于芯片的电路面。作为第2晶片面的背面w3相当于芯片背面。
[0073]
在本实施方式中，从电路面w1侧切入切痕，将半导体晶片w切断，进一步将第1粘合剂层12切断。切割时的切割深度只要是能够将半导体晶片w及第1粘合剂层12单片化的深度即可，没有特别限定。在本实施方式中，从切实地切断半导体晶片w及第1粘合剂层12的观点考虑，列举如图1b所示那样切入至第1基材11的切痕的方式为例进行说明。需要说明的是，
本发明并不限定于这样的方式。例如，在其它实施方式中，也优选在切割时使切痕不到达第1基材11并切断第1粘合剂层12。
[0074]
图2示出了对切割工序中将半导体晶片w及第1粘合剂层12切断的部位进行局部放大而显示的剖面示意图。
[0075]
在本实施方式中，在第1基材11切入了给定深度的切痕。如图2所示，在切割工序中切入的切痕的深度中，将距第1基材11的第1基材表面11a侧的切痕深度作为t2。将第1基材11的厚度作为t1。在该情况下，厚度t1和切痕深度t2优选满足以下的(数学式1)的关系。t1及t2的单位为μm(微米)。
[0076]
t2≤0.2
×
t1
···
(数学式1)
[0077]
在本实施方式中，通过切割工序，在半导体芯片cp的背面w3侧得到在多个半导体芯片cp与第1基材11之间夹隔有被单片化的第1粘合剂层12的层叠结构。
[0078]
[扩片工序]
[0079]
图3a是用于对工序(p3)进行说明的图。有时将工序(p3)称为扩片工序。图3a示出了在切割工序之后使第1粘合片10伸展而将多个半导体芯片cp的间隔扩大的状态。
[0080]
在将多个半导体芯片cp的间隔扩大时，优选在通过被称为扩展片的粘合片保持多个半导体芯片cp的状态下将扩展片伸展。在本实施方式中，第1粘合片10优选为扩展片。
[0081]
在本实施方式的扩片工序中，直接使用切割工序中使用的第1粘合片10。在本实施方式的切割工序中，虽然在第1基材11形成了给定深度的切痕，但对于第1基材而言，由于切入了深度50μm的切痕的该第1基材11的拉伸伸长率为300％以上，因此，即使实施扩片工序，第1基材11也不会断裂。
[0082]
在扩片工序中将第1粘合片10抻展的方法没有特别限定。作为将第1粘合片10抻展的方法，可列举例如：架到环形或圆形的扩展器上来抻展第1片10的方法、以及使用抓握构件等抓住第1片10的外周部而进行抻展的方法等。在本实施方式中，多个半导体芯片cp的间隔d1取决于半导体芯片cp的尺寸，因此没有特别限制。特别是，粘贴于粘合片的一面的多个半导体芯片cp中相邻的半导体芯片cp彼此的间隔d1优选为200μm以上。需要说明的是，该半导体芯片cp彼此的间隔的上限没有特别限制。该半导体芯片cp彼此的间隔的上限例如可以为6000μm。
[0083]
[能量射线照射工序]
[0084]
优选在使第1粘合片10伸展并将多个半导体芯片cp的间隔扩大后，实施对第1粘合剂层12照射能量射线而使第1粘合剂层12固化的工序。有时也将该工序称为“能量射线照射工序”。
[0085]
根据第1粘合剂层12所含有的能量射线固化性树脂的种类而适当选择对第1粘合剂层12照射的能量射线。在第1粘合剂层12含有紫外线固化性树脂而具有紫外线固化性的情况下，在能量射线照射工序中，对第1粘合片10照射紫外线。通过在扩片工序之后使第1粘合剂层12固化，拉伸后的第1粘合片10的形状保持性提高。其结果是，容易保持粘贴于第1粘合剂层12的多个半导体芯片cp的对齐性。
[0086]
实施能量射线照射工序的时机优选为扩片工序之后、且后述的第1粘合片的剥离工序之前。从易于保持多个半导体芯片cp的对齐性的观点考虑，能量射线照射工序优选在扩片工序之后、且第1转印工序之前实施。
[0087]
[第1转印工序]
[0088]
在本实施方式中，可以在扩片工序之后实施将粘贴于第1粘合片10的多个半导体芯片cp转印至其它粘合片(例如，第2粘合片)的工序(以下，有时也称为“第1转印工序”)。
[0089]
图3b示出了对于将粘贴于第1粘合片10的多个半导体芯片cp转移至第2粘合片20的工序(有时称为“第1转印工序”)进行说明的图。
[0090]
第2粘合片20只要能够保持多个半导体芯片cp即可，没有特别限定。第2粘合片20具有第2基材21和第2粘合剂层22。在想要密封第2粘合片20上的多个半导体芯片cp的情况下，作为第2粘合片20，优选使用密封工序用的粘合片，更优选使用具有耐热性的粘合片。另外，在使用具有耐热性的粘合片作为第2粘合片20的情况下，第2基材21及第2粘合剂层22优选分别由具有能够耐受密封工序中施加的温度的耐热性的材料而形成。
[0091]
在本实施方式中实施转印工序的情况下，例如，优选在扩片工序之后将第2粘合片20粘贴于多个半导体芯片cp的电路面w1，然后将第1粘合片10从背面w3剥离。
[0092]
[第1粘合片的剥离工序]
[0093]
图4a是对将第1粘合片10从背面w3剥离的工序进行说明的图，有时将该工序称为第1粘合片的剥离工序。
[0094]
优选在第1粘合片的剥离工序之后也保持了扩片工序中被伸展的多个半导体芯片cp间的间隔d1。
[0095]
从将第1粘合片10从背面w3剥离时抑制在背面w3残胶这样一个观点考虑，第1粘合片10的第1粘合剂层12优选含有能量射线固化性树脂。在第1粘合剂层12含有能量射线固化性树脂的情况下，对第1粘合片10照射能量射线，使能量射线固化性树脂固化。在使能量射线固化性树脂固化时，第1粘合剂层12中的粘合成分的凝聚力增高，可以使第1粘合剂层12与半导体芯片cp的背面w3之间的粘合力降低或消失。作为能量射线，可列举例如紫外线(uv)、电子束(eb)等，优选为紫外线。因此，能量射线固化性树脂优选为紫外线固化型的树脂。第1基材11优选具有能量射线透射性。
[0096]
第2粘合片20可以与多个半导体芯片cp一起被粘贴于环形框架。在该情况下，将环形框架放置于第2粘合片20的第2粘合剂层22上，对其轻轻按压而进行固定。然后，将暴露在环形框架的环形的内侧的第2粘合剂层22按压于半导体芯片cp的电路面w1，将多个半导体芯片cp固定于第2粘合片20。
[0097]
[密封工序]
[0098]
图4b示出了对使用密封构件300密封多个半导体芯片cp的工序(以下，有时称为“密封工序”)进行说明的图。
[0099]
在本实施方式中，密封工序在多个半导体芯片cp被转印至第2粘合片20后实施。
[0100]
在密封工序中，在电路面w1被第2粘合片20保护的状态下，通过利用密封构件300覆盖多个半导体芯片cp，从而形成密封体3。多个半导体芯片cp之间也填充有密封构件300。由于利用第2粘合片20覆盖着电路面w1及电路w2，因此能够防止电路面w1被密封构件300覆盖。
[0101]
通过密封工序，可以得到以给定距离分离开的多个半导体芯片cp被埋入密封构件300而成的密封体3。在密封工序中，优选多个半导体芯片cp以保持了实施扩片工序后的间隔d1的状态被密封构件300覆盖。
[0102]
在密封工序之后，将第2粘合片20剥离。将第2粘合片20剥离时，半导体芯片cp的电路面w1及密封体3的与第2粘合片20接触过的面3a露出。
[0103]
在上述的扩片工序之后，通过重复任意次数的转印工序及扩片工序，可以使半导体芯片cp间的距离为期望的距离，使密封半导体芯片cp时的电路面的朝向为期望的朝向。
[0104]
[其它工序]
[0105]
在将粘合片从密封体3剥离之后，对该密封体3依次进行形成与半导体芯片cp电连接的再布线层的再布线层形成工序、以及将再布线层与外部端子电极电连接的连接工序。通过再布线层形成工序及与外部端子电极的连接工序，可将半导体芯片cp的电路与外部端子电极电连接。
[0106]
对连接了外部端子电极的密封体3以半导体芯片cp单元进行单片化。使密封体3单片化的方法没有特别限定。通过将密封体3单片化，可制造半导体芯片cp单元的半导体封装件。连接了扇出至半导体芯片cp的区域外的外部电极的半导体封装件作为扇出型的晶圆级封装件(fo
‑
wlp)而被制造。
[0107]
(第1粘合片)
[0108]
第1粘合片10具有第1基材11和第1粘合剂层12。第1粘合剂层12层叠于第1基材11。
[0109]
·
第1基材
[0110]
第1基材11只要能够在扩片工序等期望的工序(例如，工序(p1)～(p3))中适当发挥功能即可，其构成材料没有特别限定。
[0111]
第1基材11具有第1基材表面11a及第1基材背面11b。第1基材背面11b为与第1基材表面11a相反侧的面。
[0112]
在第1粘合片10中，优选在第1基材表面11a及第1基材背面11b中的一面设有第1粘合剂层12，优选在另一面不设置粘合剂层。在本实施方式中，在第1基材表面11a设有第1粘合剂层12。
[0113]
从易于大幅拉伸的观点考虑，第1基材11的材料优选为热塑性弹性体或橡胶类材料，更优选为热塑性弹性体。
[0114]
另外，作为第1基材11的材料，从易于大幅拉伸的观点考虑，优选使用玻璃化转变温度(tg)较低的树脂。这样的树脂的玻璃化转变温度(tg)优选为90℃以下、更优选为80℃以下、进一步优选为70℃以下。
[0115]
作为热塑性弹性体，可以列举：氨基甲酸酯类弹性体、烯烃类弹性体、氯乙烯类弹性体、聚酯类弹性体、苯乙烯类弹性体、丙烯酸类弹性体、以及酰胺类弹性体等。热塑性弹性体可以单独使用1种，或者组合使用2种以上。作为热塑性弹性体，从易于大幅拉伸的观点考虑，优选使用氨基甲酸酯类弹性体。
[0116]
氨基甲酸酯类弹性体通常是使长链多元醇、扩链剂及二异氰酸酯进行反应而得到的。氨基甲酸酯类弹性体包含软链段和硬链段，所述软链段具有由长链多元醇衍生的结构单元，所述硬链段具有由扩链剂与二异氰酸酯经反应而得到的聚氨酯结构。
[0117]
如果根据长链多元醇的种类进行分类，则可以将氨基甲酸酯类弹性体分为聚酯类聚氨酯弹性体、聚醚类聚氨酯弹性体、以及聚碳酸酯类聚氨酯弹性体等。氨基甲酸酯类弹性体可以单独使用1种，或者组合使用2种以上。在本实施方式中，从易于大幅拉伸的观点考虑，氨基甲酸酯类弹性体优选为聚醚类聚氨酯弹性体。
[0118]
作为长链多元醇的例子，可以列举：内酯类聚酯多元醇及己二酸酯类聚酯多元醇等聚酯多元醇；聚亚丙基(亚乙基)多元醇及聚四亚甲基醚二醇等聚醚多元醇；聚碳酸酯多元醇等。在本实施方式中，从易于大幅拉伸的观点考虑，长链多元醇优选为己二酸酯类聚酯多元醇。
[0119]
作为二异氰酸酯的例子，可以列举：2,4
‑
甲苯二异氰酸酯、2,6
‑
甲苯二异氰酸酯、4,4
’‑
二苯基甲烷二异氰酸酯、以及六亚甲基二异氰酸酯等。在本实施方式中，从易于大幅拉伸的观点考虑，二异氰酸酯优选为六亚甲基二异氰酸酯。
[0120]
作为扩链剂，可以列举：低分子多元醇(例如，1,4
‑
丁二醇、及1,6
‑
己二醇等)、以及芳香族二胺等。其中，从易于大幅拉伸的观点考虑，优选使用1,6
‑
己二醇。
[0121]
作为烯烃类弹性体，可以举出包含选自乙烯/α
‑
烯烃共聚物、丙烯/α
‑
烯烃共聚物、丁烯/α
‑
烯烃共聚物、乙烯/丙烯/α
‑
烯烃共聚物、乙烯/丁烯/α
‑
烯烃共聚物、丙烯/丁烯/α
‑
烯烃共聚物、乙烯/丙烯/丁烯/α
‑
烯烃共聚物、苯乙烯/异戊二烯共聚物、以及苯乙烯/乙烯/丁烯共聚物中的至少1种树脂的弹性体。烯烃类弹性体可以单独使用1种，或者组合使用2种以上。
[0122]
烯烃类弹性体的密度没有特别限定。例如，烯烃类弹性体的密度优选为0.860g/cm3以上且小于0.905g/cm3、更优选为0.862g/cm3以上且小于0.900g/cm3、特别优选为0.864g/cm3以上且小于0.895g/cm3。通过使烯烃类弹性体的密度满足上述范围，基材的在将作为被粘附物的半导体晶片等半导体装置粘贴于粘合片时的凹凸跟随性等优异。
[0123]
对于烯烃类弹性体而言，在用于形成该弹性体的全部单体中，包含烯烃类化合物的单体的质量比率(在本说明书中也称为“烯烃含有率”)优选为50质量％以上且100质量％以下。
[0124]
在烯烃含有率过低的情况下，作为包含来自于烯烃的结构单元的弹性体的性质难以表现出来，基材11难以显示出柔软性及橡胶弹性。
[0125]
从稳定地获得柔软性及橡胶弹性的观点考虑，烯烃含有率优选为50质量％以上，更优选为60质量％以上。
[0126]
作为苯乙烯类弹性体，可以列举：苯乙烯
‑
共轭二烯共聚物、以及苯乙烯
‑
烯烃共聚物等。作为苯乙烯
‑
共轭二烯共聚物的具体例子，可以列举：苯乙烯
‑
丁二烯共聚物、苯乙烯
‑
丁二烯
‑
苯乙烯共聚物(sbs)、苯乙烯
‑
丁二烯
‑
丁烯
‑
苯乙烯共聚物、苯乙烯
‑
异戊二烯共聚物、苯乙烯
‑
异戊二烯
‑
苯乙烯共聚物(sis)、苯乙烯
‑
乙烯
‑
异戊二烯
‑
苯乙烯共聚物等未氢化的苯乙烯
‑
共轭二烯共聚物、苯乙烯
‑
乙烯/丙烯
‑
苯乙烯共聚物(seps、苯乙烯
‑
异戊二烯
‑
苯乙烯共聚物的氢化物)、以及苯乙烯
‑
乙烯
‑
丁烯
‑
苯乙烯共聚物(sebs、苯乙烯
‑
丁二烯共聚物的加氢产物)等氢化苯乙烯
‑
共轭二烯共聚物等。另外，在工业上，作为苯乙烯类弹性体，可以列举：tufprene(旭化成株式会社制造)、kraton(kraton polymers japan公司制造)、sumitomo tpe
‑
sb(住友化学株式会社制造)、epofriend(株式会社大赛璐制造)、rubberron(三菱化学株式会社制造)、septon(可乐丽株式会社制造)、以及tuftec(旭化成株式会社制造)等商品名。苯乙烯类弹性体可以是加氢产物，也可以是未氢化物。
[0127]
作为橡胶类材料，可以列举例如：天然橡胶、合成异戊二烯橡胶(ir)、丁二烯橡胶(br)、丁苯橡胶(sbr)、氯丁橡胶(cr)、丁腈橡胶(nbr)、丁基橡胶(iir)、卤代丁基橡胶、丙烯酸橡胶、氨基甲酸酯橡胶、以及聚硫橡胶等。橡胶类材料可以单独使用这些中的1种，或者组
合使用2种以上。
[0128]
第1基材11也可以是将由多个上述那样的材料(例如，热塑性弹性体或橡胶类材料)形成的膜层叠而得到的层叠膜。另外，第1基材11还可以是将由上述那样的材料(例如，热塑性弹性体或橡胶类材料)形成的膜和其它膜层叠而得到的层叠膜。
[0129]
第1基材11可以在以上述的树脂类材料作为主材料的膜内含有添加剂。作为添加剂，可以列举例如：颜料、染料、阻燃剂、增塑剂、防静电剂、润滑剂、以及填料等。作为颜料，可以列举例如：二氧化钛及炭黑等。另外，作为填料，可以示例出三聚氰胺树脂这样的有机类材料、气相法二氧化硅这样的无机类材料、以及镍粒子这样的金属类材料。任选在膜内含有的添加剂的含量没有特别限定，优选落在能够使第1基材11发挥希望的功能的范围。
[0130]
第1基材11可以在第1基材11的一面或两面实施用于提高与层叠在第1基材11的表面的第1粘合剂层12的密合性的处理。
[0131]
在第1粘合剂层12含有能量射线固化性粘合剂的情况下，第1基材11优选具有对能量射线的透射性。在使用紫外线作为能量射线的情况下，第1基材11优选对紫外线具有透射性。在使用电子束作为能量射线的情况下，第1基材11优选具有电子束透射性。
[0132]
对于第1基材11的厚度而言，只要第1粘合片10在希望的工序中可以适当发挥功能即可，没有限定。第1基材11的厚度优选为60μm以上、更优选为80μm以上。另外，第1基材11的厚度优选为250μm以下、更优选为200μm以下。
[0133]
另外，在第1基材11的第1基材表面11a或第1基材背面11b的面内方向以2cm间隔测定多个部位的厚度时，第1基材11的厚度的标准偏差优选为2μm以下、更优选为1.5μm以下、进一步优选为1μm以下。通过使该标准偏差为2μm以下，第1粘合片10具有高精度的厚度，能够对第1粘合片10均匀地进行拉伸。
[0134]
在23℃下，第1基材11的md方向及cd方向的拉伸弹性模量分别为10mpa以上且350mpa以下，在23℃下，第1基材11的md方向及cd方向的100％应力分别为3mpa以上且20mpa以下。
[0135]
通过使拉伸弹性模量及100％应力为上述范围，可以将第1粘合片10大幅拉伸。
[0136]
第1基材11的100％应力是如下方式得到的值。从第1基材11切下150mm(长度方向)
×
15mm(宽度方向)的大小的试验片。用夹具夹住切下的试验片的长度方向两端，使得夹具间的长度为100mm。在用夹具夹住试验片之后，以200mm/分的速度沿长度方向拉伸，读取夹具间的长度达到200mm时的拉伸力的测定值。第1基材11的100％应力是将读取到的拉伸力的测定值除以基材的截面积而得到的值。第1基材11的截面积是按照宽度方向长度15mm
×
第1基材11(试验片)的厚度计算的。该切下以使基材制造时的行进方向(md方向)或垂直于md方向的方向(cd方向)与试验片的长度方向一致的方式进行。需要说明的是，在该拉伸试验中，试验片的厚度没有特别限定，可以与作为试验对象的基材的厚度相同。
[0137]
在23℃下，第1基材11的md方向及cd方向的断裂伸长率分别优选为100％以上。
[0138]
通过使第1基材11的md方向及cd方向的断裂伸长率分别为100％以上，可以大幅拉伸第1粘合片10而不发生断裂。
[0139]
基材的拉伸弹性模量(mpa)及基材的断裂伸长率(％)可以如下所述进行测定。将基材裁切为15mm
×
140mm而得到试验片。对于该试验片，按照jis k7161:2014及jis k7127:1999测定23℃下的断裂伸长率及拉伸弹性模量。具体而言，对于上述试验片，使用拉伸试验
机(株式会社岛津制作所制造，产品名“autograph ag
‑
is 500n”)，将卡盘间距离设定为100mm，然后以200mm/分的速度进行拉伸试验，测定断裂伸长率(％)及拉伸弹性模量(mpa)。需要说明的是，测定沿基材制造时的行进方向(md)及与其成直角的方向(cd)这两个方向进行。
[0140]
·
第1粘合剂层
[0141]
第1粘合剂层12只要能够在扩片工序等希望的工序中适当地发挥功能即可，其构成材料没有特别限定。作为第1粘合剂层12中包含的粘合剂，可以列举例如：橡胶类粘合剂、丙烯酸类粘合剂、有机硅类粘合剂、聚酯类粘合剂及氨基甲酸酯类粘合剂。
[0142]
·
能量射线固化性树脂(ax1)
[0143]
第1粘合剂层12优选含有能量射线固化性树脂(ax1)。能量射线固化性树脂(ax1)在分子内具有能量射线固化性的双键。
[0144]
含有能量射线固化性树脂的粘合剂层通过能量射线照射而固化，使粘合力降低。在想要将被粘附物与粘合片分离的情况下，可以通过对粘合剂层照射能量射线而容易地分离。
[0145]
能量射线固化性树脂(ax1)优选为(甲基)丙烯酸类树脂。
[0146]
能量射线固化性树脂(ax1)优选为紫外线固化性树脂，更优选为紫外线固化性的(甲基)丙烯酸类树脂。
[0147]
能量射线固化性树脂(ax1)是受到能量射线照射时会发生聚合固化的树脂。作为能量射线，可以举出例如紫外线及电子束等。
[0148]
作为能量射线固化性树脂(ax1)的例子，可以举出具有能量射线聚合性基团的低分子量化合物(单官能的单体、多官能的单体、单官能的低聚物、以及多官能的低聚物)。能量射线固化性树脂(ax1)具体可以使用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4
‑
丁二醇二丙烯酸酯、以及1,6
‑
己二醇二丙烯酸酯等丙烯酸酯、二环戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯、以及丙烯酸异冰片酯等含有环状脂肪族骨架的丙烯酸酯、以及聚乙二醇二丙烯酸酯、低聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物、环氧改性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、以及衣康酸低聚物等丙烯酸酯类化合物。能量射线固化性树脂(a1)可以单独使用1种，或者组合使用2种以上。
[0149]
能量射线固化性树脂(ax1)的分子量通常为100以上且30000以下，优选为300以上且10000以下左右。
[0150]
·
(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)
[0151]
第1粘合剂层12优选进一步包含(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)。(甲基)丙烯酸类共聚物与上述的能量射线固化性树脂(ax1)不同。
[0152]
(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)优选具有能量射线固化性的碳
‑
碳双键。即，在本实施方式中，第1粘合剂层12优选含有能量射线固化性树脂(ax1)和能量射线固化性的(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)。
[0153]
第1粘合剂层12优选相对于(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)100质量份而以10质量份以上的比例含有能量射线固化性树脂(ax1)，更优选以20质量份以上的比例含有，进一步优选以25质量份以上的比例含有。
[0154]
第1粘合剂层12优选相对于(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)100质量份而以80质量份以下的比例含有能量射线固化性树脂(ax1)，更优选以70质量份以下的比例含有，进一步优选以60质量份以下的比例含有。
[0155]
(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)的重均分子量(mw)优选为1万以上，更优选为15万以上，进一步优选为20万以上。
[0156]
另外，(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)的重均分子量(mw)优选为150万以下，更优选为100万以下。
[0157]
需要说明的是，本说明书中的重均分子量(mw)是利用凝胶渗透色谱法(gpc法)测得的换算为标准聚苯乙烯的值。
[0158]
(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)优选为侧链导入了具有能量射线固化性的官能团(能量射线固化性基团)的(甲基)丙烯酸酯聚合物(b2)(以下，有时称为“能量射线固化性聚合物(b2)”)。
[0159]
·
能量射线固化性聚合物(b2)
[0160]
能量射线固化性聚合物(b2)优选为具有含官能团单体单元的丙烯酸类共聚物(b21)与具有与该官能团键合的官能团的含不饱和基团化合物(b22)进行反应而得到的共聚物。
[0161]
在本说明书中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯这两者。其它类似用语也同样。
[0162]
丙烯酸类共聚物(b21)优选包含来自于含官能团单体的结构单元、以及来自于(甲基)丙烯酸酯单体或(甲基)丙烯酸酯单体衍生物的结构单元。
[0163]
作为丙烯酸类共聚物(b21)的结构单元的含官能团单体优选为分子内具有聚合性的双键、以及官能团的单体。官能团优选为选自羟基、羧基、氨基、取代氨基、以及环氧基等中的至少任一种官能团。
[0164]
作为含羟基单体，可以列举例如：(甲基)丙烯酸2
‑
羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2
‑
羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3
‑
羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2
‑
羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3
‑
羟基丁酯、以及(甲基)丙烯酸4
‑
羟基丁酯等。含羟基单体可以单独使用1种，或者组合使用2种以上。
[0165]
作为含羧基单体，可以列举例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、马来酸、衣康酸、以及柠康酸等烯属不饱和羧酸。含羧基单体可以单独使用1种，或者组合使用2种以上。
[0166]
作为含氨基单体或含取代氨基单体，可以列举例如：(甲基)丙烯酸氨基乙酯、以及(甲基)丙烯酸正丁基氨基乙酯等。含氨基单体或含取代氨基单体可以单独使用1种，或者组合使用2种以上。
[0167]
作为构成丙烯酸类共聚物(b21)的(甲基)丙烯酸酯单体，除了烷基碳原子数为1以上且20以下的(甲基)丙烯酸烷基酯以外，还可以优选使用例如分子内具有脂环结构的单体(含脂环结构单体)。
[0168]
作为(甲基)丙烯酸烷基酯，优选为烷基碳原子数为1以上且18以下的(甲基)丙烯酸烷基酯。(甲基)丙烯酸烷基酯更优选为例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、以及(甲基)丙烯酸2
‑
乙基己酯等。(甲基)丙烯酸烷基酯可以单独使用1种，或者组合使用2种以上。
[0169]
作为含脂环结构单体，可以优选使用例如(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸二
环戊酯、(甲基)丙烯酸金刚烷酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、以及(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯等。含脂环结构单体可以单独使用1种，或者组合使用2种以上。
[0170]
丙烯酸类共聚物(b21)优选以1质量％以上的比例含有来自于上述含官能团单体的结构单元，更优选以5质量％以上的比例含有，进一步优选以10质量％以上的比例含有。
[0171]
另外，丙烯酸类共聚物(b21)优选以35质量％以下的比例含有来自于上述含官能团单体的结构单元，更优选以30质量％以下的比例含有，进一步优选以25质量％以下的比例含有。
[0172]
另外，丙烯酸类共聚物(b21)优选以50质量％以上的比例含有来自于(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物的结构单元，更优选以60质量％以上的比例含有，进一步优选以70质量％以上的比例含有。
[0173]
另外，丙烯酸类共聚物(b21)优选以99质量％以下的比例含有来自于(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物的结构单元，更优选以95质量％以下的比例含有，进一步优选以90质量％以下的比例含有。
[0174]
丙烯酸类共聚物(b21)可通过利用通常方法使上述的含官能团单体与(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物共聚而得到。
[0175]
就丙烯酸类共聚物(b21)而言，除上述的单体以外，还可以含有选自二甲基丙烯酰胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、以及苯乙烯等中的至少任一种的结构单元。
[0176]
通过使具有上述含官能团单体单元的丙烯酸类共聚物(b21)与具有和其官能团键合的官能团的含不饱和基团化合物(b22)发生反应，可得到能量射线固化性聚合物(b2)。
[0177]
含不饱和基团化合物(b22)具有的官能团可以根据丙烯酸类共聚物(b21)具有的含官能团单体单元的官能团的种类而适当选择。例如，在丙烯酸类共聚物(b21)具有的官能团为羟基、氨基或取代氨基的情况下，作为含不饱和基团化合物(b22)具有的官能团，优选为异氰酸酯基或环氧基，在丙烯酸类共聚物(b21)具有的官能团为环氧基的情况下，作为含不饱和基团化合物(b22)具有的官能团，优选为氨基、羧基或氮丙啶基。
[0178]
含不饱和基团化合物(b22)在1个分子中至少包含1个能量射线聚合性的碳
‑
碳双键，优选包含1个以上且6个以下，更优选包含1个以上且4个以下。
[0179]
作为含不饱和基团化合物(b22)，可以列举例如：2
‑
甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(甲基丙烯酸2
‑
异氰酸基乙酯)、间异丙烯基
‑
α,α
‑
二甲基苄基异氰酸酯、甲基丙烯酰基异氰酸酯、烯丙基异氰酸酯、1,1
‑
(双丙烯酰氧基甲基)乙基异氰酸酯；通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物与(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物、多元醇化合物、以及(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2
‑
(1
‑
氮丙啶基)乙酯、2
‑
乙烯基
‑2‑
唑啉、2
‑
异丙烯基
‑2‑
唑啉等。
[0180]
相对于丙烯酸类共聚物(b21)的含官能团单体的摩尔数，优选以50摩尔％以上的比例(加成率)使用含不饱和基团化合物(b22)，更优选以60摩尔％以上的比例使用，进一步优选以70摩尔％以上的比例使用。
[0181]
另外，相对于丙烯酸类共聚物(b21)的含官能团单体的摩尔数，优选以95摩尔％以下的比例使用含不饱和基团化合物(b22)，更优选以93摩尔％以下的比例使用，进一步优选
以90摩尔％以下的比例使用。
[0182]
在丙烯酸类共聚物(b21)与含不饱和基团化合物(b22)的反应中，可以根据丙烯酸类共聚物(b21)具有的官能团和含不饱和基团化合物(b22)具有的官能团的组合而适当选择反应的温度、压力、溶剂、时间、有无催化剂、以及催化剂的种类。由此，丙烯酸类共聚物(b21)具有的官能团与含不饱和基团化合物(b22)具有的官能团发生反应，在丙烯酸类共聚物(b21)的侧链导入不饱和基团，得到能量射线固化性聚合物(b2)。
[0183]
能量射线固化性聚合物(b2)的重均分子量(mw)优选为1万以上，更优选为15万以上，进一步优选为20万以上。
[0184]
另外，能量射线固化性聚合物(b2)的重均分子量(mw)优选为150万以下，更优选为100万以下。
[0185]
·
光聚合引发剂(c)
[0186]
在第1粘合剂层12含有紫外线固化性的化合物(例如，紫外线固化性树脂)的情况下，第1粘合剂层12优选含有光聚合引发剂(c)。
[0187]
通过使第1粘合剂层12含有光聚合引发剂(c)，可以减少聚合固化时间及光照射量。
[0188]
光聚合引发剂(c)的具体例可以列举例如：苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、酰基氧化膦化合物、茂钛化合物、噻吨酮化合物及过氧化物化合物。另外，作为光聚合引发剂(c)，可以列举例如：胺或醌等光敏剂等。
[0189]
作为更具体的光聚合引发剂(c)，可以列举例如：1
‑
羟基环己基苯基甲酮、2
‑
羟基
‑2‑
甲基
‑1‑
苯基丙烷
‑1‑
酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苄、丁二酮、β
‑
氯蒽醌、以及双(2,4,6
‑
三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦。光聚合引发剂(c)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。
[0190]
相对于粘合性树脂100质量份，光聚合引发剂(c)的配合量优选为0.01质量份以上且10质量份以下、更优选为0.03质量份以上且5质量份以下、进一步优选为0.05质量份以上且5质量份以下。
[0191]
在粘合剂层中配合能量射线固化性树脂(ax1)及(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)的情况下，相对于能量射线固化性树脂(ax1)及(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)的总量100质量份，优选以0.1质量份以上的量使用光聚合引发剂(c)，更优选以0.5质量份以上的量使用。
[0192]
另外，在粘合剂层中配合能量射线固化性树脂(ax1)及(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)的情况下，相对于能量射线固化性树脂(ax1)及(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)的总量100质量份，优选以10质量份以下的量使用光聚合引发剂(c)，更优选以6质量份以下的量使用。
[0193]
第1粘合剂层12除上述成分以外，还可以适当配合其它成分。作为其它成分，可以举出例如交联剂(e)等。
[0194]
·
交联剂(e)
[0195]
作为交联剂(e)，可以使用与(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)等所带有的官能团具有反应性的多官能性化合物。作为第1粘合片10中的多官能性化合物的例子，可以列举：异氰酸酯化合物、环氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、肼化合物、醛化合物、唑啉化合物、金属醇盐化合物、金属螯合物化合物、金属盐、铵盐、以及反应性酚醛树脂等。
[0196]
相对于(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)100质量份，交联剂(e)的配合量优选为0.01质量份以上，更优选为0.03质量份以上，进一步优选为0.04质量份以上。
[0197]
另外，相对于(甲基)丙烯酸类共聚物(b1)100质量份，交联剂(e)的配合量优选为8质量份以下，更优选为5质量份以下，进一步优选为3.5质量份以下。
[0198]
第1粘合剂层12的厚度没有特别限定。第1粘合剂层12的厚度例如优选为10μm以上、更优选为20μm以上。另外，第1粘合剂层12的厚度优选为150μm以下、更优选为100μm以下。
[0199]
第1粘合片10的复原率优选为70％以上、更优选为80％以上、进一步优选为85％以上。第1粘合片10的复原率优选为100％以下。通过使复原率为上述范围，可以大幅拉伸粘合片。
[0200]
复原率是通过以下方式得到的：对于将粘合片切成150mm(长度方向)
×
15mm(宽度方向)的试验片，用夹具夹住长度方向的两端、并使夹具间的长度为100mm，然后，以200mm/分的速度拉伸至夹具间的长度达到200mm，在夹具间的长度伸展至200mm的状态下保持1分钟，然后，以200mm/分的速度沿长度方向恢复至夹具间的长度为100mm，在夹具间的长度恢复至100mm的状态下保持1分钟，然后，以60mm/分的速度沿长度方向拉伸，测定拉伸力的测定值显示0.1n/15mm时的夹具间的长度，将该长度减去初始的夹具间长度100mm而得到的长度设为l2(mm)、并将上述伸展的状态下的夹具间长度200mm减去初始的夹具间长度100mm而得到的长度设为l1(mm)时，通过下式(数学式2)进行计算。
[0201]
复原率(％)＝{1－(l2
÷
l1)}
×
100
···
(数学式2)
[0202]
在复原率为上述范围的情况下，意味着粘合片被大幅拉伸后也容易复原。通常，将具有屈服点的片拉伸至屈服点以上时，片发生塑性变形，处于发生了塑性变形的部分、即被极端拉伸的部分不均匀存在的状态。将这样的状态的片进一步拉伸时，从上述的被极端拉伸的部分发生断裂，或即使不发生断裂也使扩片变得不均匀。另外，即使是在分别以应变为x轴、以伸长率为y轴而绘制的应力
‑
应变曲线图中斜率dx/dy不取从正值变化为0或负值的应力值、且不显示出明确的屈服点的片，随着拉伸量的增大，片也会发生塑性变形，同样地发生断裂，或者使扩片变得不均匀。另一方面，在不发生塑性变形而发生弹性变形的情况下，容易通过去除应力而使片复原为原本的形状。因此，通过使复原率为上述范围，可以在大幅拉伸粘合片时将膜的塑性变形抑制为最小限度，不容易产生断裂、且能够均匀地扩片，所述复原率是表示在作为足够大的拉伸量的100％伸长后复原到何种程度的指标。
[0203]
·
剥离片
[0204]
在第1粘合片10的表面可以粘贴有剥离片。剥离片具体粘贴在第1粘合片10的第1粘合剂层12的表面。剥离片通过粘贴于第1粘合剂层12的表面而在运输时及保管时保护第1粘合剂层12。剥离片可剥离地粘贴于第1粘合片10，在使用第1粘合片10之前，从第1粘合片10剥离取下。
[0205]
剥离片使用至少一面经过剥离处理的剥离片。具体而言，可以举出例如，具备剥离片用基材、以及在该基材的表面上涂布剥离剂而形成的剥离剂层的剥离片。
[0206]
作为剥离片用基材，优选为树脂膜。作为构成作为剥离片用基材的树脂膜的树脂，可以列举例如：聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂及聚萘二甲酸乙二醇酯树脂等的聚酯树脂膜、以及聚丙烯树脂及聚乙烯树脂等聚烯烃树脂等。
[0207]
作为剥离剂，可以列举例如：有机硅类树脂、烯烃类树脂、异戊二烯类树脂、丁二烯类树脂等橡胶类弹性体、长链烷基类树脂、醇酸类树脂及氟类树脂。
[0208]
剥离片的厚度没有特别限制，优选为10μm以上且200μm以下、更优选为20μm以上且150μm以下。
[0209]
·
粘合片的制造方法
[0210]
作为第1粘合片10及其它本说明书中记载的粘合片的制造方法，没有特别限制，可以通过公知的方法制造。
[0211]
例如，将设在剥离片上的粘合剂层贴合于基材的一面，可以制造在粘合剂层的表面粘贴有剥离片的粘合片。另外，通过将设在剥离片上的缓冲层与基材贴合并去除剥离片，可以得到缓冲层与基材的层叠体。然后，将设在剥离片上的粘合剂层贴合于层叠体的基材侧，可以制造在粘合剂层的表面粘贴有剥离片的粘合片。需要说明的是，在基材的两面设有缓冲层的情况下，在缓冲层上形成粘合剂层。粘贴于粘合剂层的表面的剥离片只要在使用粘合片之前适当剥离去除即可。
[0212]
作为粘合片的制造方法的更具体的一例，可以举出以下的方法。首先，制备涂敷液，所述涂敷液含有构成粘合剂层的粘合性组合物、以及根据希望添加的溶剂或分散介质。接着，通过涂布机构将涂敷液涂布在基材的一面上而形成涂膜。作为涂布机构，可以列举例如：模涂机、帘涂机、喷涂机、狭缝涂布机及刮涂机等。接下来，通过使该涂膜干燥，可以形成粘合剂层。涂敷液只要能够进行涂布即可，其性状没有特别限定。涂敷液有时含有用于形成粘合剂层的成分作为溶质，有时含有用于形成粘合剂层的成分作为分散质。同样地，可以在基材的一面或缓冲层上直接涂布粘合剂组合物而形成粘合剂层。
[0213]
另外，作为粘合片的制造方法的更具体的另外一例，可以举出以下的方法。首先，在上述的剥离片的剥离面上涂布涂敷液而形成涂膜。接着，使涂膜干燥，形成包含粘合剂层和剥离片的层叠体。接下来，可以在该层叠体的粘合剂层的与剥离片侧的面相反侧的面粘贴基材，得到粘合片与剥离片的层叠体。该层叠体中的剥离片可以作为工序材料进行剥离，也可以保护粘合剂层直至将被粘附物(例如，半导体芯片及半导体晶片等)粘贴于粘合剂层。
[0214]
在涂敷液含有交联剂的情况下，可以通过变更涂膜的干燥条件(例如，温度及时间等)、或者通过另行进行加热处理，从而例如进行涂膜内的(甲基)丙烯酸类共聚物与交联剂的交联反应，在粘合剂层内以希望的存在密度形成交联结构。为了使该交联反应充分进行，可以在通过上述方法等使粘合剂层层叠于基材后，进行将得到的粘合片在例如23℃、相对湿度50％的环境中静置数天的熟化。
[0215]
第1粘合片10的厚度优选为60μm以上、更优选为70μm以上、进一步优选为80μm以上。第1粘合片10的厚度优选为400μm以下、更优选为300μm以下。
[0216]
[本实施方式的效果]
[0217]
根据本实施方式的扩片方法，通过使用具有第1基材11及第1粘合剂层12的第1粘合片10，可以用1个粘合片(第1粘合片10)实施切割工序及扩片工序。即，根据本实施方式的扩片方法，不需要如现有的工艺那样在每个工序中更换粘贴粘合片，可以简化工艺。
[0218]
另外，根据第1粘合片10，切入了深度50μm的切痕的第1基材11的拉伸伸长率为300％以上，因此，在切割工序中在第1基材11形成给定深度的切痕，直接在扩片工序中使第
1粘合片10拉伸，可以不使该第1粘合片10断裂地扩大多个半导体芯片cp彼此的间隔。因此，与现有的粘合片(粘合剂层和2个基材层层叠而成的粘合片)相比，第1粘合片10的胶带结构是简化的，工艺也可以简化。
[0219]
另外，根据本实施方式，可以提供包含本实施方式的扩片方法的半导体装置的制造方法。
[0220]
[实施方式的变形]
[0221]
本发明不受上述的实施方式的任何限定。本发明在能够实现本发明目的的范围包含将上述的实施方式进行变形而得到的方式等。
[0222]
例如，半导体晶片、半导体芯片中的电路等并不限定于图示的排列、形状等。与半导体封装中的外部端子电极的连接结构等也并不限定于上述的实施方式中说明的方式。在上述的实施方式中，举出制造fo
‑
wlp类型的半导体封装的方式作为例子进行说明，但本发明也可以适用于制造扇入型的wlp等其它半导体封装的方式。
[0223]
上述的fo
‑
wlp的制造方法可以变更一部分工序、省略一部分工序。
[0224]
切割工序中的切割可以对半导体晶片照射激光来进行，以此代替使用上述的切断机构。例如，可以通过激光的照射，将半导体晶片完全割断，单片化为多个半导体芯片。在这些方法中，激光的照射可以从半导体晶片的任意侧进行。
[0225]
实施例
[0226]
以下，列举实施例对本发明更详细地进行说明。本发明并不限定于这些实施例。
[0227]
(粘合片的制作)
[0228]
[实施例1]
[0229]
将丙烯酸丁酯(ba)62质量份、甲基丙烯酸甲酯(mma)10质量份、以及丙烯酸2
‑
羟基乙酯(2hea)28质量份共聚而得到了丙烯酸类共聚物。制备了相对于该丙烯酸类共聚物添加甲基丙烯酸2
‑
异氰酸基乙酯(昭和电工株式会社制造、产品名“karenz moi”(注册商标))的树脂(丙烯酸a)的溶液(粘合剂主剂、固体成分35.0质量％)。加成率为：相对于丙烯酸类共聚物的2hea 100摩尔％，使甲基丙烯酸2
‑
异氰酸基乙酯为90摩尔％。
[0230]
得到的树脂(丙烯酸a)的重均分子量(mw)为60万，mw/mn为4.5。通过凝胶渗透色谱(gpc)法，测定标准聚苯乙烯换算的重均分子量mw及数平均分子量mn，根据各测定值求出了分子量分布(mw/mn)。
[0231]
在该粘合剂主剂中添加了uv树脂a(10官能氨基甲酸酯丙烯酸酯、三菱化学株式会社制造、产品名“uv
‑
5806”、mw＝1740、包含光聚合引发剂)、以及作为交联剂的甲苯二异氰酸酯类交联剂(日本聚氨酯工业株式会社制造、产品名“coronate l”)。相对于粘合剂主剂中的固体成分100质量份，添加了uv树脂a 50质量份，添加交联剂0.2质量份。在添加后，搅拌30分钟，制备了粘合剂组合物a1。
[0232]
接着，将制备的粘合剂组合物a1的溶液涂布于聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)类剥离膜(琳得科株式会社制造、产品名“sp
‑
pet381031”、厚度38μm)并使其干燥，在剥离膜上形成了厚度40μm的粘合剂层。对于该粘合剂层，在本实施例中，有时与上述实施方式中的说明相对应地称为第1粘合剂层。
[0233]
在该第1粘合剂层贴合作为基材的聚酯类聚氨酯弹性体片(sheedom公司制，产品名“higress dus202”，厚度100μm)之后，将宽度方向上的端部的不需要的部分裁切去除，制
作了粘合片sa1。对于该基材，在本实施例中，有时与上述实施方式中的说明相对应地称为第1基材。在第1基材上切入深度50μm的切痕，测定了该第1基材的拉伸伸长率，结果为300％以上。通过上述的拉伸伸长率的测定方法，测定了切入切痕后的第1基材的拉伸伸长率。
[0234]
(芯片间隔的测定方法)
[0235]
将实施例1中得到的粘合片sa1切断为210mm
×
210mm，得到了试验用片。此时，以裁切后的片的各边与粘合片中的第1基材的md方向平行或垂直的方式进行裁切。
[0236]
将试验用片的剥离膜剥离，在露出的第1粘合剂层的中心部粘贴6英寸硅晶片。接着，对6英寸硅晶片进行切割，得到了总计25个3mm
×
3mm尺寸的芯片。通过切割得到的总计25个芯片以x轴方向5列及y轴方向5列的方式进行排列。需要说明的是，在切割硅晶片时，也在试验用片切入了深度50μm的切痕。
[0237]
接下来，将粘贴有芯片的试验用片设置于能够进行双向拉伸的扩片装置(间隔装置)。图5示出了对该扩片装置100进行说明的俯视图。图5中，x轴及y轴处于相互正交的关系，将该x轴的正方向设为 x轴方向，将该x轴的负方向设为－x轴方向，将该y轴的正方向设为 y轴方向，将该y轴的负方向设为－y轴方向。试验用片200以各边与x轴或y轴平行的方式设置于扩片装置100。其结果是，试验用片200中的基材的md方向与x轴或y轴平行。需要说明的是，图5中省略了芯片。
[0238]
如图5所示，扩片装置100在 x轴方向、－x轴方向、 y轴方向及
‑
y轴方向上分别具备5个保持机构101(总计20个保持机构101)。各方向上的5个保持机构101中，保持机构101a位于两端，保持机构101c位于中央，保持机构101b位于保持机构101a与保持机构101c之间。通过这些保持机构101夹持试验用片200的各边。
[0239]
这里，如图5所示，试验用片200的边长为210mm。另外，各边的保持机构101彼此的间隔为40mm。此外，试验用片200的一边的端部(片的顶点)与存在于该边且距该端部最近的保持机构101a的间隔为25mm。
[0240]
接着，驱动与保持机构101分别对应的未图示的多个张力赋予机构，使保持机构101各自独立地移动。用夹具固定试验用片的四边，沿x轴方向及y轴方向分别以5mm/s的速度、200mm的扩张量对试验用片进行扩片。然后，利用环形框架保持试验用片200的扩张状态。
[0241]
在保持了扩张状态的状态下，通过数字显微镜测定各芯片间的距离，将各芯片间的距离的平均值作为芯片间隔。
[0242]
芯片间隔为1800μm以上则判断为合格“a”，芯片间隔小于1800μm则判断为不合格“b”。
[0243]
(芯片对齐性的测定方法)
[0244]
测定了偏离率，所述偏离率是测定了上述芯片间隔的工件距x轴及y轴方向上相邻的芯片的中心线的偏离率。
[0245]
图6示出了具体测定方法的示意图。
[0246]
选择5个芯片沿x轴方向排列成的一列，在该列中，用数字显微镜测定芯片的最上端与芯片的最下端的距离dy。y轴方向的偏离率基于下式(数学式3)计算。sy为y轴方向的芯片尺寸，在本实施例中为3mm。
[0247]
y轴方向的偏离率[％]＝[(dy－sy)/2]/sy
×
100
···
(数学式3)
[0248]
对于5个芯片沿x轴方向排列成的其它4列，也同样地计算出y轴方向的偏离率。
[0249]
选择5个芯片沿y轴方向排列成的一列，在该列中，用数字显微镜测定芯片的最左端与芯片的最右端的距离dx。x轴方向的偏离率基于下式(数学式4)计算。sx为x轴方向的芯片尺寸，在本实施例中为3mm。
[0250]
x轴方向的偏离率[％]＝[(dx－sx)/2]/sx
×
100
···
(数学式4)
[0251]
对于5个芯片沿y轴方向排列成的其它4列，也同样地计算出x轴方向的偏离率。
[0252]
在数式(数学式3)及(数学式4)中，除以2是为了用绝对值表示扩张后的芯片从给定位置偏离的最大距离。
[0253]
在x轴方向及y轴方向的全部列(总计10列)中，将偏离率小于
±
10％的情况判定为合格“a”，1列以上的列中为
±
10％以上则判断为不合格“b”。
[0254]
使用实施例1的粘合片进行了扩片，结果是能够不使粘合片断裂地扩大多个半导体芯片cp彼此的间隔。此外，将粘合片扩片后的芯片间隔的评价结果判断为合格“a”，芯片对齐性的评价结果判断为合格“a”。