一种发光薄膜及其制备方法、发光器件及显示装置与流程

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光薄膜及其制备方法、发光器件及显示装置。


背景技术：

2.oled(organic light
‑
emitting diode，有机发光二极管)发光器件因其优异的性能受到了广泛的应用，在oled发光器件中，发光层的材料对其发光性能起着重要的作用。
3.目前的发光层材料为主客体系，即将客体材料掺杂进主体材料中，以提高发光效率。然而，其掺杂精度不易控制、制备工艺复杂、且还存在主体材料和客体材料相分离的问题。
4.因此，亟需提供一种新的发光层材料，以解决上述问题。


技术实现要素：

5.本发明的实施例提供一种发光薄膜及其制备方法、发光器件及显示装置，该发光薄膜制备的发光器件具有较高的发光效率、且制备工艺简单。
6.为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
7.一方面，提供了一种发光薄膜，用作发光器件中的发光层，所述发光薄膜包括热激活延迟荧光材料；所述热激活延迟荧光材料包括供体基团、受体基团和连接基团；
8.所述供体基团和所述受体基团分别与所述连接基团键合，所述受体基团包括所述供体基团包括所述连接基团包括y；
9.所述热激活延迟荧光材料的通式为：
[0010][0011]
其中，y为非共轭基团；x1、x2和x3至少有一个为氮原子。
[0012]
可选地，y包括硫原子或氧原子。
[0013]
可选地，除x1、x2和x3中至少有一个为氮原子之外，剩余的为氮原子或碳原子。
[0014]
可选地，r3为富电子型芳胺取代基，且r3上的氨基氮原子与中的苯环键合。
[0015]
可选地，r1和r2均为芳香类取代基。
[0016]
可选地，r1和r2的化学结构相同。
[0017]
可选地，r1和r2均包括苯基、吡啶类、嘧啶类或二嗪类取代基中的任意一种。
[0018]
可选地，在r1或r2包括所述吡啶类取代基的情况下，所述吡啶类取代基包括2
‑
吡啶基、3
‑
吡啶基或4
‑
吡啶基中的任意一种；
[0019]
在r1或r2包括所述嘧啶类取代基的情况下，所述嘧啶类取代基包括2,4
‑
嘧啶基、3,5
‑
嘧啶基或2,6
‑
嘧啶基中的任意一种；
[0020]
在r1或r2包括所述二嗪类取代基的情况下，所述二嗪类取代基包括2,3
‑
哒嗪基、3,4
‑
哒嗪基或2,5
‑
吡嗪基中的任意一种。
[0021]
可选地，r3包括咔唑基、二苯胺基、吖啶基或吩噁嗪基中的任意一种。
[0022]
可选地，所述热激活延迟荧光材料的结构式为：
[0023][0024]
可选地，所述热激活延迟荧光材料的结构式为：
[0025][0026]
另一方面，提供了一种发光器件，包括如上所述的发光薄膜，还包括第一电极和第二电极；
[0027]
其中，所述发光薄膜位于所述第一电极和所述第二电极之间。
[0028]
又一方面，提供了一种显示装置，包括如上所述的发光器件。
[0029]
再一方面，提供了一种发光薄膜的制备方法，所述方法包括：
[0030]
采用热激活延迟荧光材料形成发光薄膜；其中，所述热激活延迟荧光材料的通式为：
[0031]
可选地，当所述热激活延迟荧光材料的结构式为的情况下，所述方法包括：
[0032]
形成第一中间体；
[0033]
采用所述第一中间体形成第二中间体；所述第二中间体的结构式为
[0034]
采用所述第二中间体和2
‑
(4
‑
溴苯基)
‑
4,6
‑
二苯基
‑
1,3,5
‑
三嗪形成结构式为的所述热激活延迟荧光材料。
[0035]
可选地，当所述热激活延迟荧光材料的结构式为的情况下，所述方法包括：
[0036]
形成第三中间体；所述第三中间体的结构为
[0037]
采用所述第三中间体和吩噁嗪形成结构式为的所述热激活延迟荧光材料。
[0038]
本发明的实施例提供了一种发光薄膜及其制备方法、发光器件及显示装置，该发光薄膜用作发光器件中的发光层，发光薄膜包括热激活延迟荧光材料；热激活延迟荧光材料包括供体基团、受体基团和连接基团；供体基团和受体基团分别与连接基团键合，受体基团包括供体基团包括连接基团包括y；
[0039]
热激活延迟荧光材料的通式为：
[0040]
其中，y为非共轭基团；x1、x2和x3至少有一个为氮原子。
[0041]
在上述发光薄膜中，由于热激活延迟荧光材料在单分子状态时表现为局域态发射，不存在分子内电荷转移过程；分子聚集状态时出现分子间电荷转移，转变为激基复合物体系并具备热活化延迟荧光特性；这样的分子间电荷转移特性，使得其单重态和三重态之间的能级差极小，从而有效抑制了在聚集态下分子之间相互作用导致的三重态激子的淬灭，提高发光薄膜的发光效率；另外，由于该发光薄膜采用热激活延迟荧光材料制备(非掺杂体系)，不存在主客体系中主体材料与客体材料相分离的问题，提升由发光薄膜制备的发光器件的器件稳定性，且其还具有制备工艺简单、低效率滚降的优点。
附图说明
[0042]
为了更清楚地说明本发明实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0043]
图1为本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图；
[0044]
图2为本发明实施例提供的一种发光薄膜的制备方法流程示意图。
具体实施方式
[0045]
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于
本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0046]
热活化延迟荧光(tadf)材料通过反系间窜跃可将75％的三重态激子上转换为单重态，实现100％的内量子效率而备受关注。tadf材料一般为d
‑
π
‑
a结构或者d基团和a基团物理混合组成的激基复合物体系；再作为客体材料少量掺杂到主体材料，优化各组分浓度达到最优器件性能。虽然这类主客体系的材料已获得了可以媲美磷光材料的性能，但是其本质属于混合物体系，存在工艺制程复杂，掺杂精度不易控制的问题，而且还可能存在相分离的情况，影响器件寿命。制备非掺杂发光层的器件有望解决上述问题，但是绝大部分的tadf分子在聚集态下易发生三重态激子的淬灭，若以tadf材料制备非掺杂的发光层，则加剧了非辐射衰减，降低器件效率。因此，高效率的非掺杂有机发光器件是一个研究的难点，尤其是发光层中发光分子的设计。需要说明的是，上述d
‑
π
‑
a结构是指通过共轭连接结构将电子供体基团(d)和电子受体基团(a)键合。
[0047]
为此，本技术的实施例提供了一种发光薄膜，用作发光器件中的发光层，发光薄膜包括热激活延迟荧光材料；热激活延迟荧光材料包括供体基团、受体基团和连接基团；
[0048]
供体基团和受体基团分别与连接基团键合，受体基团包括供体基团包括连接基团包括y；
[0049]
热激活延迟荧光材料的通式为：
[0050][0051]
其中，y为非共轭基团；x1、x2和x3至少有一个为氮原子。
[0052]
这里对于上述发光薄膜的发光颜色不做限定，在实际应用中，根据热激活延迟荧光材料分子主体骨架结构的不同，供体基团的不同，受体基团的不同，连接基团的不同，以及各取代基的不同，其发光颜色均会发生变化。
[0053]
上述供体基团是指给电子基团，上述受体基团是指吸电子基团，供体基团和受体基团是根据基团的给电子能力和吸电子能力决定的。本技术中的供体基团和受体基团是相对的概念，即本技术中的供体基团和受体基团相比，供体基团的给电子能力较受体基团的给电子能力强，且供体基团的吸电子能力较受体基团的吸电子能力弱。
[0054]
上述键合的含义是指：通过化学键(包括金属键、共价键和离子键)或分子间其它相互作用力连接的统称。在本技术提供的实施例中，上述键合是指通过共价键将供体基团和受体基团连接。
[0055]
上述非共轭基团是指除共轭基团之外的其它基团；需要说明的是，共轭基团是指是指两个以上双键(或三键)以单键相联结，这种结构带来电子的离域效应，使得电子的运动范围扩大，例如ch2＝ch
‑
ch＝ch2中，可以看作两个孤立的双键重合在一起，电子的运动范围不再局限在两个碳原子之间，而是扩充到四个碳原子之间，这种电子通过共轭体系的传递方式叫做共轭效应，这类结构的分子由于电子较大的运动范围，使其结构本身不稳定，容易发生反应。
[0056]
在本技术的实施例中，由于连接基团为非共轭基团，电子在连接基团中的运动范围较小，且由于是非共轭结构的基团，供体基团中的电子很难通过连接基团运动到受体基团中，进而极大的降低了分子中电子的相互作用、极大的降低了分子中三重态激子在电子作用下淬灭的概率，进而提高发光薄膜的发光效率。
[0057]
进一步的，上述受体基团中除x1、x2和x3中至少有一个为氮原子之外，剩余的为氮原子或碳原子；r1和r2均为芳香类取代基；r3为富电子型芳胺取代基，且r3上的氨基氮原子与中的苯环键合。
[0058]
在实际应用中，本技术的受体基团可以具备一定程度的给电子能力，并作为供体基团；然而，由于本技术的供体基团中的r3为富电子型芳胺取代基，芳胺取代基的给电子能力极强，故而，相对于供体基团而言，在本技术中，作为受体基团起到吸电子的作用。
[0059]
上述x1、x2和x3至少有一个为氮原子，且剩余的为氮原子或碳原子包括7种不同的情况，具体如表1，这里不做赘述。
[0060]
表1：取代基x1、x2和x3的7种不同情况
[0061][0062]
在受体基团的给电子能力弱于供体基团的前提下，这里对于上述芳香类取代基的具体结构不做限定，具体可以根据实际情况确定。
[0063]
在本技术提供的发光薄膜中，由于上述热激活延迟荧光材料在单分子状态时表现为局域态发射，不存在分子内电荷转移过程；分子聚集状态时出现分子间电荷转移，转变为激基复合物体系并具备热活化延迟荧光特性；这样的分子间电荷转移特性，使得其单重态和三重态之间的能级差极小，从而有效抑制了在聚集态下分子之间相互作用导致的三重态激子的淬灭，提高发光薄膜的发光效率；另外，由于该发光薄膜采用热激活延迟荧光材料制备(非掺杂体系)，不存在主客体系中主体材料与客体材料相分离的问题，提升由发光薄膜制备的发光器件的器件稳定性，且其还具有制备工艺简单、低效率滚降的优点。
[0064]
需要说明的是，效率滚降的含义为：当电流密度增大时，发光效率迅速下降，将此现象称为效率滚降。低效率滚降则是指在电流密度增大时，发光效率降低的非常缓慢。其中，这里的发光效率是指外量子点效率。
[0065]
在本技术提供的实施例中，上述y包括硫原子或氧原子。
[0066]
在本技术提供的实施例中，r1和r2的化学结构相同，即r1和r2为同一种芳香类取代基。
[0067]
进一步可选地，r1和r2均包括苯基、吡啶类、嘧啶类或二嗪类取代基中的任意一种。
[0068]
在本技术提供的实施例中，苯基的结构式为
[0069]
在本技术提供的实施例中，在r1或r2包括吡啶类取代基的情况下，吡啶类取代基包括2
‑
吡啶基、3
‑
吡啶基或4
‑
吡啶基中的任意一种；
[0070]
具体的，2
‑
吡啶基的结构式为3
‑
吡啶基的结构式为4
‑
吡啶基的结构式为
[0071]
在本技术提供的实施例中，在r1或r2包括嘧啶类取代基的情况下，嘧啶类取代基包括2,4
‑
嘧啶基、3,5
‑
嘧啶基或2,6
‑
嘧啶基中的任意一种；
[0072]
具体的，2,4
‑
嘧啶基的结构式为3,5
‑
嘧啶基的结构式为2,6
‑
嘧啶基的结构式为
[0073]
在本技术提供的实施例中，在r1或r2包括二嗪类取代基的情况下，二嗪类取代基包括2,3
‑
哒嗪基、3,4
‑
哒嗪基或2,5
‑
吡嗪基中的任意一种。
[0074]
具体的，2,3
‑
哒嗪基的结构式为3,4
‑
哒嗪基的结构式为2,5
‑
吡嗪基的结构式为
[0075]
需要说明的是，本技术的实施例提供的吡啶类、嘧啶类或二嗪类取代基包括但不限于以上结构，具体可以根据发光颜色需求及设计需求对取代基进行调整，这里不做限定。
[0076]
可选地，r3包括咔唑基、二苯胺基、吖啶基或吩噁嗪基中的任意一种。
[0077]
具体的，咔唑基的结构式为二苯胺基的结构式为吖啶基的结构式为吩噁嗪基的结构式为
[0078]
本技术的实施例提供了两种热激活延迟荧光分子的具体结构式，具体情况如下：
[0079]
第一种热激活延迟荧光材料的结构式为：
[0080]
在该结构中，受体基团中的x1、x2和x3均为氮原子(n)，r1和r2结构相同且均为苯环；连接基团为氧原子(o)；供体基团中的r3为
[0081]
第二种热激活延迟荧光材料的结构式为：
[0082]
在该结构中，受体基团中的x1、x2和x3均为氮原子(n)，r1和r2结构相同且均为苯环；连接基团为硫原子(s)；供体基团中的r3为
[0083]
本技术的实施例还提供了一种发光器件，包括前文中的发光薄膜，还包括第一电极和第二电极，其中，发光薄膜位于第一电极和第二电极之间。
[0084]
上述第一电极可以是阳极，第二电极可以是阴极；或者，上述第一电极可以是阴
极，第二电极可以是阳极，具体可以根据实际情况确定，这里不做限定。
[0085]
需要说明的是，本技术的实施例以上述第一电极为阳极，材料为氧化铟锡(ito)，第二电极为阴极，材料为铝(al)为例进行说明。
[0086]
当然，本技术的实施例提供的发光器件还可以包括其它膜层结构。参考图1所示，发光器件包括层叠设置的第一电极1、空穴注入层2、空穴传输层3、电子阻挡层4、空穴阻挡层6、电子传输层7、电子注入层8和第二电极9；其中，发光薄膜5作为发光层位于电子阻挡层4和空穴阻挡层6之间。
[0087]
在本技术提供的实施例中，由于上述发光器件采用前文中所述的发光薄膜制备，发光薄膜中的热激活延迟荧光材料在单分子状态时表现为局域态发射，不存在分子内电荷转移过程；分子聚集状态时出现分子间电荷转移，转变为激基复合物体系并具备热活化延迟荧光特性；这样的分子间电荷转移特性，使得其单重态和三重态之间的能级差极小，从而有效抑制了在聚集态下分子之间相互作用导致的三重态激子的淬灭，提高发光薄膜的发光效率；另外，由于该发光薄膜采用热激活延迟荧光材料制备(非掺杂体系)，不存在主客体系中主体材料与客体材料相分离的问题，提升由发光薄膜制备的发光器件的器件稳定性，且其还具有制备工艺简单、低效率滚降的优点。
[0088]
本技术的实施例还提供了一种发光器件的制备方法，具体如下：
[0089]
s01、在玻璃衬底上形成阳极；
[0090]
s02、在阳极上采用蒸镀工艺依次形成空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光薄膜、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极；
[0091]
s03、在阴极上形成盖板；
[0092]
s04、形成粘结层，通过粘结层将衬底与盖板封装固定。
[0093]
其中，阳极的材料为氧化铟锡(ito)，空穴注入层的材料为tapc(4,4'
‑
环己基二[n,n
‑
二(4
‑
甲基苯基)苯胺]，厚度为40nm；空穴传输层的材料为tcta(4,4',4
”‑
三(咔唑
‑9‑
基)三苯胺，厚度为10nm；电子阻挡层的材料为mcp(1,3
‑
二(9h
‑
咔唑
‑
基)苯，厚度为10nm；发光薄膜的材料如前文所述，这里不再说明，厚度为20nm；空穴阻挡层的材料为dpepo(双2
‑
(二苯基膦基)苯基醚，厚度为5nm；电子传输层的材料为tmpypb(3,3'
‑
[5'
‑
[3
‑
(3
‑
吡啶基)苯基][1,1':3',1
”‑
三联苯]
‑
3,3
”‑
二基]二吡啶，厚度为40nm；电子注入层的材料为lif，厚度为1nm；阴极的材料为铝(al)，粘结层的材料为紫外光固化胶。
[0094]
下面以两种热激活延迟荧光分子的具体结构为例，介绍由本技术提供的热激活延迟荧光材料制备的发光薄膜作为发光层时，制备出的发光器件的具体特性。
[0095]
第一种热激活延迟荧光材料制备的发光薄膜作为发光层时，发光器件的器件性能如下：
[0096]
第一种热激活延迟荧光材料的结构式为：
[0097]
表2：第一种热激活延迟荧光材料制备的发光器件的器件特性
[0098][0099]
如表2中所示，采用第一种热激活延迟荧光材料制备的发光薄膜作为发光层时，发光器件的发光颜色为红色，发光器件的发光光谱的峰值λ
el
为590nm，该发光薄膜测得的cie色度坐标为(0.54,0.46)；发光器件的最大电流效率cemax为41.2cd/a；发光器件的最大功率效率pemax为39.6im/w；最大外量子点效率eqemax为18.2％；在单位面积的亮度为1000cd/m2的情况下，外量子点效率eqe@1000cd/m2为15.3％。
[0100]
第二种热激活延迟荧光材料制备的发光薄膜作为发光层时，发光器件的器件性能如下：
[0101]
第二种热激活延迟荧光材料的结构式为：
[0102]
表3：第二种热激活延迟荧光材料制备的发光器件的器件特性
[0103][0104]
如表3中所示，采用第二种热激活延迟荧光材料制备的发光薄膜作为发光层时，发光器件的发光颜色为红色，发光器件的发光光谱的峰值λ
el
为601nm，该发光薄膜测得的cie色度坐标为(0.57,0.43)；发光器件的最大电流效率cemax为46.3cd/a；发光器件的最大功率效率pemax为44.6im/w；最大外量子点效率eqemax为19.7％；在单位面积的亮度为1000cd/m2的情况下，外量子点效率eqe@1000cd/m2为16.5％。
[0105]
另外，上述发光器件中包括的发光薄膜的具体情况可以参考前文说明，这里不再
进行赘述。
[0106]
本技术的实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的发光器件。
[0107]
该显示装置可以是柔性显示装置(又称柔性屏)，也可以是刚性显示装置(即不能折弯的显示装置)，这里不做限定。该显示装置可以是oled(organic light
‑
emitting diode，有机发光二极管)显示装置，还可以是包括oled的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。该显示装置具有显示效果好、寿命长、稳定性高等优点。
[0108]
本技术的实施例还提供了一种发光薄膜的制备方法，参考图2所示，该方法包括：
[0109]
s901、采用热激活延迟荧光材料形成发光薄膜；其中，热激活延迟荧光材料的通式为：
[0110]
具体的，根据两种热激活延迟荧光材料分子结构的不同，分为两种情况，第一种情况为：
[0111]
当热激活延迟荧光材料的结构式为化学名称为10
‑
(4
‑
(4
‑
(4,6
‑
二苯基
‑
1,3,5
‑
三嗪
‑2‑
基)苯基)醚基)苯基)
‑
9,9
‑
吩噁嗪的情况下，该方法包括：
[0112]
s11、形成第一中间体；
[0113]
形成第一中间体的化学反应式和具体方法如下：
[0114][0115]
在250ml的二口瓶加入2.00g吩噁嗪(反应单体1)、0.45ml对溴苯甲醚(反应单体2)、0.27g醋酸钯(催化剂)和2.97g叔丁醇钠(ph调节剂，调ph至碱性，辅助催化循环)。随后封口连接冷凝管和双排管，抽换气4次去除二口瓶中的氧气后，将加入2.30ml三叔丁基膦(催化剂配体)溶于甲苯溶剂中(三叔丁基膦含量占甲苯含量的10％)，再加入170ml的超干甲苯(反应溶剂)。随后将反应体系升至85℃，反应14小时后自然冷却至室温，通过加入水和
二氯甲烷进行分液、萃取，再用无水硫酸镁干燥，减压过滤，旋转蒸发浓缩溶液后提纯，得到中间体1，其中，中间体1的产量为2.68g，收率85.18％。具体形成中间体1的反应原理参考反应式(1)。
[0116]
需要说明的是，在实际应用中，还可以选用其它的反应单体、其它制备方法制备上述中间体1，上述方法不作为对形成中间体1的限制。
[0117]
s12、采用第一中间体形成第二中间体；第二中间体的结构式为
[0118]
采用第一中间体形成第二中间体的化学反应式和具体方法如下：
[0119][0120]
在250ml二口瓶内加入1.70g中间体1后连接双排管，抽换气4次去除二口瓶中的氧气；随后加入90ml干燥的二氯甲烷并将二口瓶转移至低温反应器，降温到
‑
75℃后缓慢滴加入2.50ml bbr3。滴加完之后保持
‑
75℃至完全反应。升至室温后加入甲醇猝灭余下的bbr3，完成后将反应物置于纯净水中，需要说明的是，bbr3中的
‑
bbr2基团与中间体1上甲醚基团上的甲基发生置换，然后再发生水解反应生成中间体2，整体反应过程较快，连续发生；最后再加入二氯甲烷，进行分液、萃取后用无水硫酸镁干燥，旋转蒸发浓缩溶液后提纯，得到中间体2，中间体2的产量为1.05g，收率为61.76％。具体形成中间体2的反应原理参考反应式(2)。
[0121]
需要说明的是，在实际应用中，还可以选用其它的反应单体、其它制备方法制备上述中间体2，上述方法不作为对形成中间体2的限制。
[0122]
s13、采用第二中间体和2
‑
(4
‑
溴苯基)
‑
4,6
‑
二苯基
‑
1,3,5
‑
三嗪形成结构式为的热激活延迟荧光材料，具体制备过程如下：
[0123][0124]
在100ml二口瓶内加入0.60g中间体2和0.67g叔丁醇钾；随后连接双排管，抽换气4次去除氧气后加入30ml二甲基甲酰胺，升温至160℃反应l.5h。另取100ml二口瓶加入0.95g 2
‑
(4
‑
溴苯基)
‑
4,6
‑
二苯基
‑
1,3,5
‑
三嗪后连接双排管，抽换气4次后加入30ml二甲基甲酰胺并搅拌，将上述反应液转移到含叔丁醇钾的反应瓶内，随后继续在160℃下反应12h。完全反应后自然冷却至室温，加入水和二氯甲烷，分液、萃取，用硫酸镁干燥，旋转蒸发浓缩溶液后提纯，得到结构式1的产物，其产量为0.65g，收率为53.85％。具体形成结构式1的热激活延迟荧光分子的反应原理参考反应式(3)。
[0125]
需要说明的是，在实际应用中，还可以选用其它的反应单体、其它制备方法制备上述结构式1的热激活延迟荧光分子，上述方法不作为对形成结构式1的热激活延迟荧光分子的限制。
[0126]
第二种情况为：
[0127]
当热激活延迟荧光材料的结构式为化学名称为10
‑
(4
‑
(4
‑
(4,6
‑
二苯基
‑
1,3,5
‑
三嗪
‑2‑
基)苯基)硫代)苯基)
‑
9,9
‑
吩噁嗪情况下，该方法包括：
[0128]
s21、形成第三中间体；第三中间体的结构为
[0129]
形成第三中间体的化学反应式和具体方法如下：
[0130][0131]
在50ml的双口瓶中加入0.75g三苯三嗪
‑
溴，0.41g 4
‑
溴硫代苯酚，0.81g碳酸钾(ph调节剂)、0.04g碘化亚铜(催化剂)和10ml1
‑
甲基
‑2‑
吡啶酮(1
‑
甲基
‑2‑
吡啶酮)(溶剂)。在100℃下搅拌12h，反应结束后冷却至室温，加入水和二氯甲烷。分液、萃取，用硫酸镁干燥，旋转蒸发浓缩溶液后提纯，得到中间体3，其产量为0.51g，收率为50.85％。形成第三中间体的具体反应原理参考反应式(4)。
[0132]
需要说明的是，在实际应用中，还可以选用其它的反应单体、其它制备方法制备上述第三中间体，上述方法不作为对形成第三中间体的限制。
[0133]
s22、采用第三中间体和吩噁嗪形成结构式为的热激活延迟荧光材料，具体制备过程如下：
[0134][0135]
在100ml的双口瓶中加入2.45g中间体3，0.92g吩噁嗪，56mg醋酸钯(催化剂)，1.43g叔丁醇钾(ph调节剂)，将加入1.2ml三叔丁基膦(催化剂配体)溶于甲苯溶剂中(三叔丁基膦含量占甲苯含量的10％)，在120℃下搅拌12h，反应结束后冷却至室温，加入水和二氯甲烷；分液、萃取，用无水硫酸镁干燥，旋转蒸发浓缩溶液后提纯，得到结构式2的产物，产量为2.39g，收率为77.58％；形成结构式2的热激活延迟荧光分子的具体反应原理参考反应式(5)。
[0136]
需要说明的是，在实际应用中，还可以选用其它的反应单体、其它制备方法制备上述结构式2的热激活延迟荧光分子，上述方法不作为对形成结构式2的热激活延迟荧光分子的限制。
[0137]
采用本技术的实施例提供的制备方法制备的发光薄膜中，由于热激活延迟荧光材料在单分子状态时表现为局域态发射，不存在分子内电荷转移过程；分子聚集状态时出现分子间电荷转移，转变为激基复合物体系并具备热活化延迟荧光特性；这样的分子间电荷转移特性，使得其单重态和三重态之间的能级差极小，从而有效抑制了在聚集态下分子之间相互作用导致的三重态激子的淬灭，提高发光薄膜的发光效率；另外，由于该发光薄膜采
用热激活延迟荧光材料制备(非掺杂体系)，制备方法简单，且不存在主客体系中主体材料与客体材料相分离的问题，提升由发光薄膜制备的发光器件的器件稳定性，且其还具有低效率滚降的优点。
[0138]
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。