沉积系统和方法与流程

技术特征：
1.一种沉积方法，用以在一物理气相沉积室中将一材料从一靶材沉积到一基板上，其特征在于，该沉积方法包含：沉积该材料的一薄膜于一初始基板上；测量在多个位置的该初始基板上的该薄膜的一厚度；基于在所述多个位置的测量，决定该初始基板上的该薄膜的一平均厚度；决定所述多个位置中该薄膜的该厚度小于该薄膜的该平均厚度的至少一个位置；以及基于所决定的该至少一个位置将一信号传输到一第一磁性元件，该信号调整由该第一磁性元件提供的一磁场。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一磁性元件包含一永久磁铁和一电磁铁。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含倾斜该第一磁性元件以将该磁场施加到在所决定的该至少一个位置正上方的该靶材上的一区域。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：施加更多的电流于该第一磁性元件；以及增加在所决定的该至少一个位置正上方的该靶材上的一区域上的离子轰击的一规模。5.一种在一物理气相沉积室内将材料从一靶材沉积到一基板上的方法，其特征在于，该方法包含：测量在多个位置的该靶材的一厚度；基于在所述多个位置测量该靶材的该厚度来决定该靶材的一平均厚度；决定所述多个位置中该靶材的该厚度大于该靶材的该平均厚度的至少一个位置；以及使用所决定的该至少一个位置来调整一第一磁性元件的一取向。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，使用所决定的该至少一个位置来调节该第一磁性元件的该取向包含将该第一磁性元件的一磁场聚焦到所决定的该至少一个位置。7.一种沉积系统，其特征在于，包含：一基板处理室；一基板卡盘，在该基板处理室中；一靶材，环绕该基板处理室；以及一磁性元件的阵列，在该靶材上，该磁性元件的阵列中的多个磁性元件可共同地或单独地倾斜。8.根据权利要求7所述的沉积系统，其特征在于，在该磁性元件的阵列中的至少一个磁性元件包含一磁铁和耦合到该磁铁的一致动器。9.根据权利要求8所述的沉积系统，其特征在于，该致动器是一倾斜的致动器。10.根据权利要求7所述的沉积系统，其特征在于，在该磁性元件的阵列中的至少一个磁性元件包含一第一引导元件、一第三引导元件以及在该第一引导元件和该第三引导元件之间的一第二引导元件，其中，该第二引导元件包含一驱动机构和一磁铁。

技术总结
一种沉积系统和方法，本公开的沉积系统提供透过延长靶材替换间隔来降低溅镀制程成本的特征。沉积系统提供磁性元件的阵列，此磁性元件的阵列会产生磁场并基于靶材厚度测量数据来重新定向磁场。阵列中的至少一个磁性元件会倾斜以调节或改变磁场方向并使磁场聚焦在靶材的一个区域上，其中此区域具有比其他区域更多的靶材材料。因此，在此区域上会发生更多的离子(例如，氩离子)轰击，以在靶材表面上产生更均匀的侵蚀。生更均匀的侵蚀。生更均匀的侵蚀。


技术研发人员：郑文豪 朱玄之 陈彦羽 戴逸明
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.01.22
技术公布日：2021/10/22