Al合金蒸镀膜、显示器用配线膜、显示器装置及溅射靶材的制作方法

al合金蒸镀膜、显示器用配线膜、显示器装置及溅射靶材
技术领域
1.本发明涉及一种al合金蒸镀膜、显示器用配线膜、显示器装置及溅射靶材。


背景技术：

2.近年来，对轻量薄型、且携带性优异的显示器装置的需求不断提高。其中，在像素的开关中使用了薄膜晶体管(thin film transistor：tft)的有源矩阵型(active matrix type)的液晶显示器装置由于可应对高精度的画质或高速动画，而得到普及。另外，目前，对能够折叠的柔性显示器装置的需求也在提高，在企业、大学、研究机构等中正在进行开发。
3.用于柔性显示器装置的基板具有可挠性以可进行自由弯曲。作为在所述柔性显示器装置中使用的扫描线或信号线、tft的栅极电极、源极电极、漏极电极等配线的材料，采用al或al合金。对于所述配线，要求即使在反复弯曲的情况下也可抑制裂纹或断线的发生。
4.就此种观点而言，提出了如下技术：通过设置用于缓和弯曲显示器装置时产生的应力的应力缓和层，并将导电层层叠于此应力缓和层，来防止导电层的断裂(参照日本专利特开2007
‑
86771号公报)。
5.[现有技术文献]
[0006]
[专利文献]
[0007]
[专利文献1]日本专利特开2007
‑
86771号公报


技术实现要素：

[0008]
[发明所要解决的问题]
[0009]
然而，根据专利文献1记载的构成，无法提高导电层自身的耐弯曲性。另外，根据专利文献1记载的构成，需要另外设置与导电层不同的应力缓和层，因此零件数量增加，与显示器装置的薄型化的要求相反。
[0010]
本发明是基于所述情况而成，且其目的在于提供一种耐弯曲性优异的al合金蒸镀膜。另外，本发明的目的在于提供一种耐弯曲性优异的显示器用配线膜及包括所述显示器用配线膜的显示器装置。另外，本发明的目的在于提供一种能够制造耐弯曲性优异的al合金蒸镀膜的溅射靶材。
[0011]
[解决问题的技术手段]
[0012]
为了解决所述课题而完成的本发明的一个方式的al合金蒸镀膜含有al及al以外的其他金属元素，且进行1万次弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.1以下，并且进行10万次所述弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.3以下。
[0013]
所述al合金蒸镀膜含有al及al以外的其他金属元素，所述其他金属元素固溶于al或与al形成金属间化合物。对于所述al合金蒸镀膜，由于进行1万次弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.1以下，且进行10万次所述弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.3以下，因此耐弯曲性优异。
[0014]
所述其他金属元素为zr或zn，所述其他金属元素的含量为1.5atm％以上且6.0atm％以下即可。如此，通过所述其他金属元素为zr或zn，且所述其他金属元素的含量在所述范围内，可进一步提高所述al合金蒸镀膜的耐弯曲性。
[0015]
作为al晶粒的平均粒径，优选为20nm以上且150nm以下。如此，通过使al晶粒的平均粒径在所述范围内，可进一步提高所述al合金蒸镀膜的耐弯曲性。
[0016]
为了解决所述课题而完成的本发明的另一方式的显示器用配线膜包括所述al合金蒸镀膜。
[0017]
所述显示器用配线膜由于包括所述al合金蒸镀膜，因此耐弯曲性优异。
[0018]
为了解决所述课题而完成的本发明的另一方式的显示器装置包括所述配线膜。
[0019]
所述显示器装置由于包括所述配线膜，因此耐弯曲性优异。
[0020]
也可为：所述显示器装置包括层叠有所述配线膜的基板，并且所述配线膜的平均厚度相对于所述基板的平均厚度之比为0.005以上且0.05以下。如此，通过使所述配线膜的平均厚度相对于所述基板的平均厚度之比在所述范围内，容易提高耐弯曲性。
[0021]
为了解决所述课题而完成的本发明的另一方式的溅射靶材是al合金蒸镀膜形成用的溅射靶材，其含有al及al以外的其他金属元素，且所述al合金蒸镀膜进行1万次弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.1以下，且所述al合金蒸镀膜进行10万次所述弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.3以下。
[0022]
所述溅射靶材可制造耐弯曲性优异的所述al合金蒸镀膜。
[0023]
再者，在本发明中，所谓“弯曲试验”是指以曲率半径1mm，依据国际电工委员会(international electrotechnical commission，iec)62715
‑6‑
1进行的试验。
[0024]
[发明的效果]
[0025]
如以上所说明般，本发明的一个方式的al合金蒸镀膜、以及另一方式的显示器用配线膜及显示器装置的耐弯曲性优异。另外，本发明的另一方式的溅射靶材可制造耐弯曲性优异的al合金蒸镀膜。
附图说明
[0026]
图1是表示本发明的一实施方式的al合金蒸镀膜层叠在基板上的状态的示意剖面图。
[0027]
图2是表示本发明的一实施方式的al合金蒸镀膜的制造方法的流程图。
[0028]
图3是表示no.1～no.4的蒸镀膜的弯曲次数与电阻率的关系的图表。
[0029]
[符号的说明]
[0030]
1：al合金蒸镀膜
[0031]
10：基板
[0032]
s1：形成工序
[0033]
s2：热处理工序。
具体实施方式
[0034]
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。
[0035]
[al合金蒸镀膜]
[0036]
如图1所示，所述al(铝)合金蒸镀膜1例如设置在具有可挠性的基板10的表面。所述al合金蒸镀膜1可直接层叠在基板10上，也可经由其他层而层叠在基板10上。所述al合金蒸镀膜1含有al及al以外的其他金属元素。关于所述al合金蒸镀膜1，进行1万次弯曲试验后的电阻率ρ1相对于进行所述弯曲试验前的电阻率ρ0之比(ρ1/ρ0)为1.1以下，且进行10万次所述弯曲试验后的电阻率ρ10相对于进行所述弯曲试验前的电阻率ρ0之比(ρ10/ρ0)为1.3以下。
[0037]
所述al合金蒸镀膜1含有al及所述其他金属元素，剩余部分包含不可避免的杂质。
[0038]
本发明人等人为了提供一种可用于具有可挠性、可自由弯曲的柔性显示器装置的金属配线用、即使对于反复的弯曲也可抑制电阻率的上升或断线的al合金膜，进行了深入研究。其结果，发现含有al及al以外的其他金属、且剩余部分包含不可避免的杂质的al合金蒸镀膜即使在反复弯曲的情况下也可抑制电阻率的上升或断线。
[0039]
所述al合金蒸镀膜1例如经过400℃以上且500℃以下的热处理而形成。所述热处理例如也可由在tft的制造工艺中实施的热处理来兼用。作为在tft的制造工艺中实施的热处理，例如可列举用于非晶硅的结晶化的退火处理、用于形成低电阻的多晶硅层的活性化热处理等。这些热处理优选在真空下或惰性气体环境下进行。作为所述热处理时间，例如可设为10分钟以上且5小时以下。
[0040]
作为所述其他元素，优选zr(锆)或zn(锌)。所述al合金蒸镀膜1也可还含有zr及zn以外的金属元素作为所述其他金属元素。另外，所述al合金蒸镀膜1也可同时含有zr及zn作为所述其他金属元素。但是，所述al合金蒸镀膜1优选仅含有zr及zn中的任一种作为所述其他金属元素。作为所述al合金蒸镀膜1中的所述其他元素的含量，优选为1.5atm％以上且6.0atm％以下。
[0041]
在所述其他元素为zr的情况下，所述al合金蒸镀膜1含有al晶粒、及al与zr的金属间化合物。即，所述al合金蒸镀膜1通过所述热处理而析出al与zr的金属间化合物。另外，所述al合金蒸镀膜1通过所述热处理使al晶粒微细化。所述al合金蒸镀膜1通过使al晶粒微细化、且析出所述金属间化合物，可抑制由弯曲引起的裂纹的产生及电阻率的上升。
[0042]
al与zr的金属间化合物在al晶粒的晶界析出。所述金属间化合物促进al晶粒的微细化，并且抑制裂纹的发展。另外，与zr固溶的情况相比，所述金属间化合物提高所述al合金蒸镀膜1的可挠性。
[0043]
在所述其他元素为zr的情况下，作为al晶粒的平均粒径的上限，优选为150nm，更优选为130nm。另一方面，作为所述平均粒径的下限，优选为20nm，更优选为50nm，进而优选为70nm，特别优选为100nm。所述金属间化合物的析出量越增加，所述平均粒径处于越变小的倾向。在所述平均粒径超过所述上限的情况下，所述金属间化合物的析出量变得不充分，因此容易因弯曲而产生裂纹，电阻率有可能变高。相反，在所述平均粒径小于所述下限的情况下，所述金属间化合物的析出量变得过多，所述al合金蒸镀膜1的可挠性有可能变得不充分、或裂纹可发展的晶界有可能过度增加。其结果，在反复弯曲的情况下，所述al合金蒸镀膜1有可能断裂。再者，“al晶粒的平均粒径”是指将使用扫描型电子显微镜(scanning electron microscope，sem)对任意提取的10个al晶粒进行观察的观察面中的最大粒径进行平均而得的值。
[0044]
在所述其他元素为zr的情况下，作为所述al合金蒸镀膜1中的zr的含量的下限，更优选为2.5atm％，进而优选为3.5atm％。另一方面，作为所述含量的上限，更优选为5.0atm％，进而优选为4.5atm％。若所述含量小于所述下限，则所述金属间化合物的析出量变得不充分，并且无法使al晶粒充分微细化，有可能无法充分抑制由弯曲引起的裂纹的产生。相反，若所述含量超过所述上限，则所述金属间化合物的析出量变得过多，有可能所述al合金蒸镀膜1的可挠性降低。其结果，在反复弯曲的情况下，所述al合金蒸镀膜1有可能断裂。
[0045]
在所述其他元素为zn的情况下，所述al合金蒸镀膜1通过所述热处理使al晶粒微细化。另外，在所述其他元素为zn的情况下，zn在al中固溶。即，zn不与al形成金属间化合物。通常，若在al中固溶其他金属元素，则蒸镀膜的可挠性降低，耐弯曲性降低。与此相对，本发明人等人获得如下见解：在所述其他元素为zn、且所述zn固溶于al中的情况下，可与预想相反地提高蒸镀膜的耐弯曲性。
[0046]
在所述其他元素为zn的情况下，作为al晶粒的平均粒径的上限，优选为150nm，更优选为100nm，进而优选为60nm。另一方面，作为所述平均粒径的下限，优选为20nm，更优选为30nm。若所述平均粒径超过所述上限，则容易因弯曲而产生裂纹，电阻率有可能变高。相反，若所述平均粒径小于所述下限，则在反复弯曲的情况下，所述al合金蒸镀膜1有可能断裂。
[0047]
在所述其他元素为zn的情况下，作为所述al合金蒸镀膜1中的zn的含量的下限，更优选为2.0atm％，进而优选为2.5atm％。另一方面，作为所述含量的上限，更优选为5.0atm％，进而优选为4.0atm％。若所述含量小于所述下限，则有可能无法充分抑制由弯曲引起的裂纹的产生。相反，若所述含量超过所述上限，则所述al合金蒸镀膜1的可挠性有可能降低，其结果，在反复弯曲的情况下，所述al合金蒸镀膜1有可能断裂。
[0048]
关于所述al合金蒸镀膜1，如上所述，进行1万次所述弯曲试验后的电阻率ρ1相对于进行所述弯曲试验前的电阻率ρ0之比(ρ1/ρ0)为1.1以下。作为所述电阻率之比(ρ1/ρ0)的上限，优选为1.05。所述电阻率之比(ρ1/ρ0)例如由于在所述al合金蒸镀膜1上产生裂纹而变高。因此，所述电阻率之比(ρ1/ρ0)成为所述al合金蒸镀膜1的耐弯曲性的指标。若所述电阻率之比(ρ1/ρ0)超过所述上限，则使所述al合金蒸镀膜1反复弯曲时的耐弯曲性有可能不充分。再者，作为所述电阻率之比(ρ1/ρ0)的下限，例如可设为1.00。
[0049]
关于所述al合金蒸镀膜1，如上所述进行10万次所述弯曲试验后的电阻率ρ10相对于进行所述弯曲试验前的电阻率ρ0之比(ρ10/ρ0)为1.3以下。作为所述电阻率之比(ρ10/ρ0)的上限，优选为1.2。若所述电阻率之比(ρ10/ρ0)超过所述上限，则使所述al合金蒸镀膜1反复弯曲时的耐弯曲性有可能不充分。再者，作为所述电阻率之比(ρ10/ρ0)的下限，并无特别限定，例如可设为1.00。
[0050]
作为所述al合金蒸镀膜1进行10万次所述弯曲试验后的电阻率ρ10相对于进行1万次所述弯曲试验后的电阻率ρ1之比(ρ10/ρ1)的上限，优选为1.3，更优选为1.2。若所述电阻率之比(ρ10/ρ1)超过所述上限，则在使所述al合金蒸镀膜1反复弯曲的情况下，耐弯曲性有可能急剧降低。再者，作为所述电阻率之比(ρ10/ρ1)的下限，并无特别限定，例如可设为1.00。
[0051]
作为所述al合金蒸镀膜1的平均厚度的下限，优选为50nm，更优选为100nm。另一方
面，作为所述平均厚度的上限，优选为1000nm，更优选为600nm，进而优选为400nm。若所述平均厚度超过所述上限，则所述al合金蒸镀膜1有可能不必要地变厚，并且所述al合金蒸镀膜1的制造成本有可能变高。相反，若所述平均厚度小于所述下限，则有可能难以充分增大所述al合金蒸镀膜1的耐弯曲性。另外，若所述平均厚度小于所述下限，则所述al合金蒸镀膜1的耐热性有可能不充分、电阻率有可能变高。再者，在本说明书中，“平均厚度”是指任意5点的厚度的平均值。
[0052]
作为所述不可避免的杂质，例如可列举fe(铁)、si(硅)、b(硼)等。作为所述不可避免的杂质的总含量的上限，并无特别限定，例如可设为0.5atm％。作为各不可避免的杂质的含量的上限，例如fe及si可分别设为0.12atm％，b可设为0.012atm％。所述不可避免的杂质只要在不妨碍本发明的效果的范围内，除了不可避免地含有的情况以外，也可以主动添加。
[0053]
(基板)
[0054]
基板10具有可挠性。基板10例如以合成树脂为主要成分。作为所述合成树脂，例如可列举聚酰亚胺。
[0055]
＜优点＞
[0056]
所述al合金蒸镀膜1含有al及al以外的其他金属元素，且进行1万次所述弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比、以及进行10万次所述弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比均在所述范围内，因此耐弯曲性优异。
[0057]
[显示器用配线膜]
[0058]
所述显示器用配线膜例如通过对所述al合金蒸镀膜1进行图案化而形成。
[0059]
所述显示器用配线膜用于显示器装置所包括的各种配线。所述显示器用配线适合用作柔性显示器装置用的配线。所述显示器用配线膜例如在所述其他元素为zr的情况下，更优选用作在制造工艺中实施热处理的扫描线。根据此构成，利用制造工艺中的热处理，可容易且可靠地析出所述金属间化合物。另一方面，所述显示器用配线膜在所述其他元素为zn的情况下，适合用于扫描线、信号线、源极电极、漏极电极、栅极电极等各种配线用途。
[0060]
所述显示器用配线膜由于包括所述al合金蒸镀膜1，因此耐弯曲性优异。
[0061]
[显示器装置]
[0062]
所述显示器装置包括所述显示器用配线膜。所述显示器装置例如是使用tft的柔性液晶显示器装置。但是，在所述显示器装置是柔性显示器装置的情况下，作为此柔性显示器装置，不限于所述柔性液晶显示器装置，也可以是柔性有机电致发光(electro luminescence，el)显示器装置等液晶显示器装置以外的柔性显示器装置。
[0063]
所述显示器装置包括基板10、及在基板10上将al合金蒸镀膜1图案化而成的配线膜(显示器用配线膜)。作为所述配线膜的平均厚度相对于基板10的平均厚度之比的下限，优选为0.005，更优选为0.006。另一方面，作为所述比的上限，优选为0.05，更优选为0.03。若所述比小于所述下限，则在反复弯曲的情况下断线的可能性提高。相反，若所述比超过所述上限，则配线的内部应力过高，有可能导致配线破裂或剥离、基板10的弯曲。
[0064]
所述显示器装置由于包括所述显示器用配线膜，因此耐弯曲性优异。
[0065]
[溅射靶材]
[0066]
所述溅射靶材用于所述al合金蒸镀膜的形成。所述溅射靶材含有al及al以外的其他金属元素。关于所述溅射靶材，所述al合金蒸镀膜进行1万次弯曲试验后的电阻率相对于
进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.1以下，并且所述al合金蒸镀膜进行10万次所述弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.3以下。
[0067]
作为所述其他金属元素，优选为zr或zn。作为所述溅射靶材中的zr的含量，可设为与图1的al合金蒸镀膜1中的zr的含量相同。作为所述溅射靶材中的zn的含量，可设为与图1的al合金蒸镀膜1中的zn的含量相同。所述溅射靶材中，al及所述其他金属元素以外的剩余部分包含不可避免的杂质。作为所述不可避免的杂质，可列举与图1的al合金蒸镀膜1中的不可避免的杂质相同的杂质。另外，作为这些不可避免的杂质的含量，可设为与图1的al合金蒸镀膜1相同。
[0068]
所述溅射靶材的形状可设为方形板状、圆形板状、圆筒板状等与溅射装置的结构对应的任意形状。作为所述溅射靶材的制造方法，可列举通过熔解铸造法、粉末烧结法、喷雾成形法等制造包含al基合金的锭而得到的方法、或制造包含al基合金的预成形件(preform)后，使此预成形件致密化而得到的方法等。
[0069]
所述溅射靶材适于制造耐弯曲性优异的所述al合金蒸镀膜1。
[0070]
[al合金蒸镀膜的制造方法]
[0071]
接着，参照图2说明图1的al合金蒸镀膜1的制造方法的一例。所述al合金蒸镀膜的制造方法包括：形成包含al及al以外的其他金属元素的蒸镀膜的工序(形成工序s1)、及对在此形成工序s1中形成的蒸镀膜进行热处理的工序(热处理工序s2)。
[0072]
(形成工序)
[0073]
在形成工序s1中，在基板10的表面形成蒸镀膜。形成工序s1也可通过例如离子镀法、电子束蒸镀法、真空蒸镀法等进行。但是，就可容易地提高蒸镀膜中的成分的均匀分散性或膜厚的均匀性的观点而言，优选为通过使用所述溅射靶材的溅射法进行形成工序s1。
[0074]
作为溅射时的成膜条件，并无特别限定，例如可采用以下的条件。
[0075]
基板温度：室温以上且50℃以下
[0076]
到达真空度：1
×
10
‑5torr(托)以下(1
×
10
‑3pa以下)
[0077]
成膜时的气压：0.1pa以上且1.0pa以下，氧分压：1％以上且50％以下
[0078]
直流(direct current，dc)溅射功率密度(靶的每单位面积的dc溅射功率)：1.0w/cm2以上且20w/cm2以下
[0079]
(热处理工序)
[0080]
在热处理工序s2中，在400℃以上且500℃以下的环境温度下对形成工序s1中形成的蒸镀膜进行热处理。所述al合金蒸镀膜1的制造方法通过热处理工序s2实现al晶粒的微细化。另外，在热处理工序s2中，在所述其他金属元素为zr的情况下，使al与zr的金属间化合物析出。
[0081]
作为热处理工序s2中的热处理时间的下限，优选为10分钟，更优选为30分钟。另一方面，作为所述热处理时间的上限，优选为5小时，更优选为2小时。若所述热处理时间小于所述下限，则al晶粒的微细化有可能无法充分进行。另外，若所述热处理时间小于上述下限，则在所述其他金属元素为zr的情况下，所述金属间化合物的析出有可能无法充分地进行。相反，若所述热处理时间超过所述上限，则al晶粒的微细化及所述金属间化合物的析出有可能过度进行、或层叠有所述al合金蒸镀膜1的基板10有可能劣化。
[0082]
在所述al合金蒸镀膜的制造方法中，热处理工序s2后的蒸镀膜构成为所述al合金
蒸镀膜1。
[0083]
热处理工序s2后的蒸镀膜的进行1万次弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.1以下。另外，热处理工序s2后的蒸镀膜的进行10万次弯曲试验后的电阻率相对于进行所述弯曲试验前的电阻率之比为1.3以下。
[0084]
所述al合金蒸镀膜的制造方法可制造耐弯曲性优异的所述al合金蒸镀膜1。
[0085]
[其他实施方式]
[0086]
所述实施方式并不限定本发明的构成。因此，所述实施方式可基于本说明书的记载及技术常识来省略、替换或追加所述实施方式的各部分的构成要素，这些都应解释为全部属于本发明的范围。
[0087]
[实施例]
[0088]
以下，基于实施例对本发明进行详述，然而本发明并不基于所述实施例而被限定性解释。
[0089]
(样品的制作)
[0090]
在厚度38μm的聚酰亚胺基板的表面形成具有表1的组成的平均厚度250nm的蒸镀膜。所述蒸镀膜通过dc磁控溅射法形成。所述dc磁控溅射法使用氩气作为环境气体，在压力2mtorr、基板温度25℃(室温)下进行。作为溅射靶材，使用al靶材、以及在al靶材上载置有zr芯片、zn芯片或mg芯片的靶材。通过x射线荧光光谱法(x
‑
ray fluorescence spectrometry，xrf)(荧光x射线分析法)求出蒸镀膜中的各金属元素的含量。对于得到的蒸镀膜，通过光刻法将电极图案图案化。所述电极图案设为如下构成：具有长度70mm且宽度1.0mm的配线部分、及配置在此配线部分的两端的作为电连接点的5mm见方的一对电极焊盘。进而，对图案化后的蒸镀膜在450℃的环境下实施1小时热处理，得到no.1～no.4的样品。no.1～no.4的样品中的al晶粒的平均粒径如表1所示。这些平均粒径通过使用扫描型电子显微镜(scanning electron microscope，sem)对任意提取的10个al晶粒进行观察的观察面中的最大粒径进行平均而求出。
[0091]
[表1]
[0092][0093]
＜金属间化合物的析出＞
[0094]
对于no.1～no.4的样品，用以下方法调查有无金属间化合物的析出。首先，在厚度38μm的聚酰亚胺基板的表面以与所述同样的顺序层叠具有与no.1～no.4相同组成的厚度1000nm的蒸镀膜，制作与no.1～no.4对应的试验片。接着，对于这些试验片，使用理学(rigaku)股份有限公司制的水平型x射线衍射装置“智能试验室(smartlab)”，在以下的测定条件下进行x射线衍射测定，调查有无金属间化合物的析出。其测定结果如表2所示。再者，在表2中，用“a”表示金属间化合物析出的情况，用“b”表示金属间化合物未析出的情况。
[0095]
靶材：cu
[0096]
单色化：使用单色计(kα)
[0097]
靶材输出：45kv
‑
200ma
[0098]
(通常测定)：θ/2θ扫描
[0099]
发散狭缝：2/3
°
[0100]
散射狭缝：2/3
°
[0101]
受光狭缝：0.6mm
[0102]
扫描速度：1
°
/分
[0103]
采样宽度：0.02
°
[0104]
＜弯曲试验＞
[0105]
对于no.1～no.4的样品，使用汤浅系统(yuasa system)设备股份有限公司制的多功能版小型桌上型耐久试验机“dldm111lh”，根据iec62715
‑6‑
1，以曲率半径r＝1mm、弯曲速度90次/分钟，按照蒸镀膜以内面侧相向的方式进行无负荷u字伸缩试验。此弯曲试验反复进行至10万次。
[0106]
＜电阻率的测定＞
[0107]
在所述弯曲试验中的弯曲前、以及弯曲次数1000次后、5000次后、1万次后、10万次后，监测电极焊盘间的直流电阻。此电阻率的测定使用爱德万(advantest)公司制的高电阻测定系统“r8340”进行。电阻率仅使用得到的i
‑
v特性的线性部分进行测定。对于各样品，弯曲次数1000次后、5000次后、1万次后及10万次后的电阻率相对于进行弯曲试验前的电阻率之比在图3中示出。另外，对于各样品，进行1万次弯曲试验后的电阻率ρ1相对于进行所述弯曲试验前的电阻率ρ0之比(ρ1/ρ0)、以及进行10万次所述弯曲试验后的电阻率ρ10相对于进行所述弯曲试验前的电阻率ρ0之比(ρ10/ρ0)在表2中示出。
[0108]
[表2]
[0109][0110]
＜评价结果＞
[0111]
如图3及表2所示，对于no.3及no.4，进行1万次弯曲试验后的电阻率比进行弯曲试验前的电阻率高。与此相对，对于no.1及no.2，进行1万次弯曲试验后的电阻率相对于进行弯曲试验前并未上升。另外，对于no.1及no.2，进行10万次弯曲试验后的电阻率相对于进行弯曲试验前的电阻率之比低于no.3及no.4。此外，no.1及no.2进行10万次弯曲试验后的电阻率相对于进行1万次所述弯曲试验后的电阻率之比小于no.3及no.4。由此可知，no.1及no.2与no.3及no.4相比，反复弯曲时的耐弯曲性优异。
[0112]
对于no.1，认为适度地析出金属间化合物，且适度地实现al晶粒的微细化，因此利
用所述金属间化合物的裂纹发展防止功能及蒸镀膜的可挠性均变得优异，电阻率被抑制得较低。即，认为裂纹虽然沿着al晶粒的晶界发展，但该发展通过所述金属间化合物防止，并且通过适度地抑制所述金属间化合物的析出量，可充分地提高蒸镀膜的可挠性，结果电阻率被抑制得低。
[0113]
另一方面，对于no.2，由于未析出金属间化合物，因此预想显示出与no.3及no.4相同程度的电阻率。但是，与此预想相反，在以规定的比例含有zn作为其他金属元素的情况下，即使在反复进行弯曲试验的情况下，也可充分抑制电阻率的上升，可得到优异的耐弯曲性。
[0114]
[产业上的可利用性]
[0115]
如上所述，本发明的一个方式的al合金蒸镀膜适合作为柔性显示器用的配线膜。