具有支石墓结构的半导体装置的制造方法及支撑片的制造方法与流程

技术特征：
1.一种支撑片的制造方法，其为具有支石墓结构的半导体装置的制造中所使用的支撑片的制造方法，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于所述基板上；多个支撑片，配置于所述基板上且所述第一芯片的周围；以及第二芯片，由所述多个支撑片支撑且配置成覆盖所述第一芯片，所述支撑片的制造方法包括：(a)准备依次具备基材膜、压敏胶粘层、及支撑片形成用膜的层叠膜的工序；(b)通过将所述支撑片形成用膜单片化，而在所述压敏胶粘层的表面上形成多个支撑片的工序；以及(c)在通过多个针从所述基材膜侧上推所述支撑片的状态下拾取所述支撑片的工序，所述支撑片形成用膜为由热固性树脂层形成的膜、或为由使热固性树脂层中的至少一部分固化而成的层形成的膜、或者为具有热固性树脂层、以及比该热固性树脂层具有更高刚性的树脂层或金属层的多层膜。2.一种支撑片的制造方法，其为具有支石墓结构的半导体装置的制造中所使用的支撑片的制造方法，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于所述基板上；多个支撑片，配置于所述基板上且所述第一芯片的周围；以及第二芯片，由所述多个支撑片支撑且配置成覆盖所述第一芯片，所述支撑片的制造方法包括：(a)准备依次具备基材膜、压敏胶粘层、及支撑片形成用膜的层叠膜的工序；(b)通过将所述支撑片形成用膜单片化，而在所述压敏胶粘层的表面上形成多个支撑片的工序；以及(c)在通过具有平坦的前端面的部件从所述基材膜侧上推所述支撑片的状态下拾取所述支撑片的工序，所述支撑片形成用膜为由热固性树脂层形成的膜、或为由使热固性树脂层中的至少一部分固化而成的层形成的膜、或者为具有热固性树脂层、以及比该热固性树脂层具有更高刚性的树脂层或金属层的多层膜。3.根据权利要求1或2所述的支撑片的制造方法，其中，所述树脂层为聚酰亚胺层。4.根据权利要求1或2所述的支撑片的制造方法，其中，所述金属层为铜层或铝层。5.根据权利要求1或2所述的支撑片的制造方法，其中，所述支撑片形成用膜为由热固性树脂层形成的膜、或者为由使热固性树脂层中的至少一部分固化而成的层形成的膜，(b)工序依次包括：将切口形成至所述支撑片形成用膜的厚度方向的中途的工序；及通过扩展而将冷却状态的所述支撑片形成用膜单片化的工序。6.根据权利要求1至4中任一项所述的支撑片的制造方法，其中，所述支撑片形成用膜是具有热固性树脂层、以及比该热固性树脂层具有更高刚性的树脂层或金属层的多层膜，且在所述层叠膜中，所述热固性树脂层位于所述树脂层或所述金属层与所述压敏胶粘层之间，(b)工序依次包括：切断所述支撑片形成用膜的所述树脂层或所述金属层并且将切口
形成至所述热固性树脂层的厚度方向的中途的工序；及通过扩展而将冷却状态的所述支撑片形成用膜单片化的工序。7.根据权利要求1至6中任一项所述的支撑片的制造方法，其中，所述压敏胶粘层为感压型。8.根据权利要求1至6中任一项所述的支撑片的制造方法，其中，所述压敏胶粘层为紫外线固化型。9.一种半导体装置的制造方法，其为具有支石墓结构的半导体装置的制造方法，所述半导体装置包括：基板；第一芯片，配置于所述基板上；多个支撑片，配置于所述基板上且所述第一芯片的周围；以及第二芯片，由所述多个支撑片支撑且配置成覆盖所述第一芯片，所述半导体装置的制造方法包括：(d)在基板上配置第一芯片的工序；(e)在所述基板上且所述第一芯片的周围或应配置所述第一芯片的区域的周围，配置根据权利要求1至8中任一项所述的支撑片的制造方法而制造的多个所述支撑片的工序；(f)准备带粘合剂片的芯片的工序，所述带粘合剂片的芯片具备第二芯片、及设置在所述第二芯片的一个面上的粘合剂片；以及(g)通过在多个所述支撑片的表面上配置所述带粘合剂片的芯片来构筑支石墓结构的工序。

技术总结
本发明的一个方面是一种半导体装置的支石墓结构的形成中所使用的支撑片的制造方法，其包括：(A)准备层叠膜的工序，所述层叠膜依次具备：基材膜、压敏胶粘层、及由例如热固性树脂层形成的支撑片形成用膜；(B)通过将支撑片形成用膜单片化，而在压敏胶粘层的表面上形成多个支撑片的工序；以及(C)在利用多个针或具有平坦的前端面的部件从基材膜侧上推支撑片的状态下拾取支撑片的工序。状态下拾取支撑片的工序。状态下拾取支撑片的工序。


技术研发人员：板垣圭 尾崎義信 谷口纮平 桥本慎太郎 矢羽田达也
受保护的技术使用者：昭和电工材料株式会社
技术研发日：2020.04.24
技术公布日：2021/10/29