集成式容栅传感器的制作方法

技术特征：
1.一种集成式容栅传感器，其特征在于，包括：容栅结构与测量电路；所述测量电路形成在芯片的第一面；所述容栅结构形成于所述芯片的第二面，所述容栅结构与所述测量电路电性连接。2.根据权利要求1所述的集成式容栅传感器，其特征在于，所述容栅结构包括发射极板和反射极板；所述集成式容栅传感器还包括接收极板。3.根据权利要求1所述的集成式容栅传感器，其特征在于，所述集成式容栅传感器采用集成电路工艺实现。4.根据权利要求1或2所述的集成式容栅传感器，其特征在于，所述容栅结构与所述测量电路之间采用集成电路制造工艺中的硅通孔或芯片尺寸封装中的t型接触实现互连。5.根据权利要求4所述的集成式容栅传感器，其特征在于，所述容栅结构采用采用重布线层技术形成在所述芯片的第二面。6.根据权利要求2所述的集成式容栅传感器，其特征在于，所述发射极板和所述接收极板位于同一平面，且相互平行。7.根据权利要求2所述的集成式容栅传感器，其特征在于，所述发射极板包括若干细条状的发射子极板，所述发射子极板沿着其宽度方向平行等距排布。8.根据权利要求7所述的集成式容栅传感器，其特征在于，所述反射极板包括若干反射子极板，所述反射子极板沿着其宽度方向等距排布，且每一所述反射子极板的宽度等于k个相邻所述发射子极板的最外侧两边之间的宽度，其中，k为2n，n为自然数。9.根据权利要求2所述的集成式容栅传感器，其特征在于，所述接收极板与所述反射极板耦合产生电荷，输出所述容栅传感器的信号。10.根据权利要求2所述的集成式容栅传感器，其特征在于，所述反射极板与所述发射极板平行相对，中间填充绝缘介质，所述绝缘介质为空气、二氧化硅或氮化硅。11.根据权利要求1所述的集成式容栅传感器，其特征在于，所述测量电路包括：输入信号产生单元，适于提供n路具有固定相位差的输入信号给所述容栅结构；基准信号产生单元，适于提供基准信号给鉴相计数器；鉴相计数器，适于比较所述基准信号和所述容栅结构经放大整形后的输出信号，输出量化后的相位差信号；数字逻辑运算及信号输出单元，适于接受所述鉴相计数器量化后的相位差信号，并通过数字计算与位移值一一对应，输出所述容栅传感器的测量值。

技术总结
本实用新型提供了一种集成式容栅传感器，包括：容栅结构与测量电路；所述测量电路形成在芯片的第一面；所述容栅结构形成于所述芯片的第二面，所述容栅结构与所述测量电路电性连接。本实用新型所提供的集成式容栅传感器中发射极板的最小栅宽由集成电路工艺决定，可以实现较高的高精度。现较高的高精度。现较高的高精度。


技术研发人员：李怀兆 王茂林
受保护的技术使用者：格科微电子（上海）有限公司
技术研发日：2020.11.26
技术公布日：2021/10/29