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用于蚀刻反应器的涡轮分子泵和阴极组件的制作方法

2021-10-29 22:28:00 来源:中国专利 TAG:涡轮 优先权 分子 半导体 制造设备

技术特征:
1.一种处理室系统,其包括:处理室,其包括:气体端口,其用于将气体引导至所述处理室的上部区域中;以及台架,其设置在所述处理室内、所述气体端口下;以及泵,其配置在所述处理室的下部区域处以将所述气体从所述处理室移除,所述泵包括芯部,所述芯部具有设置在其中的通道,其中所述台架包括被配置成保持衬底的卡盘和从所述卡盘延伸的杆部,所述杆部被配置成穿过所述芯部中的所述通道。2.根据权利要求1所述的处理室系统,其中:所述处理室的所述下部区域具有开口,所述开口被配置成与所述通道对准并且容纳所述杆部,以及一或多个螺旋沟槽形成在与所述芯部的内表面相对的所述杆部中,每个螺旋沟槽具有提供泵抽作用以抵销所述气体在介于所述杆部与所述芯部之间的间隙内从所述泵的排气口至所述处理室的回流的尺寸。3.根据权利要求1所述的处理室系统,其中:所述处理室的所述下部区域具有开口,所述开口被配置成与所述通道对准并且容纳所述杆部,以及一或多个螺旋沟槽形成在与所述芯部的内表面中,每个螺旋沟槽具有提供泵抽作用以抵销所述气体在介于所述杆部与所述芯部之间的间隙内以中间且粘性流动的状态从所述泵的排气口至所述处理室的回流的尺寸。4.根据权利要求1所述的处理室系统,其中:所述台架相对于所述气体端口对称地设置在所述处理室内,所述泵的所述芯部与所述杆部在所述气体端口下方沿着中心线对准。5.根据权利要求1所述的处理室系统,其中:所述处理室的侧壁具有开口,所述衬底被配置成在蚀刻之前将所述衬底装载至所述卡盘上以及在蚀刻之后将所述衬底从所述卡盘卸除期间通过所述开口。6.根据权利要求5所述的处理室系统,其中:所述台架能在下部位置与上部位置之间移动,在所述下部位置处能够将所述衬底装载至所述台架上或从所述台架卸除,在所述上部位置处将所述衬底定位以进行处理。7.根据权利要求6所述的处理室系统,其还包括:泵筛网,其设置在所述处理室中,所述泵筛网具有开口,所述台架当位于所述上部位置中时被设置成通过所述开口。8.根据权利要求7所述的处理室系统,其中:位于所述泵筛网内的所述开口是能调整的。9.根据权利要求8所述的处理室系统,其中:所述泵筛网由重叠的条板形成,所述开口通过调整至少一对条板之间的重叠度来进行调整。10.根据权利要求1所述的处理室系统,其中:所述处理室的所述下部区域具有开口,所述开口被配置成与所述通道对准并容纳所述
杆部,以及密封件围绕着所述泵的所述芯部以及所述台架的所述杆部而设置,所述密封件被配置成密封所述芯部中的所述通道。11.根据权利要求1所述的处理室系统,其还包括:行进停止件,其被配置成限制所述台架朝向所述泵的移动。12.根据权利要求11所述的处理室系统,其中:所述行进停止件具有设置在其中的孔洞,所述孔洞的尺寸被设计成使得所述卡盘的下部能从其中穿过,然而阻挡所述卡盘的上部。13.根据权利要求11所述的处理室系统,其还包括:室密封件,其设置在所述行进停止件或所述卡盘的下部中的一者上的沟槽中,所述室密封件被配置成将所述处理室的所述上部区域与所述处理室的所述下部区域隔离,使得在所述处理室的所述上部区域和所述下部区域中的压强彼此隔离,其中所述处理室的所述上部区域在所述行进停止件上方,而所述处理室的所述下部区域在所述行进停止件下方。14.一种处理室,其包括:气体端口,其用于将气体引导至所述处理室的上部区域中;台架,其设置在所述气体端口下,所述台架包括被配置成保持衬底的卡盘和从所述卡盘延伸的杆部;以及行进停止件,其被配置成控制所述台架朝向泵的移动。15.根据权利要求14所述的处理室,其还包括:室密封件,其设置在所述行进停止件或所述卡盘的下部中的一者上的沟槽中,所述室密封件被配置成将所述处理室的所述上部区域与所述处理室的所述下部区域隔离,使得在所述处理室的所述上部区域和所述下部区域中的压强是独立的,其中所述处理室的所述上部区域在所述行进停止件上方,而所述处理室的所述下部区域在所述行进停止件下方。16.根据权利要求14所述的处理室,其中:泵附接至所述处理室以从所述处理室移除所述气体,所述泵包括芯部,所述芯部具有设置在其中的通道,所述杆部穿过所述芯部内的所述通道,以及一或多个螺旋沟槽形成在与所述芯部的内表面相对的所述杆部中,且所述芯部的所述内表面是平面的,或一或多个螺旋沟槽形成在所述芯部的所述内表面中,且与所述芯部的所述内表面相对的所述杆部的表面是平面的,每个螺旋沟槽具有提供泵抽作用以抵销所述气体在介于所述杆部与所述芯部之间的间隙内以中间且粘性流动的状态从所述泵的排气口至所述处理室的回流的尺寸。17.根据权利要求14所述的处理室,其中:所述处理室的侧壁具有开口,所述衬底被配置成在蚀刻之前将所述衬底装载至所述卡盘上以及在蚀刻之后将所述衬底从所述卡盘卸除期间通过所述开口,所述台架能在第一位置与第二位置之间移动,在所述第一位置处能够将所述衬底装载至所述台架上或从所述台架卸除,在所述第二位置处将所述衬底定位以进行处理,以及泵筛网,其设置在所述处理室中,所述泵筛网具有能调整的开口,所述台架当位于所述第一位置中时被设置成通过所述能调整的开口。
18.一种泵的设备,所述设备包括:转子层级,每个转子层级包括转子叶片,所述转子叶片被配置成随着所述转子层级的旋转而旋转;定子层级,每个定子层级包括定子叶片,所述定子叶片被配置成随着所述定子层级的旋转而保持静止,所述定子叶片被设置成与所述转子叶片的角度不同的角度,所述定子层级与所述转子层级互相交错;以及圆柱芯部,所述转子层级与所述定子层级从所述圆柱芯部延伸,所述圆柱芯部的中央具有竖直穿过其中而设置的通道,所述通道具有直径,所述直径的尺寸被设计成容纳处理室台架的杆部,衬底被维持在所述处理室台架的所述杆部上的卡盘上,所述杆部从所述卡盘延伸。19.根据权利要求18所述的设备,其还包括:一个或多个螺旋沟槽,其形成在所述圆柱芯部的内表面中,每个螺旋沟槽具有提供泵抽作用以在将所述杆部设置在所述圆柱芯部内时抵销气体在介于所述杆部与所述圆柱芯部之间的间隙内以中间且粘性流动的状态从所述泵的排气口进行的回流的尺寸。20.根据权利要求18所述的设备,其中:所述泵不具有覆盖所述泵的入口并保护所述泵免受较高压环境影响的阀门。

技术总结
提供了一种蚀刻半导体衬底的处理室和方法。该处理室是对称的,其中用于保持半导体衬底的台架的卡盘和杆部的中心线与位于泵的芯部中的通道的中心线以及与气体端口的中心线对准,该泵用于将处理室抽气,而气体通过该气体端口而被引导至处理室。杆部延伸穿过通道,且螺旋沟槽被形成在通道中且仅形成在杆部或芯部的内表面中的一者中,以提供泵抽作用,以抵销气体在介于杆部与芯部之间的间隙内以中间且粘性流动的状态从泵的排气口进行的回流。间且粘性流动的状态从泵的排气口进行的回流。间且粘性流动的状态从泵的排气口进行的回流。


技术研发人员:索斯藤
受保护的技术使用者:朗姆研究公司
技术研发日:2020.03.13
技术公布日:2021/10/28
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本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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