一种针对SET效应的版图加固方法与流程

技术特征：
1.一种针对set效应的版图加固方法，其特征在于，包括：在经过增加阱接触和衬底接触加固后的标准单元的版图设计的基础上，通过无缝阱/衬底接触和分割有源区两种方式中的至少一种，形成具有set加固效果的版图结构。2.根据权利要求1所述的针对set效应的版图加固方法，其特征在于，所述无缝阱/衬底接触是指取消阱/衬底接触与有源区之间的浅沟道隔离sti，使阱/衬底接触与有源区紧邻以增加阱/衬底接触对体区电势的控制能力。3.根据权利要求2所述的针对set效应的版图加固方法，其特征在于，所述取消阱/衬底接触与有源区之间的浅沟道隔离sti之后，还包括阱接触和衬底接触同时往版图设计的中部延伸，分别与标准单元的pmos晶体管和nmos晶体管的源极有源直接相连。4.根据权利要求1所述的针对set效应的版图加固方法，其特征在于，所述分割有源区是指将较宽的晶体管拆分为若干个较窄的晶体管，且拆分后的晶体管以并联的方式进行连接并替代原来较宽的晶体管，从而不影响电路的功能，所述晶体管是指pmos晶体管或nmos晶体管。5.根据权利要求4所述的针对set效应的版图加固方法，其特征在于，所述将较宽的晶体管拆分为若干个较窄的晶体管时，拆分后的晶体管之间用浅沟道隔离sti进行隔离。6.根据权利要求5所述的针对set效应的版图加固方法，其特征在于，所述将较宽的晶体管拆分为若干个较窄的晶体管时，拆分后的晶体管间共栅。7.根据权利要求6所述的针对set效应的版图加固方法，其特征在于，所述将较宽的晶体管拆分为若干个较窄的晶体管时，拆分后的晶体管之间在版图中以公用的栅极作为中心呈算盘状分布。8.一种集成电路，所述集成电路包含标准单元，其特征在于，所述标准单元为采用权利要求1～7中任意一项所述针对set效应的版图加固方法加固处理得到的标准单元。9.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述标准单元为inv_8单元。10.根据权利要求9所述的集成电路，其特征在于，所述inv_8单元包括相互并联连接的pmos晶体管和nmos晶体管。

技术总结
本发明公开了一种针对SET效应的版图加固方法，本发明包括在经过增加阱接触和衬底接触加固后的标准单元的版图设计的基础上，通过无缝阱/衬底接触和分割有源区两种方式中的至少一种，形成具有SET加固效果的版图结构，其中无缝阱/衬底接触是指取消阱/衬底接触与有源区之间的浅沟道隔离ST I，分割有源区是指将较宽的晶体管拆分为若干个较窄的晶体管。本发明旨在解决时钟树、置复位网络等全局信号的SET效应将对全芯片带来严重影响的问题，对此类全局信号进行加固。信号进行加固。信号进行加固。


技术研发人员：梁斌 陈建军 池雅庆 袁珩洲 吴振宇 宋睿强 刘必慰 胡春媚
受保护的技术使用者：中国人民解放军国防科技大学
技术研发日：2021.07.08
技术公布日：2021/10/28