一种多晶硅表面织构化工艺的制作方法

技术特征：
1.一种多晶硅表面织构化工艺，采用二次腐蚀法制备高质量的多晶硅绒面，其特征在于，包括以下步骤：s1：电化学预腐蚀多晶硅，电化学腐蚀溶液为体积分数为40％的氢氟酸与体积分数为99.7％的无水乙醇的混合液，体积比为1:2；其中无水乙醇的主要作用是降低溶液的表面张力，利于腐蚀过程中产生的h2顺利逸出，而不粘附于硅片表面，保证电化学腐蚀顺利进行，得到腐蚀均匀的多晶硅绒面；将多晶硅片置于腐蚀溶液中，对p型多晶硅片进行电化学预腐蚀，在线监测多晶硅腐蚀过程中的e-t曲线变化规律，通过autolab pgstat30电化学工作站控制输入的电流密度，腐蚀时间为300s，在线监测硅片腐蚀过程的e-t曲线变化规律；s2：预腐蚀的多晶硅片用去离子水反复洗净，氮气吹干；电化学工作站采用三电极体系，硅片为工作电极，钽片为辅助电极，参比电极采用饱和甘汞电极，通过盐桥与工作电极连接；s3：采用化学腐蚀法对预腐蚀后的多晶硅片进行二次处理，得到高性能的多晶硅绒面；预腐蚀多晶硅片在hf和h2o2体积比为4:1的腐蚀溶液中进行二次处理，在不同腐蚀条件下去除多晶硅表面的疏松结构，然后用无水乙醇反复洗净多晶硅片，氮气保护。2.如权利要求1所述的一种多晶硅表面织构化工艺，其特征在于，所述步骤s1中对p型多晶硅片进行电化学预腐蚀，腐蚀时间为300s，电流密度分别为10，15，20，25和30ma/cm2。

技术总结
本发明涉及一种多晶硅表面织构化工艺，采用二次腐蚀法制备高质量的多晶硅绒面，包括以下步骤：电化学预腐蚀多晶硅，电化学腐蚀溶液为体积分数为40％的氢氟酸与体积分数为99.7％的无水乙醇的混合液，体积比为1:2；将多晶硅片置于腐蚀溶液中，对P型多晶硅片进行电化学预腐蚀；预腐蚀的多晶硅片用去离子水反复洗净，氮气吹干；电化学工作站采用三电极体系，硅片为工作电极，钽片为辅助电极，参比电极采用饱和甘汞电极，通过盐桥与工作电极连接；S3：采用化学腐蚀法对预腐蚀后的多晶硅片进行二次处理，得到高性能的多晶硅绒面；预腐蚀多晶硅片在HF和H2O2体积比为4:1的腐蚀溶液中进行二次处理，然后用无水乙醇反复洗净多晶硅片，氮气保护。氮气保护。


技术研发人员：樊选东
受保护的技术使用者：中建材浚鑫科技有限公司
技术研发日：2020.04.29
技术公布日：2021/10/28