一种基于薄片碳化硅晶圆的器件制备方法与流程

技术特征：
1.一种基于薄片碳化硅晶圆的器件制备方法，其特征在于，包括：对设置有器件的晶圆进行减薄，得到薄片晶圆；利用激光对发生翘曲的薄片晶圆的减薄面进行加热；在加热后的薄片晶圆的减薄面沉积金属，得到金属层，所述金属层与所述薄片晶圆的减薄面形成欧姆接触；在所述金属层的表面上，再沉积一层金属，形成焊接层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用激光对发生翘曲的薄片晶圆的减薄面进行加热，包括：在真空环境下，将所述薄片晶圆的非减薄面固定在吸盘上；对准所述晶圆的减薄面发射激光；其中，所述非减薄面和所述减薄面互为所述晶圆的正反面。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述在真空环境下，将所述薄片晶圆的非减薄面固定在吸盘上之前，所述方法还包括：在所述减薄面上镀光吸收层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述激光波长范围为(382nm，2000nm]。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述在真空环境下，将所述薄片晶圆的非减薄面固定在吸盘上之后，所述方法还包括：对准所述光吸收层发射激光。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述对准所述光吸收层发射激光之后，所述方法还包括：除去所述光吸收层。7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述光吸收层的厚度[1nm，1000nm]。8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述激光波长范围为[100nm，382nm]。9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述激光的脉宽范围为[1ns，10ms]，能量密度的范围为[0.01j/cm2，100j/cm2]。10.根据权利要求1至9所述的方法，其特征在于，加热后，所述减薄面温度大于1000℃。

技术总结
本发明涉及一种基于薄片碳化硅晶圆的器件制备方法，属于半导体微纳加工技术领域，用于解决薄片晶圆去应力的问题。制备方法包括：对设置有器件的晶圆进行减薄，得到薄片晶圆；利用激光对发生翘曲的薄片晶圆的减薄面进行加热；在加热后的薄片晶圆的减薄面沉积金属，得到金属层，所述金属层与所述薄片晶圆的减薄面形成欧姆接触；在所述金属层的表面上，再次沉积一层金属，形成焊接层。本发明提供的技术方案能在不损害薄片晶圆和薄片晶圆上器件的情况下，对薄片晶圆进行退火。对薄片晶圆进行退火。对薄片晶圆进行退火。


技术研发人员：郑柳 刘敏
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2021.07.14
技术公布日：2021/10/19