掩膜补偿方法和蒸镀系统与流程

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜补偿方法和蒸镀系统。


背景技术：

2.oled(organic light
‑
emitting diode，有机电致发光二极管)因其拥有卓越的颜色和画质，使得它的应用领域日益增多，影响力逐渐加剧。
3.真空蒸镀是制备oled产品最常用的方法，在真空蒸镀时会用到掩膜板，常利用化学刻蚀方法制备掩膜板，利用曝光显影方法制备待蒸镀层，通过掩膜板的掩膜开口向待蒸镀层的待蒸镀口内蒸镀发光层的各种材料以形成发光层。为保证蒸镀精度，需要掩膜板不能遮挡待蒸镀口，由于受制备工艺限制，掩膜开口和待蒸镀口均不可避免的存在圆角，且掩膜开口的圆角显著大于待蒸镀口的圆角。
4.然而，上述的掩膜板制备的oled产品的良率较低。


技术实现要素：

5.本技术提供一种掩膜补偿方法和蒸镀系统，旨在解决现目前的掩膜板制备的oled产品的良率较低的问题。
6.为了实现上述目的，第一方面，本技术提供一种掩膜补偿方法，包括：
7.提供掩膜板，掩膜板上具有至少一个掩膜开口，每个掩膜开口均为多边形，且具有多个拐角；
8.调整掩膜开口的形状，并在掩膜开口的至少部分拐角处形成外扩部；
9.将掩膜板与待蒸镀层对合，掩膜开口与待蒸镀层的待蒸镀口对应。
10.本技术实施例提供的掩膜补偿方法，通过提供具有至少一个掩膜开口的掩膜板；并在该掩膜板的掩膜开口的拐角处形成外扩部，外扩部可以用于增大掩膜开口的开口面积，从而提高相对于待蒸镀口的允许偏移量；将掩膜板与待蒸镀层对合进行蒸镀，不仅可以提高蒸镀精度，还可以提高掩膜板制备的oled产品的良率。
11.在上述的掩膜补偿方法中，可选的是，调整掩膜开口的形状，并在掩膜开口的至少部分拐角处形成外扩部的步骤中，包括：
12.掩膜开口包括多个依次首尾连接的直线段，相邻两个直线段之间通过弧线段连接，弧线段形成掩膜开口的拐角；
13.调整拐角的形状，使弧线段朝远离掩膜开口的中心的方向偏移，并形成外扩部。
14.如此设置能够通过调整掩膜开口的局部结构，从而增大掩膜开口的开口面积，避免对掩膜开口造成过度的破坏。并且，可以提高掩膜开口相对于待蒸镀口的允许偏移量，从而提高掩膜板制备的oled产品的良率。
15.在上述的掩膜补偿方法中，可选的是，弧线段与直线段的连接处设置有圆弧过渡段。
16.如此设置可以避免在连接处产生褶皱，可以防止掩膜开口在褶皱处因应力过度集
中而开裂；还可以让蒸镀材料通过掩膜开口后，能够均匀沉积待蒸镀口，从而提高蒸镀精度。
17.在上述的掩膜补偿方法中，可选的是，相邻两个直线段之间的倒圆线位于弧线段靠近掩膜开口的中心一侧，弧线段的曲率半径等于倒圆线的曲率半径。
18.如此设置可以仅改变倒圆线的位置即可实现掩膜开口的拐角外扩，从而降低因拐角外扩而增加的设计和/或加工制造的步骤和成本。
19.在上述的掩膜补偿方法中，可选的是，弧线段的圆心、倒圆线的圆心以及掩膜开口的中心均位于同一条直线。
20.如此设置可以保证掩膜开口的形状较为规整，并且降低了弧线段形成外扩部的难度，以及掩膜开口的补偿调整的难度。
21.在上述的掩膜补偿方法中，可选的是，将掩膜板与待蒸镀层对合，掩膜开口与待蒸镀层的待蒸镀口对应的步骤中，包括：
22.待蒸镀层上设置有多个待蒸镀口，多个掩膜开口与多个待蒸镀口一一对应设置。
23.如此设置可以使得每个待蒸镀口均能与掩膜开口对应，保证待蒸镀材料通过掩膜开口沉积在待蒸镀口中，从而提高蒸镀精度。
24.在上述的掩膜补偿方法中，可选的是，将掩膜板与待蒸镀层对合，掩膜开口与待蒸镀层的待蒸镀口对应的步骤中，包括：
25.在同一掩膜开口中，相邻的倒圆线和弧线段之间的最大间距为第一间距；
26.相邻两个待蒸镀口之间的最小间距为第二间距；
27.第一间距与第二间距的比值范围为3
‑
20％。
28.如此设置可以保证oled产品在不影响分辨率的前提下，增大掩膜开口相对待蒸镀口的允许偏移量，进而提高蒸镀精度。
29.在上述的掩膜补偿方法中，可选的是，在掩膜开口的多个拐角中，形成有外扩部的拐角相对设置。
30.如此设置可以实现掩膜开口沿某一方向相对待蒸镀口移动时，在该方向和与之相反的方向，二者的允许偏移量都能得以提升，从而更加有利于提高掩膜板制备的oled产品的良率。
31.在上述的掩膜补偿方法中，可选的是，掩膜开口为平行四边形；优选的，掩膜开口为菱形或长方形；优选的，掩膜开口为正方形。
32.如此设置有利于实现掩膜开口的排布与加工，也有利于发光层的材料通过掩膜开口后均匀沉积在待蒸镀口中，从而提高蒸镀精度。
33.第二方面，本技术提供一种蒸镀系统，包括掩膜板和待蒸镀层，掩膜板与待蒸镀层对合，掩膜板通过上述的掩膜补偿方法进行补偿调整。
34.本技术提供的蒸镀系统，包括掩膜板和待蒸镀层，在掩膜板和待蒸镀层上分别设有掩膜开口和待蒸镀口，掩膜板与待蒸镀层对合后，采用蒸镀的方式在待蒸镀口内形成发光层，并通过在掩膜开口的拐角处形成外扩部，来增大掩膜开口相对待蒸镀口的允许偏移量，进而提高蒸镀精度和掩膜板制备的oled产品的良率。
35.本技术的构造以及它的其他发明目的及有益效果将会通过结合附图而对优选实施例的描述而更加明显易懂。
附图说明
36.为了更清楚地说明本技术实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作以简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
37.图1为相关技术提供的掩膜开口相对待蒸镀口的允许偏移量的示意图；
38.图2为本技术实施例提供的掩膜补偿方法的流程示意图；
39.图3为本技术实施例提供的掩膜开口的结构示意图；
40.图4为本技术实施例提供的掩膜开口相对待蒸镀口的允许偏移量的示意图；
41.图5为本技术实施例提供的掩膜开口相对待蒸镀口的允许偏移量与相关技术中的掩膜开口相对待蒸镀口的允许偏移量的对比示意图；
42.图6为本技术实施例提供的掩膜开口与邻近待蒸镀口的相对位置示意图；
43.图7为本技术实施例提供的蒸镀系统中的掩膜板与待蒸镀层的结构示意图。
44.附图标记说明：
[0045]1‑
掩膜开口；
[0046]
1＇
‑
对合后的掩膜开口；
[0047]2‑
待蒸镀口；
[0048]
11
‑
掩膜板；
[0049]
110
‑
掩膜开口；
[0050]
110＇
‑
对合后的掩膜开口；
[0051]
111
‑
直线段；
[0052]
112
‑
倒圆线；
[0053]
113
‑
弧线段；
[0054]
114
‑
圆弧过渡段；
[0055]
21
‑
待蒸镀层；
[0056]
210
‑
待蒸镀口；
[0057]
31
‑
基板。
具体实施方式
[0058]
通过真空蒸镀方法制备oled产品时，为保证蒸镀精度，要求掩膜板不能遮挡待蒸镀层的待蒸镀口，也即待蒸镀口要完全暴露在与其对应的掩膜板的掩膜开口中。利用化学刻蚀的方法制备掩膜板时，由于刻蚀液的刻蚀精度不高，掩膜开口的拐角处会产生圆角。利用曝光显影的方法制备待蒸镀层时，由于受光刻蚀精度的限制，待蒸镀口的拐角处同样也会产生圆角。并且，掩膜开口的圆角显著大于待蒸镀口的圆角。
[0059]
同时，为保证oled产品的良率，要求掩膜板不能遮挡与掩膜开口对应的待蒸镀口，同时掩膜开口仅暴露与之对应的待蒸镀口，而不能暴露相邻的待蒸镀口，这样，才能使得待蒸镀层的各待蒸镀口内均能沉积发光层的各种材料，该发光层的各种材料包括但不限于形成发光层、电子注入层、电子传输层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层以及空穴阻挡层的材料，进而保证oled的整体显示效果。其中，产品的良率是指产品的合格率。
[0060]
图1为相关技术提供的掩膜开口相对待蒸镀口的允许偏移量的示意图。参照图1所示，掩膜开口1是指掩膜开口1与待蒸镀口2无位置偏差的状态图，此时掩膜开口1的中心与待蒸镀口2的中心重合。对合后的掩膜开口1＇是指掩膜开口1与待蒸镀口2对合后有位置偏差的状态图。沿图1示出的箭头方向，掩膜开口1相对待蒸镀口2的允许偏移量为oa。掩膜开口1相对待蒸镀口2的允许偏移量是影响产品的良率的重要因素。其中，允许偏移量是指掩膜板与待蒸镀层对合时，在保证掩膜板在不遮挡待蒸镀层的待蒸镀口2的前提下，所允许的掩膜开口1与待蒸镀口2之间存在位置偏差。
[0061]
需要解释的是，允许偏移量可用于表征蒸镀精度，允许偏移量越大，蒸镀精度越高，产品的良率越高；反之，允许偏移量越小，蒸镀精度越低，产品的良率越低。然而，由于掩膜开口的圆角显著大于待蒸镀口的圆角，使得掩膜开口1相对于待蒸镀口2的允许偏移量oa较小，因此掩膜板相对待蒸镀层的允许偏移量相应较小，导致蒸镀精度和制备的oled产品的良率较低。
[0062]
旨在至少解决上述的掩膜板制备的oled产品的良率较低的问题，本技术实施例提供的掩膜补偿方法和蒸镀系统，通过提供具有至少一个掩膜开口的掩膜板；并在该掩膜板的掩膜开口的拐角处形成外扩部，外扩部可以用于增大掩膜开口的开口面积，从而提高相对于待蒸镀口的允许偏移量；将掩膜板与待蒸镀层对合进行蒸镀时，不仅可以提高蒸镀精度，还可以提高掩膜板制备的oled产品的良率。
[0063]
为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术的优选实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行更加详细的描述。在附图中，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。下面结合附图对本技术的实施例进行详细说明。
[0064]
图2为本技术实施例提供的掩膜补偿方法的流程示意图。图3为本技术实施例提供的掩膜开口的结构示意图。图4为本技术实施例提供的掩膜开口相对待蒸镀口的允许偏移量的示意图。图5为本技术实施例提供的掩膜开口相对待蒸镀口的允许偏移量与相关技术中的掩膜开口相对待蒸镀口的允许偏移量的对比示意图。图6为本技术实施例提供的掩膜开口与邻近待蒸镀口的相对位置示意图。图7为本技术实施例提供的蒸镀系统中的掩膜板与待蒸镀层的结构示意图。
[0065]
参照图2所示，本技术的一种可能的实施例提供的掩膜补偿方法，包括：
[0066]
s1、提供掩膜板，掩膜板上具有至少一个掩膜开口，每个掩膜开口均为多边形，且具有多个拐角。
[0067]
需要说明的是，本实施例的掩膜板可以包括掩膜框以及设置在掩膜框内的多个掩膜条，掩膜条的两端分别跨接在掩膜框上，多个掩膜条在掩膜框的框体内部交错设置，在掩膜框的框内部，掩膜条未交叠并遮盖的部分形成掩膜板的掩膜开口，该掩膜开口可以为多边形。在使用过程中，可以通过化学刻蚀的方式调整掩膜开口的形状和尺寸，化学刻蚀会在掩膜开口的拐角处形成圆角。
[0068]
其中，将掩膜开口设置为多边形，可以降低掩膜开口的加工难度，也有利于实现掩
膜开口与待蒸镀层的待蒸镀口的形状相适配，保证两者的对合。
[0069]
s2、调整掩膜开口的形状，并在掩膜开口的至少部分拐角处形成外扩部。
[0070]
需要说明的是，结合图3所示，外扩部位于掩膜开口110的部分拐角处，外扩部可以增加掩膜开口110的拐角处的开口面积，从而增大掩膜开口110的整体开口面积。在掩膜板的掩膜开口110相对于待蒸镀层的待蒸镀口偏移过程中，可以提高掩膜开口110相对待蒸镀口的允许偏移量。
[0071]
其中，外扩部可以通过湿法刻蚀的方式处理掩膜开口110的拐角所得到，湿法刻蚀的方式操作简单，制备成本较低。当然，在实际操作过程中，该外扩部也可以通过干法刻蚀的方式制备，以保证刻蚀精度。用户可以根据需要选择具体的制备方式，本实施例对此并不加以限制。
[0072]
s3、将掩膜板与待蒸镀层对合，掩膜开口与待蒸镀层的待蒸镀口对应。
[0073]
需要说明的是，结合图3所示，在蒸镀时，通过掩膜开口110与待蒸镀层的待蒸镀口210对应，待蒸镀的材料可以通过掩膜开口110，从而沉积在待蒸镀口210中。基于掩膜开口110的上述结构调整，待蒸镀的材料可以均匀沉积在待蒸镀口210中，保证了蒸镀精度和制备的oled产品的良率。此处的待蒸镀的材料可以包括形成oled的发光层的各种材料，上述已经写明，此处不再赘述。当然，该待蒸镀的材料还可以包括oled中其余通过蒸镀方式形成结构层的材料，本实施例对此并不加以限制。
[0074]
本技术实施例提供的上述掩膜补偿方法，通过提供具有至少一个掩膜开口的掩膜板；并在该掩膜板的掩膜开口的拐角处形成外扩部，外扩部可以用于增大掩膜开口的开口面积，从而提高相对于待蒸镀口的允许偏移量；将掩膜板与待蒸镀层对合进行蒸镀，不仅可以提高蒸镀精度，还可以提高掩膜板制备的oled产品的良率。
[0075]
参照图4所示，掩膜开口110是指掩膜开口110与待蒸镀口210无位置偏差的状态图，此时掩膜开口110与待蒸镀口210的中心重合。对合后的掩膜开口110＇是指掩膜开口110与待蒸镀口210对合后有位置偏差的状态图，此时对合后的掩膜开口110＇与待蒸镀口210的中心相互错位。其中，沿图4示箭头方向，掩膜开口110相对待蒸镀口210的允许偏移量为ob。
[0076]
参照图5所示，相关技术中的允许偏移量为oa明显小于本技术实施例提供的掩膜开口110的允许偏移量为ob。可见，本技术通过对掩膜开口110的拐角外扩并形成外扩部，达到了增大掩膜开口110相对待蒸镀口210的允许偏移量的目的，进而提高了蒸镀精度和掩膜板制备的oled产品的良率。需要说明的是，掩膜开口110与待蒸镀口210的允许偏移量可以沿任意方向，本技术仅通过图示方向进行说明，而非对允许偏移量的方向进行限定。也即掩膜开口110与待蒸镀口210允许偏移量的方向包括但不限于与图示方向相同、相反、垂直、或成一定角度。
[0077]
进一步地，参照图3所示，在上述的s1中，包括：掩膜开口110包括多个依次首尾连接的直线段111，相邻两个直线段111之间通过弧线段113连接，弧线段113形成掩膜开口110的拐角；调整拐角的形状，使弧线段113朝远离掩膜开口110的中心的方向偏移，并形成外扩部。
[0078]
需要说明的是，通过使弧线段113朝远离掩膜开口110的中心的方向偏移形成外扩部，来调整掩膜开口110的局部结构，从而增大掩膜开口110的开口面积，避免对掩膜开口110造成过度的破坏。并且，可以提高掩膜开口110相对于待蒸镀口210的允许偏移量，从而
提高掩膜板制备的oled产品的良率。
[0079]
继续参照图3所示，弧线段113与直线段111的连接处设置有圆弧过渡段114。
[0080]
需要说明的是，通过在弧线段113与直线段111的连接处设置圆弧过渡段114，实现弧线段113与直线段111的光滑连接，可以避免在连接处产生褶皱，从而防止掩膜开口110在褶皱处因应力过度集中而发生开裂的问题。并且，圆弧过渡段114的设置还可以让蒸镀材料通过掩膜开口110后，能够均匀沉积待蒸镀口210中，从而提高蒸镀材料沉积的均匀性，以及蒸镀精度。
[0081]
具体的，在该掩膜开口110中，相邻两个直线段111之间的倒圆线112位于弧线段113靠近掩膜开口110的中心一侧，弧线段113的曲率半径等于倒圆线112的曲率半径。
[0082]
需要说明的是，通过将弧线段113的曲率半径设置为与倒圆线112的曲率半径相等，可以保证在外扩部的制备过程中，沿着已有的倒圆线112进行刻蚀，从而在倒圆线112的位置进行外扩，以形成外扩部，从而降低因拐角外扩而增加的设计和/或加工制造的步骤和成本。
[0083]
作为一种可实现的实施方式，弧线段113的圆心、倒圆线112的圆心以及掩膜开口110的中心均位于同一条直线。
[0084]
需要说明的是，通过将弧线段113的圆心、倒圆线112的圆心以及掩膜开口110的中心设置为三点共线，可以保证掩膜开口110的形状较为规整。并且在外扩部的制备过程中，在倒圆线112的圆心与掩膜开口110的中心的连线上，仅需要将已有的倒圆线112朝远离掩膜开口110的中心的方向进行刻蚀，即可以形成外扩部。这样，可以为外扩部的制备过程提供刻蚀方向，从而降低了弧线段113形成外扩部的难度，以及掩膜开口110的补偿调整的难度。
[0085]
在此基础上，参照图6所示，在上述的s3中，包括：
[0086]
待蒸镀层上设置有多个待蒸镀口210，多个掩膜开口110与多个待蒸镀口210一一对应设置。
[0087]
需要说明的是，以待蒸镀层为发光层为例进行说明，发光层包括了多个发光单元，每个发光单元均需要沉积发光层的各种材料。因此，该待蒸镀层上会设置有多个待蒸镀口210，每个待蒸镀口210分别对应一个发光单元。并且，通过多个掩膜开口110与多个待蒸镀口210一一对应设置，可以使得通过每个待蒸镀口210的待蒸镀的材料均能准确沉积在对应的掩膜开口110中，保证蒸镀精度。
[0088]
进一步地，同时参照图3和图6所示，在上述的s3中，包括：
[0089]
在同一掩膜开口110中，相邻的倒圆线112和弧线段113之间的最大间距为第一间距；相邻两个待蒸镀口210之间的最小间距为第二间距；第一间距与第二间距的比值范围为3
‑
20％。
[0090]
需要说明的是，第一间距可以是图3中d1表示，第二间距可以是图6中d2表示，且两者满足关系式为：d1＝(0.03～0.2)d2。这样的设置，可以保证oled产品在不影响分辨率的前提下，增大掩膜开口110相对待蒸镀口210的允许偏移量，进而提高蒸镀精度。d1与d2的比值范围介于3
‑
20％。其中，比值范围可以是3％，5％，8％，10％，12％，15％，18％，20％，优选为6
‑
9％。
[0091]
当上述的比值小于3％时，允许偏移量的增加值较小，进而使得蒸镀精度提升不明
显；当上述的比值大于20％时，相邻掩膜开口110之间难以紧密排布，会降低掩膜开口110的分布密度，导致oled的显示分辨率降低。
[0092]
进一步地，参照图3至图6所示，在掩膜开口110的多个拐角中，形成有外扩部的拐角相对设置。
[0093]
需要说明的是，掩膜开口110的拐角中，形成有外扩部的拐角相对设置，可以实现掩膜开口110沿某一方向的相对待蒸镀口210移动时，在该方向和与之相反的方向上，二者的允许偏移量都能得以提升，从而更加有利于提高掩膜板制备的oled产品的良率。
[0094]
作为一种可实现的实施方式，若掩膜开口110具有四个拐角，形成有外扩部的拐角可以有一对，且该对拐角位于掩膜开口110的一条对角线上。作为另一种可实现的实施方式，形成有外扩部的拐角还可以有两对，且两对拐角分别位于掩膜开口110的两条对角线上。
[0095]
并且，结合图3至图6所示，掩膜开口可以为平行四边形。通过将掩膜开口110设置为平行四边形，有利于实现掩膜开口110的排布与加工，降低掩膜开口110的设计与加工成本，还有利于发光层的材料通过掩膜开口110后均匀沉积在待蒸镀口210中，从而提高蒸镀精度。
[0096]
作为一种可实现的实施方式，掩膜开口还可以为菱形或长方形。通过将掩膜开口110设置为菱形，掩膜开口110的四条边相等，可以使得掩膜开口110的加工更为简单；通过将掩膜开口110设置为长方形，掩膜开口110的四个拐角为直角，可以避免因拐角较小导致发光层的材料不能顺利通过。
[0097]
亦或者，掩膜开口可以为正方形。通过将掩膜开口110设置为正方形，掩膜开口110的四条边相等，四个拐角均为直角，可以降低掩膜开口110的设计与加工难度；还可以使得掩膜板相对待蒸镀口210沿各方向的允许偏移量相差较小，有利于提高蒸镀精度。
[0098]
需要说明的是，这样设置有利于实现掩膜开口110的排布与加工，也有利于发光层的材料通过掩膜开口110后均匀沉积在待蒸镀口210中，从而提高蒸镀精度。在实际使用中，用户可以根据需要调整掩膜开口110的具体形状，本实施例对此并不加以限制。
[0099]
在上述实施例的基础上，参照图7所示，本技术的一种可能的实施例还提供蒸镀系统，包括掩膜板11和待蒸镀层21，掩膜板11与待蒸镀层21对合，掩膜板11通过上述的掩膜补偿方法进行补偿调整。
[0100]
具体的，本技术实施例提供的蒸镀系统，包括掩膜板和待蒸镀层，在掩膜板和待蒸镀层上分别设有掩膜开口和待蒸镀口，掩膜板与待蒸镀层对合后，采用蒸镀的方式在待蒸镀口内形成发光层，并通过在掩膜开口的拐角处形成外扩部，来增大掩膜开口相对待蒸镀口的允许偏移量，进而提高蒸镀精度和掩膜板制备的oled产品的良率。
[0101]
需要说明的是，在进行蒸镀时，待蒸镀层21先置于基板31上，再将掩膜板11与待蒸镀层21对合，在对合时掩膜开口110与待蒸镀口210相对设置。
[0102]
其中，掩膜补偿方法的具体操作过程和解释已在上述的实施例中详述，此处不再一一赘述。
[0103]
在本技术实施例的描述中，需要理解的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应作广义理解，例如，可以使固定连接，也可以是通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或者两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人
员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。术语“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或者暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非是另有精确具体地规定。
[0104]
本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0105]
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。