保持高性能等离子体的装置和方法与流程

1.本技术属于等离子体约束技术领域，尤其涉及一种保持高性能等离子体的装置和方法。


背景技术：

2.实现受控核聚变将有可能从根本上解决人类的能源问题，因此受到众多国家的广泛关注。实现受控核聚变的途径主要有两种，惯性约束聚变和磁约束聚变。托卡马克(tokamak)利用磁场约束高温等离子体，被认为是目前最有希望实现受控核聚变的装置，在科学和工程技术的研究上已取得显著成果。然而托卡马克装置自身存在着一些相关成为高效聚变堆芯上的不足，比较突出的有：很低的环向磁比压值β(等离子体的热能与磁能之比)、过于复杂的结构、运行时的各种不稳定性以及容易发生等离子体大破裂等；同时，传统托卡马克装置规模的不断增大，使它的建设和维护成本及工期日益增高。
3.将来的商用聚变堆要求聚变堆芯应具有尽可能高的高温等离子体能量约束效率及比压β，以减小构造和运行费用。约束效率及比压β越高，意味着能够产生聚变能的等离子体所需的外加结构与磁场就越小。在获得高约束效率及比压β的研究历程中，球形托卡马克(spherical tokamak)装置提供了一条新的途径。
4.球形托卡马克与传统的托卡马克相比，结构更加紧凑，磁场的约束效率及比压更高，同时具有天然的d形环形体的极向截面，因此具有更好的磁流体力学(mhd)稳定性，能够在相同规模的等离子体上实现更好的能量约束及比压，用较低的结构设备花费实现较高的等离子体能量密度。
5.虽然球形托卡马克比常规的托卡马克显示出更好的mhd稳定性，然而仍然存在各种不稳定性，比如托卡马克装置中常见的新经典撕裂膜(neoclassical tearing mode或ntm)，不稳定性边界局域模(elms)不稳定性等。
6.mhd不稳定性限制了托卡马克中等离子体可获得的最高等离子体参数。例如，限制了等离子体最大环向电流、最高等离子体压强梯度和比压和最高等离子体密度等，进而限制了托卡马克等离子体运行的技术参数区间。


技术实现要素：

7.本技术的目的在于提供一种保持高性能等离子体的装置和方法，能够有效提高等离子体的能量约束能力与稳定性。
8.一方面，本技术实施例提供一种保持高性能等离子体的装置，包括：
9.中心柱；
10.真空容器，其环绕中心柱设置，真空容器用于容纳形成的等离子体；
11.等离子体磁约束系统，其通过磁场限制、成形和控制真空容器内的等离子体，以使等离体子形成具有多个流体的位形；其中，多个流体由内至外形成多层，位于外层的流体包围位于内层的流体，相邻流体之间至少部分重叠。
12.可选实施例中，多个流体包括：
13.分布在位形最内层的包含热电子的热电子流体与包含热离子的热离子流体，热电子流体与热离子流体完全重叠。
14.包围热电子流体与热离子流体的、包含高能电子的高能电子流体。
15.可选实施例中，多个流体还包括分布在热电子流体与热离子流体的最外封闭磁面的外侧，且位于高能电子流体的最外边界的内侧的包含高能离子的高能离子流体。
16.可选实施例中，所述高能离子流体与所述热电子流体、所述热离子流体和所述高能电子流体至少部分重叠。
17.可选实施例中，每一种流体的截面基本为d形。具体的，此处的截面实质为本装置垂直方向上的剖面。
18.可选实施例中，至少一个流体形成三维的球形环形状。
19.可选实施例中，装置还包括多个限制器，多个限制器设置于真空容器的内部以及中心柱表面，限制器拦截从所述热电子流体与所述高能电子流体逃逸的所述热电子与所述高能电子，真空容器的壁拦截从所述热离子流体与所述高能离子流体遗失的所述热离子与所述高能离子。
20.可选实施例中，限制器与真空容器的内壁绝缘，限制器带负电，真空容器的壁带正电，限制器与真空容器的壁形成不同的电压，以输出直流电。
21.可选实施例中，真空容器的内壁设置有电磁波及高于电磁波频率的光子的反射面。
22.可选实施例中，真空容器的外壁设置有屏蔽结构，屏蔽结构吸收高能电子产生的高能量韧致辐射，以输出热能。
23.可选实施例中，中心柱的直径为0.1-0.15w；其中，w为真空容器内部空间的宽度。
24.可选实施例中，高能电子流体的高度为0.8-0.9h；高能电子流体的宽度为0.8-0.9w；其中，h为真空容器内部空间的高度，w为真空容器内部空间的宽度。
25.可选实施例中，热电子流体与热离子流体的高度均为0.6-0.7h，热电子流体与热离子流体的宽度均为0.6-0.7w；其中，h为真空容器内部空间的高度，w为真空容器内部空间的宽度。
26.可选实施例中，热电子流体与热离子流体的温度为150-300kev。
27.可选实施例中，高能电子的温度为15-30mev。
28.可选实施例中，热电子流体与热离子流体的密度为(0.5-5)x10
19
m。
29.可选实施例中，高能电子流体的密度为(0.5-5)x10
17
m-3
。
30.可选实施例中，位形的形状为球形环。
31.第二方面，本技术实施例提供一种保持高性能等离子体的方法，包括：
32.在环绕中心柱设置的环形真空容器内形成并启动等离子体；
33.通过磁场限制、成形和控制真空容器内的等离子体，以使等离体子形成具有多个流体的位形；其中，多个流体由内至外形成多层，位于外层的流体包围位于内层的流体，所述多个流体之间至少部分重叠。
34.可选实施例中，多个流体包括：
35.分布在位形的最内层的包含热电子的热电子流体和包含热离子的热离子流体，热
电子流体与热离子流体基本完全重叠；
36.包围热电子流体与热离子流体的、包含高能电子的高能电子流体。
37.可选实施例中，多个流体还包括分布在热电子流体与热离子流体的最外封闭磁面的外侧，且位于高能电子流体的最外边界的内侧的包含高能离子的高能离子流体。
38.可选实施例中，所述高能离子流体与所述热电子流体、所述热离子流体和所述高能电子流体至少部分重叠。
39.可选实施例中，每一种流体的截面基本为d形。
40.可选实施例中，至少一个流体形成三维的球形环形状。
41.可选实施例中，通过在真空容器的内部设置多个限制器，限制器拦截从所述热电子流体与所述高能电子流体逃逸的所述热电子与所述高能电子，真空容器的壁拦截从所述热离子流体与所述高能离子流体遗失的所述热离子与所述高能离子，限制器带负电，真空容器的壁带正电，限制器与真空容器的壁形成不同的电压，以输出直流电。
42.可选实施例中，通过在真空容器的内壁设置电磁波及高于电磁波频率的光子的反射面，减少电磁波加热和驱动的损失。
43.可选实施例中，通过设置在真空容器的外壁的屏蔽结构吸收高能电子产生的高能量韧致辐射，以输出热量。
44.可选实施例中，中心柱的直径为0.1-0.15w；其中，w为真空容器内部空间的宽度。
45.可选实施例中，高能电子流体的高度为0.8-0.9h；高能电子流体的宽度为0.8-0.9w；其中，h为真空容器内部空间的高度，w为真空容器内部空间的宽度。
46.可选实施例中，热电子流体与热离子流体的高度均为0.6-0.7h，热电子流体与热离子流体的宽度均为0.6-0.7w；其中，h为真空容器内部空间的高度，w为真空容器内部空间的宽度。
47.可选实施例中，热电子流体与热离子流体的温度为150-300kev。
48.可选实施例中，高能电子流体的温度为15-30mev。
49.可选实施例中，热电子流体与热离子流体的密度为(0.5-5)x10
19
m-3
。
50.可选实施例中，高能电子流体的密度为(0.5-5)x10
17
m-3
。
51.可选实施例中，位形的形状为球形环。
52.第三方面，本技术实施例提供了一种各种无中子聚变反应堆芯，其包括上述实施例的保持高性能等离子体的装置。
53.第四方面，本技术实施例提供一种发电站，其包括上述实施例的保持高性能等离子体的装置。
54.第五方面，本技术实施例提供一种发热能站，其包括上述实施例所述的保持高性能等离子体的装置。
55.第六方面，本技术实施例提供了一种极强高能宽谱光子源，其包括上述实施例的保持高性能等离子体的装置。
56.第七方面，本技术实施例提供一种太空高能宽谱光子推进器，其包括上述实施例的保持高性能等离子体的装置。
57.第八方面，本技术实施例提供一种高能宽谱正电子源，其包括上述实施例的保持高性能等离子体的装置。
58.第九方面，本技术实施例提供了一种同位素生产站，其包括上述实施例的保持高性能等离子体的装置。
59.本技术实施例提供的一种保持高性能等离子体的装置和方法中，等离子体形成具有多个流体的位形，其中多个流体由内至外形成多层，且高能电子流体包围热电子流体与热离子流体，高能电子流体的维持使得环向电流不只在最外封闭磁面内部，在最外封闭磁面的外部也有很大的环向电流，环向电流产生极向磁场与磁体系统产生的磁场叠加形成封闭磁面，封闭磁面平衡稳定地约束高密度、高温度的热电子与热离子，有效避免等离子体湍流及能量扩散，降低粒子在最外封闭磁面可能产生的再循环现象，进而有效提升封闭磁面内热离子、热电子的能量约束能力与稳定性。相比于现有聚变装置，本技术的装置能够实现稳态或者长脉冲运行。
60.应当理解，前面的一般描述和以下详细描述都仅是示例性和说明性的，而不是用于限制本技术。
61.本技术中描述的技术的各种实现或示例的概述，并不是所公开技术的全部范围或所有特征的全面公开。
附图说明
62.在不一定按比例绘制的附图中，相同的附图标记可以在不同的视图中描述相似的部件。具有字母后缀或不同字母后缀的相同附图标记可以表示相似部件的不同实例。附图大体上通过举例而不是限制的方式示出各种实施例，并且与说明书以及权利要求书一起用于对本技术的实施例进行说明。在适当的时候，在所有附图中使用相同的附图标记指代同一或相似的部分。这样的实施例是例证性的，而并非旨在作为本装置或方法的穷尽或排他实施例。
63.图1示出了本技术实施例的保持高性能等离子体的装置的二分之一剖视图，图中显示具有三流体的位形。
64.图2示出了本技术实施例的保持高性能等离子体的装置的二分之一剖视图，图中显示具有四流体的位形。
65.图3a-图3d示出了本技术实施例中具有三流体的位形的示意图；其中图3a为极向磁通面分布示意图；图3b为总环向电流分布示意图；图3c为热电子、热离子携带的环向电流分布示意图；图3d为高能电子携带的环向电流分布示意图。
66.图4示出了本技术实施例中具有三流体的位形的实验结果图。
67.图中标号说明
68.1-真空容器；2-中心柱；3-限制器；4-反射面；5-屏蔽结构；6-真空室窗口；7-等离子体磁约束系统；71-环向场线圈(tf线圈)；72-极向场线圈(pf线圈)；8-热电子流体、热离子流体；9-高能电子流体；10-热电子流体、热离子流体的最外封闭磁面；11-高能电子流体的最外边界；12-高能离子流体。
具体实施方式
69.为了使得本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例的附图，对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是
本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
70.除非另外定义，本技术使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
71.为了保持本技术实施例的以下说明清楚且简明，本技术省略了已知功能和已知部件的详细说明。
72.参见图1-2，本技术实施例公开了一种保持高性能等离子体的装置。该装置包括：
73.中心柱2；
74.真空容器1，其环绕中心柱2设置，真空容器1用于容纳形成的等离子体；
75.等离子体磁约束系统7，其通过磁场限制、成形和控制真空容器1内的等离子体，以使等离体子形成具有多个流体的位形；其中，该位形中，多个流体由内至外形成多层，位于外层的流体包围位于内层的流体，相邻流体之间至少部分重叠。
76.需要说明的是至少部分重叠可以包括部分重叠，也可以包括完全重叠。
77.一些实施例中，真空容器内的等离体子形成具有多个流体的位形，其形状可以但不限于球形环。这里的球形环可以理解为球的中间部位被贯通后形成的形状。贯通是指该中间部位为中空结构，贯通的方向可以为从上到下，也可以为从左到右，在此不做具体限定。
78.本技术实施例提供的一种保持高性能等离子体的装置和方法中，等离子体形成具有多个流体的球形环位形使得环向电流不只在最外封闭磁面内部，在最外封闭磁面外部也有很大的环向电流，进而使得等离子体的最外封闭磁面10与真空容器1内壁及内部结构之间形成较大空间，降低粒子在最外封闭磁面可能产生的再循环现象，提高了等离子体的稳定性，有利于提升封闭磁面内热离子、热电子的能量约束能力与稳定性。相比于现有聚变装置，本技术的装置能够实现稳态或者长脉冲运行。
79.本技术实施例中，保持高性能等离子体的装置形成的具有高性能的等离子体，其至少包括高能电子、热电子、热离子三种不同的粒子。每种粒子分别形成不同的流体，多个不同的流体又进一步形成具有一定位置关系的位形。
80.其中，多个流体中位于外层的流体包围位于内层的流体。每一个流体包含等离子体的其中一种粒子。当两个流体部分重叠时，在重叠区域其中一层流体包含的粒子可部分分布在另外一层流体中，也即粒子混合分布。当两个流体完全重叠时，两个流体中分别包含的粒子会混合分布在重叠区域。其中基本完全重叠是指形状与位置基本完全相同。
81.下面将结合具体例子进行说明。
82.一些实施例中，参见图1和图3，多个流体包括：
83.分布在上述位形最内层的包含热电子的热电子流体8和包含热离子的热离子流体8，在图中由于上述两个流体基本完全重叠，可使用同一个附图标记8来示意；
84.分布在热电子流体与热离子流体8的外侧、包围热电子流体与热离子流体8的、包含高能电子的高能电子流体9。
85.这里的包含是指流体内分布相应粒子的意思，也即热电子流体8内分布着热电子粒子；热离子流体8内分布着热离子粒子；高能电子流体9内分布着高能电子粒子。
86.高能电子流体9包围热电子流体与热离子流体8，高能电子流体9的维持使得环向电流不只在最外封闭磁面10内部，在最外封闭磁面10外部也有很大的环向电流，进而使得等离子体的最外封闭磁面10与真空容器1内壁及内部结构之间形成较大空间。降低粒子在最外封闭磁面可能产生的再循环现象。
87.一些实施例中，参见图2，多个流体还包括分布在热电子流体与热离子流体8、高能电子流体9之间的包含高能离子的高能离子流体12。
88.具体的，高能离子流体12分布在热电子流体与所述热离子流体8的最外封闭磁面10的外侧，且位于高能电子流体9的最外边界11的内侧。
89.一些实施例中，高能离子流体与热电子流体、热离子流体和高能电子流体至少部分重叠。
90.一些实施例中，每一种流体的截面基本为d形。每一种流体形成球形环。本技术实施例中，“基本”是指其限定的内容并非绝对。例如，基本为d形，是指其形成并非为绝对标准的d形，而是包括近似的d形。
91.一些实施例中，多个流体中，至少一个流体形成三维的球形环形状。
92.本技术实施例中，真空容器1设置有多个真空室窗口6。真空室窗口6用于接入等离子体加热与电流驱动系统7、等离子体加料系统以及等离子体测量系统等，实现对真空室内形成的等离子体的加热、驱动、测量等。
93.本技术实施例中，真空容器1可以为但不限于圆环形结构筒的形状。环形结构的中心轴附近可有中心柱2。
94.一些实施例中，真空容器1为单层结构。另外一些实施例中，真空容器1也可能为双层结构，不做具体限定。真空容器1的材质可为但不限于不锈钢。真空容器1的壁有足够的厚度(例如可为0.5cm～10cm)来维持运行的安全与稳定。投入运行前，真空容器1可用感应放电或射频/微波放电作表面清洗，清除真空容器1内表面吸附的气体和杂质。然后可经过硼化、硅化或铍化处理清除表面杂质。真空容器1并可用无油真空抽气系统抽至超高真空(例如，10-6
pa，)。
95.真空容器1的内壁简单干净，部件尽量少，这样可以将聚变过程中产生的电子回旋辐射绝大部分反射进入等离子体中，降低等离子体电磁波加热与驱动过程中的电子回旋辐射(又叫同步辐射)损失，进而提高电流驱动效率。
96.中心柱2可与环向场线圈71形成闭合回路。
97.一些实施例中，保持等离子体的装置还包括多个限制器3，多个限制器3设置于真空容器1的内部以及中心柱2表面，限制器3与真空容器1的内壁绝缘，限制器3与真空容器1的内壁形成不同的电压，以输出直流电。限制器3能够拦截或捕获热电子流体8包含的热电子以及高能电子流体包含的高能电子，真空容器1的壁能够拦截或捕获热离子流体8包含的
热离子。当多个流体包括高能离子流体时，真空容器1的壁还能拦截或捕获高能粒子流体包含的高能离子。限制器3与真空容器1的内壁形成不同的电压，以输出直流电。
98.真空容器1的内部以及中心柱2表面设置多个限制器3(又称孔栏)，用来限制等离子体的边界，以避免等离子体与真空容器1的壁接触，损坏真空容器1的壁。限制器3可用钼、钨等耐高温材料做成。中心柱2上的限制器，可以与气源(燃料)探针等机制配合。
99.限制器3与真空容器1的壁之间进行绝缘设计，二者会形成不同的电压，实现聚变能量的输出。限制器3能够拦截遗失的热电子、高能电子和一部分从等离子体逃逸的热离子，真空容器1的壁及其他器件拦截大部分遗失的热离子和高能离子，因此，把限制器3和真空容器1的壁绝缘，限制器3带负电，真空容器1的壁带正电，两者之间形成相对较高的电势，可以用来直接产生直流电。
100.一些实施例中，真空容器1的内壁设置有电磁波及高于电磁波频率的光子的反射面4，反射面4用于减少电磁波加热和驱动的损失。反射面4的设置位置可以为所有诊断系统安装的真空室窗口及真空泵的进口。
101.一些实施例中，真空容器1的外壁设置有屏蔽结构5，屏蔽结构5用于吸收高能电子产生的高能量韧致辐射，以实现热量收集与输出。
102.由于高能电子产生的韧致辐射，包含高能量的韧致辐射，即硬x射线；低能量的韧致辐射，即软x射线等。低能量的韧致辐射可以被真空容器壁反射进而被约束，高能量的韧致辐射用来输出能量。
103.输出的热量可以但不限于通过加热水产生蒸汽发电。屏蔽结构5例如可以采用铅等重金属材料。屏蔽结构的厚度约为但不限于30cm。
104.一些实施例中，等离子体磁约束系统7包括：环向场线圈(tf)71，其用于产生环向磁场与等离子体电流产生的极向磁场一起构成磁面嵌套的螺旋形磁场结构来约束等离子体；极向场线圈(pf)72，其用于产生垂直磁场和水平磁场来维持等离子体位置平衡和等离子体的截面形状。环向场线圈(tf)71与极向场线圈(pf)72设置于真空容器1外侧或内侧。极向场线圈72在环向场线圈71的内部或者外部，但不限制于这种形式。
105.环向场线圈71与极向场线圈72的材质可为常温普通导体、低温普通导体和各种超导体。环向场线圈71通常由12～32个圆形或非圆形线圈组成。极向场线圈72通常由6-10个近似圆形线圈组成。每个线圈又是由1匝或多匝组成。形状包括但不限于为d形。
106.此外，环形场线圈71的与极向场线圈72的线圈外侧设置有支撑限位结构、冷却结构以及线圈电源系统(图中均未示出)。
107.一些实施例中，保持高性能等离子体的装置还包括等离子体加热与电流驱动系统。等离子体加热与电流驱动系统通过真空室窗口6真空地、密封地接入真空容器1。等离子体加热与电流驱动系统用于加热等离子体以及驱动等离子体电流。等离子体加热与电流驱动系统包括电磁波加热与电流驱动系统、离子加热与电流驱动系统或者中性束加热与电流驱动系统。
108.电磁波包括但是不限于电子回旋波、低杂波等。电磁波能够高效驱动电子，其中包括高能电子。大量高能电子受磁场约束，可以长时间地、稳定地存在于真空室内，并在真空室内形成大量的环向电流。环向电流产生极向磁场与磁体系统产生的磁场叠加形成封闭磁面，封闭磁面平衡稳定地约束高密度、高温度的热电子与热离子。因此，获得超越性的等离
子体约束能力。
109.以电子回旋波为例，电子回旋波加热和电流驱动系统可使用微波源(回旋管)、传输系统和发射天线组成的射频系统；以及控制、微波参数测量、电源及冷却等辅助子系统组成。该系统将频率可为电子回旋频率范围的基波或谐波的射频波发射到真空室内，通过波与真空室内的等离子体相互作用，对等离子体进行加热或无螺旋线圈感应的电流驱动。为了减少电子回旋波加热和驱动的损失，本技术实施例的装置的所有诊断系统的窗口及真空泵的进口等都可使用电子回旋辐射的屏障结构，让电子回旋波在真空室内被频繁反射，直到被等离子体全部吸收。因此整个电子回旋波电流驱动的效率估计会超过1a/w，会远远超过现有托卡马克或球形托卡马克装置中电流驱动效率的10-100倍。
110.电子回旋加热系统中的毫米波可通过波导管及控制系统注入真空室中，可调整其注入角度与位置，达到高效加热及电流驱动的目的。
111.此外，还可以采用离子加热或者中性束加热的方式，在此不做具体限定。
112.本技术实施例中，真空容器1内部空间的高度为h，真空容器1内部空间的宽度为w。其中，对于内部空间为不规则结构或形状时，内部空间的高度实质上为垂直方向上的最大高度；内部空间的宽度实质上为水平方向上的最大宽度。
113.一些实施例中，中心柱的直径为0.1-0.15w。
114.一些实施例中，高能电子流体的高度h
eh
为0.8-0.9h。例如，h
eh
＝0.85h。高能电子流体的宽度w
eh
为0.8-0.9w。例如，w
eh
＝0.85w。
115.一些实施例中，热电子热流体与热离子流体8的高度为0.6-0.7h。热电子热流体与热离子流体的宽度为0.6-0.7w。由于热电子和热离子混合分布在最外封闭磁面10内，因此热电子热流体与热离子流体8的高度即为热电子流体球形环的高度h
el
和热离子流体球形环的高度h
il
。即h
el
＝h
il
＝0.6-0.7h。同样，热电子热流体与热离子流体8的宽度即为热电子流体球形环的宽度w
el
和热离子流体球形环的宽度w
il
。即w
el
＝w
il
＝0.6-0.7w。
116.由于热电子热流体与热离子流体8的高度为真空容器内部空间的0.6-0.7h，反过来说明热电子热流体与热离子流体8的最外封闭磁面10距离真空容器1的内壁的距离为0.3-0.4h，进而反映出最外封闭磁面10与真空容器内壁及内部结构之间形成较大空间。
117.同理的，由于热电子热流体与热离子流体8的宽度为真空容器内部空间的0.6-0.7w，反过来说明热电子热流体与热离子流体8的最外封闭磁面10距离真空容器1的内壁的距离为0.3-0.4w，进而反映出等离子体的最外封闭磁面10与真空容器内壁及内部结构之间形成较大空间。
118.一些实施例中，真空容器1的内壁与最外封闭磁面10的距离比一般的托卡马克及球形托卡马克相当的距离大数倍到大一个数量级以上。
119.本技术实施例中，由于等离子体的最外层具有高能电子流体，因此真空容器1的内壁与等离子体形成的位形的最外封闭磁面的距离比现有的托卡马克装置和球形托卡马克装置大数倍甚至到一个数量级以上。传统tokamak常用限制器在封闭磁面的最外界面的上部、下部、内部与外部(四者任选或者任意组合)与最外封闭磁面直接接触。本技术实施例的装置在最外封闭磁面的上部、下部与外部维持较大的距离。由于本技术形成的球形环位形中形成有高能电子流体，高能电子流体的维持使得环向电流不只在最外封闭磁面内部，在最外封闭磁面外部也有很大的环向电流，进而使得等离子体的最外封闭磁面与真空容器内
壁及内部结构之间形成较大空间，与传统的tokamak的壁与最外封闭磁面之间的距离大数倍甚至到一个数量级以上。例如2倍、5倍、10倍、20倍、50倍等，不限于此。
120.一些实施例中，保持高性能等离子体的装置还包括等离子体加料系统。等离子体加料系统用来为真空室内的等离子体加料或者补充加料。放电清洗时，一般送入真空室内的气体是氢、氦等。因清洗方法和目的不同而使用不同气体。氢硼等离子体放电使用的燃料是氢气、硼粉或乙硼烷等。加料的方法可用喷气(gas puffing)、弹丸注入(pellet injection)、超声分子束注入(supersonic molecular beam injection)等方式。
121.保持高性能等离子体的装置的等离子体测量与控制系统完成对等离子体电流、波形、位置、截面形状、密度、温度、电流密度分布或安全因子(q)值分布和等离子体破裂等控制。
122.本技术实施例的保持高性能等离子体的装置形成具有高性能等离子体，其至少包括高能电子、热电子、热离子三种不同的粒子。这些粒子分别形成不同的流体，多个不同的流体进一步形成球形环位形，其具有多流体平衡的特征。其中，该多流体可以为三流体，也可以为四流体。三流体包括热电子流体、热离子流体、高能电子流体，四流体包括热电子流体、热离子流体、高能电子流体以及高能离子流体，其中高能离子流体包含高能离子粒子，高能离子可以是由聚变燃烧产生的粒子。
123.下面将以具有三流体的球形环位形为例来介绍位形的结构特征、形成过程与机制以及具有的优势。
124.图3a至图3d示出的是具有三流体的球形环位形示意图。其中，图3a为极向磁通面分布示意图；图3b为总环向电流分布示意图；图3c为热电子、热离子携带的环向电流分布示意图；图3d为高能电子携带的环向电流分布示意图。每个图中的最外黑色边界示意限制器。其中，图3a中的闭合实线代表封闭的磁通面，虚线代表未封闭的磁通面；图3b、图3c、图3d中的，虚线代表不同的环向电流等值面(电流线)；实线10代表最外封闭磁面(磁通面)，实线11代表高能电子流体最外边界(即环向电流边界)。该高性能等离子体包括：高能电子、热电子、热离子，这些粒子分别形成不同的流体，例如热电子形成热电子流体，热离子形成热离子流体8(见图3c)、高能电子形成高能电子流体9(见图3d)，每一种流体分别形成不同尺寸的近似“d形”截面的球形环，这些球形环部分重叠。热电子、热离子与高能电子均携带环向电流，总环向电流见图3b，与外加磁场共同形成有封闭磁面(见图3a)。高能电子流体9形成有最外边界11。热电子流体与热离子流体8分布在最外封闭磁面10内部，高能电子流体9同时维持在最外封闭磁面10的内部与外部。最外封闭磁面10的边界与高能电子流体的最外边界11(即环向电流的边界)受极向场线圈电流的控制。
125.参见图1和图2，以下是本技术实施例的高性能等离子体中的热电子流体、热离子流体与高能电子流体、高能离子流体的尺寸、温度、密度均有相应的参数说明：
126.其中，用w代表柱状真空室1宽度，h代表柱状真空室1高度。中心柱2的直径约为0.1-0.15w。
127.高能电子流体9高度h
eh
约为但不限于0.8-0.9h。示例性实施例中，h
eh
＝0.75h。
128.高能电子流体球形环的宽度w
eh
约为但不限于0.8-0.9w。示例性实施例中，w
eh
＝0.85w。譬如，用上列参数高能电子流体球形环的大半径r11约为0.25w，小半径r12约为0.175w，环径比约为aeh＝1.43，具体位置可见图1。
129.热电子流体与热离子流体8球形环高度h
el
＝h
il
约为但不限于0.6-0.7h。示例性实施例中，h
el
＝h
il
＝0.65h。宽度w
el
＝w
il
约为但不限于0.6-0.7w。示例性实施例中，w
el
＝w
il
＝0.65w。譬如，用上列参数的热电子流体与热离子流体球形环的大半径约为0.2w，小半径约0.125w，环径比约为a
el
＝a
il
＝1.6。
130.高能离子流体12(即α粒子形成的流体)的高度略大于热电子流体与热离子流体8的高度h
el
与h
il
，明显小于高能电子流体9的高度h
eh
。
131.高性能等离子体的温度、密度的参数描述如下：
132.热电子流体与热离子流体8温度约为，但不限于150-300kev。例如，具体可以是160kev、180kev、190kev、210kev、250kev、270kev、290kev等。
133.高能电子流体9的温度约为但不限于15-30mev。例如，具体可以是16mev、18mev、19mev、21mev、25mev、27mev、29mev等。聚变产生的高能离子温度呈慢化分布(slowing down distribution)，峰值温度约为但不限于3mev。
134.热电子流体与热离子流体8的密度约为但不限于(0.5-5)x10
19
m-3
。高能电子流体的密度约为但不限于(0.5-5)x10
17
m-3
。
135.每一种流体在每一个宏观位置(macroscopic model)对力平衡都有贡献。力平衡包括：洛伦兹力(j
×
b)，压强梯度(grad p)，向心力(centrifugal force)及电场力(electric field(e)forces)。e
×
b产生的电子、离子的流速与b垂直，e的方向为径向，所以这个流速有极向流速及环向流速。
136.以球形环位形的形成与维持的过程与机制为例，对本技术进一步说明如下：
137.(1)在点火阶段或等离子体启动阶段，外加电磁波加热驱动形成球形环位形的机制：电磁波(electromagnetic wave，emw)从外部进入真空腔室在边界加热高能电子流体，高能电子流体携带的环向电流产生的磁场与外加磁体系统产生的磁场叠加形成封闭磁面，约束等离子体。同时，在最外封闭磁面内部，即电子密度比较高的区域，电磁波转换成电子伯恩斯坦波(electron bernstein wave，ebw)被等离子体吸收，进而加热等离子体，提升等离子体电流。
138.(2)在聚变等离子体燃烧阶段(运行阶段)，球形环位形的维持方法：氢硼聚变：p
11
b
→34
he 8.68mev；
139.聚变燃烧产生的聚变能的高能离子，比如由氢硼聚变产生的高能α粒子，即4he 离子，可加热并维持热等离子体的温度和密度，最外封闭磁面内密度较高的电子产生ebw辐射，ebw部分转换成emw离开封闭磁面，加热高能电子流体，维持高能电子流体的温度、密度、旋转速度与环向电流，进而维持封闭磁面，约束热等离子体，维持多流体平衡，因而维持聚变燃烧。上述的物理机制正好与用外加电磁波加热驱动形成具有多流体平衡特征的球形环位形的机制是反向的。同时，密度较高的等离子体部分会产生自举电流以及电子、离子高速旋转的电流(电子旋转与离子旋转的方向相反，两者电流相加)，构成等离子体电流的重要组成部分。
140.图4为本技术实施例中具有三流体的位形的实验结果图，由图4可知本技术实施例的三流体位形已经通过实验得到验证。
141.基于如述机理，上述聚变系统形成的具有多流体平衡特征的球形环位形，也具有如下优势：
142.本技术实施例中等离子流体的位形具有自然偏滤磁场位形的特征，有利于减少等离子体与材料相互作用的负担。此外，聚变发电时，相当大部分的聚变能会转换为光子辐射(电子同步辐射、电子韧致辐射)的能量产出，也有利于减少等离子体与材料的相互作用的负担。
143.本技术实施例中等离子形成的具有多个流体的位形中，最外封闭磁面与上下外部的限制器二者可以保持较大距离，降低粒子在最外封闭磁面可能产生的再循环现象，因此，有利于提升封闭磁面内热离子、热电子的能量约束能力。
144.本技术实施例中等离子流体的位形中，安全因子q在最外封闭磁面趋向与无穷大，电流密度的梯度在最外封闭磁面相对低，增加了撕裂膜的稳定性，进而提升封闭磁面内等离子体的稳定性。
145.本技术实施例描述的位形中，高能电子流体有极高的温度及很低的密度，由于驱动效率与温度成正比与密度成反比，因此有利于提升电流驱动的效率。
146.相比于现有聚变装置，本技术的装置能够实现稳态或者长脉冲运行。
147.本技术实施例描述的位形以及热量输出与直接发电的机制能够降低聚变燃烧的劳森判据的参数要求。聚变反应相对较容易实现，装置相对较小。因此本技术实施例的装置可作为小型分布式的聚变能源。
148.综上，本技术实施例的用于保持高性能等离子体的装置，为高效紧凑型球形托卡马克(spherical tokamak，st)或球形环(spherical torus，st)聚变反应系统，用于在真空腔室内形成和保持具有高约束性能的低环径比球形环位形，该系统包括：真空容器、等离子体约束系统、等离子体加热与电流驱动系统、等离子体加料系统、等离子体测量与控制系统。真空容器内的空间用于等离子体形成，等离子体靠外加磁场及等离子体本身电流协同形成的磁场共同约束，等离子体温度与电流是经过高频电磁波设备产生的功率来加热及驱动形成，等离子体的密度由加料系统注入燃料来维持，等离子体的物理参数及功能由测量系统获得，也可以经过控制系统来调整并维持等离子体的物理参数和功能。
149.与常规的托卡马克装置相比，本技术实施例的装置能够形成具有多个流体的位形，且高能电子流体包围热电子流体与热离子流体，高能电子流体的维持使得环向电流不只在最外封闭磁面内部，在最外封闭磁面的外部也有很大的环向电流，环向电流产生极向磁场与磁体系统产生的磁场叠加形成封闭磁面，封闭磁面平衡稳定地约束高密度、高温度的热电子与热离子，从而有效避免等离子体湍流及能量扩散，降低粒子在最外封闭磁面可能产生的再循环现象，进而有效提升封闭磁面内热离子、热电子的能量约束能力与稳定性。
150.本技术实施例提供一种保持高性能等离子体的方法。该方法可由上述实施例的装置实现。因此上述装置实施例的描述可用于理解和解释下述保持高性能等离子体的方法的实施例。下述保持高性能等离子体的方法的实施例也可用于理解和解释上述装置实施例。
151.本技术实施例提供的保持高性能等离子体的方法包括：
152.在环绕中心柱2设置的环形真空容器1内启动等离子体；
153.通过磁场限制、成形和控制真空容器1内的等离子体，以使等离体子形成具有多个流体的位形；其中，多个流体由内至外形成多层，位于外层的流体包围位于内层的流体，多个流体之间至少部分重叠。
154.一些实施例中，位形包括：
155.分布在位形最内层的包含热电子的热电子流体8和包含热离子的热离子流体8，热电子流体与热离子流体基本完全重叠；
156.包围热电子流体与热离子流体8的、包含高能电子的高能电子流体9。
157.一些实施例中，等离子体还包括分布在热电子流体与热离子流体8的最外封闭磁面10的外侧，且位于高能电子流体9的最外边界11的内侧的包含高能离子的高能离子流体12。
158.一些实施例中，高能离子流体与热电子流体、热离子流体和高能电子流体至少部分重叠。
159.一些实施例中，每一种流体的截面基本为d形。
160.一些实施例中，至少一个流体形成三维的球形环形状。
161.一些实施例中，通过在真空容器1的内部设置相互绝缘的多个限制器3，限制器3拦截从热电子流体及高能电子流体逃逸的热电子及高能电子，真空容器1的壁拦截从热离子流体遗失的热离子。当多个流体包括高能离子流体时，真空容器1的壁还能拦截或捕获高能粒子流体包含的高能离子。限制器3带负电，真空容器1的壁带正电，限制器3与真空容器1的壁形成不同的电压，以输出直流电。
162.一些实施例中，通过在真空容器1的内壁设置电磁波及高于电磁波频率的光子的反射面4，减少电磁波加热和驱动的损失。
163.一些实施例中，通过设置在真空容器的外壁的屏蔽结构5吸收高能电子产生的高能量韧致辐射，以输出热量。
164.一些实施例中，中心柱2的直径为0.1-0.15w；其中，w为真空容器内部空间的宽度。
165.一些实施例中，高能电子流体9的高度h
eh
＝0.8-0.9h；高能电子流体9的宽度w
eh
＝0.8-0.9w；其中，h为真空容器1内部空间的高度，w为真空容器1内部空间的宽度。
166.一些实施例中，热电子流体与热离子流体8高度h
el
＝h
il
＝0.6-0.7h，热电子流体与热离子流体8的宽度w
el
＝w
il
＝0.6-0.7w；其中，h为真空容器1内部空间的高度，w为真空容器1内部空间的宽度。
167.本技术实施例提供了一种各种无中子聚变反应堆芯，其包括上述实施例的保持高性能等离子体的装置。
168.本技术实施例提供一种发电站，其包括上述实施例的保持高性能等离子体的装置。
169.该发电站能够可实现多种能量输出方式，其中估计40％变成直流电，30％热工，总能量输出效率达到高于50％的效率，输出功率相对较高。
170.本技术实施例提供一种发热能站，其包括上述实施例的保持高性能等离子体的装置。
171.本技术实施例的保持高性能等离子体的装置能力输出的方式有多种。
172.能量输出方式一：热量输出
173.聚变能转换为光子辐射，包括电子同步辐射、电子韧致辐射，其中高能电子产生的韧致辐射，包含硬x射线，即高能量的韧致辐射；软x射线，即低能量的韧致辐射等。同步辐射与低能量的韧致辐射可以被真空容器壁反射进而被约束，高能量的韧致辐射用来输出能量。可以在真空容器壁与限制器之间设置屏蔽层，例如铅等重金属，厚度约为但不限于
30cm，屏蔽层吸收高能量的韧致辐射，转换成热量输出。热量输出可采用但不限于传统方法，例如用于供热，或通过水加热产生蒸汽发电及产生热水等。
174.能量输出方式二：直接发电
175.本技术实施例的位形中，热电子与热离子在高能电子流体边界有极不同的轨道，遗失的热电子大部分被限制器拦截，逃逸的热离子大部分被真空容器壁及其他部件拦截，因此，把限制器和真空容器壁绝缘，限制器带负电，真空容器壁带正电，两者之间形成相对较高的电势，可以用来直接产生直流电。上述电势估计与热电子温度成正比。
176.此外，由于本技术实施例中的等离子流体的位形具有优异的等离子约束能力与稳定性等优势，使其具有广泛的用途，除了商业发电外，还可以作为正电子源或者太空推进光之源，包括但不限于上述用途。
177.本技术实施例提供了一种极强高能宽谱光子源，其包括上述实施例的保持高性能等离子体的装置。
178.本技术实施例提供一种太空高能宽谱光子推进器，其包括上述实施例的保持高性能等离子体的装置。
179.聚变燃烧时会产生电磁波。在装置上设置一个开口，可以形成能量很高的波源，可以用来做高效率的太空推进。
180.本技术实施例提供一种高能宽谱正电子源，其包括上述实施例的保持高性能等离子体的装置。
181.高能电子产生的硬x射线会在铅或重金属内产生电子偶(electron-positron pair)，即正电子、负电子。部分正电子打到真空容器壁内与负电子结合变成两个0.511mev的光子，部分正电子回到真空容器内被约束，甚至被电磁波加速，形成正电子电流。正电子的存活时间(lifetime)估计较长，因此本技术实施例的等离子体内正电子的含量相对较高，可以高到全世界正电子源的近100万倍(1million)。因此，可以称为世界上正电子含量极高的正电子源，正电子源的量与装置的大小及等离子体的参数有关。
182.本技术实施例提供了一种同位素生产站，其包括上述实施例的保持高性能等离子体的装置。
183.以上描述旨在是说明性的而不是限制性的。例如，上述示例(或其一个或更多方案)可以彼此组合使用，并且考虑这些实施例可以以各种组合或排列彼此组合。本技术的范围应参照所附权利要求以及这些权利要求赋权的等同形式的全部范围来确定。