半导体封装件及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体封装件，其特征在于，包括：磁性层，所述磁性层包括具有预定的面积的内侧部及位于所述内侧部的外围的外侧部；下部聚合物层，设置于所述磁性层的下侧；以及切割面，通过所述磁性层及所述下部聚合物层的端部形成，沿所述磁性层及所述下部聚合物层的层叠方向延伸，在所述磁性层的所述外侧部的至少一部分中，包括朝向所述层叠方向的下侧倾斜的倾斜面，朝向所述层叠方向的厚度大于朝向所述内侧部的所述层叠方向的厚度。2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，还包括传导性层，设置于所述磁性层的上侧。3.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，还包括上部聚合物层，设置于所述磁性层的上侧。4.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，所述外侧部的至少一部分还包括朝向所述层叠方向的上侧倾斜的倾斜面。5.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，还包括传导性层，设置于所述上部聚合物层的上侧。6.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，还包括第一粘接层，介于所述上部聚合物层的下表面与所述磁性层的上表面之间。7.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，还包括第二粘接层，介于所述下部聚合物层的上表面与所述磁性层的下表面之间。8.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，所述下部聚合物层或所述上部聚合物层包括聚合物树脂及填充剂，所述聚合物树脂及所述填充剂的配合比为30％比70％至90％比10％的比例。9.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，所述下部聚合物层或所述上部聚合物层的厚度为5um至50um。10.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，所述下部聚合物层或所述上部聚合物层的模量为50mpa至50gpa。11.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，还包括：印刷电路基板；半导体芯片，设置于所述印刷电路基板上；以及所述半导体芯片的保护层，所述保护层设置于所述印刷电路基板上，所述下部聚合物层设置于所述保护层的上侧。12.如权利要求11所述的半导体封装件，其特征在于，所述保护层与所述下部聚合物层之间的附着强度、所述磁性层与所述上部聚合物层之间的附着强度、及所述磁性层与所述下部聚合物层之间的附着强度中至少一种附着强度为0.5kgf/25mm以上。
13.一种半导体封装件的制造方法，其特征在于，包括：制造膜结构体的步骤，所述膜结构体包括磁性层及设置于所述磁性层下侧的下部聚合物层；层叠步骤，在设置于基板上的半导体芯片上设置所述膜结构体；以及切割步骤，对所述层叠步骤的层叠结构的至少一部分进行切割，使得所述磁性层的外侧部的至少一部分的厚度大于所述磁性层的内侧部的厚度，所述切割步骤包括以使所述外侧部的至少一部分包括朝向所述层叠方向的下侧倾斜的倾斜面的方式进行切割的步骤。14.如权利要求13所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，在所述制造膜结构体的步骤中，在所述磁性层的上侧还设置上部聚合物层。15.如权利要求14所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，在所述切割步骤中，以所述外侧部的至少一部分还包括朝向所述层叠方向的上侧倾斜的倾斜面的方式进行切割。16.如权利要求13所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，按照所述外侧部的预设形态类型，预先指定旋转的同时进行切断的器具的旋转速度，所述切割步骤控制所述器具以使所述器具通过按照所述预设形态类型预先指定的所述旋转速度中与所述至少一种相对应的旋转速度进行旋转。

技术总结
半导体封装件可以包括：磁性层，所述磁性层包括具有预定的面积的内侧部及位于所述内侧部的外围的外侧部；下部聚合物层，设置于所述磁性层的下侧；以及切割面，通过所述磁性层及所述下部聚合物层的端部形成，沿所述磁性层及所述下部聚合物层的层叠方向延伸。在所述磁性层的所述外侧部的至少一部分中，包括朝向所述层叠方向的下侧倾斜的倾斜面，朝向所述层叠方向的厚度可以大于朝向所述内侧部的所述层叠方向的厚度。叠方向的厚度。叠方向的厚度。


技术研发人员：郑世泳 朱起锈 李奎宰 李承宰
受保护的技术使用者：新特美有限公司
技术研发日：2021.04.21
技术公布日：2021/10/23