显示基板及显示装置的制作方法

1.本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及显示装置。


背景技术：

2.有机电致发光器件(oled)作为一种新型的发光器件在显示和照明领域体现出了巨大的应用潜力，因而受到了学术界和产业界的强烈关注。在显示领域，有机电致发光器件相对于液晶显示器件(lcd)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点，被认为是下一代显示技术。


技术实现要素：

3.本公开实施例提供一种显示基板及显示装置，用以提高封装信赖性。
4.因此，本公开实施例提供的一种显示基板，包括：
5.衬底基板，所述衬底基板包括显示区、以及与所述显示区相邻的非显示区；
6.无机封装层，位于所述衬底基板之上，所述无机封装层完全覆盖所述显示区，并自所述显示区延伸至所述非显示区；
7.多个相互分离的隔断结构，位于所述无机封装层与所述衬底基板之间，且所述隔断结构在所述非显示区内围绕所述显示区设置或者被所述显示区围绕设置，其中，至少一个隔断结构的结构参数与其他隔断结构的结构参数不同，以使得所述无机封装层在所述至少一个隔断结构处断开设置，且在所述其他隔断结构处连续设置。
8.可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述隔断结构包括沿远离所述衬底基板的方向依次设置的第一隔断部、第二隔断部和第三隔断部，所述第一隔断部和所述第三隔断部所述在衬底基板的正投影分别完全覆盖所述第二隔断部在所述衬底基板的正投影；
9.所述至少一个隔断结构的所述第三隔断部在所述衬底基板的正投影的边缘到所述第二隔断部在所述衬底基板的正投影的相邻的边缘距离大于所述其他隔断结构的对应的距离。
10.可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述至少一个隔断结构中所述第三隔断部在所述衬底基板的正投影的边缘到所述第二隔断部在所述衬底基板的正投影的相邻的边缘距离与所述其他隔断结构中的对应的距离之差大于或等于1μm。
11.可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述至少一个隔断结构的所述第二隔断部在垂直于所述衬底基板方向上的高度大于所述其他隔断结构的所述第二隔断部在垂直于所述衬底基板方向上的高度。
12.可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述至少一个隔断结构的所述第二隔断部在垂直于所述衬底基板方向上的高度与所述其他隔断结构的所述第二隔断部在垂直于所述衬底基板方向上的高度之差大于或等于
13.可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述其他隔断结构中的至少一
个位于所述至少一个隔断结构与所述显示区之间。
14.可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述其他隔断结构的全部位于所述至少一个隔断结构与所述显示区之间。
15.可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述其他隔断结构中的至少一个位于所述至少一个隔断结构与所述显示区之间，其余位于所述至少一个隔断结构远离所述显示区的一侧。
16.可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述无机封装层包括层叠设置的第一无机封装层和第二无机封装层；
17.所述显示基板还包括位于所述第一无机封装层与所述第二无机封装层之间的有机封装层；
18.所述有机封装层完全覆盖所述显示区，并自所述显示区延伸至所述非显示区，且所述有机封装层在各所述隔断结构处断开设置。
19.可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，还包括：在所述显示区内位于所述无机封装层与所述衬底基板之间的转接电极、以及位于所述转接电极与所述无机封装层之间的阳极，所述转接电极与所述阳极电连接；
20.所述隔断结构与所述转接电极同层、同材料设置。
21.可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述非显示区位于所述显示区的周围，在所述显示区一侧的所述非显示区包括绑定区；
22.在包括所述绑定区的所述非显示区内，所述隔离结构在所述绑定区与所述显示区之间区域的两侧沿所述绑定区指向所述显示区的方向延伸，且在其他所述非显示区内，所述隔离结构围绕所述显示区设置。
23.可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述显示基板的形状为圆形、椭圆形或心形。
24.可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，还包括在所述非显示区内依次位于所述隔断结构背离所述衬底基板一侧的绝缘结构和阳极金属，其中，所述阳极金属通过贯穿所述绝缘结构的通孔与所述隔断结构接触。
25.可选地，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述阳极金属在所述衬底基板上的正投影位于所述第三隔断部在所述衬底基板上的正投影内，所述绝缘结构在所述衬底基板上的正投影位于所述阳极金属在所述衬底基板上的正投影内。
26.基于同一发明构思，本公开实施例提供了一种显示装置，包括本公开实施例提供的上述显示基板。
27.本公开有益效果如下：
28.本公开实施例提供的显示基板及显示装置，包括衬底基板，衬底基板包括显示区、以及与显示区相邻的非显示区；无机封装层，位于衬底基板之上，无机封装层完全覆盖显示区，并自显示区延伸至非显示区；多个相互分离的隔断结构，位于无机封装层与衬底基板之间，且隔断结构在非显示区内围绕显示区设置或者被显示区围绕设置，其中，至少一个隔断结构的结构参数与其他隔断结构的结构参数不同，以使得无机封装层在至少一个隔断结构处断开设置，且在其他隔断结构处连续设置。由于各隔断结构位于非显示区内，且无机封装层对结构参数不同的隔断结构的包裹性不同，致使无机封装层可在结构参数不同于其他隔
断结构的至少一个隔断结构处断开，因此，可将切割过程中可能产生的裂缝限制在非显示区，从而有效阻挡裂缝扩展到显示区，进而提高封装信赖性。
附图说明
29.图1为相关技术中显示基板的结构示意图；
30.图2和图3分别为相关技术中无机封装层产生裂缝的电镜图；
31.图4为本公开实施例提供的显示基板的一种结构示意图；
32.图5为沿图4中i
‑
ii线的一种剖面结构示意图；
33.图6为图5中第二隔断结构的示意图；
34.图7为图5中第一隔断结构的示意图；
35.图8为本公开实施例提供的分批沉积2μm厚度的无机封装层的电镜图；
36.图9为本公开实施例提供的单独沉积1μm厚度的无机封装层的电镜图；
37.图10为本公开实施例提供的显示基板的又一种结构示意图；
38.图11为沿图10中v
‑
vi线的一种剖面结构示意图；
39.图12为沿图10中v
‑
vi线的又一种剖面结构示意图；
40.图13为沿图10中v
‑
vi线的一种剖面结构示意图；
41.图14为沿图10中v
‑
vi线的又一种剖面结构示意图；
42.图15为沿图3或图10中iii
‑
iv线的一种剖面结构示意图；
43.图16为沿图4中i
‑
ii线的又一种剖面结构示意图；
44.图17为本公开实施例提供的显示基板的制作方法的流程图。
具体实施方式
45.为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
46.除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
47.如图1所示，相关技术中采用常规形状(例如方形)的金属掩膜板(open mask)制作封装层tfe，导致封装层tfe大于异形(例如圆形)基板01，通常需要采用刀轮将超出异形基板01的封装层tfe切割掉。但在刀轮切割过程中，如图2和图3所示，切割应力会导致封装层tfe中的无机封装膜层(cvd)产生裂缝(crack)，空气中的水氧等会沿着裂缝入侵至显示区(aa)，严重影响异形显示产品的封装信赖性。
48.为了至少解决相关技术中存在的上述问题，本公开实施例提供了一种显示基板，
如图4和图5所示，包括：
49.衬底基板101，该衬底基板101包括显示区aa、以及与显示区aa相邻的非显示区bb；具体地，图4示出了非显示区bb围绕显示区aa；在一些实施例中，可以在显示区aa内部打孔，以在打孔的位置安装摄像头等，此时，打孔位置可以为非显示区bb，显示区aa则会围绕非显示区bb；
50.无机封装层102，位于衬底基板101之上，无机封装层102完全覆盖显示区aa，并自显示区aa延伸至非显示区bb；
51.多个相互分离的隔断结构103，位于无机封装层102与衬底基板101之间，且隔断结构103在非显示区bb内围绕显示区aa设置或者被显示区aa围绕设置，其中，至少一个隔断结构103的结构参数与其他隔断结构103的结构参数不同，以使得无机封装层102在上述至少一个隔断结构103处断开设置，且在上述其他隔断结构103处连续设置。为便于说明，以下将上述至少一个隔断结构103中的每个称作第一隔断结构1031，并将上述其他隔断结构103中的每个称作第二隔断结构1032。
52.在本公开实施例提供的上述显示基板中，由于各隔断结构103位于非显示区bb内，且无机封装层102对结构参数不同的第一隔断结构1031和第二隔断结构1032的包裹性不同，致使无机封装层102可在第一隔断结构1031处断开，并在第二隔断结构1032连续，因此，可将切割过程中可能产生的裂缝限制在非显示区bb，从而有效阻挡裂缝扩展到显示区aa，进而提高封装信赖性和切割的良率。另外，由于切割应力不会影响封装信赖性，因此对切割的区域和切割工艺要求降低，提高了切割的窗口。
53.在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图5至图7所示，隔断结构103可以包括沿远离衬底基板101的方向z依次设置的第一隔断部31、第二隔断部32和第三隔断部33，第一隔断部31和第三隔断部33在衬底基板101的正投影分别完全覆盖第二隔断部32在衬底基板101的正投影，使得隔断结构103表现为“工”字形(rib)；在一些实施例中，隔断结构103的结构参数可以包括隔断结构103的第三隔断部33在衬底基板101的正投影的边缘到第二隔断部32在衬底基板101的正投影的相邻的边缘距离(也称为tip)，具体地，为了有效隔断无机封装层102，可以设置第一隔断结构1031的第三隔断部33在衬底基板101的正投影的边缘到第二隔断部32在衬底基板101的正投影的相邻的边缘距离w1大于第二隔断结构1032的对应的距离w2。
54.在一些实施例中，第一隔断结构1031的第三隔断部33在衬底基板101的正投影的边缘到第二隔断部32在衬底基板101的正投影的相邻的边缘距离w1与第二隔断结构1032中对应的距离w2之差(即w1
‑
w2)可以大于或等于1μm。示例性地，第二隔断结构1032的第三隔断部33在衬底基板101的正投影的边缘到第二隔断部32在衬底基板101的正投影的相邻的边缘距离w2的取值在0.03μm
‑
0.05μm范围内，则第一隔断结构1031的第三隔断部33在衬底基板101的正投影的边缘到第二隔断部32在衬底基板101的正投影的相邻的边缘距离w1的取值可以在1.03μm
‑
1.05μm范围内。
55.在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图5至图7所示，隔断结构103的结构参数可以包括隔断结构1031的第二隔断部32在垂直于衬底基板101方向z上的高度，具体地，为了有效隔断无机封装层102，可以设置第一隔断结构1031的第二隔断部32在垂直于衬底基板101方向z上的高度h1大于第二隔断结构1032的第二隔断部32在垂直
于衬底基板101方向z上的高度h2。
56.在一些实施例中，第一隔断结构1031的第二隔断部32在垂直于衬底基板101方向z上的高度h1与第二隔断结构1032的第二隔断部32在垂直于衬底基板101方向z上的高度h2之差(即h1
‑
h2)可以大于或等于示例性地，第二隔断结构1032的第二隔断部32在垂直于衬底基板101方向z上的高度h2可以为第一隔断结构1031的高度h1的第二隔断部32在垂直于衬底基板101方向z上可以大于或等于
57.需要说明的是，在本公开中第一隔断结构1031的第二隔断部32在垂直于衬底基板101方向z上高度h1和第一隔断结构1031的第三隔断部33在衬底基板101的正投影的边缘到第二隔断部32在衬底基板101的正投影的相邻的边缘距离w1中的至少之一满足上述条件，即可将无机封装层102隔断。但发明人在工艺验证中发现，无机封装层102的厚度和沉积次数对隔断效果存在一定的影响，具体表现为无机封装层102越厚、沉积次数越多，其对隔断结构103的包裹性、覆盖性越好，越不容易断裂，如图8和图9所示。具体地，在图8和图9中分别示出了分批沉积2μm批的无机封装层102和单独沉积1μm的无机封装层102的电镜(sem)图。因此，在具体实施时，为了隔断无机封装层102，可以根据无机封装层102的厚度和沉积次数对第一隔断结构1031的第二隔断部32在垂直于衬底基板101方向z上的高度h1和第一隔断结构1031的第三隔断部33在衬底基板101的正投影的边缘到第二隔断部32在衬底基板101的正投影的相邻的边缘距离w1进行灵活调整。具体地，第一隔断结构1031的第二隔断部32在垂直于衬底基板101方向z上的高度h1和/或第一隔断结构1031的第三隔断部33在衬底基板101的正投影的边缘到第二隔断部32在衬底基板101的正投影的相邻的边缘距离w1随无机封装层102的厚度的增加、以及沉积次数的增多而增大，也就是说，第一隔断结构1031的第二隔断部32在垂直于衬底基板101方向z上的高度h1和/或第一隔断结构1031的第三隔断部33在衬底基板101的正投影的边缘到第二隔断部32在衬底基板101的正投影的相邻的边缘距离w1与无机封装层102的厚度和沉积次数成正相关关系。
58.在一些实施例中，由于第一隔断结构1031所在的位置为无机封装层102的隔断位置，因此为了避免被隔断的无机封装层102距离显示区aa过近而导致封装失效，可以设置第二隔断结构1032中的至少一个可以位于第一隔断结构1031与显示区aa之间，如图5、图10至图12所示。可选地，如图5和图11所示，第二隔断结构1032全部位于第一隔断结构1031与显示区aa之间；或者，如图12所示，部分第二隔断结构1032位于第一隔断结构1031与显示区aa之间，其余第二隔断结构1032位于第一隔断结构1031远离显示区aa的一侧。
59.由于隔断结构103与显示区aa之间的区域内的无机封装层102是连续设置的，因此，在隔断结构103与显示区aa之间的区域较大时，即使无机封装层102在最靠近显示区aa的一个隔断结构103处断裂，依然可以保证无机封装层102的良好封装效果。基于此，在一些实施例中，如图13和图14所示，隔断结构103与显示区aa之间的最小距离d1大于图11和图12中隔断结构1031与显示区aa之间的最小距离d2时，可以设置至少部分较高的第一隔断结构1031相交于较低的第二隔断结构1032更靠近显示区aa。
60.在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图5所示，无机封装层102包括层叠设置的第一无机封装层1021和第二无机封装层1022；显示基板还可以包括位于第一无机封装层1021与第二无机封装层1022之间的有机封装层104；有机封装层104完
全覆盖显示区aa，并自显示区aa延伸至非显示区bb，且有机封装层104在各隔断结构103(包括全部第一隔断结构1031和全部第二隔断结构1032)处断开设置，以增强封装效果。
61.在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图15所示，还可以包括：在显示区aa内位于无机封装层102与衬底基板101之间的转接电极105，以及位于转接电极105与无机封装层102之间的阳极106，其中，转接电极105与阳极106电连接，隔断结构103与转接电极105同层、同材料设置，以减少膜层数量和掩膜次数。
62.需要说明的是，在本公开中，“同层”指的是采用同一成膜工艺形成用于制作特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。即一次构图工艺对应一道掩模板(mask，也称光罩)。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而所形成层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形可能处于相同的高度或者具有相同的厚度、也可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。
63.另外，如图5和图15所示，转接电极105具体用于连接晶体管107和阳极106。显示基板还可以包括：缓冲层108、第一栅绝缘层109、第二栅绝缘层110、电容111、层间介电层112、第一绝缘层113、第一平坦层114、第二绝缘层115、第二平坦层116、像素定义层117、发光功能层118、阴极119、填充层(filler)120、封装坝(dam)121和保护盖板(cover)122等。
64.在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图4所示，非显示区bb位于显示区aa的周围，在显示区aa一侧的非显示区bb包括绑定区pb；在包括绑定区pb的非显示区bb(例如下侧非显示区)内，隔离结构103在绑定区pb与显示区aa之间区域的两侧沿绑定区pb指向显示区aa的方向y延伸，且在其他非显示区bb(例如左侧、右侧和上侧非显示区)内，隔离结构103围绕显示区aa设置。这样设置，可以使得显示基板中的信号线在隔离结构103沿方向y延伸的部分之间的区域内与绑定区pb的驱动芯片(ic)电连接，避免了信号线与隔离结构103交叠，由此减小了信号线上的耦合电容，利于提高显示效果。
65.在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，显示基板的形状可以为圆形、椭圆形或心形等形状，在此不做限定。
66.在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图16所示，还可以包括在非显示区bb内依次位于隔断结构103背离衬底基板101一侧的绝缘结构115’和阳极金属106’，其中，阳极金属106’通过贯穿绝缘结构115’的通孔与隔断结构103接触。在具体实施时，非显示区bb内的阳极金属106’与显示区aa内的阳极106采用同一道掩膜工艺制作。绝缘结构115’为第二绝缘层115在非显示区aa内的保留图案。
67.在一些实施例中，阳极金属106’在衬底基板101上的正投影可以位于第三隔断部33在衬底基板101上的正投影内，绝缘结构115’在衬底基板101上的正投影位于阳极金属106’在衬底基板101上的正投影内，便于将位于阳极金属106’和绝缘结构115’下方的隔断结构103制作成为“工”字形。
68.另外，本公开还提供了上述显示基板的制作方法，并且为了便于理解，以下仅对隔断结构103的制作进行介绍，对于显示区aa中各部件的制作工艺可参考相关技术，在此不做赘述。
69.具体地，如图17所示，上述显示基板的制作方法可以包括以下步骤：
70.第一步：在衬底基板101的非显示区bb依次形成缓冲层108、第一栅绝缘层109、电
容111的第一电极所在的第一栅金属层123、电容111的第二电极所在的第二栅金属层124、在隔离结构103的设计区域具有第一过孔的层间介电层112、位于隔离结构103的设计区域且与晶体管106的源极同层、同材料的第一导电结构125、在隔离结构103的设计区域具有第二过孔的第一绝缘层113、以及在隔离结构103的设计区域且与转接电极同层、同材料的第二导电结构103’，其中，第一导电结构125通过第一过孔与第二栅金属层124电连接，第二导电结构103’通过第二过孔与第一导电结构125电连接。
71.第二步：在第二导电结构103’所在层上形成第二绝缘层115，并在第二导电结构103’中间区域的第二绝缘层115中形成第三过孔。
72.第三步：在隔离结构103的设计区域形成阳极金属106’，使得阳极金属106’通过第三过孔与第二导电结构103’电连接。当然，由于隔离结构103位于非显示区bb，而非显示区bb不具备显示功能，因此，隔离结构103的设计区域内的阳极金属106’可有可无，不做具体限制。
73.第四步：通过干法刻蚀工艺，将第二导电结构103’上方的第二绝缘层115刻蚀掉，保留被阳极金属106遮挡的第二绝缘层115，获得绝缘结构115’。之后，再通过湿法刻蚀工艺，把第二导电结构103’的金属进行横向刻蚀，获得“工”字形的隔断结构103。在具体实施时，可通过形成不同厚度的第二导电结构103’来获得不同高度的隔断结构103，并通过调整湿法刻蚀的时间等控制隔断结构103中第三隔断部33在单侧超出第二隔断部32的距离，以获得不同规格的第一隔断结构1031和第二隔断结构1032。或者，还可以分别制作不同规格需求的第一隔断结构1031和第二隔断结构1032。由于“工”字形的隔断结构103与相关技术中制作“工”字形金属部件的工艺相似，在此不做详细介绍。
74.需要说明的是，在本公开实施例提供的上述制作方法中，形成各层结构涉及到的构图工艺，不仅可以包括沉积、光刻胶涂覆、掩模板掩模、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等部分或全部的工艺过程，还可以包括其他工艺过程，具体以实际制作过程中形成所需构图的图形为准，在此不做限定。例如，在显影之后和刻蚀之前还可以包括后烘工艺。
75.其中，沉积工艺可以为化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法或物理气相沉积法，在此不做限定；掩膜工艺中所用的掩膜板可以为半色调掩膜板(half tone mask)、单缝衍射掩模板(single slit mask)或灰色调掩模板(gray tone mask)，在此不做限定；刻蚀可以为干法刻蚀或者湿法刻蚀，在此不做限定。
76.基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括本公开实施例提供的上述显示基板。由于该显示装置解决问题的原理与上述显示基板解决问题的原理相似，因此，该显示装置的实施可以参见上述显示基板的实施例，重复之处不再赘述。
77.在一些实施例中，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、智能手表、健身腕带、个人数字助理等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置包括但不限于：射频单元、网络模块、音频输出&输入单元、传感器、显示单元、用户输入单元、接口单元、存储器、处理器、以及电源等部件。另外，本领域技术人员可以理解的是，上述结构并不构成对本公开实施例提供的上述显示装置的限定，换言之，在本公开实施例提供的上述显示装置中可以包括上述更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。
78.显然，本领域的技术人员可以对本公开进行各种改动和变型而不脱离本公开的精
神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。