一种高性能电子雷管及其防击穿引爆结构的制作方法

技术特征：
1.一种防击穿引爆结构，其特征在于，包括：载体(11)，包括蘸药端(111)与引脚端(112)；电子控制模块(12)，包括电子芯片(121)，设置在所述载体(11)上；发热发火电阻(13)，设置在载体(11)的蘸药端(111)，与电子控制模块(12)电性连接；引脚结构，设置在载体(11)的引脚端(112)，与所述电子控制模块(12)电性连接；防击穿结构，设置在所述载体(11)上，包括瞬态二极管(7)，所述瞬态二极管(7)与所述电子芯片(121)并联。2.根据权利要求1所述的防击穿引爆结构，其特征在于：所述瞬态二极管(7)设置在所述载体(11)上背离所述电子芯片(121)的一面。3.根据权利要求1或2所述的防击穿引爆结构，其特征在于：所述防击穿结构包括分压电阻，所述电子芯片(121)与瞬态二极管(7)的交点为a，至少一个所述分压电阻设置在所述引脚结构与a之间。4.根据权利要求3所述的防击穿引爆结构，其特征在于：引脚结构包括引脚槽，所述引脚槽采用金属材质，所述引脚槽通过形变压紧、焊接连接导线(6)。5.根据权利要求4所述的防击穿引爆结构，其特征在于：所述引脚槽包括第一引脚槽(141)和第二引脚槽(142)，所述第一引脚槽(141)与所述第二引脚槽(142)对称设置或阵列设置。6.根据权利要求5所述的防击穿引爆结构，其特征在于：所述分压电阻包括第一电阻(81)和第二电阻(82)，所述电子芯片(121)与瞬态二极管(7)的交点为a，所述第一引脚槽(141)与a之间电性连接第一电阻(81)，所述第二引脚槽(142)与所述电子芯片(121)与瞬态二极管(7)交点a之间电性连接第二电阻(82)。7.根据权利要求4
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6任一项所述的防击穿引爆结构，其特征在于：所述蘸药端(111)设置有固定孔(113)，所述固定孔(113)增强对点引火药头(2)的固定作用，所述固定孔(113)为盲孔或通孔。8.根据权利要求7所述的防击穿引爆结构，其特征在于：所述载体(11)上电子控制模块(12)的位置外部包裹有绝缘热熔塑胶。9.根据权利要求8所述的防击穿引爆结构，其特征在于：所述载体(11)上还设置有电阻测试电路，所述电阻测试电路连接所述发热发火电阻(13)，所述电阻测试电路两端设置连接点(131)。10.一种高性能电子雷管，其特征在于，包括如权利要求1
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9任一项所述的防击穿引爆结构(1)。

技术总结
本实用新型涉及电子雷管技术领域，尤其涉及一种高性能电子雷管及其防击穿引爆结构。本实用新型提供了一种防击穿引爆结构，包括：载体，包括蘸药端与引脚端；电子控制模块，包括电子芯片，设置在所述载体上；发热发火电阻，设置在载体的蘸药端，与电子控制模块电性连接；引脚结构，设置在载体的引脚端，与所述电子控制模块电性连接；防击穿结构，设置在所述载体上，包括瞬态二极管，所述瞬态二极管与所述电子芯片并联。本实用新型另一方面提供了一种高性能电子雷管，所述高性能电子雷管包括如上所述的防击穿引爆结构。所述防击穿结构能保护所述电子芯片不被静电或高压击穿，防止意外引爆点引火药头，确保工业高性能电子雷管使用安全。确保工业高性能电子雷管使用安全。确保工业高性能电子雷管使用安全。


技术研发人员：马文祥 张立明 肖武红
受保护的技术使用者：北京煋邦数码科技有限公司
技术研发日：2021.01.08
技术公布日：2021/10/8