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一种耐污易清洁手机钢化膜及其制备方法与流程

2021-10-09 02:15:00 来源:中国专利 TAG:钢化 制备 制备方法 手机 易清洁

技术特征:
1.一种耐污易清洁手机钢化膜,其特征在于:由耐污层和改性钢化玻璃通过胶粘剂粘接制成;所述的耐污层由如下步骤制成:步骤a1:将三氯化铝和四氯化碳加入反应釜中,进行搅拌并加入甲苯,进行反应,制得中间体1,将中间体1和去离子水混合,进行回流,制得中间体2,将中间体2、硼氢化钠、甲醇加入反应釜中,回流反应,制得中间体3,将氧化碳纳米管分散在4

二甲氨基吡啶中,加入中间体3,进行搅拌并滴加浓硫酸,进行反应,制得中间体4;步骤a2:将中间体4、高锰酸钾、去离子水加入反应釜中,进行回流,制得中间体5,将中间体5和三乙醇胺加入反应釜中,升温反应,制得中间体6,将中间体6分散在去离子水中,加入氯乙三酸钠,进行反应,制得改性碳纳米管;步骤a3:将甲醇加入反应釜中,进行搅拌并加入甲基三甲氧基硅烷和乙二酸,进行搅拌后,滴加kh560,继续搅拌,再加入氨水,继续搅拌,老化处理后,加入改性碳纳米管,进行超声处理,制得复合凝胶;步骤a4:将聚偏氟乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、1

甲基
‑2‑
吡咯烷酮、复合凝胶、二氧化钛凝胶加入搅拌釜中,进行搅拌后,静置,制得铸膜液,将铸膜液倒入模具中,冷却并在水中浸泡,烘干制得耐污层。2.根据权利要求1所述的一种耐污易清洁手机钢化膜,其特征在于:步骤a1所述的三氯化铝、四氯化碳、甲苯的用量比为13g:0.1:0.2,中间体2和硼氢化钠的用量摩尔比为1:1.5,氧化碳纳米管、中间体3、浓硫酸的用量比为1g:5g:20ml,浓硫酸的质量分数为95%。3.根据权利要求1所述的一种耐污易清洁手机钢化膜,其特征在于:步骤a2所述的中间体,4、高锰酸钾、去离子水的用量比为3.5g:8g:100ml,中间体5和三乙醇胺的用量摩尔比为1:2.5,中间体6和氯乙三酸钠的用量摩尔比为1:2。4.根据权利要求1所述的一种耐污易清洁手机钢化膜,其特征在于:步骤a3所述的甲基三甲氧基硅烷、乙二酸、kh560、氨水、改性碳纳米管的用量比为30ml:1.5ml:0.5ml:1.5ml:3g。5.根据权利要求1所述的一种耐污易清洁手机钢化膜,其特征在于:步骤a4所述的聚偏氟乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、1

甲基
‑2‑
吡咯烷酮、复合凝胶、二氧化钛凝胶的用量比为16g:2g:50ml:20ml:10ml。6.根据权利要求1所述的一种耐污易清洁手机钢化膜,其特征在于:所述的改性钢化玻璃由如下步骤制成:步骤b1:将去离子水、乙醇、丙酮混合均匀,制得清洗液,将钢化玻璃浸泡在清洗液中,超声处理;步骤b2:将浓硫酸和双氧水混合,制得刻蚀液,将钢化玻璃浸泡在刻蚀液中,浸泡处理;步骤b3:将kh560和甲苯混合,对钢化玻璃进行浸泡,浸泡完毕后取出并清洗干净,制得改性钢化玻璃。7.根据权利要求6所述的一种耐污易清洁手机钢化膜,其特征在于:步骤b1所述的去离子水、乙醇、丙酮的用量体积比为1:2:1,步骤b2所述的浓硫酸和双氧水的用量体积比为7:3,步骤b3所述的kh560和甲苯的用量比为1mg:1ml。8.根据权利要求1所述的一种耐污易清洁手机钢化膜,其特征在于:所述的胶粘剂由如
下步骤制成:步骤c1:将4,4'

二胺基二苯醚、2,2

双[4

(4

氨基苯氧基)苯基]丙烷、n

甲基吡咯烷酮加入反应釜中,搅拌并加入3,3',4,4'

二苯甲酮四甲酸二酐,进行反应后,加入乙二胺、1

羟基苯并三唑、n,n

二异丙基乙胺,继续反应,制得胶粘剂。9.根据权利要求8所述的一种耐污易清洁手机钢化膜,其特征在于:所述的4,4'

二胺基二苯醚、2,2

双[4

(4

氨基苯氧基)苯基]丙烷、n

甲基吡咯烷酮、3,3',4,4'

二苯甲酮四甲酸二酐、乙二胺、1

羟基苯并三唑、n,n

二异丙基乙胺的用量比为1g:2g:3g:40ml:4ml:2.5g:5ml。10.根据权利要求1所述的一种耐污易清洁手机钢化膜的制备方法,其特征在于:具体包括如下步骤:在改性钢化玻璃表面涂布胶粘剂,将耐污层覆盖在胶粘剂上,在温度为90

100℃的条件下,进行保温2

3h,冷却至室温,制得耐污易清洁手机钢化膜。

技术总结
本发明公开了一种耐污易清洁手机钢化膜及其制备方法,由耐污层和改性钢化玻璃通过胶粘剂粘接制成,耐污层含有二氧化硅和二氧化钛具有很好的自清洁效果,同时表面还有大量二氧化硅表面接枝有大量季铵盐结构,疏水基团接枝与二氧化硅接枝,而亲水基团则向空气一侧,进而在耐污层表面形成了一层连续的导电膜,能够使耐污层表面的电荷迅速散失掉,降低了表面的电阻与半衰期,减弱了静电了作用,防止了钢化膜出现静电吸附现象,胶粘剂使用时,在加热情况下耐污层和改性钢化玻璃表面的环氧基开环与胶粘剂中的氨基反应,使得耐污层和改性钢化玻璃的粘黏效果更好,不会因长时间使用出现耐污层脱落现象。污层脱落现象。


技术研发人员:程松波 余正波
受保护的技术使用者:深圳市方胜光学材料科技有限公司
技术研发日:2021.07.24
技术公布日:2021/10/8
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