一种整流器件及集成芯片的制作方法

技术特征：
1.一种整流器件，其特征在于，包括：衬底；氧化镓薄膜，形成于所述衬底上；电极层，形成于所述氧化镓薄膜上；下电极层，形成于所述衬底与所述氧化镓薄膜相对的另一面上。2.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述衬底的直径为2至6英寸。3.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述衬底包括碳化硅单晶材料。4.根据权利要求3所述的整流器件，其特征在于，所述碳化硅单晶材料包括：001面取向的n型4h
‑
碳化硅，斜切4
°
或8
°
。5.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述氧化镓薄膜厚度为100纳米至500纳米。6.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述氧化镓薄膜包括纯度在99.99％及以上的氧化镓。7.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述电极层包括钛层和金层，所述金层覆盖所述钛层；其中，所述钛层厚度为5至20纳米，所述金层厚度为50至100纳米。8.根据权利要求7所述的整流器件，其特征在于，所述电极层还包括铝层，覆盖所述金层；其中，所述铝层厚度为1至5微米。9.根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述下电极层包括钛层及金层，所述金层覆盖所述钛层；其中，所述钛层厚度为5至20纳米，所述金层厚度为50至100纳米。10.一种集成芯片，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的整流器件。

技术总结
本申请提供一种整流器件及集成芯片，整流器件包括：衬底；氧化镓薄膜，形成于所述衬底上；电极层，形成于所述氧化镓薄膜上；下电极层，形成于所述衬底与所述氧化镓薄膜相对的另一面上。该整流器件的氧化镓薄膜结晶性能良好，整流特性良好，可用于芯片集成制备技术。可用于芯片集成制备技术。可用于芯片集成制备技术。


技术研发人员：李培刚
受保护的技术使用者：李培刚
技术研发日：2020.10.09
技术公布日：2021/10/23