屏蔽盾的刻蚀方法与流程

技术特征：
1.一种屏蔽盾的刻蚀方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：步骤一，提供一半导体衬底，在所述的半导体衬底上淀积形成一层栅介质层，然后沉积多晶硅层并刻蚀形成多晶硅栅极，再沉积氧化层将多晶硅栅极覆盖包裹；沉积氮化钛层以及钨金属层，所述氮化钛层及钨金属层全面覆盖整个衬底表面；然后再涂布光刻胶，曝光显影之后光刻胶定义出屏蔽盾的形成区域；步骤二，在图案化的光刻胶定义下对钨金属层进行刻蚀，并进行一定量的过刻蚀；步骤三，进行氮化钛层的干法刻蚀工艺对所述氮化钛层进行刻蚀；步骤四，采用过刻蚀将氧化层表面剩余的氮化钛层全部去除；步骤五，通过刻蚀工艺移除全部的光刻胶。2.根据权利要求1所述的屏蔽盾的刻蚀方法，其特征在于：所述步骤一中，半导体衬底为硅衬底，或者是锗硅、砷化镓、氮化镓、碳化硅衬底；所述栅介质层为氧化硅层。3.根据权利要求1所述的屏蔽盾的刻蚀方法，其特征在于：所述的氮化钛层的典型厚度为50～500
å
，钨金属层的典型厚度为500～2000
å
。4.根据权利要求1所述的屏蔽盾的刻蚀方法，其特征在于：所述的钨金属层刻蚀采用氟基或氯基气体作为刻蚀气体进行刻蚀，或者是在刻蚀时在氟基或氯基气体的基础上再通入氮气作为混合刻蚀气体。5.根据权利要求1所述的屏蔽盾的刻蚀方法，其特征在于：所述步骤三中氮化钛层刻蚀采用各向同性的干法刻蚀工艺进行刻蚀，将光刻胶覆盖范围以外的栅介质层上氮化钛层全部去除。6.根据权利要求1所述的屏蔽盾的刻蚀方法，其特征在于：所述步骤四中，过刻蚀工艺使光刻胶覆盖范围边缘下的氮化钛层继续向光刻胶覆盖区域中心刻蚀，使光刻胶边缘下方出现向内收缩的空隙。7.根据权利要求1所述的屏蔽盾的刻蚀方法，其特征在于：所述步骤五中，光刻胶全部去除之后，光刻胶下方的钨金属层以及氮化钛层覆盖部分多晶硅栅极的上表面，以及一侧的侧壁和侧壁下方的栅介质层，形成屏蔽盾。8.根据权利要求1所述的屏蔽盾的刻蚀方法，其特征在于：所述步骤五中，光刻胶的去除采用干法刻蚀和/或湿法刻蚀去除工艺，包括等离子刻蚀、强酸混合液腐蚀。9.根据权利要求1所述的屏蔽盾的刻蚀方法，其特征在于：还包括清洗步骤，在移除全部光刻胶后，对整个晶圆进行清洗，去除污染物及残留物。

技术总结
本发明公开了一种金属屏蔽盾的刻蚀方法，包含：步骤一，在半导体衬底上多晶硅栅极，再沉积氧化层将多晶硅栅极覆盖包裹；沉积氮化钛层以及钨金属层，所述氮化钛层及钨金属层全面覆盖整个衬底表面；然后再涂布光刻胶，曝光显影之后光刻胶定义出屏蔽盾的形成区域；步骤二，在图案化的光刻胶定义下对钨金属层进行刻蚀，并进行一定量的过刻蚀；步骤三，进行氮化钛层的干法刻蚀工艺对所述氮化钛层进行刻蚀；步骤四，采用过刻蚀将氧化层表面剩余的氮化钛层全部去除；步骤五，通过刻蚀工艺移除全部的光刻胶。本发明能够完全去除形成屏蔽盾的材料层，解决了传统工艺中屏蔽盾刻蚀之后有残留，导致工艺可靠性的问题。工艺可靠性的问题。工艺可靠性的问题。


技术研发人员：陈跃华 熊磊
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2021.06.28
技术公布日：2021/10/23