集成电路封装体的制造方法与流程

技术特征：
1.集成电路封装体的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、将由树脂形成的拉伸前膜拉伸而得到拉伸膜；s2、对拉伸膜加热，树脂膜的耐折度为2000
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2100次，树脂膜的吸水率为0.08％
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0.09％，且耐热温度为180
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190摄氏度；s3、取多层铜箔与多层拉伸膜复合，拉伸膜与铜箔间隔设置，铜箔与拉伸膜环氧通过粘合剂粘合，进行热处理，逐渐冷却，退火，得到封装用承载基板；s4、配置承载基板与配置于该承载基板上的导电材料层；s5、图案化该导电材料层，以形成导电图案层；s6、形成线路基板于该承载基板上，其中形成线路基板包括形成介电层于该承载基板上，该介电层覆盖该承载基板与该导电图案层；s7、配置集成电路于该承载基板上，并将该集成电路电性连接该承载基板；s8、形成封装胶体于该承载基板上，其中该封装胶体包覆该集成电路；以及移除该承载基板，其中该接垫的底面与该介电层的表面切齐。2.根据权利要求1所述的集成电路封装体的制造方法，其特征在于，所述承载基板包括磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层，磊晶层具有贯穿其第一半导体层、发光层及第二半导体层的缺陷。3.根据权利要求1所述的集成电路封装体的制造方法，其特征在于，步骤s3中，进行热处理的工序包括将加工完毕坡莫合金pc材料加热至650℃至850℃后，逐渐冷却该加工完毕坡莫合金pc材料的退火工序，得到承载基板。4.根据权利要求2所述的集成电路封装体的制造方法，其特征在于，承载基板顶面具有多个沟槽及多个凸脊，缺陷位于凸脊上方，沟槽与凸脊交替分布于承载基板顶面。5.根据权利要求4所述的集成电路封装体的制造方法，其特征在于，沟槽内部形成缓冲层，缓冲层的厚度小于沟槽的深度，缓冲层位于磊晶层及基板之间。6.根据权利要求1所述的集成电路封装体的制造方法，其特征在于，树脂包含选自丁腈橡胶、天然橡胶、苯乙烯丁二烯橡胶、丁二烯橡胶、乙烯丙烯橡胶、异戊二烯橡胶、聚氨酯橡胶、和丙烯酸橡胶中的1种以上。7.根据权利要求1所述的集成电路封装体的制造方法，其特征在于，步骤s2中，对拉伸膜加热，树脂膜的耐折度为2100次，树脂膜的吸水率为0.09％，且耐热温度为180摄氏度。8.根据权利要求1所述的集成电路封装体的制造方法，其特征在于，步骤s2中，对拉伸膜加热，树脂膜的耐折度为2050次，树脂膜的吸水率为0.085％，且耐热温度为190摄氏度。

技术总结
本发明属于集成电路封装技术领域，尤其是集成电路封装体的制造方法，包括以下步骤：将由树脂形成的拉伸前膜拉伸而得到拉伸膜，对拉伸膜加热，树脂膜的耐折度为2000


技术研发人员：黄晓波 宋向东
受保护的技术使用者：江西龙芯微科技有限公司
技术研发日：2021.07.07
技术公布日：2021/10/23