光检测器件和电子装置的制作方法

技术特征：
1.一种光检测器件，其包括相位差检测像素，所述相位差检测像素用于获得用于相位差自动对焦的相位差信号，所述相位差检测像素包括：第一光电转换部，其响应于入射光而产生电荷；上电极部，其是隔着所述第一光电转换部彼此面对地布置的电极中的一者，所述上电极部形成在所述第一光电转换部的入射有所述入射光的入射侧；下电极部，其是隔着所述第一光电转换部彼此面对地布置的所述电极中的另一者，所述下电极部形成在所述第一光电转换部的入射有所述入射光的所述入射侧的相反侧，所述下电极部包括多个下电极；第二光电转换部，所述第二光电转换部响应于穿过所述第一光电转换部和所述下电极部的光而产生电荷；滤色器，所述滤色器设置在所述下电极部和所述第二光电转换部之间，且仅使所述入射光的特定波长成分穿过所述滤色器并进入所述第二光电转换部；以及片上透镜，其中，所述上电极部位于所述片上透镜和所述第一光电转换部之间，并且其中，在平面图中，所述片上透镜的中心与所述多个下电极中的一个重叠。2.如权利要求1所述的光检测器件，其中，所述下电极部由在避开所述入射光的中心的位置处被非均匀地两重分割成的第一下电极和第二下电极构成。3.如权利要求1所述的光检测器件，其中，所述上电极部由透射光的部件构成，且所述下电极部由透射光的部件构成。4.如权利要求2所述的光检测器件，其中，所述第一下电极和所述第二下电极中的一者的输出被用作用于相位差自动对焦的所述相位差信号。5.如权利要求2所述的光检测器件，其中，所述第一下电极和所述第二下电极的输出被相加以被用作图像信号。6.如权利要求1
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5中任一项所述的光检测器件，其还包括用于获得图像信号的正常像素。7.如权利要求1
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5中任一项所述的光检测器件，其中，所述滤色器以像素为单位着色。8.如权利要求1
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5中任一项所述的光检测器件，其中，所述第一光电转换部仅响应于所述入射光的特定波长成分而产生电荷。9.如权利要求1
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5中任一项所述的光检测器件，其中，所述第一光电转换部和所述第二光电转换部中的至少一者是有机光电转换膜。10.一种光检测器件，其包括相位差检测像素，所述相位差检测像素用于获得用于相位差自动对焦的相位差信号，所述相位差检测像素包括：第一光电转换部，其响应于入射光而产生被用作图像信号的电荷；上电极部，其是隔着所述第一光电转换部彼此面对地布置的电极中的一者，所述上电极部形成在所述第一光电转换部的入射有所述入射光的入射侧；下电极部，其是隔着所述第一光电转换部彼此面对地布置的所述电极中的另一者，所述下电极部形成在所述第一光电转换部的入射有所述入射光的所述入射侧的相反侧；第二光电转换部，其响应于穿过所述第一光电转换部和所述下电极部的光而产生被用作所述相位差信号的电荷；
遮光部，其形成在所述下电极部与所述第二光电转换部之间；滤色器，所述滤色器设置在所述下电极部和所述第二光电转换部之间，且仅使所述入射光的特定波长成分穿过所述滤色器并进入所述第二光电转换部；以及片上透镜，其中，所述上电极部位于所述片上透镜和所述第一光电转换部之间，并且其中，在平面图中，所述片上透镜的中心与所述遮光部重叠。11.如权利要求10所述的光检测器件，其中，所述遮光部由反射光的部件构成。12.一种安装有根据权利要求1
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11中任一项所述的光检测器件的电子装置。

技术总结
本发明涉及光检测器件和电子装置。其中，光检测器件可包括相位差检测像素，相位差检测像素包括：第一光电转换部；上电极部，形成在第一光电转换部的入射有入射光的入射侧；下电极部，形成在第一光电转换部的入射有入射光的入射侧的相反侧，下电极部包括多个下电极；第二光电转换部，第二光电转换部响应于穿过第一光电转换部和下电极部的光而产生电荷；滤色器，滤色器设置在下电极部和第二光电转换部之间，且仅使入射光的特定波长成分穿过滤色器并进入第二光电转换部；以及片上透镜，其中，上电极部位于片上透镜和第一光电转换部，并且其中，在平面图中，片上透镜的中心与多个下电极的一个重叠。个重叠。个重叠。


技术研发人员：吉村匡平 若野寿史 大竹悠介
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：2016.01.29
技术公布日：2021/10/23