存储器器件及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种存储器器件，包括：多条字线，在衬底之上沿着第一方向延伸，且在垂直方向上彼此间隔开；多个沟道层，分别沿着所述多条字线中的一者的侧壁延伸，且在第二方向上与所述多条字线相邻，所述第二方向与所述第一方向相交；多个栅极介电层，分别在所述多条字线中的一者与所述多个沟道层中的一者之间延伸；导电柱，穿透过所述多个沟道层；以及储存柱，穿透过所述多个沟道层，且沿着所述第一方向在侧向上与所述导电柱间隔开，其中所述储存柱包括：内电极，沿着垂直方向连续地延伸；切换层，包绕在所述内电极周围；以及外电极，在侧向上环绕所述切换层且包括多个环形部分，所述多个环形部分在垂直方向上彼此间隔开且各自在侧向上与所述多个沟道层中的对应一者接触。2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述切换层具有多个突出部分，所述多个突出部分分别填充在所述外电极的在垂直方向上相邻的环形部分之间的空间中。3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中所述导电柱具有沿着所述垂直方向交替排列的多个宽部分及多个窄部分。4.根据权利要求3所述的存储器器件，还包括：多个环形间隔件，在侧向上环绕所述导电柱的所述多个窄部分，其中所述多个环形间隔件的外侧壁与所述导电柱的所述多个厚部分的侧壁实质上共面。5.一种存储器器件，包括：堆叠结构，包括交替地堆叠在衬底上的多个膜组及多个间隔件层，其中所述多个膜组中的每一者包括复合层及位于所述复合层上方或下方的隔离层，且多个所述复合层分别包括字线、在侧向上与所述字线相邻的沟道层及在所述字线与所述沟道层之间延伸的栅极介电层；导电柱，沿着垂直方向穿透过所述堆叠结构，其中所述导电柱穿透过所述堆叠结构中的多个所述沟道层；以及储存柱，沿着所述垂直方向穿透过所述堆叠结构，且在侧向上与所述导电柱间隔开，其中所述储存柱穿透过所述堆叠结构中的多个所述沟道层，所述储存柱包括内电极、在侧向上环绕所述内电极的切换层及在侧向上环绕所述切换层的外电极，且所述外电极具有多个环形部分，所述多个环形部分在垂直方向上彼此隔开且各自与多个所述沟道层中的对应一者接触。6.根据权利要求5所述的存储器器件，其中所述切换层具有壁部分及多个突出部分，所述多个突出部分从所述壁部分突出且填充在所述外电极的在垂直方向上隔开的所述多个环形部分之间的空间中。7.根据权利要求5所述的存储器器件，其中所述导电柱具有沿着所述垂直方向交替排列的多个宽部分及多个窄部分，且所述存储器器件还包括：多个环形间隔件，在侧向上环绕所述导电柱的所述多个窄部分，且在侧向上与所述多个间隔件层接触。
8.一种存储器器件，包括：堆叠结构，包括交替地堆叠在衬底上的多个膜组及多个间隔件层，其中所述多个膜组中的每一者包括复合层及位于所述复合层上方或下方的隔离层，且所述复合层分别包括字线、在侧向上与所述字线相邻的沟道层及在所述字线与所述沟道层之间延伸的栅极介电层；以及导电柱及储存柱，沿着垂直方向各别地穿透过所述堆叠结构，其中所述导电柱及所述储存柱穿透过所述堆叠结构中的多个所述沟道层，且所述储存柱包括：内电极，沿着所述垂直方向连续地延伸；切换层，包绕在所述内电极周围；以及外电极，在侧向上环绕所述切换层，其中所述多个间隔件层相对于多个所述隔离层及多个所述沟道层在侧向上突出到所述储存柱中，且所述储存柱的所述外电极具有通过所述多个间隔件层的多个突出部分而在垂直方向上彼此隔开的多个环形部分。9.根据权利要求8所述的存储器器件，其中所述多个间隔件层在侧向上与所述切换层接触。10.根据权利要求8所述的存储器器件，其中所述导电柱具有实质上笔直的侧壁。11.根据权利要求8所述的存储器器件，其中所述切换层被形成为壁厚度沿着所述垂直方向实质上恒定的壁结构。

技术总结
本公开提供一种存储器器件及其制造方法。存储器器件包括多条字线、多个沟道层、多个栅极介电层、导电柱及储存柱。多条字线在衬底之上沿着第一方向延伸，且在垂直方向上彼此间隔开。多个沟道层分别沿着多条字线中的一者的侧壁延伸。多个栅极介电层分别在多条字线中的一者与多个沟道层中的一者之间延伸。导电柱及储存柱穿透过多个沟道层。储存柱包括内电极、切换层及外电极。切换层包绕在内电极周围。外电极在侧向上环绕切换层且包括多个环形部分，多个环形部分在垂直方向上彼此间隔开且各自在侧向上与多个沟道层中的对应一者接触。侧向上与多个沟道层中的对应一者接触。侧向上与多个沟道层中的对应一者接触。


技术研发人员：吴昭谊 林佑明
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.07.13
技术公布日：2021/10/23