切割芯片接合薄膜的制作方法

1.本发明涉及切割芯片接合薄膜。


背景技术：

2.以往，已知在半导体装置的制造中，为了获得芯片接合用的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜(例如专利文献1)。
3.前述切割芯片接合薄膜具备在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及在该切割带的粘合剂层上可剥离地层叠的芯片接合层。
4.此外，作为使用前述切割芯片接合薄膜获得芯片接合用的半导体芯片(die)的方法，已知采用具有下述工序的方法：在将要通过切割处理将半导体晶圆加工成芯片(die)的半导体晶圆上形成槽的半切割工序；对半切割工序后的半导体晶圆进行磨削而减薄厚度的背面研磨工序；将背面研磨工序后的半导体晶圆的一面(例如与电路面相反一侧的面)粘贴于芯片接合层，将半导体晶圆固定于切割带的安装工序；扩大经半切割加工的半导体芯片彼此的间隔的扩展工序；维持半导体芯片彼此的间隔的切口维持工序；将芯片接合层与粘合剂层之间剥离，在粘贴有芯片接合层的状态下取出半导体芯片的拾取工序。
5.并且，在前述拾取工序中，以贴附于芯片接合层的状态取出的半导体芯片(以下也称为带芯片接合层的半导体芯片)被粘接于作为被粘物的布线基板。
6.此外，前述粘合剂层通常包含：(甲基)丙烯酸系树脂等树脂、与该树脂反应而使前述树脂彼此聚合的交联剂、和通过照射紫外线等辐射线而产生能发生前述树脂彼此的链式聚合的活性种的光聚合引发剂(例如专利文献2)。在这样的粘合剂层中，照射紫外线等辐射线时固化反应进行，从而与前述芯片接合层之间的剥离力降低，因此，能够比较容易地进行该粘合剂层自前述芯片接合层的剥离。
7.现有技术文献
8.专利文献
9.专利文献1：日本特开2019
‑
9203号公报
10.专利文献2：日本特开2019
‑
67996号公报


技术实现要素：

11.发明要解决的问题
12.但如上所述，前述芯片接合层虽然在前述拾取工序中从前述粘合剂层剥离(分离)，但是，在前述拾取工序之前，前述芯片接合层及前述粘合剂层为接触的状态。
13.因此，如上所述，在前述粘合剂层中包含前述光聚合引发剂时，有时前述光聚合引发剂会从前述粘合剂层向前述芯片接合层转移。
14.如此，在前述光聚合引发剂从前述粘合剂层向前述芯片接合层转移时，有时变得不满足前述粘合剂层所要求的特性、或者不满足前述芯片接合层所要求的特性，故而不优选。
15.但是，对于抑制前述光聚合引发剂从前述粘合剂层向前述芯片接合层的转移，难以说已经进行了充分的研究。
16.因此，本发明的课题在于，提供一种能够相对地抑制光聚合引发剂从粘合剂层向芯片接合层转移的切割芯片接合薄膜。
17.用于解决问题的方案
18.本发明的切割芯片接合薄膜具备：
19.在基材层上层叠有粘合剂层的切割带，和
20.在前述切割带的粘合剂层上层叠的芯片接合层，
21.前述粘合剂层包含粘合剂和光聚合引发剂，
22.在对固化前的前述粘合剂层进行gpc测定而得到的分子量分布曲线中，在最高分子量侧出现的峰的重均分子量mw相对于在最高分子量侧出现的峰的数均分子量mn的比、即多分散度mw/mn为1.3以上。
23.在前述切割芯片接合薄膜中，
24.在对固化前的前述粘合剂层进行gpc测定而得到的分子量分布曲线中，在最高分子量侧出现的峰的峰顶分子量的值优选为33000以下。
25.在前述切割芯片接合薄膜中，
26.固化前的前述粘合剂层优选包含小于32质量％的溶胶成分。
27.在前述切割芯片接合薄膜中，
28.在前述粘合剂层的固化后，前述芯片接合层相对于前述粘合剂层的剥离力优选小于0.18n/20mm。
附图说明
29.图1是示出本发明的一个实施方式的切割芯片接合薄膜的构成的剖视图。
30.图2a是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的情况的剖视图。
31.图2b是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的情况的剖视图。
32.图2c是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的背面研磨加工的情况的剖视图。
33.图2d是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的背面研磨加工的情况的剖视图。
34.图3a是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的安装工序的情况的剖视图。
35.图3b是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的安装工序的情况的剖视图。
36.图4a是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的情况的剖视图。
37.图4b是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的情况的剖视图。
38.图4c是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的情况的剖视图。
39.图5a是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的常温下的扩展工序的情况的剖视图。
40.图5b是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的常温下的扩展工序的情况的剖视图。
41.图6是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的切口维持工序的情况的剖视图。
42.图7是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的拾取工序的情况的剖视图。
43.附图标记说明
[0044]1ꢀꢀꢀ
基材层
[0045]2ꢀꢀꢀ
粘合剂层
[0046]3ꢀꢀꢀ
芯片接合层
[0047]
10
ꢀꢀ
切割带
[0048]
20
ꢀꢀ
切割芯片接合薄膜
[0049]
g
ꢀꢀꢀ
背面研磨带
[0050]
h
ꢀꢀꢀ
保持件
[0051]
j
ꢀꢀꢀ
吸附夹具
[0052]
p
ꢀꢀꢀ
销构件
[0053]
r
ꢀꢀꢀ
切割环
[0054]
t
ꢀꢀꢀ
晶圆加工用带
[0055]
u
ꢀꢀꢀ
顶起构件
[0056]
w
ꢀꢀꢀ
半导体晶圆
具体实施方式
[0057]
以下，针对本发明的一个实施方式进行说明。
[0058]
[切割芯片接合薄膜]
[0059]
如图1所示那样，本实施方式的切割芯片接合薄膜20具备在基材层1上层叠有粘合剂层2的切割带10、以及在切割带10的粘合剂层2上层叠的芯片接合层3。
[0060]
切割芯片接合薄膜20中，在芯片接合层3上粘贴半导体晶圆。
[0061]
在使用了切割芯片接合薄膜20的半导体晶圆的切割中，芯片接合层3也与半导体晶圆一同被切割。芯片接合层3被切割成与单片化的多个半导体芯片的尺寸相当的大小。由此，能够获得带芯片接合层3的半导体芯片。
[0062]
在本实施方式的切割芯片接合薄膜20中，粘合剂层2包含粘合剂和光聚合引发剂。粘合剂层2通过粘合来保持用于单片化为半导体芯片的半导体晶圆。
[0063]
作为前述粘合剂，可列举出在切割带10的使用过程中能够通过来自外部的作用使粘合力降低的粘合剂(以下也称为粘合降低型粘合剂)。
[0064]
作为粘合剂而使用粘合降低型粘合剂时，在切割带10的使用过程中，可以分开使用粘合剂层2显示较高的粘合力的状态(以下称为高粘合状态)和显示较低的粘合力的状态(以下称为低粘合状态)。
[0065]
例如，在将粘贴于切割带10的半导体晶圆供于切断时，为了抑制通过切断半导体
晶圆而单片化的多个半导体芯片从粘合剂层2浮起或剥离而利用高粘合状态。
[0066]
与此相对地，在切断半导体晶圆后，为了拾取单片化的多个半导体芯片而利用低粘合状态，以便容易从粘合剂层2拾取多个半导体芯片。
[0067]
作为前述粘合降低型粘合剂，可列举出例如：能够在切割带10的使用过程中通过辐射线而固化的粘合剂(以下称为辐射线固化粘合剂)。
[0068]
作为前述辐射线固化粘合剂，可列举出例如：通过照射电子束、紫外线、α射线、β射线、γ射线或x射线而固化的类型的粘合剂。这些当中，优选使用通过照射紫外线而固化的粘合剂(紫外线固化粘合剂)。
[0069]
作为前述辐射线固化粘合剂，可列举出例如添加型的辐射线固化粘合剂，其包含作为主成分的基础聚合物、以及具有辐射线聚合性的碳
‑
碳双键等官能团的辐射线聚合性单体成分、辐射线聚合性低聚物成分。
[0070]
作为前述基础聚合物，优选使用丙烯酸系聚合物。
[0071]
作为前述丙烯酸系聚合物，可列举包含来自(甲基)丙烯酸酯的单体单元的丙烯酸系聚合物。作为(甲基)丙烯酸酯，可列举出例如(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯和(甲基)丙烯酸芳基酯等。
[0072]
作为前述丙烯酸系聚合物，优选使用例如丙烯酸2
‑
羟基乙酯(hea)、丙烯酸乙酯(ea)、丙烯酸丁酯(ba)、丙烯酸2
‑
乙基己酯(2eha)、丙烯酸异壬酯(ina)、丙烯酸月桂酯(la)、4
‑
丙烯酰基吗啉(amco)、2
‑
异氰酸根合乙基
‑
甲基丙烯酸酯(moi)等。
[0073]
这些丙烯酸系聚合物可以仅使用1种，也可以组合使用2种以上。
[0074]
作为前述辐射线聚合性单体成分，可列举出例如：氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、以及1,4
‑
丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。
[0075]
作为前述辐射线聚合性低聚物成分，可列举出例如氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物。
[0076]
前述辐射线固化粘合剂中的前述辐射线聚合性单体成分、前述辐射线聚合性低聚物成分的含有比例可在使粘合剂层2的粘合性适当下降的范围内选择。
[0077]
作为粘合剂层2中包含的光聚合引发剂，可列举出例如α
‑
酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、苯偶姻醚系化合物、缩酮系化合物、芳香族磺酰氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、噻吨酮系化合物、樟脑醌、卤代酮、酰基氧化膦、及酰基膦酸酯等。
[0078]
作为前述光聚合引发剂，优选使用光自由基引发剂。光自由基引发剂通过照射活性能量射线(例如电子射线、紫外线、α射线、β射线、γ射线、或x射线)而产生自由基。
[0079]
作为光自由基引发剂，可列举出2
‑
羟基
‑1‑
(4
‑
(4
‑
(2
‑
羟基
‑2‑
甲基丙酰基)苯甲酰基)苯基)
‑2‑
甲基丙烷
‑1‑
酮(作为市售品，为igm resins公司制造的omnirad 127)、2,2
‑
二甲氧基
‑
1,2
‑
二苯基乙烷
‑1‑
酮(作为市售品，为igm resins公司制造的omnirad 651)、1
‑
羟基
‑
环己基苯基酮(作为市售品，为igm resins公司制造的omnirad 184)、1
‑
[4
‑
(2
‑
羟基乙氧基)
‑
苯基]
‑2‑
羟基
‑2‑
甲基
‑1‑
丙烷
‑1‑
酮(作为市售品，为igm resins公司制造的omnirad 2959)、2
‑
苄基
‑2‑
二甲基氨基
‑1‑
(4
‑
吗啉代苯基)
‑
丁酮
‑
1(作为市售品，为igm resins公司制造的omnirad 369e)、双(2,4,6
‑
三甲基苯甲酰基)
‑
苯基氧化膦(作为市售品，
为igm resins公司制造的omnirad 819)、乙酮
‑1‑
[9
‑
乙基
‑6‑
(2
‑
甲基苯甲酰基)
‑
9h
‑
咔唑
‑3‑
基]
‑1‑
(o
‑
乙酰基肟)(作为市售品，为irgacure公司制造的oxe02)等。
[0080]
这些之中，优选使用2
‑
羟基
‑1‑
(4
‑
(4
‑
(2
‑
羟基
‑
2甲基丙酰基)苯甲酰基)苯基)
‑2‑
甲基丙烷
‑1‑
酮(作为市售品，为igm resins公司制造的omnirad127)。
[0081]
粘合剂层2优选包含0.1质量份以上且10质量份以下的前述光聚合引发剂。
[0082]
本实施方式的切割芯片接合薄膜20中，在对固化前的粘合剂层2进行gpc(凝胶渗透色谱)测定而得到的分子量分布曲线中，在最高分子量侧出现的峰的重均分子量mw相对于在最高分子量侧出现的峰的数均分子量mn的比、即多分散度mw/mn为1.3以上。
[0083]
通过使多分散度mw/mn为1.3以上，会变得在粘合剂层2中的高分子成分之间适度配混低分子成分，因此，能够相对地抑制前述光聚合引发剂从粘合剂层2向芯片接合层3转移。
[0084]
此外，前述多分散度mw/mn优选为2.0以上。通过使前述多分散度mw/mn为2.0以上，能够相对地抑制前述光聚合引发剂从粘合剂层2向芯片接合层3转移，并且，在后述的将芯片接合层3与粘合剂层2之间剥离而以贴附有芯片接合层3的状态取出半导体芯片的拾取工序中，能够更容易地使粘合剂层2从芯片接合层3剥离。
[0085]
此外，前述多分散度mw/mn优选为10以下、更优选为5以下、进一步优选为3以下。
[0086]
需要说明的是，在本说明书中，分子量分布曲线是指微分分子量分布曲线。
[0087]
固化前的粘合剂层2的gpc测定可以通过使用东曹株式会社制造的hlc
‑
8220gpc作为分析装置，对按照以下顺序制备的测定试样采用以下的测定条件来进行。
[0088]
[测定试样的制备]
[0089]
(1)由固化前的粘合剂层2取约0.2g的样品。
[0090]
(2)利用网状片材包裹前述样品之后，在室温(23
±
2℃)下在约30ml的甲苯中浸渍1周。
[0091]
(3)从甲苯中取出网状片材，将网状片材中包含的甲苯不溶成分去除，得到包含甲苯溶解成分的甲苯溶液。
[0092]
(4)边减压边在45℃以下的温度下对前述甲苯溶液进行处理，从前述甲苯溶液中去除甲苯，得到甲苯溶解成分的固体物质。
[0093]
(5)使前述固体物质以浓度成为0.2质量％的方式溶解于四氢呋喃(thf)中制成thf溶液之后，放置一晚。
[0094]
(6)将放置了一晚的thf溶液用0.45μm的膜滤器进行过滤，将得到的滤液作为测定试样。
[0095]
[测定条件]
[0096]
·
柱：东曹株式会社制造的tskgel quaudcolumn superhz
‑
l(以下称为第1柱)1根、和
[0097]
东曹株式会社制造的tskgel superhzm
‑
m(以下称为第2柱)2根
[0098]
上述各柱以使2根前述第2柱串联连接于前述第1柱的下游侧、后述的洗脱液从前述第1柱侧流入的方式配置于前述分析装置。
[0099]
·
柱温：40℃
[0100]
·
洗脱液：四氢呋喃(thf)
[0101]
·
流量：样品泵流量0.3ml/分钟
[0102]
参比泵流量1.0ml/分钟
[0103]
·
注入量：10μl
[0104]
·
检测器：差示折射率检测器(ri)
[0105]
此外，为了基于对前述测定试样测定而得的结果得到分子量分布曲线(微分分子量分布曲线)，以成为以下的表1所示的配混质量的方式计量东曹株式会社制造的各标准聚苯乙烯，使计量的各标准聚苯乙烯溶解于100ml的thf中，得到标准聚苯乙烯溶液std1及标准聚苯乙烯溶液std2，对它们也使用上述测定装置在上述测定条件下进行gpc测定。
[0106]
[表1]
[0107][0108]
对于对前述测定试样、前述std1及前述std2进行gpc测定而得到的结果，使用东曹株式会社制造的解析软件gpc
‑
8020model ii(数据管理version 5.10)进行数据解析。
[0109]
在使用上述解析软件的数据解析中，首先，制作关于前述std1及前述std2的校准曲线(以横轴为时间(分钟)、以纵轴为重均分子量的对数的校准曲线)，以这些校准曲线为基准进行关于前述测定试样的分子量的数据解析。关于前述测定试样的分子量的数据解析是在得到关于在色谱图上最早检测到的峰p1(最高分子量侧的峰)的分子量分布曲线的基础上进行的。通过对关于峰p1的分子量分布曲线进行数据解析，能够得到关于峰p1的数均分子量mn及重均分子量mw。
[0110]
需要说明的是，在最早检测到的峰p1的下降部分和接着峰p1而检测到的峰p2的上升部分观察到重叠的情况下，以峰p1的上升开始部分为基点以沿水平方向延伸的方式画基线，从前述基线向在峰p1的下降部分和峰p2的上升部分之间产生的谷部分(最凹陷的部分)垂直画线，对于由从峰p1的上升开始部分到前述谷部分为止、前述基线、和从前述基线向前述谷部分垂直画的线所分隔出的区域进行解析，由此，可以对峰p1得到数均分子量mn和重均分子量mw。
[0111]
在对固化前的粘合剂层2进行gpc测定而得到的分子量分布曲线中，在最高分子量侧出现的峰的峰顶分子量的值优选为33000以下、更优选为25000以下。通过使在最高分子量侧出现的峰的峰顶分子量的值在上述数值范围内，能够相对地减小粘合剂层2中所含的高分子成分的分子链附近的空间，因此，能够进一步抑制前述光聚合引发剂从粘合剂层2向芯片接合层3转移。
[0112]
此外，在对固化前的粘合剂层2进行gpc测定而得到的分子量分布曲线中，在最高分子量侧出现的峰的峰顶分子量的值优选为4000以上、更优选为8000以上。通过使在最高分子量侧出现的峰的峰顶分子量的值在上述数值范围内，能够相对地减少在粘合剂层2所含的高分子成分彼此之间产生的空间。由此，能够进一步抑制前述光聚合引发剂从粘合剂
层2向芯片接合层3转移。
[0113]
固化前的粘合剂层2优选包含小于32质量％的溶胶成分。
[0114]
虽然认为前述光聚合引发剂会借助溶胶成分而从粘合剂层2向芯片接合层3转移，但是，通过使溶胶成分为上述数值范围，能够进一步抑制前述光聚合引发剂从粘合剂层2向芯片接合层3转移。
[0115]
此外，前述固化前的粘合剂层2优选包含23质量％以下的溶胶成分。
[0116]
通过设为溶胶成分的上述数值范围，能够进一步抑制前述光聚合引发剂从粘合剂层2向芯片接合层3转移，并且，在将芯片接合层3和粘合剂层2之间剥离而以贴附有芯片接合层3的状态取出半导体芯片的拾取工序中，能够更容易地使芯片接合层3从粘合剂层2剥离。
[0117]
需要说明的是，在本说明书中，溶胶成分如在下述溶胶成分的质量比例的测定中所说明的那样，是指从固化前的粘合剂层2中取约0.2g的样品、使该样品浸渍于约30ml的甲苯中1周之后溶解于前述甲苯中的成分。
[0118]
固化前的粘合剂层2中的溶胶成分的质量比率可以如下求出。
[0119]
[溶胶成分的质量比率的测定]
[0120]
(1)从固化前的粘合剂层2取约0.2g的样品。
[0121]
(2)用网状片材包裹前述样品之后，在室温下浸渍于约30ml的甲苯中1周。
[0122]
(3)从甲苯中取出网状片材，将网状片材中所含的甲苯不溶成分去除。
[0123]
(4)使前述甲苯不溶成分在常压下以130℃干燥约2小时之后，称量前述甲苯不溶成分。
[0124]
(5)按照下述式(1)算出凝胶成分的质量比率，以凝胶率的质量比率的算出值为基础按照下述式(2)算出溶胶成分的质量比率。
[0125]
凝胶成分的质量比率(质量％)＝[(甲苯不溶成分的称量值)/所取样品的质量]
×
100
···
(1)
[0126]
溶胶成分的质量比率(质量％)＝100
‑
上述式(1)中求得的凝胶成分的质量比率
···
(2)
[0127]
芯片接合层3相对于粘合剂层2的剥离力优选在粘合剂层2的固化后小于0.18n/20mm、更优选为0.15n/20mm以下、进一步优选为0.07n/20mm以下。
[0128]
通过使粘合剂层2的固化后的、芯片接合层3相对于粘合剂层2的剥离力为上述数值范围，在上述拾取工序中，能够更容易地使芯片接合层3从粘合剂层2剥离。
[0129]
此外，芯片接合层3相对于粘合剂层2的剥离力优选在粘合剂层2的固化后为0.01n/20mm以上。
[0130]
此外，通过使粘合剂层2的固化后的、芯片接合层3相对于粘合剂层2的剥离力为0.07n/20mm以下，在上述拾取工序中，能够特别容易地使芯片接合层3从粘合剂层2剥离。
[0131]
固化了的粘合剂层2可以通过自贴合有背衬带的切割芯片接合薄膜20的切割带10起照射规定强度的辐射线(例如150j/cm2的紫外线)来得到。
[0132]
粘合剂层2的固化后的、芯片接合层3相对于粘合剂层2的剥离力可以通过t型剥离试验来测定。t型剥离试验可以如下进行：对在芯片接合层3的露出面贴合有背衬带(例如日东电工株式会社制造的商品名“elp bt315”)的切割芯片接合薄膜20照射规定强度的辐射
线而使粘合剂层2固化之后，从固化了的粘合剂层2切取宽50mm
×
长120mm的尺寸的粘合剂层2，作为测定用样品，使用拉伸试验器(例如商品名“tg
‑
1kn”、minebeamitsumi inc制造)在温度25℃、拉伸速度300mm/分钟的条件下进行。
[0133]
芯片接合层3相对于粘合剂层2的剥离力优选在粘合剂层2的固化前为0.3n/20mm以上。
[0134]
在固化前的粘合剂层2中，通过使芯片接合层3相对于粘合剂层2的剥离力为上述数值范围，能够利用粘合剂层2适度地保持芯片接合层3。由此，能够进一步抑制在芯片接合层3单片化之后产生的芯片浮起。
[0135]
此外，芯片接合层3相对于粘合剂层2的剥离力优选在粘合剂层2的固化前为5.0n/20mm以下。
[0136]
粘合剂层2的固化前的、芯片接合层3相对于粘合剂层2的剥离力可以通过t型剥离试验来测定。t型剥离试验可以如下进行：从在芯片接合层3的露出面贴合有背衬带(例如日东电工株式会社制造的商品名“elp bt315”)的切割芯片接合薄膜20切取宽20mm
×
长120mm的尺寸的薄膜，作为测定用样品，使用拉伸试验器(例如商品名“tg
‑
1kn”、minebeamitsumi inc制造)，在温度25℃、拉伸速度300mm/分钟的条件下进行。
[0137]
粘合剂层2也可以包含外部交联剂。作为外部交联剂，只要能够与基础聚合物(例如丙烯酸系聚合物)反应而形成交联结构就可以使用任意的物质。作为这样的外部交联剂，可列举出例如多异氰酸酯化合物、环氧化合物、多元醇化合物、氮丙啶化合物、及三聚氰胺系交联剂等。
[0138]
粘合剂层2包含外部交联剂的情况下，粘合剂层2优选包含0.1质量份以上且3质量份以下的前述外部交联剂。
[0139]
粘合剂层2在上述成分的基础上，还可以包含增粘剂(tackifier)、抗氧化剂、交联促进剂、防老剂、颜料、或染料等着色剂等。
[0140]
粘合剂层2的厚度优选为1μm以上且50μm以下、更优选为2μm以上且30μm以下、进一步优选为5μm以上且25μm以下。
[0141]
粘合剂层2的厚度例如可以通过使用数字千分表(peacock公司制造、型号r
‑
205)测定随机选择的任意5个点的厚度并将这些厚度进行算术平均来求出。
[0142]
基材层1支承粘合剂层2。基材层1使用树脂薄膜来制作。作为树脂薄膜所包含的树脂，可列举聚烯烃、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯硫醚、氟树脂、纤维素系树脂和硅树脂等。
[0143]
作为聚烯烃，可列举出例如α
‑
烯烃的均聚物、两种以上的α
‑
烯烃的共聚物、嵌段聚丙烯、无规聚丙烯、1种或2种以上的α
‑
烯烃与其它乙烯基单体的共聚物等。
[0144]
作为α
‑
烯烃的均聚物，优选为碳原子数2以上且12以下的α
‑
烯烃的均聚物。作为这种均聚物，可列举乙烯、丙烯、1
‑
丁烯、4
‑
甲基
‑1‑
戊烯等。
[0145]
作为两种以上的α
‑
烯烃的共聚物，可列举乙烯
‑
丙烯共聚物、乙烯
‑1‑
丁烯共聚物、乙烯
‑
丙烯
‑1‑
丁烯共聚物、乙烯
‑
碳原子数5以上且12以下的α
‑
烯烃的共聚物、丙烯
‑
乙烯共聚物、丙烯
‑1‑
丁烯共聚物、丙烯
‑
碳原子数5以上且12以下的α
‑
烯烃的共聚物等。
[0146]
作为1种或2种以上的α
‑
烯烃与其它乙烯基单体的共聚物，可列举乙烯
‑
乙酸乙烯酯共聚物(eva)等。
[0147]
聚烯烃可以是被称为α
‑
烯烃系热塑性弹性体的物质。作为α
‑
烯烃系热塑性弹性体，可列举将丙烯
‑
乙烯共聚物与丙烯均聚物组合而得的物质、或者丙烯
‑
乙烯
‑
碳原子数4以上的α
‑
烯烃三元共聚物。
[0148]
作为α
‑
烯烃系热塑性弹性体的市售品，可列举出例如作为丙烯系弹性体树脂的vistamaxx 3980(exxonmobil chemical company制)。
[0149]
树脂薄膜可以包含1种前述树脂，也可以包含两种以上的前述树脂。
[0150]
需要说明的是，粘合剂层2包含后述紫外线固化粘合剂时，制作基材层1的树脂薄膜优选以具有紫外线透射性的方式来构成。
[0151]
基材层1可以为单层结构，也可以为层叠结构。基材层1可以通过无拉伸成形来获得，也可以通过拉伸成形来获得，优选通过拉伸成形来获得。基材层1为层叠结构时，基材层1优选具有包含弹性体的层(以下称为弹性体层)和包含非弹性体的层(以下称为非弹性体层)。
[0152]
通过使基材层1具有弹性体层和非弹性体层，能够使弹性体层作为松弛拉伸应力的应力松弛层而发挥功能。即，由于能够使基材层1中产生的拉伸应力较小，因此，能够使基材层1具有适度的硬度且比较容易拉伸。
[0153]
由此，能够提高由半导体晶圆切割成多个半导体芯片的切割性。
[0154]
此外，在扩展工序中的切割时，能够抑制基材层1破裂而损坏。
[0155]
需要说明的是，本说明书中，弹性体层是指在室温下的拉伸储能模量比非弹性体层低的低弹性模量层。作为弹性体层，可列举在室温下的拉伸储能模量为10mpa以上且200mpa以下的弹性体层，作为非弹性体层，可列举在室温下的拉伸储能模量为200mpa以上且500mpa以下的非弹性体层。
[0156]
弹性体层可以包含1种弹性体，也可以包含2种以上的弹性体，优选包含α
‑
烯烃系热塑性弹性体、eva(乙烯
‑
乙酸乙烯酯共聚物)。
[0157]
非弹性体层可以包含1种非弹性体，也可以包含2种以上的非弹性体，优选包含后述的茂金属pp。
[0158]
基材层1具有弹性体层和非弹性体层时，基材层1优选形成为以弹性体层作为中心层且在该中心层的彼此相对的两面具有非弹性体层的三层结构(非弹性体层/弹性体层/非弹性体层)。
[0159]
此外，如上所述，在切口维持工序中，由于在室温(例如23℃)下将热风(例如100～130℃)吹向维持扩展状态的前述切割芯片接合薄膜而使前述切割芯片接合薄膜发生热收缩，然后进行冷却固化，因此，基材层1的最外层优选包含具有与吹到切割带的热风温度相近的熔点的树脂。由此，能够使通过吹送热风而熔融的最外层更迅速地固化。
[0160]
其结果，在切口维持工序中能够更充分地维持切口。
[0161]
基材层1是弹性体层与非弹性体层的层叠结构，弹性体层包含α
‑
烯烃系热塑性弹性体且非弹性体层包含后述的茂金属pp等聚烯烃的情况下，弹性体层优选包含相对于形成该弹性体层的弹性体总质量为50质量％以上且100质量％以下的α
‑
烯烃系热塑性弹性体，更优选包含70质量％以上且100质量％以下，进一步优选包含80质量％以上且100质量％以下，特别优选包含90质量％以上且100质量％以下，最适合包含95质量％以上且100质量％以下。通过以前述范围包含α
‑
烯烃系热塑性弹性体，弹性体层与非弹性体层的亲和性变高，
因此，能够比较容易地将基材层1挤出成形。此外，能够使弹性体层作为应力松弛层而发挥作用，因此，能够高效地切割粘贴于切割带的半导体晶圆。
[0162]
基材层1为弹性体层与非弹性体层的层叠结构时，基材层1优选通过将弹性体与非弹性体进行共挤出而制成弹性体层与非弹性体层的层叠结构的共挤出成形来获得。作为共挤出成形，可以采用在薄膜、片等的制造中通常进行的任意且适当的共挤出成形。在共挤出成形之中，从能够高效且廉价地获得基材层1的观点出发，优选采用吹胀法、共挤出t模法。
[0163]
通过共挤出成形来获得形成层叠结构的基材层1时，前述弹性体层与前述非弹性体层经加热而在熔融状态下接触，因此，优选前述弹性体与前述非弹性体的熔点差小。通过使熔点差小，从而抑制成为低熔点的前述弹性体或前述非弹性体中的任一者被过度加热，因此，能够抑制成为低熔点的前述弹性体或前述非弹性体中的任一者因热劣化而生成副产物。此外，也能够抑制因成为低熔点的前述弹性体或前述非弹性体中的任一者的粘度过度降低而导致前述弹性体层与前述非弹性体层之间发生层叠不良。前述弹性体与前述非弹性体的熔点差优选为0℃以上且70℃以下、更优选为0℃以上且55℃以下。
[0164]
前述弹性体和前述非弹性体的熔点可以利用差示扫描量热(dsc)分析进行测定。例如，可以通过使用差示扫描量热计装置(ta instruments公司制、型号：dsc q2000)，在氮气气流下以5℃/分钟的升温速度升温至200℃，并求出吸热峰的峰值温度来测定。
[0165]
基材层1的厚度优选为55μm以上且195μm以下、更优选为55μm以上且190μm以下、进一步优选为55μm以上且170μm以下、最适合为60μm以上且160μm以下。通过使基材层1的厚度为前述范围，能够高效地制造切割带，且能够高效地切割粘贴于切割带的半导体晶圆。
[0166]
基材层1的厚度可通过例如使用直读式厚度计(peacock公司制、型号：r
‑
205)，测定随机选择的任意5个点的厚度，并对这些厚度进行算术平均来求出。
[0167]
在将弹性体层和非弹性体层层叠而成的基材层1中，非弹性体层的厚度相对于弹性体层的厚度的比优选为1/25以上且1/3以下，更优选为1/25以上且1/3.5以下，进一步优选为1/25以上且1/4以下，特别优选为1/22以上且1/4以下，最适合为1/20以上且1/4以下。通过将非弹性体层的厚度相对于弹性体层的厚度的比设为上述范围，能够效率更良好地切断粘贴于切割带的半导体晶圆。
[0168]
弹性体层可以是单层(1层)结构，也可以是层叠结构。弹性体层优选为1层～5层的结构，更优选为1层～3层的结构，进一步优选为1层～2层的结构，为1层结构的方式最佳。在弹性体层为层叠结构的情况下，既可以是全部的层包含相同的弹性体，也可以是至少2层包含不同的弹性体。
[0169]
非弹性体层可以是单层(1层)结构，也可以是层叠结构。非弹性体层优选为1层～5层的结构，更优选为1层～3层的结构，进一步优选为1层～2层的结构，最适合为1层结构。在非弹性体层为层叠结构的情况下，既可以是全部的层包含相同的非弹性体，也可以是至少2层包含不同的非弹性体。
[0170]
非弹性体层优选包含作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的聚丙烯树脂(以下称为茂金属pp)来作为非弹性体。作为茂金属pp，可列举作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯
‑
α
‑
烯烃共聚物。通过使非弹性体层包含茂金属pp，从而能够效率良好地制造切割带，并且能够效率良好地切断粘贴于切割带的半导体晶圆。
[0171]
需要说明的是，作为市售的茂金属pp，可列举wintec wfx4m(日本聚丙烯公司制)。
[0172]
在此，茂金属催化剂为包含周期表第4族的过渡金属化合物(所谓的茂金属化合物)、以及可与茂金属化合物反应而将该茂金属化合物活化为稳定的离子态的助催化剂的催化剂，所述周期表第4族的过渡金属化合物包含具有环戊二烯基骨架的配体，所述茂金属催化剂根据需要而包含有机铝化合物。茂金属化合物为能够进行丙烯的立构规整聚合的交联型的茂金属化合物。
[0173]
在前述作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯
‑
α
‑
烯烃共聚物中，优选作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯
‑
α
‑
烯烃无规共聚物，在前述作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯
‑
α
‑
烯烃无规共聚物中，优选选自作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯
‑
碳数2的α
‑
烯烃无规共聚物、作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯
‑
碳数4的α
‑
烯烃无规共聚物、以及作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯
‑
碳数5的α
‑
烯烃无规共聚物中的共聚物，这些中，最适合的是作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯
‑
乙烯无规共聚物。
[0174]
对于前述作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯
‑
α
‑
烯烃无规共聚物，从与前述弹性体层的共挤出成膜性及粘贴于切割带的半导体晶圆的切断性的观点出发，优选熔点为80℃以上且140℃以下、特别是100℃以上且130℃以下者。
[0175]
前述作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯
‑
α
‑
烯烃无规共聚物的熔点可以利用前述的方法来测定。
[0176]
在此，如果将前述弹性体层配置在基材层1的最外层，则在将基材层1制成卷状体时，被配置在最外层的前述弹性体层彼此容易粘连(容易粘在一起)。因此，变得难以将基材层1从卷状体退卷。与此相对地，前述的层叠结构的基材层1的优选方式为非弹性体层/弹性体层/非弹性体层，即非弹性体层被配置在最外层，因此这种形态的基材层1的耐粘连性变得优异。由此，能够抑制因粘连而导致使用切割带10的半导体装置的制造产生延迟。
[0177]
前述非弹性体层优选包含具有100℃以上且130℃以下的熔点、并且分子量分散度(重均分子量/数均分子量)为5以下的树脂。作为这样的树脂，可列举茂金属pp。
[0178]
通过使上述非弹性体层包含如前所述的树脂，从而能够在切口维持工序中使非弹性体层更迅速地冷却固化。因此，能够更充分地抑制在使切割带热收缩后基材层1发生收缩。
[0179]
由此，在切口维持工序中，能够更充分地维持切口。
[0180]
芯片接合层3优选具有热固性。通过使芯片接合层3包含热固性树脂及具有热固性官能团的热塑性树脂中的至少一者，从而可以对芯片接合层3赋予热固性。
[0181]
当芯片接合层3包含热固性树脂时，作为这样的热固性树脂，可列举出例如环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、硅树脂、及热固性聚酰亚胺树脂等。这些中，优选使用环氧树脂。
[0182]
作为环氧树脂，可列举出例如双酚a型、双酚f型、双酚s型、溴化双酚a型、氢化双酚a型、双酚af型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四酚基乙烷型、乙内酰脲型、异氰脲酸三缩水甘油酯型、及缩水甘油胺型的环氧树脂。
[0183]
对于作为环氧树脂的固化剂的酚醛树脂，可列举出例如酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶型酚醛树脂、及聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯。
[0184]
芯片接合层3包含具有热固性官能团的热塑性树脂时，作为这样的热塑性树脂，可列举出例如含有热固性官能团的丙烯酸类树脂。作为含有热固性官能团的丙烯酸类树脂中
的丙烯酸类树脂，可列举包含来自(甲基)丙烯酸酯的单体单元的丙烯酸类树脂。
[0185]
对于具有热固性官能团的热固性树脂而言，可根据热固性官能团的种类来选择固化剂。
[0186]
从使树脂成分的固化反应充分进行、或者提高固化反应速度的观点出发，芯片接合层3也可以含有热固化催化剂(固化促进剂)。作为热固化催化剂，可列举出例如咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、及三卤代硼烷系化合物。
[0187]
芯片接合层3可以包含热塑性树脂。热塑性树脂作为粘结剂起作用。作为热塑性树脂，可列举出例如天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯
‑
乙酸乙烯酯共聚物、乙烯
‑
丙烯酸共聚物、乙烯
‑
丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、聚酰胺6、聚酰胺6,6等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、pet、pbt等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、氟树脂等。上述热塑性树脂可以仅使用一种，也可以将两种以上组合使用。作为上述热塑性树脂，从离子性杂质少且耐热性高从而容易确保基于芯片接合层的连接可靠性的观点出发，优选丙烯酸类树脂。
[0188]
上述丙烯酸类树脂优选为包含来自(甲基)丙烯酸酯的单体单元来作为以质量比例计最多的单体单元的聚合物。作为(甲基)丙烯酸酯，可列举出例如(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯等。上述丙烯酸类树脂可以包含来自能够与(甲基)丙烯酸酯共聚的其它成分的单体单元。作为上述其它成分，可列举出例如含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含缩水甘油基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺、丙烯腈等含官能团单体、各种多官能性单体等。从在芯片接合层中实现高内聚力的观点出发，上述丙烯酸类树脂优选为(甲基)丙烯酸酯(特别是烷基的碳数为4以下的(甲基)丙烯酸烷基酯)与含羧基单体、含氮原子单体、多官能性单体(特别是多缩水甘油基系多官能单体)的共聚物，更优选为丙烯酸乙酯与丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯腈、(甲基)丙烯酸多缩水甘油基酯的共聚物。
[0189]
根据需要，芯片接合层3可以含有一种或两种以上的其它成分。作为其它成分，可列举出例如阻燃剂、硅烷偶联剂、及离子捕捉剂。
[0190]
芯片接合层3的厚度没有特别限定，例如为1μm以上且200μm以下。该厚度可以为3μm以上且150μm以下，也可以为5μm以上且100μm以下。
[0191]
本实施方式的切割芯片接合薄膜20例如可作为用于制造半导体集成电路的辅助用具来使用。以下对使用切割芯片接合薄膜20的具体例进行说明。
[0192]
以下，对使用基材层1为一层的切割芯片接合薄膜20的例子进行说明。
[0193]
制造半导体集成电路的方法具有下述工序：在要通过切割处理而将半导体晶圆加工成芯片(die)的半导体晶圆上形成槽的半切割工序；对半切割工序后的半导体晶圆进行磨削而减薄厚度的背面研磨工序；将背面研磨工序后的半导体晶圆的一面(例如与电路面相反一侧的面)粘贴于芯片接合层3，将半导体晶圆固定于切割带10的安装工序；扩大经半切割加工的半导体芯片彼此的间隔的扩展工序；维持半导体芯片彼此的间隔的切口维持工序；将芯片接合层3与粘合剂层2之间剥离，在粘贴有芯片接合层3的状态下取出半导体芯片(die)的拾取工序；以及使粘贴有芯片接合层3的状态的半导体芯片(die)粘接于被粘物的芯片接合工序。实施这些工序时，本实施方式的切割带(切割芯片接合薄膜)被用作制造辅助用具。
[0194]
在半切割工序中，如图2a及图2b所示，实施用于将半导体集成电路切断成小片(die)的半切割加工。详细而言，在半导体晶圆w的与电路面处于相反侧的面粘贴晶圆加工用带t(参照图2a)。另外，将切割环r安装于晶圆加工用带t(参照图2a)。在粘贴有晶圆加工用带t的状态下形成分割用的槽(参照图2b)。在背面研磨工序中，如图2c及图2d所示，对半导体晶圆进行磨削而使厚度变薄。详细而言，在形成有槽的面上粘贴背面研磨带g，另一方面，将最初粘贴的晶圆加工用带t剥离(参照图2c)。在粘贴有背面研磨带g的状态下实施磨削加工，直至半导体晶圆w达到规定的厚度为止(参照图2d)。
[0195]
需要说明的是，在背面研磨工序中，在半导体晶圆的厚度为20μm以上且30μm以下而特别薄的情况下，在后述的拾取工序中使用销构件p将半导体芯片顶起时，该半导体芯片容易发生变形、破裂，但是，本实施方式的切割芯片接合薄膜20由于如上来构成，因此，能够相对地抑制在拾取工序中半导体芯片产生变形、破裂。
[0196]
在安装工序中，如图3a～图3b所示，将切割环r安装于切割带10的粘合剂层2后，在露出的芯片接合层3的面上粘贴经半切割加工的半导体晶圆w(参照图3a)。之后，从半导体晶圆w剥离背面研磨带g(参照图3b)。
[0197]
在扩展工序中，如图4a～图4c所示，将切割环r固定于扩展装置的保持件h。使用扩展装置所具备的顶起构件u将切割芯片接合薄膜20从下侧顶起，从而对切割芯片接合薄膜20进行拉伸而使其沿着面方向扩展(参照图4b)。由此，在特定的温度条件下切断经半切割加工的半导体晶圆w。上述温度条件为例如
‑
20～5℃，优选为
‑
15～0℃，更优选为
‑
10～
‑
5℃。通过使顶起构件u下降而解除扩展状态(参照图4c)。
[0198]
进而，在扩展工序中，如图5a～图5b所示，在更高的温度条件下(例如室温(23
±
2℃))对切割带10进行拉伸而使面积扩大。由此，使已切断的相邻的半导体芯片在薄膜面的面方向上分离，进一步扩大间隔。
[0199]
在切口维持工序中，如图6所示，对切割带10吹送热风(例如100～130℃)而使切割带10热收缩后，使其冷却固化，维持所切割的相邻半导体芯片之间的距离(切口)。
[0200]
在拾取工序中，如图7所示，将粘贴有芯片接合层3的状态的半导体芯片从切割带10的粘合剂层2剥离。详细而言，使销构件p上升，从而将拾取对象的半导体芯片隔着切割带10顶起。利用吸附夹具j来保持被顶起的半导体芯片。
[0201]
在芯片接合工序中，使粘贴有芯片接合层3的状态的半导体芯片粘接于被粘物。
[0202]
通过本说明书而公开的事项包括以下内容。
[0203]
(1)
[0204]
一种切割芯片接合薄膜，其具备：
[0205]
在基材层上层叠有粘合剂层的切割带，和
[0206]
在前述切割带的粘合剂层上层叠的芯片接合层；
[0207]
前述粘合剂层包含粘合剂和光聚合引发剂，
[0208]
在对固化前的前述粘合剂层进行gpc测定而得到的分子量分布曲线中，在最高分子量侧出现的峰的重均分子量mw相对于在最高分子量侧出现的峰的数均分子量mn的比、即多分散度mw/mn为1.3以上。
[0209]
根据该构成，能够相对地抑制前述光聚合引发剂从前述粘合剂层向前述芯片接合层转移。
[0210]
(2)
[0211]
根据上述(1)所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述多分散度mw/mn为2.0以上。
[0212]
根据该构成，能够相对抑制前述光聚合引发剂从前述粘合剂层向前述芯片接合层转移，并且在将前述芯片接合层和前述粘合剂层之间剥离而以贴附有前述芯片接合层的状态取出半导体芯片的拾取工序中，能够更容易地从前述粘合剂层剥离前述芯片接合层。
[0213]
(3)
[0214]
根据上述(1)或(2)所述的切割芯片接合薄膜，其中，
[0215]
前述多分散度mw/mn为10以下。
[0216]
(4)
[0217]
根据上述(1)或(2)所述的切割芯片接合薄膜，其中，
[0218]
前述多分散度mw/mn为5以下。
[0219]
(5)
[0220]
根据上述(1)或(2)所述的切割芯片接合薄膜，其中，
[0221]
前述多分散度mw/mn为3以下。
[0222]
(6)
[0223]
根据上述(1)～(5)中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，
[0224]
在对固化前的前述粘合剂层进行gpc测定而得到的分子量分布曲线中，在最高分子量侧出现的峰的峰顶分子量的值为33000以下。
[0225]
(7)
[0226]
根据上述(1)～(6)中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，
[0227]
在对固化前的前述粘合剂层进行gpc测定而得到的分子量分布曲线中，在最高分子量侧出现的峰的峰顶分子量的值为25000以下。
[0228]
根据该构成，能够进一步抑制前述光聚合引发剂从前述粘合剂层向前述芯片接合层转移。
[0229]
(8)
[0230]
根据上述(6)或(7)所述的切割芯片接合薄膜，其中，
[0231]
在对固化前的前述粘合剂层进行gpc测定而得到的分子量分布曲线中，在最高分子量侧出现的峰的峰顶分子量的值为4000以上。
[0232]
(9)
[0233]
根据上述(6)或(7)所述的切割芯片接合薄膜，其中，
[0234]
在对固化前的前述粘合剂层进行gpc测定而得到的分子量分布曲线中，在最高分子量侧出现的峰的峰顶分子量的值为8000以上。
[0235]
(10)
[0236]
根据上述(1)～(9)中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，
[0237]
固化前的前述粘合剂层包含小于32质量％的溶胶成分。
[0238]
根据该构成，能够进一步抑制前述光聚合引发剂从前述粘合剂层向前述芯片接合层转移。
[0239]
(11)
[0240]
根据上述(1)～(10)中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，
[0241]
固化前的前述粘合剂层包含23质量％以下的溶胶成分。
[0242]
根据该构成，能够进一步抑制前述光聚合引发剂从前述粘合剂层向前述芯片接合层转移，并且在将前述芯片接合层和前述粘合剂层之间剥离而以贴附有前述芯片接合层的状态取出半导体芯片的拾取工序中，能够更容易地从前述粘合剂层剥离前述芯片接合层。
[0243]
(12)
[0244]
根据上述(1)～(11)中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，
[0245]
前述芯片接合层相对于前述粘合剂层的剥离力在前述粘合剂层固化后小于0.18n/20mm。
[0246]
(13)
[0247]
根据上述(1)～(12)中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，
[0248]
前述芯片接合层相对于前述粘合剂层的剥离力在前述粘合剂层固化后为0.15n/20mm以下。
[0249]
(14)
[0250]
根据上述(1)～(13)中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，
[0251]
前述芯片接合层相对于前述粘合剂层的剥离力在前述粘合剂层固化后为0.07n/20mm以下。
[0252]
根据该构成，在将前述芯片接合层和前述粘合剂层之间剥离而以贴附有前述芯片接合层的状态取出半导体芯片的拾取工序中，能够更容易地从前述粘合剂层剥离前述芯片接合层。
[0253]
(15)
[0254]
根据上述(12)～(14)中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述芯片接合层相对于前述粘合剂层的剥离力在前述粘合剂层固化后为0.01n/20mm以上。
[0255]
(16)
[0256]
根据上述(1)～(15)中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述芯片接合层相对于前述粘合剂层的剥离力在前述粘合剂层固化前为0.3n/20mm以上。
[0257]
根据该构成，能够通过前述粘合剂层适度地保持前述芯片接合层。由此，能够进一步抑制在前述芯片接合层单片化之后产生的芯片浮起。
[0258]
(17)
[0259]
根据上述(16)所述的切割芯片接合薄膜，其中，
[0260]
前述芯片接合层相对于前述粘合剂层的剥离力在前述粘合剂层固化前为5.0n/20mm以下。
[0261]
需要说明的是，本发明的切割芯片接合薄膜不限定于前述实施方式。此外，本发明的切割芯片接合薄膜不受前述作用效果限定。本发明的切割芯片接合薄膜可以在不脱离本发明主旨的范围内进行各种变更。
[0262]
实施例
[0263]
接下来，列举实施例对本发明进行进一步具体说明。以下的实施例是用于进一步详细说明本发明的例子，并非对本发明的范围进行限定。
[0264]
[实施例1]
[0265]
＜切割带的制作＞
[0266]
向具备冷凝管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器内添加作为单体的丙烯酸2
‑
羟基乙酯(以下称为hea)11质量份、丙烯酸异壬酯(以下称为ina)89质量份、作为热聚合引发剂的偶氮双异丁腈(以下称为aibn)0.2质量份，进而，以前述单体的浓度达到38％的方式添加作为反应溶剂的乙酸丁酯后，在氮气气流下以62℃进行4小时聚合，以75℃进行2小时聚合处理，得到丙烯酸系聚合物a。
[0267]
向该丙烯酸系聚合物a中添加2
‑
甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(以下称为moi)12质量份、二月桂酸二丁基锡0.06质量份，在空气气流下在50℃下进行12小时的加成反应处理，得到丙烯酸系聚合物a’。
[0268]
接着，相对于丙烯酸系聚合物a’100质量份，添加作为外部交联剂的多异氰酸酯化合物(商品名“coronate l”、日本聚氨酯株式会社制)0.8质量份和光聚合引发剂(商品名“omnirad127”、igm resins公司制造)2质量份，加入抗氧化剂(商品名“irganox1010”、basf japan制造)0.01质量份，制作粘合剂溶液(以下有时也称为粘合剂溶液a)。
[0269]
接着，使用涂抹器将粘合剂溶液a涂布在具有实施了有机硅脱模处理的面的pet隔离体(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上，在120℃下干燥2分钟，形成厚度10μm的粘合剂层。其后，在该粘合剂层上粘贴作为基材层的gunze公司制的聚烯烃薄膜(商品名“funcrare ned#125”、厚度125μm)，在50℃下保存24小时，得到切割带a。
[0270]
<芯片接合层的制作>
[0271]
相对于丙烯酸树脂(商品名“teisanresin sg
‑
70l”、nagase chemtex公司制、重均分子量为90万)100质量份，将200质量份的环氧树脂(商品名“ki
‑
3000
‑
4”、东都化成工业公司制)、200质量份的酚醛树脂(商品名“mehc
‑
7851ss”、明和化成公司制)、350质量份(二氧化硅填料换算)的二氧化硅填料(商品名“se2050
‑
mcv”、admatechs公司制、平均粒径为500nm)和2质量份的固化促进剂(商品名“curezol 2phz
‑
pw”、四国化成工业公司制)添加至甲乙酮中，制备固体成分浓度为30质量％的粘接剂组合物a。
[0272]
接着，使用涂抹器在具有实施了有机硅脱模处理的面的pet隔离体(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上涂布粘接剂组合物a，形成涂膜，针对该涂膜，在120℃下进行2分钟的脱溶剂处理。由此，在pet隔离体上制作厚度(平均厚度)10μm的芯片接合层。
[0273]
<切割芯片接合薄膜的制作>
[0274]
通过将制作有芯片接合层的pet隔离体(以下称为带有芯片接合层的pet隔离体)冲切成330mmφ的圆形，从而得到330mmφ的带有芯片接合层的pet隔离体。
[0275]
接着，从切割带a去除pet隔离体而使粘合剂层的一面露出后，使用层压机，以芯片接合层的露出面与粘合剂层的露出面抵接的方式，在室温(23
±
2℃)下将带有芯片接合层的pet隔离体粘贴于切割带a，由此得到切割芯片接合薄膜a。
[0276]
即，实施例1的切割带a是聚烯烃薄膜、粘合剂层、芯片接合层和pet隔离体依次层叠而构成的。
[0277]
[实施例2]
[0278]
＜切割带的制作＞
[0279]
向与实施例1所记载的相同反应容器内添加作为单体的hea 16质量份、丙烯酸丁酯(以下称为ba)84质量份、作为热聚合引发剂的aibn 0.2质量份，进而，以前述单体的浓度成为32％的方式添加作为反应溶剂的乙酸丁酯后，在氮气气流下以62℃进行4小时聚合，以
75℃进行2小时聚合处理，得到丙烯酸系聚合物b。
[0280]
向该丙烯酸系聚合物b中添加moi 17质量份、二月桂酸二丁基锡0.09质量份，在空气气流下在50℃下进行12小时的加成反应处理，得到丙烯酸系聚合物b’。
[0281]
接着，相对于丙烯酸系聚合物b’100质量份，添加作为外部交联剂的多异氰酸酯化合物(商品名“coronate l”、日本聚氨酯株式会社制)0.8质量份和光聚合引发剂(商品名“omnirad127”、igm resins公司制造)2质量份，加入抗氧化剂(商品名“irganox1010”、basf japan制造)0.01质量份，制作粘合剂溶液(以下有时也称为粘合剂溶液b)。
[0282]
接着，使用涂抹器将粘合剂溶液b涂布在具有实施了有机硅脱模处理的面的pet隔离体(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上，在120℃下干燥2分钟，形成厚度10μm的粘合剂层。其后，在该粘合剂层上粘贴作为基材层的gunze公司制的聚烯烃薄膜(商品名“funcrare ned#125”、厚度125μm)，在50℃下保存24小时，得到切割带b。
[0283]
<芯片接合层的制作>
[0284]
与实施例1同样地制作。
[0285]
<切割芯片接合薄膜的制作>
[0286]
与实施例1同样地获得330mmφ的带有芯片接合层的pet隔离体后，从切割带b去除pet隔离体而使粘合剂层的一面露出，使用层压机，以芯片接合层的露出面与粘合剂层的露出面抵接的方式，在室温下将带有芯片接合层的pet隔离体粘贴于切割带b，由此得到切割芯片接合薄膜b。
[0287]
[实施例3]
[0288]
＜切割带的制作＞
[0289]
向与实施例1所记载的相同反应容器内添加作为单体的hea 11质量份、丙烯酸2
‑
乙基己酯(以下称为2eha)89质量份、作为热聚合引发剂的aibn0.2质量份，进而，以前述单体的浓度成为36％的方式添加作为反应溶剂的乙酸丁酯后，在氮气气流下以62℃进行4小时聚合，以75℃进行2小时聚合处理，得到丙烯酸系聚合物c。
[0290]
向该丙烯酸系聚合物c中添加moi 13质量份、二月桂酸二丁基锡0.07质量份，在空气气流下在50℃下进行12小时的加成反应处理，得到丙烯酸系聚合物c’。
[0291]
接着，相对于丙烯酸系聚合物c’100质量份，添加作为外部交联剂的多异氰酸酯化合物(商品名“coronate l”、日本聚氨酯株式会社制)0.8质量份和光聚合引发剂(商品名“omnirad127”、igm resins公司制造)2质量份，加入抗氧化剂(商品名“irganox1010”、basf japan制造)0.01质量份，制作粘合剂溶液(以下有时也称为粘合剂溶液c)。
[0292]
接着，使用涂抹器将粘合剂溶液c涂布在具有实施了有机硅脱模处理的面的pet隔离体(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上，在120℃下干燥2分钟，形成厚度10μm的粘合剂层。其后，在该粘合剂层上粘贴作为基材层的gunze公司制的聚烯烃薄膜(商品名“funcrare ned#125”、厚度125μm)，在50℃下保存24小时，得到切割带c。
[0293]
<芯片接合层的制作>
[0294]
与实施例1同样地制作。
[0295]
<切割芯片接合薄膜的制作>
[0296]
与实施例1同样地获得330mmφ的带有芯片接合层的pet隔离体后，从切割带c去除pet隔离体而使粘合剂层的一面露出，使用层压机，以芯片接合层的露出面抵接于粘合剂层
的露出面的方式，在室温下将带有芯片接合层的pet隔离体粘贴于切割带c，由此得到切割芯片接合薄膜c。
[0297]
[实施例4]
[0298]
＜切割带的制作＞
[0299]
在与实施例1记载的同样的反应容器内加入作为单体的hea 16质量份、ina 84质量份、作为热聚合引发剂的aibn 0.2质量份，进而，以前述单体的浓度成为32％的方式添加作为反应溶剂的乙酸丁酯后，在氮气气流下以62℃进行4小时聚合，以75℃进行2小时聚合处理，得到丙烯酸系聚合物d。
[0300]
在该丙烯酸系聚合物d中添加moi 17质量份、二月桂酸二丁基锡0.12质量份，在空气气流下在50℃下进行12小时加成反应处理，得到丙烯酸系聚合物d’。
[0301]
接着，相对于丙烯酸系聚合物d’100质量份，添加作为外部交联剂的多异氰酸酯化合物(商品名“coronate l”、日本聚氨酯株式会社制)0.8质量份和光聚合引发剂(商品名“omnirad127”、igm resins公司制造)2质量份，加入抗氧化剂(商品名“irganox1010”、basf japan制造)0.01质量份，制作粘合剂溶液(以下有时也称为粘合剂溶液d)。
[0302]
接着，使用涂抹器将粘合剂溶液d涂布在具有实施了有机硅脱模处理的面的pet隔离体(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上，在120℃下干燥2分钟，形成厚度10μm的粘合剂层。其后，在该粘合剂层上粘贴作为基材层的gunze公司制的聚烯烃薄膜(商品名“funcrare ned#125”、厚度125μm)，在50℃下保存24小时，得到切割带d。
[0303]
<芯片接合层的制作>
[0304]
与实施例1同样地制作。
[0305]
<切割芯片接合薄膜的制作>
[0306]
与实施例1同样地获得330mmφ的带有芯片接合层的pet隔离体后，从切割带d去除pet隔离体而使粘合剂层的一面露出，使用层压机，以芯片接合层的露出面与粘合剂层的露出面抵接的方式，在室温下将带有芯片接合层的pet隔离体粘贴于切割带d，由此得到切割芯片接合薄膜d。
[0307]
[实施例5]
[0308]
＜切割带的制作＞
[0309]
在与实施例1记载的同样的反应容器内加入作为单体的hea 9质量份、丙烯酸月桂基酯(以下称为la)91质量份、作为热聚合引发剂的aibn 0.2质量份，进而，以前述单体的浓度成为30％的方式加入作为反应溶剂的乙酸丁酯后，在氮气气流下在62℃下进行4小时聚合，在75℃下进行2小时聚合处理，得到丙烯酸系聚合物e。
[0310]
在该丙烯酸系聚合物e中添加moi 10质量份、二月桂酸二丁基锡0.21质量份，在空气气流下在50℃下进行12小时加成反应处理，得到丙烯酸系聚合物e’。
[0311]
接着，相对于丙烯酸系聚合物e’100质量份，添加作为外部交联剂的多异氰酸酯化合物(商品名“coronate l”、日本聚氨酯株式会社制)0.8质量份和光聚合引发剂(商品名“omnirad127”、igm resins公司制造)2质量份，加入抗氧化剂(商品名“irganox1010”、basf japan制造)0.01质量份和作为增粘剂的萜烯酚树脂(商品名“ys polystars145”、yasuhara chemical co.,ltd.制造)5质量份，制作粘合剂溶液(以下也称为粘合剂溶液e)。
[0312]
接着，使用涂抹器将粘合剂溶液e涂布在具有实施了有机硅脱模处理的面的pet隔
离体(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上，在120℃下干燥2分钟，形成厚度10μm的粘合剂层。其后，在该粘合剂层上粘贴作为基材层的gunze公司制的聚烯烃薄膜(商品名“funcrare ned#125”、厚度125μm)，在50℃下保存24小时，得到切割带e。
[0313]
<芯片接合层的制作>
[0314]
与实施例1同样地制作。
[0315]
<切割芯片接合薄膜的制作>
[0316]
与实施例1同样地获得330mmφ的带有芯片接合层的pet隔离体后，从切割带e去除pet隔离体而使粘合剂层的一面露出，使用层压机，以芯片接合层的露出面与粘合剂层的露出面抵接的方式，在室温下将带有芯片接合层的pet隔离体粘贴于切割带e，由此得到切割芯片接合薄膜e。
[0317]
[实施例6]
[0318]
＜切割带的制作＞
[0319]
在与实施例1记载的同样的反应容器内加入作为单体的hea 9质量份、la 91质量份、作为热聚合引发剂的aibn 0.2质量份，进而，以前述单体的浓度成为34％的方式加入作为反应溶剂的乙酸丁酯后，在氮气气流下在62℃下进行4小时聚合，在75℃下进行2小时聚合处理，得到丙烯酸系聚合物f。
[0320]
在该丙烯酸系聚合物f中添加moi 10质量份、二月桂酸二丁基锡0.08质量份，在空气气流下在50℃下进行12小时加成反应处理，得到丙烯酸系聚合物f’。
[0321]
接着，相对于丙烯酸系聚合物f’100质量份，添加作为外部交联剂的多异氰酸酯化合物(商品名“coronate l”、日本聚氨酯株式会社制)0.8质量份和光聚合引发剂(商品名“omnirad127”igm resins公司制造)2质量份，加入抗氧化剂(商品名“irganox1010”、basf japan制造)0.01质量份，制作粘合剂溶液(以下也称为粘合剂溶液f)。
[0322]
接着，使用涂抹器将粘合剂溶液f涂布在具有实施了有机硅脱模处理的面的pet隔离体(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上，在120℃下干燥2分钟，形成厚度10μm的粘合剂层。其后，在该粘合剂层上粘贴作为基材层的gunze公司制的聚烯烃薄膜(商品名“funcrare ned#125”、厚度125μm)，在50℃下保存24小时，得到切割带f。
[0323]
<芯片接合层的制作>
[0324]
与实施例1同样地制作。
[0325]
<切割芯片接合薄膜的制作>
[0326]
与实施例1同样地获得330mmφ的带有芯片接合层的pet隔离体后，从切割带f去除pet隔离体而使粘合剂层的一面露出，使用层压机，以芯片接合层的露出面与粘合剂层的露出面抵接的方式，在室温下将带有芯片接合层的pet隔离体粘贴于切割带f，由此得到切割芯片接合薄膜f。
[0327]
[比较例1]
[0328]
＜切割带的制作＞
[0329]
在与实施例1记载的同样的反应容器内加入作为单体的hea19质量份、丙烯酸乙酯(以下称为ea)81质量份、作为热聚合引发剂的aibn 0.2质量份，进而，以前述单体的浓度成为42％的方式加入作为反应溶剂的乙酸丁酯后，在氮气气流下在62℃下进行4小时聚合，在75℃下进行2小时聚合处理，得到丙烯酸系聚合物g。
[0330]
在该丙烯酸系聚合物g中添加moi 21质量份、二月桂酸二丁基锡0.03质量份，在空气气流下在50℃下进行12小时加成反应处理，得到丙烯酸系聚合物g’。
[0331]
接着，相对于丙烯酸系聚合物g’100质量份，添加作为外部交联剂的多异氰酸酯化合物(商品名“coronate l”、日本聚氨酯株式会社制)0.8质量份和光聚合引发剂(商品名“omnirad127”igm resins公司制造)2质量份，加入抗氧化剂(商品名“irganox1010”、basf japan制造)0.01质量份，制作粘合剂溶液(以下有时也称为粘合剂溶液g)。
[0332]
接着，使用涂抹器将粘合剂溶液g涂布在具有实施了有机硅脱模处理的面的pet隔离体(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上，在120℃下干燥2分钟，形成厚度10μm的粘合剂层。其后，在该粘合剂层上粘贴作为基材层的gunze公司制的聚烯烃薄膜(商品名“funcrare ned#125”、厚度125μm)，在50℃下保存24小时，得到切割带g。
[0333]
<芯片接合层的制作>
[0334]
与实施例1同样地制作。
[0335]
<切割芯片接合薄膜的制作>
[0336]
与实施例1同样地获得330mmφ的带有芯片接合层的pet隔离体后，从切割带g去除pet隔离体而使粘合剂层的一面露出，使用层压机，以芯片接合层的露出面与粘合剂层的露出面抵接的方式，在室温下将带有芯片接合层的pet隔离体粘贴于切割带g，由此得到切割芯片接合薄膜g。
[0337]
(溶胶成分的质量比率)
[0338]
对于各例的切割芯片接合薄膜的固化前的粘合剂层，按照以下的步骤求出溶胶成分的质量比率。
[0339]
(1)从固化前的粘合剂层取约0.2g的样品。
[0340]
(2)用网状片材包裹前述样品之后，在室温下浸渍于约30ml的甲苯中1周。
[0341]
(3)从甲苯中取出网状片材，将网状片材中所含的甲苯不溶成分去除。
[0342]
(4)使前述甲苯不溶成分在大气压下以130℃干燥约2小时之后，称量前述甲苯不溶成分。
[0343]
(5)按照下述式(1)算出凝胶成分的质量比率，以凝胶率的质量比率的算出值为基础按照下述式(2)算出溶胶成分的质量比率。
[0344]
将其结果示于以下的表2。
[0345]
凝胶成分的质量比率(质量％)＝[(甲苯不溶成分的称量值)/所取样品的质量]
×
100
···
(1)
[0346]
溶胶成分的质量比率(质量％)＝100
‑
上述式(1)中求得的凝胶成分的质量比率
···
(2)
[0347]
(gpc测定)
[0348]
对于各例的切割芯片接合薄膜的固化前的粘合剂层，使用东曹株式会社制造的hlc
‑
8220gpc作为分析装置，按照以下的步骤进行gpc测定，对按照以下的步骤而得到的gpc测定的结果进行解析，得到关于分子量的信息。
[0349]
[测定试样的制备]
[0350]
(1)由固化前的粘合剂层2取约0.2g的样品。
[0351]
(2)利用网状片材包裹前述样品之后，在室温下在约30ml的甲苯中浸渍1周。
[0352]
(3)从甲苯中取出网状片材，将网状片材中包含的甲苯不溶成分去除，得到包含甲苯溶解成分的甲苯溶液。
[0353]
(4)边减压边在45℃以下的温度下对前述甲苯溶液进行处理，从前述甲苯溶液中去除甲苯，得到甲苯溶解成分的固体物质。
[0354]
(5)使前述固体物质以浓度成为0.2质量％的方式溶解于四氢呋喃(thf)中制成thf溶液之后，放置一晚。
[0355]
(6)将放置了一晚的thf溶液用0.45μm的膜滤器进行过滤，将得到的滤液作为测定试样。
[0356]
[测定条件]
[0357]
·
柱：东曹株式会社制造的tskgel quaudcolumn superhz
‑
l(以下称为第1柱)1根、以及
[0358]
东曹株式会社制造的tskgel superhzm
‑
m(以下称为第2柱)2根
[0359]
上述各柱以使2根前述第2柱串联连接于前述第1柱的下游侧、后述的洗脱液从前述第1柱侧流入的方式配置于前述分析装置。
[0360]
·
柱温：40℃
[0361]
·
洗脱液：四氢呋喃(thf)
[0362]
·
流量：样品泵流量0.3ml/分钟
[0363]
参比泵流量1.0ml/分钟
[0364]
·
注入量：10μl
[0365]
·
检测器：差示折射率检测器(ri)
[0366]
此外，为了基于对前述测定试样测定而得的结果得到分子量分布曲线，以成为上述的表1所示的配混质量的方式计量东曹株式会社制造的各标准聚苯乙烯，使计量的各标准聚苯乙烯溶解于100ml的thf中，得到标准聚苯乙烯溶液std1及标准聚苯乙烯溶液std2，对它们也使用上述测定装置在上述测定条件下进行gpc测定。
[0367]
对于对前述测定试样、前述std1、及前述std2进行gpc测定而得到的结果，使用东曹株式会社制造的解析软件gpc
‑
8020model ii(数据管理version 5.10)进行数据解析。
[0368]
在使用上述解析软件的数据解析中，首先，制作关于前述std1及前述std2的校准曲线(以横轴为时间(分钟)、以纵轴为重均分子量的对数的校准曲线)，以这些校准曲线为基准进行关于前述测定试样的分子量的数据解析。关于前述测定试样的分子量的数据解析是在得到关于在色谱图上最早检测到的峰p1(最高分子量侧的峰)的分子量分布曲线的基础上进行的。通过对关于峰p1的分子量分布曲线进行数据解析，能够得到关于峰p1的数均分子量mn及重均分子量mw。
[0369]
需要说明的是，由各例的切割芯片接合薄膜的粘合剂层得到的测定试样均在最早检测到的峰p1的下降部分和接着峰p1而检测到的峰p2的上升部分观察到重叠，因此，以峰p1的上升开始部分为基点以沿水平方向延伸的方式画基线，从前述基线向在峰p1的下降部分和峰p2的上升部分之间产生的谷部分(最凹陷的部分)垂直画线，对于由从峰p1的上升开始部分到前述谷部分为止、前述基线、和从前述基线向前述谷部分垂直画的线所分隔出的区域进行解析，由此，可以对峰p1得到数均分子量mn及重均分子量mw。
[0370]
在以下的表2中示出峰p1的数均分子量mn、峰p1的重均分子量mw、及峰p1的重均分
子量mw相对于峰p1的数均分子量mn的比。
[0371]
此外，在以下的表2中还示出峰p1的峰顶分子量的值。
[0372]
(光聚合引发剂的转移比率)
[0373]
对各例的切割芯片接合薄膜测定光聚合引发剂从粘合剂层向芯片接合层的转移比率。
[0374]
光聚合引发剂的转移比率由从不与芯片接合层重叠的粘合剂层部分采取的样品中所含的光聚合引发剂的质量比率(第1质量比率)、和从与粘合剂层重叠的芯片接合层部分采取的样品中所含的光聚合引发剂的质量比率(第2质量比率)算出。
[0375]
前述第1质量比率按照以下的步骤来求出。
[0376]
(1)对于各例的切割芯片接合薄膜，取未层叠有芯片接合层、且距离芯片接合层1cm以上的粘合剂层部分约0.1g。
[0377]
(2)将所取的粘合剂层加入到4ml的氯仿中后，在阴暗处振荡一晚(约16小时)，由此，在氯仿中提取使粘合剂层中的光聚合引发剂。
[0378]
(3)在光聚合引发剂提取后的氯仿溶液中加入7ml的甲醇，使光聚合引发剂以外的成分再沉淀，利用膜滤器滤取再沉淀的成分，得到光聚合引发剂的溶解液(氯仿与甲醇的混合溶液)。将其作为测定试样。
[0379]
(4)利用hplc对前述测定试样进行分析，测定前述测定试样中的前述光聚合引发剂的浓度(单位为μg/ml)。
[0380]
(5)将前述光聚合引发剂的浓度与溶解有前述光聚合引发剂的混合溶剂(氯仿与甲醇的混合溶剂)的容积11ml相乘，算出前述测定试样中的前述光聚合引发剂的质量(单位为μg)。
[0381]
(6)通过用前述测定试样中的前述光聚合引发剂的质量除以所取的粘合剂层的质量，算出粘合剂层中的前述光聚合引发剂的质量比率，将其作为第1质量比率。
[0382]
前述第2质量比率按照以下的步骤求出。需要说明的是，以下(1)～(4)均在暗处进行。
[0383]
(1)从粘合剂层上剥取芯片接合层约0.1g。
[0384]
(2)将剥取的芯片接合层加入到4ml的氯仿中后，在阴暗处振荡一晚(约16小时)，由此，在氯仿中提取光聚合引发剂。
[0385]
(3)在光聚合引发剂提取后的氯仿溶液中加入7ml的甲醇，使光聚合引发剂以外的成分再沉淀，利用膜滤器滤取再沉淀的成分，得到光聚合引发剂的溶解液(氯仿与甲醇的混合溶液)。将其作为测定试样。
[0386]
(4)利用hplc对前述测定试样进行分析，测定前述测定试样中的前述光聚合引发剂的浓度(单位为μg/ml)。
[0387]
(5)将前述光聚合引发剂的浓度与溶解有前述光聚合引发剂的混合溶剂(氯仿与甲醇的混合溶剂)的容积11ml相乘，算出前述测定试样中的前述光聚合引发剂的质量(单位为μg)。
[0388]
(6)通过用前述测定试样中的前述光聚合引发剂的质量除以所取的芯片接合层的质量，算出前述芯片接合层中的前述光聚合引发剂的质量比率，将其作为第2质量比率。
[0389]
需要说明的是，利用hplc的分析在以下的条件下进行。
[0390]
分析装置
[0391]
waters，acquity hplc
[0392]
测定条件
[0393]
·
标准溶液：使omnirad以浓度5.54μg/ml溶解于氯仿与甲醇的混合溶液中而得到的溶液(第1标准溶液)、使omnirad以浓度55.4μg/ml溶解于氯仿与甲醇的混合溶液中而得到的溶液(第2标准溶液)、及使omnirad以浓度166.2μg/ml溶解于氯仿与甲醇的混合溶液中而得到的溶液(第3标准溶液)这3种
[0394]
·
柱：gl science，inertsil(注册商标)(2.1mmφ
×
10cm、载体的平均粒径1.7μm)
[0395]
·
柱温：40℃
[0396]
·
柱流量：0.8ml/分钟
[0397]
·
洗脱液组成：超纯水/乙腈的梯度条件
[0398]
·
注射量：10μl
[0399]
·
检测器：pda检测器
[0400]
·
检测波长：260nm
[0401]
将前述第1质量比率的值与前述第2质量比率的值代入下述式(3)中，由此算出光聚合引发剂的转移比率。将其结果示于以下的表2。
[0402]
光聚合引发剂的转移比率(质量％)＝
‑
第2质量比率/第1质量比率
×
100(3)
[0403]
(剥离力)
[0404]
对于各例的切割芯片接合薄膜，测定芯片接合层相对于粘合剂层的剥离力。芯片接合层相对于粘合剂层的剥离力在使粘合剂层固化之后测定。
[0405]
芯片接合层相对于粘合剂层的剥离力利用t型剥离试验来测定。
[0406]
t型剥离试验如下来进行：从芯片接合层将pet隔离体剥离，在芯片接合层上形成露出面，对于在该露出面上贴合有背衬带(商品名“elp bt315”、日东电工株式会社制造)的切割芯片接合薄膜，使用日东精机制造的商品名“um
‑
810”(高压汞灯、60mw/cm2)从切割带侧照射强度150j/cm2的紫外线，使粘合剂层固化之后，切成宽50mm
×
长120mm的尺寸，将其作为测定用样品，使用拉伸试验器(例如商品名“tg
‑
1kn”、minebeamitsumi inc制造)在温度25℃、拉伸速度300mm/分钟的条件下进行。
[0407]
对于如上操作测定的剥离力，示于以下的表2。
[0408]
(拾取性)
[0409]
对于被切割了的状态的带芯片接合层的半导体芯片，评价拾取性。被切割了的状态的带芯片接合层的半导体芯片如下来得到：在通过半切割形成有分割用的槽(10mm
×
10mm)的12英寸的裸晶圆(直径300mm、厚度55μm)上，在形成有分割用的槽的面上贴附背面研磨带之后，使用背面研磨机(disco公司制造、型号dgp8760)将前述12英寸的裸晶圆从与贴附有前述背面研磨带的一侧处于相反侧的面起磨削直至厚度25μm，得到进行了背面研磨的裸晶圆，在该进行了背面研磨的裸晶圆的与背面研磨带的贴附面相反的一侧贴附各例的切割芯片接合薄膜的芯片接合层，得到带切割芯片接合薄膜的裸晶圆，使用芯片分离装置(商品名“die separator dds3200、disco公司制造”对该带切割芯片接合薄膜的裸晶圆进行扩展，由此得到。
[0410]
需要说明的是，使用芯片分离装置的扩展是在将前述背面研磨带从裸晶圆剥离了
的状态下进行的。
[0411]
在使用了芯片分离装置的扩展中，进行冷扩展之后，进行常温扩展。
[0412]
冷扩展如下来进行：在贴附于裸晶圆的切割芯片接合薄膜的粘合剂层上的框贴合区域上，在室温下贴附直径12英寸的sus制环框(disco公司制造)之后，将贴附有sus制环框的裸晶圆安装于芯片分离装置，利用该芯片分离装置的冷扩展单元对切割芯片接合薄膜的切割带进行扩展，由此进行。冷扩展在扩展温度
‑
15℃、扩展速度100mm/秒、扩展量7mm的条件下进行。
[0413]
需要说明的是，在冷扩展之后，在半导体晶圆被单片化为多个半导体芯片的同时，芯片接合层也被单片化为相当于半导体芯片的尺寸，得到多个带芯片接合层的半导体芯片。
[0414]
常温扩展通过在冷扩展之后使用前述芯片分离装置的常温扩展单元对切割芯片接合薄膜的切割带进行扩展来进行。常温扩展在扩展温度23
±
2℃、扩展速度1mm/秒、扩展量10mm的条件下进行。
[0415]
对于常温扩展后的切割带，实施加热收缩处理。加热收缩处理在温度200℃、时间20秒的条件下进行。
[0416]
使切割带加热收缩之后，使用具有拾取机构的装置(商品名“die bonder spa
‑
300”、新川制造)，进行单片化了的带芯片接合层的半导体芯片的拾取试验。在具有前述拾取机构的装置中，基于销构件的顶起速度设为1mm/秒、顶起量设为2000μm。
[0417]
前述拾取试验在使用日东精机制造的商品名“um
‑
810”(高压汞灯、60mw/cm2)从切割带侧照射强度150j/cm2的紫外线，使粘合剂层固化之后进行。
[0418]
拾取试验对5个带芯片接合层的半导体芯片进行，对于拾取性，按照以下的基准判断。
[0419]
◎
5个带芯片接合层的半导体芯片全部能够拾取。
[0420]
〇5个带芯片接合层的半导体芯片中能够拾取3个或4个。
[0421]
×
5个带芯片接合层的半导体芯片全部无法拾取。
[0422]
[表2]
[0423][0424]
由表2可知，实施例1～6的切割芯片接合薄膜与比较例1的切割芯片接合薄膜相比，光聚合引发剂从粘合剂层向芯片接合层转移的比率低，此外，辐射线照射后的粘合力也充分降低。
[0425]
进而，对于拾取性也是，实施例1～6的切割芯片接合薄膜中为〇或
◎
，是良好的，而与此相对，比较例1的切割芯片接合薄膜中为
×
，是不良的。