基底加工设备、显示面板制造设备和制造显示面板的方法与流程

技术特征：
1.一种基底加工设备，所述基底加工设备包括：第一工艺腔室，在所述第一工艺腔室中加工目标基底；第一罐，连接到所述第一工艺腔室，以将第一化学物质供应到所述第一工艺腔室；第二工艺腔室，在所述第二工艺腔室中加工所述目标基底；以及第二罐，连接到所述第二工艺腔室，以将第二化学物质供应到所述第二工艺腔室，其中，供应到所述第一工艺腔室的所述第一化学物质中包含的金属离子具有比供应到所述第二工艺腔室的所述第二化学物质中包含的所述金属离子的离子浓度大的离子浓度。2.根据权利要求1所述的基底加工设备，所述基底加工设备还包括：转移部件，转移所述目标基底，其中，所述目标基底通过所述转移部件沿着从所述第一工艺腔室到所述第二工艺腔室的方向转移。3.根据权利要求1所述的基底加工设备，所述基底加工设备还包括：第三工艺腔室，在所述第三工艺腔室中加工所述目标基底；以及第三罐，连接到所述第三工艺腔室，以将第三化学物质供应到所述第三工艺腔室，其中，供应到所述第三工艺腔室的所述第三化学物质中包含的所述金属离子具有比供应到所述第二工艺腔室的所述第二化学物质中包含的所述金属离子的所述离子浓度小的离子浓度。4.根据权利要求3所述的基底加工设备，其中，所述目标基底在所述第一工艺腔室中加工，并且然后转移到所述第二工艺腔室，并且在所述第二工艺腔室中加工，并且然后转移到所述第三工艺腔室。5.根据权利要求3所述的基底加工设备，其中，所述第三化学物质不包括所述金属离子。6.根据权利要求1所述的基底加工设备，其中，所述第一化学物质和所述第二化学物质中的每者包括用于对所述目标基底中的金属部件进行蚀刻的蚀刻剂。7.根据权利要求6所述的基底加工设备，其中，所述金属部件包括彼此顺序地层叠的第一金属氧化物层、金属层和第二金属氧化物层，并且所述金属层包括银。8.根据权利要求1所述的基底加工设备，所述基底加工设备还包括：第一供应管，将所述第一化学物质从所述第一罐供应到所述第一工艺腔室；第一排放管，在所述第一工艺腔室中加工所述目标基底之后将所述第一化学物质排放到所述第一罐；第二供应管，将所述第二化学物质从所述第二罐供应到所述第二工艺腔室；以及第二排放管，在所述第二工艺腔室中加工所述目标基底之后将所述第二化学物质排放到所述第二罐。9.一种用于在显示面板中设置多个垫的显示面板制造设备，所述显示面板制造设备包括：第一工艺腔室，在所述第一工艺腔室中加工所述显示面板；第一罐，连接到所述第一工艺腔室，以将第一化学物质供应到所述第一工艺腔室；
第二工艺腔室，在所述第二工艺腔室中进一步加工在所述第一工艺腔室中加工了的所述显示面板；以及第二罐，连接到所述第二工艺腔室，以将第二化学物质供应到所述第二工艺腔室，其中，供应到所述第一工艺腔室的所述第一化学物质中包含的金属离子具有比供应到所述第二工艺腔室的所述第二化学物质中包含的所述金属离子的离子浓度大的离子浓度。10.一种制造显示面板的方法，所述方法包括：制备包括第一金属层的垫部件；在所述垫部件上设置包括第二金属层的电极部件；以及对所述电极部件进行蚀刻，其中，对所述电极部件进行蚀刻的步骤包括：通过使用第一化学物质在第一工艺腔室中对所述电极部件进行蚀刻；在所述第一工艺腔室中对所述电极部件进行蚀刻之后，通过使用第二化学物质在第二工艺腔室中对所述电极部件进行蚀刻；以及在所述第二工艺腔室中对所述电极部件进行蚀刻之后，通过使用第三化学物质在第三工艺腔室中对所述电极部件进行蚀刻，其中，所述第二化学物质中包含的金属离子具有比所述第一化学物质中包含的所述金属离子的离子浓度小的离子浓度，并且所述第三化学物质中包含的所述金属离子具有比所述第二化学物质中包含的所述金属离子的所述离子浓度小的离子浓度。

技术总结
公开了一种基底加工设备、一种显示面板制造设备和一种制造显示面板的方法。该基底加工设备包括：第一工艺腔室，在第一工艺腔室中加工目标基底；第一罐，连接到第一工艺腔室，以将第一化学物质供应到第一工艺腔室；第二工艺腔室，在第二工艺腔室中加工目标基底；以及第二罐，连接到第二工艺腔室，以将第二化学物质供应到第二工艺腔室。供应到第一工艺腔室的第一化学物质中包含的金属离子具有比供应到第二工艺腔室的第二化学物质中包含的金属离子的离子浓度大的离子浓度。离子浓度大的离子浓度。离子浓度大的离子浓度。


技术研发人员：金永大 金眞锡 朴种熙
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2021.04.01
技术公布日：2021/10/22