基底加工设备、显示面板制造设备和制造显示面板的方法与流程

基底加工设备、显示面板制造设备和制造显示面板的方法
1.本技术要求于2020年4月20日提交的第10
‑
2020
‑
0047209号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
2.公开在这里涉及一种基底加工设备以及一种使用该基底加工设备制造显示面板的方法。更具体地，公开在这里涉及一种具有改善的工艺可靠性的基底加工设备以及一种使用该基底加工设备制造显示面板的方法。


背景技术：

3.近年来，具有诸如大显示面积、薄且重量轻的各种期望的特性的平板显示器(“fpd”)已经广泛地用作显示装置。作为平板显示器，已经使用了液晶显示装置和有机发光显示装置。


技术实现要素：

4.平板显示器通常包括多个导电图案，并且可以通过对金属(诸如银)进行蚀刻来设置导电图案。然而，在使用蚀刻剂的湿蚀刻工艺中，随着蚀刻剂中的金属离子浓度增大，蚀刻剂的累积加工的层的数量会减少，并且金属离子会被还原并被析出，从而在显示装置中引起诸如短路的缺陷。因此，期望工艺改进以防止这种缺陷。
5.公开提供了一种通过防止在目标基底中产生的缺陷而具有改善的工艺可靠性的基底加工设备。
6.公开还提供了一种通过防止在金属线等中产生的缺陷来制造具有改善的可靠性的显示面板的方法。
7.发明的实施例提供了一种基底加工设备，该基底加工设备包括：第一工艺腔室，在第一工艺腔室中加工目标基底；第一罐，连接到第一工艺腔室，以将第一化学物质供应到第一工艺腔室；第二工艺腔室，在第二工艺腔室中加工目标基底；以及第二罐，连接到第二工艺腔室，以将第二化学物质供应到第二工艺腔室。在这样的实施例中，供应到第一工艺腔室的第一化学物质中包含的金属离子具有比供应到第二工艺腔室的第二化学物质中包含的金属离子的离子浓度大的离子浓度。
8.在实施例中，基底加工设备还可以包括转移目标基底的转移部件，并且目标基底可以通过转移部件沿着从第一工艺腔室到第二工艺腔室的方向转移。
9.在实施例中，基底加工设备还可以包括：第三工艺腔室，在第三工艺腔室中加工目标基底；以及第三罐，连接到第三工艺腔室，以将第三化学物质供应到第三工艺腔室，并且供应到第三工艺腔室的第三化学物质中包含的金属离子可以具有比供应到第二工艺腔室的第二化学物质中包含的金属离子的离子浓度小的离子浓度。
10.在实施例中，目标基底可以在第一工艺腔室中加工，然后转移到第二工艺腔室，并且在第二工艺腔室中加工，然后转移到第三工艺腔室。
11.在实施例中，基底加工设备还可以包括浓度计，浓度计连接到第三罐，以测量第三罐中包含的第三化学物质的金属离子浓度。
12.在实施例中，第三化学物质可以不包括金属离子。
13.在实施例中，基底加工设备还可以包括备用罐，备用罐将新化学物质供应到第一罐、第二罐和第三罐中的每者。
14.在实施例中，新化学物质可以不包括金属离子。
15.在实施例中，基底加工设备还可以包括排液管，排液管连接到第一罐、第二罐和第三罐中的每者，以分别从第一罐、第二罐和第三罐转移第一化学物质至第三化学物质。
16.在实施例中，排液管可以包括：第一排液管，将第三化学物质从第三罐转移到第二罐；第二排液管，将第二化学物质从第二罐转移到第一罐；以及第三排液管，将第一化学物质从第一罐排放。
17.在实施例中，第一化学物质和第二化学物质中的每者可以包括用于对目标基底中的金属部件进行蚀刻的蚀刻剂。
18.在实施例中，金属部件可以包括彼此顺序地层叠的第一金属氧化物层、金属层和第二金属氧化物层，并且金属层可以包括银(ag)。
19.在实施例中，在第一化学物质和第二化学物质中的每者中包含的金属离子可以是银(ag)离子。
20.在发明的实施例中，基底加工设备还可以包括：第一供应管，将第一化学物质从第一罐供应到第一工艺腔室；第一排放管，在第一工艺腔室中加工目标基底之后将第一化学物质排放到第一罐；第二供应管，将第二化学物质从第二罐供应到第二工艺腔室；以及第二排放管，在第二工艺腔室中加工目标基底之后将第二化学物质排放到第二罐。
21.在实施例中，目标基底可以是显示装置中的显示面板。
22.在发明的实施例中，一种用于在显示面板中设置多个垫的显示面板制造设备包括：第一工艺腔室，在第一工艺腔室中加工显示面板；第一罐，连接到第一工艺腔室，以将第一化学物质供应到第一工艺腔室；第二工艺腔室，在第二工艺腔室中进一步加工在第一工艺腔室中加工了的显示面板；以及第二罐，连接到第二工艺腔室，以将第二化学物质供应到第二工艺腔室。在这样的实施例中，供应到第一工艺腔室的第一化学物质中包含的金属离子具有比供应到第二工艺腔室的第二化学物质中包含的金属离子的离子浓度大的离子浓度。
23.在实施例中，第一工艺腔室和第二罐可以彼此间隔开，并且第二工艺腔室和第一罐可以彼此间隔开。
24.在发明的实施例中，一种制造显示面板的方法包括：制备包括第一金属层的垫部件；在垫部件上设置包括第二金属层的电极部件；以及对电极部件进行蚀刻。在这样的实施例中，对电极部件进行蚀刻的步骤包括：通过使用第一化学物质在第一工艺腔室中对电极部件进行蚀刻；在第一工艺腔室中对电极部件进行蚀刻之后，通过使用第二化学物质在第二工艺腔室中对电极部件进行蚀刻；以及在第二工艺腔室中对电极部件进行蚀刻之后，通过使用第三化学物质在第三工艺腔室中对电极部件进行蚀刻。在这样的实施例中，第二化学物质中包含的金属离子具有比第一化学物质中包含的金属离子的离子浓度小的离子浓度，并且第三化学物质中包含的金属离子具有比第二化学物质中包含的金属离子的离子浓
度小的离子浓度。
25.在实施例中，第一金属层可以包括铝(al)，并且第二金属层可以包括银(ag)。
26.在实施例中，第一化学物质至第三化学物质中包含的金属离子可以是银(ag)离子。
附图说明
27.通过参照附图进一步详细地描述发明的实施例，发明的以上和其他特征将变得更明显，在附图中：
28.图1是示出根据发明的实施例的基底加工设备的示意性框图；
29.图2是示出根据发明的实施例的基底加工设备的部分构造的示意性剖视图；
30.图3是示出根据发明的可选的实施例的基底加工设备的示意性框图；
31.图4是示出根据发明的实施例的显示装置的透视图；
32.图5是示出根据发明的实施例的显示装置的分解透视图；
33.图6是示出根据发明的实施例的显示面板的平面图；
34.图7是示出根据发明的实施例的显示面板的剖视图；
35.图8是示出图6中的显示垫的一部分的放大图；
36.图9是沿着图8的线i
‑
i'截取的剖视图；
37.图10a和图10b是顺序地示出根据发明的实施例的制造显示装置的方法的工艺的剖视图；
38.图11a是通过使用根据发明的实施例的基底加工设备设置的垫部件的显微图像；以及
39.图11b是通过使用根据对比示例的基底加工设备设置的垫部件的显微图像。
具体实施方式
40.现在将在下文中参照附图更充分地描述发明，在附图中示出了各种实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并且不应被理解为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达发明的范围。同样的附图标记始终指同样的元件。
41.将理解的是，当诸如区域、层或部分的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
42.这里使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，而不旨在是限制性的。如这里所使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”、“该(所述)”和“至少一个(种/者)”不表示数量的限制，并且旨在包括单数和复数两者。例如，除非上下文另外明确地指出，否则“元件”具有与“至少一个元件”相同的意思。“至少一个(种/者)”不应被理解为限制“一”或“一个(种/者)”。“或”指“和/或”。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”和/或其变型时，说明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元
件、组件和/或它们的组。
43.将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，下面讨论的第一“元件”、“组件”、“区域”、“层”或“部分”可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
44.此外，这里可以使用诸如“在
……
下”或“底部”和“在
……
上”或“顶部”的相对术语来描述如图中示出的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了图中描绘的方位之外，相对术语还旨在包含装置的不同方位。例如，如果图中的一个中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件“下”侧上的元件随后将被定位为在所述其他元件的“上”侧上。因此，术语“在
……
下”基于图的特定方位可以包含“在
……
下”和“在
……
上”两种方位。相似地，如果图中的一个中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件“上方”。因此，术语“在
……
下方”或“在
……
之下”可以包含“在
……
上方”和“在
……
下方”两种方位。
45.除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的背景下和本公开中的意思一致的意思，并且将不以理想化或过于形式化的含义来解释，除非在这里明确地如此定义。
46.这里参照作为理想的实施例的示意图的剖面图来描述实施例。如此，将预料到例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，这里描述的实施例不应该被理解为限于如这里示出的区域的特定形状，而将包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，示出的锐角(或“尖角”)可以是圆形的(倒圆的)。因此，图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状，也不旨在限制本权利要求的范围。
47.在下文中，将参照附图来详细地描述发明的实施例。
48.图1是示出根据发明的实施例的基底加工设备的示意性框图。图2是示出根据发明的实施例的基底加工设备的部分构造的示意性剖视图。图3是示出根据发明的可选的实施例的基底加工设备的示意性框图。
49.参照图1，基底加工设备spa的实施例包括用于加工目标基底ts的多个工艺腔室et1、et2和et3以及分别连接到多个工艺腔室et1、et2和et3以供应用于加工目标基底ts的化学物质的多个罐tk1、tk2和tk3。在实施例中，由基底加工设备spa加工的目标基底ts可以是显示装置dd(参照图5)中的显示面板dp(参照图5)。在这样的实施例中，显示面板dp中的至少一些金属信号线和金属垫(pad，或称为“焊盘”)可以通过基底加工设备spa来被蚀刻。
50.多个工艺腔室et1、et2和et3可以包括第一工艺腔室et1、第二工艺腔室et2和第三工艺腔室et3。目标基底ts可以在沿着第一工艺腔室et1、第二工艺腔室et2和第三工艺腔室et3顺序地移动的同时被加工。目标基底ts可以在第一工艺腔室et1中被加工，然后被转移到第二工艺腔室et2，并且在第二工艺腔室et2中被加工，然后被转移到第三工艺腔室et3。第一工艺腔室et1、第二工艺腔室et2和第三工艺腔室et3中的每者可以包括用于转移目标基底ts的转移部件c。尽管未示出，但是第一工艺腔室et1、第二工艺腔室et2和第三工艺腔
室et3中的每者还可以包括用于装载目标基底ts的装载部件和用于卸载目标基底ts的卸载部件。在实施例中，还可以设置连接到第一工艺腔室et1、第二工艺腔室et2和第三工艺腔室et3中的每者的清洁腔室，以清洁已经经历加工的目标基底ts。
51.第一工艺腔室et1、第二工艺腔室et2和第三工艺腔室et3中的每者可以是用于对目标基底ts中的金属线进行蚀刻的蚀刻装置。第一工艺腔室et1、第二工艺腔室et2和第三工艺腔室et3中的每者可以提供用于蚀刻设置在目标基底ts中的金属线的预定空间。用于对目标基底ts中的金属线进行蚀刻的蚀刻剂可以供应到第一工艺腔室et1、第二工艺腔室et2和第三工艺腔室et3中的每者。
52.在实施例中，多个工艺腔室et1、et2和et3可以包括连续地设置的三个工艺腔室(如图1中所示)，但是发明的实施例不限于此。在一个可选的实施例中，例如，可以连续地设置两个工艺腔室或四个或更多个工艺腔室。
53.第一工艺腔室et1、第二工艺腔室et2和第三工艺腔室et3可以分别连接到与其对应的第一罐tk1、第二罐tk2和第三罐tk3。多个罐tk1、tk2和tk3可以分别连接到多个工艺腔室et1、et2和et3，并且非对应的罐可不连接到工艺腔室。在实施例中，第一罐tk1可以连接到第一工艺腔室et1，并且第二罐tk2和第三罐tk3中的每者可以与第一工艺腔室et1间隔开而不与其连接。第二罐tk2可以连接到第二工艺腔室et2，并且第一罐tk1和第三罐tk3中的每者可以与第二工艺腔室et2间隔开而不与其连接。第三罐tk3可以连接到第三工艺腔室et3，并且第一罐tk1和第二罐tk2中的每者可以与第三工艺腔室et3间隔开而不与其连接。
54.多个工艺腔室et1、et2和et3可以分别通过化学物质供应管sp1、sp2和sp3以及化学物质排放管ep1、ep2和ep3连接到多个罐tk1、tk2和tk3。在实施例中，第一工艺腔室et1可以通过第一供应管sp1和第一排放管ep1连接到第一罐tk1。第二工艺腔室et2可以通过第二供应管sp2和第二排放管ep2连接到第二罐tk2。第三工艺腔室et3可以通过第三供应管sp3和第三排放管ep3连接到第三罐tk3。多个工艺腔室et1、et2和et3可以分别通过化学物质供应管sp1、sp2和sp3从多个罐tk1、tk2和tk3接收用于加工目标基底ts的化学物质，并且在目标基底ts被加工之后通过化学物质排放管ep1、ep2和ep3将用过的化学物质循环到多个罐tk1、tk2和tk3。
55.结合图1地参照图2，在实施例中，多个工艺腔室et1、et2和et3中的每个工艺腔室et可以包括用于限定预定空间的外壁cb，作为目标基底ts的入口通道的入口se可以限定在外壁cb的一个侧壁中，并且作为目标基底ts的出口通道的出口so可以限定在外壁cb的面对所述一个侧壁的另一侧壁(或相对侧壁)中。在这样的实施例中，当引入孔被限定在工艺腔室et的上壁中时，化学物质cl供应到化学物质注入部件np。在这样的实施例中，排放孔限定在工艺腔室et的下壁中，使得使用过的且通过目标基底ts上的化学物质注入部件np供应的化学物质cl
‑
p可以排放到外部。在实施例中，其中金属部件l设置在基体层s上的目标基底ts可以通过限定在工艺腔室et的一个侧壁中的入口se装载到工艺腔室et中，落座在转移部件c上，并且在转移部件c被驱动时沿着预定方向转移。
56.化学物质注入部件np可以设置在工艺腔室et中，并且包括用于将化学物质cl注入到目标基底ts上的多个注入喷嘴nz。注入喷嘴nz可以通过引入孔连接到化学物质供应管sp。可以执行蚀刻工艺，使得化学物质cl通过化学物质供应管sp供应到化学物质注入部件np，然后化学物质注入部件np的注入喷嘴nz将化学物质cl注入到目标基底ts上。
57.在实施例中，化学物质cl可以包括用于对金属进行蚀刻的蚀刻剂。被包含在化学物质中的蚀刻剂蚀刻的金属可以是银(ag)。化学物质cl可以对包含银或由银形成且供应在目标基底ts上的金属层进行蚀刻，以提供电极和线。包含在化学物质cl中的蚀刻剂可以包括氧化剂和去离子水。
58.从化学物质注入部件np注入到目标基底ts上并用于蚀刻工艺的化学物质cl
‑
p可以主要收集在限定在工艺腔室et的下部中的化学物质浴槽中。化学物质浴槽可以通过排放孔连接到化学物质排放管ep，并且收集在化学物质浴槽中的化学物质cl
‑
p可以通过化学物质排放管ep循环到多个罐tk1、tk2和tk3之中的连接到工艺腔室et的对应的罐。
59.返回参照图1，第一工艺腔室et1从第一罐tk1接收第一化学物质，并且第二工艺腔室et2从第二罐tk2接收第二化学物质。第一工艺腔室et1可以通过第一供应管sp1从第一罐tk1接收第一化学物质，并且第二工艺腔室et2可以通过第二供应管sp2从第二罐tk2接收第二化学物质。在实施例中，第一化学物质和第二化学物质中的每者包含金属离子，并且第一化学物质具有比第二化学物质的金属离子浓度大的金属离子浓度。在实施例中，包含在第一化学物质和第二化学物质中的每者中的金属离子可以是包含在被化学物质中包含的蚀刻剂蚀刻了的金属层中的金属离子。包含在第一化学物质和第二化学物质中的每者中的金属离子可以是银(ag)离子。
60.第三工艺腔室et3可以从第三罐tk3接收第三化学物质。第三工艺腔室et3可以通过第三供应管sp3从第三罐tk3接收第三化学物质。在实施例中，第三化学物质包含金属离子，并且第三化学物质具有比第一化学物质和第二化学物质中的每者的金属离子浓度小的金属离子浓度。第三化学物质的金属离子浓度可以是约0。即，第三化学物质可以不包括金属离子。
61.在实施例中，基底加工设备可以包括多个工艺腔室，并且在其中加工目标基底的多个工艺腔室中，可以将在稍后加工目标基底的后一工艺腔室中使用的化学物质的金属离子浓度调整为小于在较早加工目标基底的前一工艺腔室中使用的化学物质的金属离子浓度。在这样的实施例中，目标基底的通过工艺腔室中的蚀刻剂蚀刻的金属层中包含的金属的离子浓度可以被调整为在稍后加工的后一工艺腔室中较小。在基底加工设备的这样的实施例中，多个工艺腔室中的每个仅连接到多个罐中的对应的罐并且与其他的罐分离，使得供应到前一工艺腔室和后一工艺腔室中的每者的化学物质的金属离子浓度可以彼此不同地或独立地被调整。因此，在这样的实施例中，可以防止在金属离子由于高金属离子浓度而被还原时产生的限制。在这样的实施例中，由于在其中执行进一步的后续工艺的后一工艺腔室中保持低金属离子浓度，因此可以有效地防止在目标基底的目标金属层下方设置的其他金属层由于高金属离子浓度而被氧化时可能发生的缺陷，并且可以防止由于金属离子被还原且析出以提供金属颗粒而导致的其他金属层之间的短路引起的缺陷。
62.在实施例中，如图1中所示，基底加工设备spa还可以包括备用罐stk，备用罐stk将新化学物质供应到多个罐tk1、tk2和tk3中的每者。在这里，新化学物质可以是从外部提供的附加化学物质。备用罐stk可以通过新的(或单独的)化学物质供应管nlp连接到多个罐tk1、tk2和tk3中的每者，并且将新化学物质供应到多个罐tk1、tk2和tk3中的每者。新化学物质可以不包括目标基底ts的金属层中包含的金属离子。当第三工艺腔室et3从第三罐tk3供应第三化学物质时，第三化学物质可以与从备用罐stk供应的新化学物质对应，并且可以
不包含金属离子。
63.参照图3，在可选的实施例中，基底加工设备spa
‑
1还可以包括分别连接到多个罐tk1、tk2和tk3的排液管ap3、ap2和ap1。排液管ap1、ap2和ap3可以分别连接到多个罐tk3、tk2和tk1，并且可以执行将化学物质转移到另一罐(例如，相邻的罐)或将化学物质排放到外部的功能。在实施例中，基底加工设备spa
‑
1可以包括：第一排液管ap1，连接到第三罐tk3，并且将第三化学物质转移到第二罐tk2；第二排液管ap2，连接到第二罐tk2，并且将第二化学物质转移到第一罐tk1；以及第三排液管ap3，连接到第一罐tk1，并且将第一化学物质转移到外部。在这样的实施例中，用于排放化学物质的泵pm可以连接到第三排液管ap3。在这样的实施例中，在基底加工设备spa
‑
1还包括排液管ap1、ap2和ap3的情况下，供应到第二工艺腔室et2的第二化学物质可以具有被有效地调整为比供应到第一工艺腔室et1的第一化学物质的金属离子浓度小的金属离子浓度，并且供应到第三工艺腔室et3的第三化学物质可以具有被有效地调整为比供应到第二工艺腔室et2的第二化学物质的金属离子浓度小的金属离子浓度。
64.在实施例中，如图3中所示，基底加工设备spa
‑
1还可以包括浓度计ms，浓度计ms测量第三罐tk3中包含的第三化学物质的金属离子浓度。浓度计ms可以执行在通过测量第三罐tk3中包含的第三化学物质的金属离子浓度而确定的交换时段调整要自动交换的化学物质的功能。浓度计ms可以包括在线监测系统(“oms”)。在实施例中，基底加工设备spa
‑
1可以测量第三罐tk3中包含的第三化学物质的金属离子浓度，在化学物质的交换时段通过第一排液管ap1将第三化学物质从第三罐tk3转移到第二罐tk2，通过第二排液管ap2将第二化学物质从第二罐tk2转移到第一罐tk1，并且通过第三排液管ap3将第一化学物质从第一罐tk1排放到外部。
65.在下文中，将详细地描述包括由根据实施例的基底加工设备制造的显示面板的显示装置。
66.图4是示出根据发明的实施例的显示装置的透视图。图5是示出根据本发明的实施例的显示装置的分解透视图。
67.在实施例中，显示装置dd可以是诸如电视、监视器或户外广告板的大尺寸电子装置。在可选的实施例中，显示装置dd可以是中小尺寸的电子装置，诸如个人计算机、笔记本计算机、个人数字终端、车辆导航单元、游戏机、智能电话、平板计算机和相机。上述装置仅仅是示例性的，因此，在不脱离其中的教导的情况下，显示装置dd可以被其他电子装置采用或用于其他电子装置。在实施例中，如图4中所示，显示装置dd可以是智能电话。
68.在实施例中，显示装置dd可以包括显示面板dp和壳体hau。显示面板dp通过显示表面is产生图像im。在实施例中，如图4中所示，显示表面is与由第一方向dr1和与第一方向dr1交叉的第二方向dr2限定的表面平行。然而，这仅仅是示例性的，可选地，显示面板dp的显示表面is可以具有例如弯曲的形状。
69.显示表面is的法线方向(即显示面板dp的厚度方向的显示图像im所沿的方向)被定义为第三方向dr3。构件中的每个的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)由第三方向dr3区分。
70.显示装置dd中的其上显示图像im的显示表面fs可以与显示面板dp的前表面和窗wp的前表面fs中的每者对应。在下文中，显示装置dd的显示表面fs和前表面fs以及窗wp的
前表面fs由相同的附图标记指示。图像im可以包括静止图像以及运动图像。尽管附图中未示出，但是显示装置dd可以是包括折叠区域和非折叠区域的可折叠显示装置，也可以是包括至少一个可弯曲部或弯曲部的可弯曲或弯曲显示装置。
71.在实施例中，壳体hau可以容纳显示面板dp。壳体hau可以覆盖显示面板dp同时使显示面板dp的顶表面(即，显示表面is)暴露。壳体hau可以覆盖显示面板dp的侧表面和底表面，并且使整个顶表面暴露。然而，发明的实施例不限于此。在一个可选的实施例中，例如，除了侧表面和底表面之外，壳体hau还可以覆盖顶表面的一部分。
72.在显示装置dd的实施例中，窗wp可以包括光学透明的绝缘材料。窗wp可以包括透射区域ta和边框区域bza。窗wp的包括透射区域ta和边框区域bza的前表面fs与显示装置dd的前表面fs对应。用户可以观看通过与显示装置dd的前表面fs对应的透射区域ta提供的图像。
73.在图4和图5中，当从前平面图或沿着第三方向dr3的平面图观看时，透射区域ta具有带圆的拐角的矩形形状。然而，这仅仅是示例性的。可选地，透射区域ta可以具有各种其他形状中的一种，并且不限于图4和图5中示出的透射区域ta的形状。
74.透射区域ta可以是光学透明区域或透明区域。边框区域bza可以具有比透射区域ta的透光率相对低的透光率。边框区域bza可以具有预定颜色。边框区域bza可以与透射区域ta相邻设置以围绕透射区域ta。边框区域bza可以限定透射区域ta的形状。然而，发明的实施例不限于此。在一个可选的实施例中，例如，边框区域bza可以仅与透射区域ta的一侧相邻设置，或者可以省略边框区域bza的一部分。
75.显示面板dp可以设置在窗wp下方。这里，术语“在
……
下方”可以表示与显示面板dp提供图像所沿的方向相反的方向。
76.在实施例中，显示面板dp可以是基本上产生图像im的组件。从显示面板dp产生的图像im显示在显示面板dp的显示表面is上，并且通过透射区域ta在外部被用户观看。显示面板dp包括显示区域da和非显示区域nda。显示区域da可以基于电信号来激活。非显示区域nda可以被边框区域bza覆盖。非显示区域nda与显示区域da相邻设置。非显示区域nda可以围绕显示区域da。
77.在显示装置dd的实施例中，显示面板dp可以是发光显示面板。在一个实施例中，例如，显示面板dp可以是包括量子点发光元件的量子点发光显示面板。然而，发明的实施例不限于此。
78.图6是示出根据发明的实施例的显示面板的平面图。图7是示出根据发明的实施例的显示面板的剖视图。
79.参照图6，显示面板dp的实施例可以包括基体基底bs1以及设置在基体基底bs1上的多个像素px、多条信号线gl、dl、pl和ecl以及多个显示垫pdd。
80.显示面板dp可以具有其中显示图像的显示区域da和其中设置有驱动电路或驱动线的非显示区域nda。
81.信号线gl、dl、pl、ecl连接到像素px，并且将电信号传输到像素px。例如，如图6中所示，信号线可以包括扫描线gl、数据线dl、电力线pl和发光控制线ecl。然而，这仅仅是示例性的。在实施例中，信号线gl、dl、pl和ecl还可以包括初始化电压线，但是发明的实施例不限于此。像素px可以在第一方向dr1和第二方向dr2上彼此间隔开，并且在平面上以矩阵
形式布置。
82.电力图案vdd设置在非显示区域nda中。在实施例中，电力图案vdd连接到多条电力线pl。因此，显示面板dp可以通过包括电力图案vdd来将相同的第一电力信号提供到多个像素px。
83.显示垫pdd可以包括第一垫pdd1和第二垫pdd2。第一垫pdd1可以设置为多个，并且多个第一垫pdd1可以分别连接到数据线dl。第二垫pdd2可以连接到电力图案vdd并且电连接到电力线pl。显示面板dp可以将通过显示垫pdd从外部提供的电信号提供到像素px。除了第一垫pdd1和第二垫pdd2之外，显示垫pdd还可以包括用于接收其他电信号的垫。然而，发明的实施例不限于此。
84.参照图7，显示面板dp的实施例可以是发光显示面板。图7示出了与多个像素px中的一个对应的剖面以及与两个晶体管t1、t2和显示元件ee对应的剖面。
85.在实施例中，如图7中所示，显示面板dp包括基体层bl(或图6中示出的基体基底bs1)、设置在基体层bl上的电路元件层ml、设置在电路元件层ml上的显示元件层el以及设置在显示元件层el上的绝缘层tfe(在下文中，称为“上绝缘层”)。
86.基体层bl可以包括合成树脂层。基体层bl可以通过下面的步骤来设置：在用于制造显示面板dp的支撑基底上设置合成树脂层、然后在合成树脂层上设置导电层和绝缘层、然后去除支撑基底。
87.电路元件层ml包括至少一个绝缘层和电路元件。电路元件包括信号线和像素px的驱动电路。电路元件层ml可以经由通过涂覆或沉积来设置绝缘层、半导体层和导电层的工艺以及通过光刻工艺对绝缘层、半导体层和导电层进行图案化的工艺来设置。
88.在实施例中，如图7中所示，电路元件层ml包括缓冲层bfl、阻挡层brl和第一绝缘层10至第七绝缘层70。缓冲层bfl、阻挡层brl和第一绝缘层10至第七绝缘层70中的每者可以包括无机层和有机层中的一种。在一个实施例中，例如，缓冲层bfl和阻挡层brl中的每者可以包括无机层。第五绝缘层50至第七绝缘层70中的至少一者可以包括有机层。
89.图7示例性地示出了构成第一晶体管t1和第二晶体管t2的第一有源区a1、第二有源区a2、第一栅极g1、第二栅极g2、第一源极s1、第二源极s2、第一漏极d1和第二漏极d2的布置关系。在实施例中，第一有源区a1和第二有源区a2可以包括彼此不同的材料。第一有源区a1可以包括多晶硅半导体，并且第二有源区a2可以包括金属氧化物半导体。具有比第一有源区a1的掺杂浓度大的掺杂浓度的第一源极s1和第一漏极d1中的每者具有电极的功能。使金属氧化物半导体还原的第二源极s2和第二漏极d2中的每者具有电极的功能。
90.在发明的实施例中，第一有源区a1和第二有源区a2可以包括彼此相同的半导体材料。可选地，可以进一步简化电路元件层ml的层叠结构。在实施例中，电路元件层ml还可以包括由上电极ue和第一栅极g1限定的电容器，如图7中所示。
91.显示元件层el包括像素限定层pdl和显示元件ee。显示元件ee可以是有机发光二极管或量子点发光二极管。阳极ae设置在第七绝缘层70上。开口pdl
‑
op通过像素限定层pdl限定，以使阳极ae的至少一部分暴露。
92.像素限定层pdl的开口pdl
‑
op可以限定发光区域pxa。非发光区域npxa可以围绕发光区域pxa。
93.空穴传输层htl和电子传输层etl可以公共地设置在发光区域pxa和非发光区域
npxa中。发光层eml可以具有与开口pdl
‑
op对应的图案形状。与可以为膜型层的空穴传输层htl和电子传输层etl相比，发光层eml可以以不同的方法沉积。空穴传输层htl和电子传输层etl可以通过使用开口掩模公共地设置在多个像素px中。在实施例中，发光层eml可以通过使用掩模设置成与开口pdl
‑
op对应的图案形状。然而，发明的实施例不限于此。在一个可选的实施例中，例如，空穴传输层htl和电子传输层etl中的每者可以以与发光层eml的方式相同的方式通过使用掩模设置成与开口pdl
‑
op对应的图案形状。
94.阴极ce设置在电子传输层etl上。上绝缘层tfe设置在阴极ce上。上绝缘层tfe可以是用于封装显示元件层el的薄膜封装层。上绝缘层tfe可以包括多个薄膜。多个薄膜可以包括无机层和有机层。上绝缘层tfe可以包括用于封装显示元件层el的绝缘层和用于改善发光效率的多个绝缘层。
95.图8是示出图6中的显示垫的一部分的放大图。图9是沿着图8的线i
‑
i'截取的剖视图。在图8中，放大了图6中的显示垫pdd的第一垫pdd1的一部分。
96.参照图8和图9，在实施例中，第一垫pdd1可以包括多个子垫pd1至pdn，子垫pd1至pdn可以分别连接到多条数据线dl1至dln。多个子垫pd1至pdn中的每个可以包括设置在基体层bl上的垫部件。图9中示出的多个子垫pd1至pdn中的第一子垫pd1的剖面特征仅仅是示例性的，其他子垫可以具有与图9中示出的剖面特征基本上相同的剖面特征。
97.第一子垫pd1可以包括设置在基体层bl上的第一垫部件gp和设置在第一垫部件gp上的第二垫部件sd。在实施例中，第一垫部件gp的外面部分的至少一部分可以被绝缘层il覆盖，并且第二垫部件sd可以覆盖绝缘层il的至少一部分。第一垫部件gp和第二垫部件sd中的每者可以包括金属层。第一垫部件gp可以包括钼(mo)。第二垫部件sd可以包括铝(al)。第二垫部件sd可以包括第一金属层，并且第一金属层可以具有其中顺序地层叠有钛(ti)/铝(al)/钛(ti)的三层。
98.图10a和图10b是顺序地示出根据发明的实施例的制造显示装置的方法的工艺的剖视图。图10a和图10b以简化的方式在与图8中的切割线i
‑
i'对应的剖面中示出了由根据实施例的基底加工设备执行的蚀刻工艺。
99.制造显示面板的方法的实施例包括在垫部件上设置电极部件的工艺和在设置垫部件的工艺之后对电极部件进行蚀刻的工艺。
100.参照图10a和图10b，通过顺序地图案化，在第一垫pdd1(参照图8)的形成区域中的基体层bl上设置或形成第一垫部件gp、绝缘层il和第二垫部件sd，然后可以设置或形成电极部件lp以覆盖第一垫部件gp、绝缘层il和第二垫部件sd。在实施例中，可以通过与显示元件ee(参照图7)中包含的阳极ae(参照图7)的沉积工艺相同的沉积工艺形成电极部件lp。在实施例中，第一垫部件gp可以包括钼(mo)或者由钼(mo)制成，并且第二垫部件sd可以包括铝(al)或者由铝(al)制成。第二垫部件sd可以包括含铝(al)的第一金属层。
101.电极部件lp可以包括银(ag)或者由银(ag)制成。电极部件lp可以包括包含银(ag)的第二金属层。在实施例中，电极部件lp可以包括顺序地层叠的第一金属氧化物层、第二金属层和第二金属氧化物层。电极部件lp可以包括顺序地层叠的第一氧化铟锡(“ito”)层、银(ag)金属层和第二ito层。
102.可以通过化学物质cl中包含的蚀刻剂对电极部件lp进行蚀刻。可以通过上述基底加工设备spa(参照图1)的实施例来执行对电极部件lp进行蚀刻的工艺。在实施例中，如上
所述，当通过基底加工设备spa中包含的第一工艺腔室et1、第二工艺腔室et2和第三工艺腔室et3执行多个基底加工工艺时，可以对形成在第一垫部件gp和第二垫部件sd上的电极部件lp进行蚀刻。
103.制造显示面板的方法的实施例包括在包括第一金属(诸如铝)的垫部件上形成包括第二金属(诸如银)的电极部件之后对电极部件进行蚀刻的工艺。在对电极部件进行蚀刻的工艺中，电极部件中包含的第二金属可以被氧化，以在蚀刻剂中产生第二金属离子。第二金属离子会因在蚀刻工艺和后续工艺期间使包含在垫部件中的第一金属氧化而导致垫部件的损坏，并且还原的第二金属颗粒等可能在后续工艺中产生缺陷(诸如线之间的短路)。在根据发明的制造显示面板的方法的实施例中，对电极部件进行蚀刻的工艺可以由包括多个工艺腔室的基底加工设备执行，并且第二金属离子可以在其中执行进一步的后续工艺的后一工艺腔室中保持低浓度，以防止设置在电极部件下方的垫部件的金属层氧化或损坏，或者防止随着第二金属颗粒还原和析出而发生线之间的短路。
104.图11a是通过使用根据发明的实施例的基底加工设备设置的垫部件的显微图像。图11b是通过使用根据对比示例的基底加工设备设置的垫部件的显微图像。
105.图11a是通过使用根据发明的实施例的基底加工设备设置的垫部件的显微图像，在根据发明的实施例的基底加工设备中，三个工艺腔室分别连接到对应的罐，并且后一工艺腔室具有比前一工艺腔室的金属离子浓度小的金属离子浓度。图11b是通过使用根据对比示例的基底加工设备设置的垫部件的显微图像，在根据对比示例的基底加工设备中，三个工艺腔室连接到同一罐，并且后一工艺腔室和前一工艺腔室具有相同或相似的金属离子浓度。
106.如图11a和11b中所示，当通过对比示例的基底加工设备设置垫部件时，每个垫部件会有两百个或更多个金属颗粒被还原并析出，从而导致诸如垫部件的金属层之间的短路的缺陷。然而，在使用根据发明的基底加工设备的实施例的情况下，不会在垫部件中产生金属颗粒，或者可以产生十个或更少的金属颗粒，以防止产生诸如垫部件的金属层之间的短路的缺陷，从而提高显示面板的可靠性。
107.根据发明的实施例，随着提供到基底加工设备的蚀刻剂的累积加工的层的数量增大，可以延长蚀刻剂的交换时段以降低工艺成本，并且可以有效地防止由在作为目标基底的显示面板中还原和析出的金属颗粒产生的缺陷。
108.发明不应被理解为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达发明的构思。
109.虽然参照发明的实施例已经具体地示出和描述了发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求限定的发明的精神或范围的情况下，可以在其中做出各种形式上和细节上的改变。