一种刻蚀方法与流程

技术特征：
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：提供晶体管，所述晶体管包括栅极区及有源区，且所述栅极区与所述有源区之间具有大于零的高度差；于所述晶体管上形成介电层；于所述介电层上形成图形化的第一掩膜，以在所述第一掩膜中形成第一掩膜栅极区开口；于所述第一掩膜栅极区开口中形成牺牲层，且所述牺牲层在垂向上的投影覆盖所述栅极区；去除所述第一掩膜；形成图形化的第二掩膜，以在所述第二掩膜中形成第二掩膜栅极区开口及第二掩膜有源区开口，且所述第二掩膜栅极区开口显露所述牺牲层；通过所述第二掩膜有源区开口，刻蚀所述介电层，形成显露所述有源区的有源区沟槽；通过所述第二掩膜栅极区开口，刻蚀所述牺牲层及介电层，形成显露所述栅极区的栅极区沟槽。2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：形成所述牺牲层的方法包括选择性生长法或阻挡沉积法。3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述第一掩膜的材质包括ppfaa，所述牺牲层的材质包括氧化硅。4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述牺牲层的刻蚀速率等于所述介电层的刻蚀速率，且所述牺牲层的厚度等于所述高度差。5.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述介电层的刻蚀速率大于所述牺牲层的刻蚀速率。6.根据权利要求5所述的刻蚀方法，其特征在于，形成所述有源区沟槽及栅极区沟槽的步骤包括：通过所述第二掩膜有源区开口，刻蚀所述介电层，以形成介电层沟槽，且所述介电层沟槽的深度等于所述高度差；采用湿法刻蚀，去除所述牺牲层；刻蚀所述介电层，形成所述有源区沟槽及栅极区沟槽。7.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述牺牲层的材质包括氧化硅、氮化硅、氧化锌及氧化铪中的一种。8.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述介电层包括氧化硅层、bpsg层、psg层及teos层中的一种或组合。9.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：在去除所述第一掩膜之后，还包括对所述牺牲层进行退火的步骤，所述退火的方法包括激光退火法，所述退火的温度范围包括200℃～400℃。10.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第二掩膜包括无定型碳层，形成图形化的所述第二掩膜的步骤包括：于所述牺牲层及介电层上形成无定型碳层；于所述无定型碳层上形成抗反射层；
于所述抗反射层上形成图形化的光刻胶；刻蚀形成图形化的所述第二掩膜。

技术总结
本发明提供一种刻蚀方法，通过选择性生长法或阻挡沉积法，可在栅极区上形成牺牲层，以在刻蚀形成栅极区沟槽及有源区沟槽时，通过牺牲层补偿栅极区及有源区之间的高度差，从而可避免由于栅极区的过刻蚀所造成的栅极区的损坏，以及由于有源区的刻蚀不够所造成的电连接的问题。的问题。的问题。


技术研发人员：张显 刘金营 平延磊 吴莊莊
受保护的技术使用者：芯恩（青岛）集成电路有限公司
技术研发日：2020.04.15
技术公布日：2021/10/22