一种压电复合薄膜及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种压电复合薄膜，包括依次叠加的衬底层(300)、低声阻层(200)以及压电层(100)，其特征在于，低声阻层(200)中掺有氯离子，所述氯离子均匀分布在低声阻层(200)之中或者位于低声阻层(200)中的局部区域。2.根据权利要求1所述的压电复合薄膜，其特征在于，所述低声阻层(200)中氯离子的含量大于2x10
18 atoms/cm3。3.根据权利要求1所述的压电复合薄膜，其特征在于，压电层(100)的材料为单晶钽酸锂或单晶铌酸锂，以及，所述压电层(100)的厚度为100～2000nm。4.根据权利要求1所述的压电复合薄膜，其特征在于，所述衬底层(300)与所述低声阻层(200)之间设置具有预设缺陷密度的捕获层(400)。5.根据权利要求4所示的压电复合薄膜，其特征在于，所述捕获层(400)形成于所述衬底层(300)的表面区域。6.根据权利要求4-5任一项所述的压电复合薄膜，其特征在于，所述捕获层(400)的缺陷密度为大于1x10
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/cm2，以及所述捕获层(400)的厚度为200～3000nm。7.根据权利要求1所述的压电复合薄膜，其特征在于，所述低声阻层(200)的材料为二氧化硅，以及，所述低声阻层(200)的厚度为100～5000nm，所述低声阻层(200)的厚度均匀度小于1％。8.根据权利要求1所述的压电复合薄膜，其特征在于，所述衬底层(300)的材料为电阻率大于5000ω
·
cm的单晶硅，以及，所述衬底层(300)的厚度为150～1000μm。9.一种压电复合薄膜制备方法，其特征在于，包括：在衬底层上通过掺氯氧化法或者掺氯沉积法形成含氯离子的低声阻层；通过离子注入法和键合法将压电层移动到低声阻层上；对衬底层、低声阻层和压电层的整体结构进行高温退火处理，恢复离子注入法对压电层的损伤，获得压电复合薄膜。10.一种压电复合薄膜制备方法，其特征在于，包括：在衬底层上通过热氧化法或者沉积法形成低声阻层；通过离子注入法使氯离子注入到低声阻层内，形成含氯离子的低声阻层；通过离子注入法和键合法将压电层转移到低声阻层上；对衬底层、低声阻层和压电层的整体结构进行高温退火处理，恢复离子注入法对压电层的损伤，获得压电复合薄膜。

技术总结
本发明公开了一种压电复合薄膜及其制备方法，压电复合薄膜具体包括依次叠加的衬底层、低声阻层以及压电层，其中，低声阻层中掺有一定含量的氯离子，氯离子均匀分布在低声阻层之中或者位于低声阻层中的局部区域。本发明的技术方案中，加入氯离子能够有效地捕获低声阻层中的可移动的碱金属离子，形成中性的氯化物，避免低声阻层中的碱金属离子对声表面波滤波器激发的电磁场造成影响，保证声表面波滤波器的稳定性。器的稳定性。器的稳定性。


技术研发人员：李真宇 朱厚彬 张秀全 杨超 李洋洋
受保护的技术使用者：济南晶正电子科技有限公司
技术研发日：2020.04.21
技术公布日：2021/10/22