具有过孔保护层的半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：过孔钝化层，设置在基底的非活性表面上并且包括凹部；贯穿电极，竖直穿透基底和过孔钝化层；以及过孔保护层，与过孔钝化层和贯穿电极水平地叠置并且填充所述凹部，其中，所述凹部形成在过孔钝化层的顶表面中并且与贯穿电极相邻，其中，在水平剖视图中，过孔保护层具有围绕贯穿电极的带状。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，过孔保护层的顶表面的宽度为10μm或更小。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，从过孔保护层的顶表面到过孔保护层的下端的深度为0.3μm或更小。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，过孔保护层包括聚酰亚胺、聚羟基苯乙烯、聚苯并噁唑或聚酰胺。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其中，过孔钝化层包括下钝化层和设置在下钝化层上的上钝化层。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，下钝化层包括在非活性表面上沿水平方向延伸的下水平部和与贯穿电极接触的下竖直部，并且其中，上钝化层包括在下水平部上沿水平方向延伸的上水平部和与下竖直部接触的上竖直部。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，在水平剖视图中，过孔保护层围绕上竖直部，并且其中，上竖直部围绕下竖直部。8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，在水平剖视图中，上水平部围绕过孔保护层。9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，贯穿电极的顶表面、下竖直部的顶表面、上竖直部的顶表面、过孔保护层的顶表面和上水平部的顶表面彼此共面。10.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述凹部形成在上水平部与上竖直部之间的拐角中。11.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：导电垫，在过孔钝化层上连接到贯穿电极，其中，过孔保护层的外径大于导电垫的水平宽度。12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在水平剖视图中，过孔保护层具有大于第一宽度的第二宽度。13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在水平剖视图中，过孔保护层包括多个突起部和多个凹入部。14.一种半导体装置，所述半导体装置包括：过孔钝化层，设置在基底的非活性表面上并且包括第一凹部和第二凹部；第一贯穿电极和第二贯穿电极，竖直穿透基底和过孔钝化层，第二贯穿电极具有比第一贯穿电极的水平宽度大的水平宽度；
第一过孔保护层，填充第一凹部；以及第二过孔保护层，填充第二凹部，其中，第一凹部和第二凹部形成在过孔钝化层的顶表面中，第一凹部与第一贯穿电极相邻，并且第二凹部与第二贯穿电极相邻，其中，在水平剖视图中，第一过孔保护层具有围绕第一贯穿电极的带状，第二过孔保护层具有围绕第二贯穿电极的带状。15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，在水平剖视图中，第二过孔保护层的内径大于第一过孔保护层的内径。16.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，在水平剖视图中，第二过孔保护层的宽度大于第一过孔保护层的宽度。17.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，过孔钝化层的顶表面、第一贯穿电极的顶表面、第二贯穿电极的顶表面、第一过孔保护层的顶表面和第二过孔保护层的顶表面彼此共面。18.根据权利要求14至17中的任意一项所述的半导体装置，其中，过孔钝化层包括下钝化层和设置在下钝化层上的上钝化层。19.根据权利要求18所述的半导体装置，其中，下钝化层包括在非活性表面上沿水平方向延伸的下水平部、与第一贯穿电极接触的第一下竖直部以及与第二贯穿电极接触的第二下竖直部，并且其中，上钝化层包括在下水平部上沿水平方向延伸的上水平部、与第一下竖直部接触的第一上竖直部以及与第二下竖直部接触的第二上竖直部。20.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括非活性表面和与非活性表面相对的活性表面；层间绝缘层，设置在活性表面下方；布线结构，设置在层间绝缘层下方；下钝化层，包括设置在非活性表面上的下水平部、连接到下水平部的下竖直部以及形成在下水平部与下竖直部之间的下凹部；上钝化层，设置在下钝化层上，上钝化层包括设置在下水平部上的上水平部、连接到上水平部的上竖直部以及形成在上水平部与上竖直部之间的上凹部，上竖直部与下竖直部的侧表面接触；贯穿电极，竖直穿透基底、下钝化层、上钝化层和层间绝缘层；以及过孔保护层，与上水平部、上竖直部和贯穿电极水平地叠置并且填充上凹部，其中，在水平剖视图中，过孔保护层具有围绕贯穿电极的带状。

技术总结
公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：过孔钝化层，设置在基底的非活性表面上并且包括凹部；贯穿电极，竖直穿透基底和过孔钝化层；以及过孔保护层，与过孔钝化层和贯穿电极共面并且填充所述凹部。所述凹部形成在过孔钝化层的顶表面中并且设置为与贯穿电极相邻。在水平剖视图中，过孔保护层具有围绕贯穿电极的带状。的带状。的带状。


技术研发人员：朴点龙 宋乺智 安振镐 秦正起 千镇豪 崔朱逸
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2020.12.04
技术公布日：2021/10/21