偏移测量的动态改善的制作方法

技术特征：
1.一种动态偏移测量改善方法，其包括：在第一半导体装置晶片上的多个位点处进行至少一次偏移测量，所述第一半导体装置晶片选自旨在为相同的一批次半导体装置晶片；分析所述偏移测量中的每一者；使用来自所述偏移测量中的每一者的所述分析的数据来确定所述多个位点中的每一者处的经改善偏移测量参数；其后改善用于所述多个位点中的所述每一者处的经改善偏移测量的偏移计量工具设置，借此产生经改善偏移计量工具设置；及其后在第二半导体装置晶片上的多个位点处使用所述经改善偏移计量工具设置来测量偏移，所述第二半导体装置晶片选自旨在为相同的所述批次半导体装置晶片。2.根据权利要求1所述的动态偏移测量改善方法，且其中用成像偏移计量工具进行所述偏移测量。3.根据权利要求2所述的动态偏移测量改善方法，且其中所述偏移计量工具设置包括以下各项中的至少一者：所关注区，其在计量目标中；光的波长，其用于偏移测量中；光的偏光，其用于偏移测量中；及数值孔径。4.根据权利要求1所述的动态偏移测量改善方法，且其中用散射测量偏移计量工具进行所述偏移测量。5.根据权利要求4所述的动态偏移测量改善方法，且其中所述偏移计量工具设置包括以下各项中的至少一者：光的偏光，其用于偏移测量中；衍射掩模，其用于偏移测量中；及衍射孔径，其用于偏移测量中。6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的动态偏移测量改善方法，且其中所述方法不减少处理吞吐量。7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的动态偏移测量改善方法，且还包括使用多个位点中的所述每一者处的所述经改善偏移测量参数来重新计算所述至少一次偏移测量的结果。8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的动态偏移测量改善方法，且其中所述第一半导体装置晶片与所述第二半导体装置晶片是相同的半导体装置晶片。9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的动态偏移测量改善方法，且其中基于以下各项中的至少一者选择所述偏移计量工具设置：所述偏移测量的结果的经增加对比精确度；所述偏移测量的结果的经改进残差值；所述偏移测量的结果与电子束测量的结果之间的较佳相关；经改进装置合格率；所述偏移测量的结果的经改进精确度；
所述偏移测量的结果的经减小工具诱发移位；所述偏移测量的结果的经改进敏感度；所述偏移测量的经改进吞吐量；所述偏移测量的结果与由其它偏移计量工具进行的偏移测量的结果的经改进匹配；及随着过程变化所述偏移测量的结果的经减少波动。10.一种动态偏移测量改善系统，其包括操作以执行根据权利要求1到9中任一权利要求所述的动态优化偏移方法的偏移计量工具。11.一种动态偏移测量改善方法，其包括：在半导体装置晶片上的多个位点处进行至少一次偏移测量，所述半导体装置晶片选自旨在为相同的一批次半导体装置晶片；分析所述偏移测量中的每一者；使用来自所述偏移测量中的每一者的所述分析的数据来确定多个位点中的每一者的经改善位点特定偏移参数；其后改善用于多个位点中的所述每一者处的偏移测量的设置，借此产生经改善偏移计量工具设置；及其后使用所述经改善偏移计量工具设置来重新测量所述半导体装置晶片的偏移，所述半导体装置晶片选自旨在为相同的一批次半导体装置晶片。12.根据权利要求11所述的动态偏移测量改善方法，且其中用成像偏移计量工具进行所述偏移测量。13.根据权利要求12所述的动态偏移测量改善方法，且其中所述偏移计量工具设置包括以下各项中的至少一者：所关注区，其在计量目标中；光的波长，其用于偏移测量中；光的偏光，其用于偏移测量中；及数值孔径。14.根据权利要求11所述的动态偏移测量改善方法，且其中用散射测量偏移计量工具进行所述偏移测量。15.根据权利要求14所述的动态偏移测量改善方法，且其中所述偏移计量工具设置包括以下各项中的至少一者：光的偏光，其用于偏移测量中；衍射掩模，其用于偏移测量中；及衍射孔径，其用于偏移测量中。16.根据权利要求11到15中任一权利要求所述的动态偏移测量改善方法，且其中所述方法不减少处理吞吐量。17.根据权利要求11到16中任一权利要求所述的动态偏移测量改善方法，且还包括使用多个位点中的所述每一者处的所述经改善偏移测量参数来重新计算所述至少一次偏移测量的结果。18.根据权利要求11到17中任一权利要求所述的动态偏移测量改善方法，且还包括在第二半导体装置晶片上的多个位点处使用所述经改善偏移计量工具设置来测量偏移，所述
第二半导体装置晶片选自旨在为相同的所述批次半导体装置晶片。19.根据权利要求11到18中任一权利要求所述的动态偏移测量改善方法，且其中基于以下各项中的至少一者选择所述偏移计量工具设置：所述偏移测量的结果的经增加对比精确度；所述偏移测量的结果的经改进残差值；所述偏移测量的结果与电子束测量的结果之间的较佳相关；经改进装置合格率；所述偏移测量的结果的经改进精确度；所述偏移测量的结果的经减小工具诱发移位；所述偏移测量的结果的经改进敏感度；所述偏移测量的经改进吞吐量；所述偏移测量的结果与由其它偏移计量工具进行的偏移测量的结果的经改进匹配；及随着过程变化所述偏移测量的结果的经减少波动。20.一种动态偏移测量改善系统，其包括操作以执行根据权利要求10到19中任一权利要求所述的动态优化偏移方法的偏移计量工具。

技术总结
本发明涉及一种动态偏移测量改善方法，其包含：在第一半导体装置晶片上的多个位点处进行至少一次偏移测量，所述第一半导体装置晶片选自旨在为相同的一批次半导体装置晶片；分析所述偏移测量中的每一者；使用来自所述偏移测量中的每一者的所述分析的数据来确定所述多个位点中的每一者处的经改善偏移测量参数；其后改善用于所述多个位点中的所述每一者处的经改善偏移测量的偏移计量工具设置，借此产生经改善偏移计量工具设置；及其后在第二半导体装置晶片上的多个位点处使用所述经改善偏移计量工具设置来测量偏移，所述第二半导体装置晶片选自旨在为相同的所述批次半导体装置晶片。片。片。


技术研发人员：R
受保护的技术使用者：科磊股份有限公司
技术研发日：2019.05.19
技术公布日：2021/10/21