半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括阱区，所述阱区中形成有第二漂移区以及位于所述第二漂移区中的第三隔离结构；在所述第三隔离结构之间的半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括位于半导体衬底上的栅介电层、阻挡层和多晶硅层，以及位于所述栅介电层、所述阻挡层和所述多晶硅层两侧的侧墙；沿沟道长度方向形成贯穿所述多晶硅层的若干第一沟槽；在所述若干第一沟槽中填充第一功函数金属层，所述第一功函数金属层的类型与所述阱区的类型相反。2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第二漂移区中形成保护结构。3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述在所述第二漂移区中形成保护结构的方法包括：在所述半导体衬底和所述栅极结构上形成掩膜层，所述掩膜层暴露所述保护结构的位置；进行离子注入，在所述漂移区中形成所述保护结构；去除所述掩膜层。4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：沿沟道宽度方向形成贯穿所述多晶硅层的至少一个第二沟槽，所述至少一个第二沟槽连通所述若干第一沟槽；在所述至少一个第二沟槽中填充第二功函数金属层。5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述沿沟道长度方向形成贯穿所述多晶硅层的若干第一沟槽的方法包括：在所述半导体衬底以及栅极结构表面形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层定义所述若干第一沟槽的位置；以所述图案化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述多晶硅层，形成所述若干第一沟槽；去除所述图案化的光刻胶层。6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽在沟道宽度方向的尺寸为0.1微米至2微米。7.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括阱区，所述阱区中形成有第二漂移区以及位于所述第二漂移区中的第三隔离结构；栅极结构，位于所述第三隔离结构之间的半导体衬底上，所述栅极结构包括依次位于半导体衬底上的栅介电层、阻挡层、栅极以及位于所述栅介电层、所述阻挡层和所述栅极两侧的侧墙，所述栅极包括沿沟道宽度方向交替排布的多晶硅层以及第一功函数金属层，所述第一功函数金属层的类型与所述阱区的类型相反。8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第二漂移区中还形成有保护结构。9.如权利要求7所述的保护结构，其特征在于，还包括：沿沟道宽度方向贯穿所述多晶硅层的第二功函数金属层，所述第二功函数金属层连通所述第一功函数金属层。
10.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一功函数金属层在沟道宽度方向的尺寸为0.1微米至2微米。

技术总结
本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括阱区，所述阱区中形成有第二漂移区以及位于所述第二漂移区中的第三隔离结构；栅极结构，位于所述隔离结构之间的半导体衬底上，所述栅极结构包括依次位于半导体衬底上的栅介电层、阻挡层、栅极以及位于所述栅介电层、所述阻挡层和所述栅极两侧的侧墙，所述栅极包括沿沟道宽度方向交替排布的多晶硅层以及第一功函数金属层和沿沟道长度方向排布的第二功函数金属层，所述第一功函数金属层的类型与所述阱区的类型相反。所述第一功函数金属层可以降低栅极阈值电压；所述第二功函数金属层可以弱化双峰效应。化双峰效应。化双峰效应。


技术研发人员：李洋 蔡巧明
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
技术研发日：2020.04.13
技术公布日：2021/10/21