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一种复合图形衬底及其制作方法与流程

2021-10-19 22:29:00 来源:中国专利 TAG:衬底 制作方法 制备 图形 复合

技术特征:
1.一种复合图形衬底,其特征在于,包括:衬底;若干图形结构,周期性排布在所述衬底上方,所述图形结构包括第一部分以及形成在所述第一部分上方的第二部分;其中,在所述图形结构的第一部分与第二部分的界面处,所述第一部分形成由若干连续排布的峰谷组成的第一粗化结构。2.根据权利要求1所述的复合图形衬底,其特征在于,所述第一粗化结构的表面粗糙度范围介于0.1nm~100nm。3.根据权利要求1所述的复合图形衬底,其特征在于,所述图形结构形成为圆锥形、多面体锥形、圆台状或多面体台状结构。4.根据权利要求1所述的复合图形衬底,其特征在于,所述衬底的材料选自蓝宝石、gan、aln、mgal2o4、lialo2、ligao2、mgo、gaas、ga2o3中的一种。5.根据权利要求1所述的复合图形衬底,其特征在于,形成所述图形结构的第一部分的材料与所述衬底的材料相同,形成所述图形结构第二部分的材料为不同于所述衬底材料的形核抑制材料。6.根据权利要求1所述的复合图形衬底,其特征在于,所述图形结构第二部分的表面具有由若干连续排布的峰谷组成的第二粗化结构。7.根据权利要求6所述的复合图形衬底,其特征在于,所述第二粗化结构的表面粗糙度范围介于0.1nm~100nm。8.一种复合图形衬底的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一衬底,对所述衬底表面进行粗化形成第一粗化结构;在所述衬底表面沉积介质层;刻蚀所述介质层及部分衬底形成若干周期性排布的图形结构,其中刻蚀所述部分衬底形成图形结构的第一部分,刻蚀所述形核抑制层形成图形结构的第二部分。9.根据权利要求8所述的复合图形衬底的制作方法,其特征在于,还包括:对所述图形结构第二部分进行粗化处理,在所述第二部分的表面形成第二粗化结构。10.根据权利要求9所述的复合图形衬底的制作方法,其特征在于,所述第二粗化结构的表面粗糙度范围介于0.1nm~100nm。11.根据权利要求8所述的复合图形衬底的制作方法,其特征在于,刻蚀所述形核抑制层及所述衬底采用相同的刻蚀气体,所述刻蚀气体选自bcl3、cl2、ar中的一种或几种。12.根据权利要求9所述的复合图形衬底的制作方法,其特征在于,采用含氟气体的刻蚀气体对所述第二部分进行粗化处理。

技术总结
本发明提供一种复合图形衬底及其制作方法,所述复合图形衬底包括衬底以及周期性排布在衬底上方的若干图形结构,图形结构包括由部分衬底形成的第一部分,以及由图形介质层形成的第二部分,且第一部分在与第二部分的界面处形成第一粗化结构,从而在界面处形成由下至上衬底的组分含量逐渐减少,而图形介质层的组分含量逐渐增加的缓冲层,一方面能够缓解界面处的应力,使膜层不易剥离,提高复合图形衬底的可靠性;另一方面,界面处的折射率随着衬底和图形介质层组分含量的变化而逐渐变化,有利于减少光线在界面处的反射损耗提高出光率。除了形成第一粗化结构外,还可以同时在图形介质层的表面形成第二粗化结构,从而可以进一步地提高出光率。高出光率。高出光率。


技术研发人员:霍曜 李彬彬 吴福仁 李瑞评
受保护的技术使用者:福建晶安光电有限公司
技术研发日:2021.06.30
技术公布日:2021/10/18
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