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一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制作
一种秧草收获机用电力驱动行走机构的
衬底
光学感测模块的制作方法
根据本发明的实施方案的一个或多个方面涉及用于吸收光谱学的感测模块,并且更具体地涉及包括在硅衬底上的光子集成电路(pic)的感测模块。
标签:
模块
吸收光谱
衬底
多个
实施方案
2023-08-30
光学感测模块的制作方法
根据本发明的实施方案的一个或多个方面涉及用于吸收光谱学的感测模块,并且更具体地涉及包括在硅衬底上的光子集成电路(pic)的感测模块。
标签:
模块
吸收光谱
衬底
多个
实施方案
2023-08-30
一种LED垂直硅衬底外延片及其制备方法
一种led垂直硅衬底外延片及其制备方法技术领域本发明属于led领域,尤其涉及一种led垂直外延片及其制备方法。
标签:
外延
制备方法
衬底
led
2023-07-05
涂布处理方法及涂布处理装置与流程
本发明涉及一种在衬底形成涂布膜的涂布处理方法及涂布处理装置。
标签:
涂布
衬底
装置
方法
2023-04-12
涂布处理方法及涂布处理装置与流程
本发明涉及一种在衬底形成涂布膜的涂布处理方法及涂布处理装置。
标签:
涂布
衬底
装置
方法
2023-04-11
涂布处理方法及涂布处理装置与流程
本发明涉及一种在衬底形成涂布膜的涂布处理方法及涂布处理装置。
标签:
涂布
衬底
装置
方法
2023-04-10
涂布处理方法及涂布处理装置与流程
本发明涉及一种在衬底形成涂布膜的涂布处理方法及涂布处理装置。
标签:
涂布
衬底
装置
方法
2023-04-09
拓扑选择性沉积方法和使用该方法形成的结构与流程
本公开总体涉及包括在衬底表面上选择性形成材料的方法。更具体地,本公开涉及形成包括拓扑选择性沉积材料的结构的方法。
标签:
选择性
衬底
材料
方法
拓扑
2023-04-05
集成有工程化衬底的电子功率器件的制作方法
集成有工程化衬底的电子功率器件本技术是申请日为2017年8月23日递交的申请号为2017800623979以及发明名称为“集成有工程化衬底的电子功率器件”的中国发明专利申请的分案申请。2.相关申请的交叉引用3.本技术要求2016年8月23日提交的申请号为62/378,382的美国临时专利申请的优先权,其内容以全文引用的方式并入本文,以用于所有目的。
标签:
衬底
专利申请
功率
器件
工程
2023-04-05
衬底处理系统的直接驱动电路中的开关的保护系统的制作方法
本公开涉及衬底处理系统,并且更具体地涉及用于在衬底处理系统中提供rf等离子体功率或rf偏置的驱动电路。
标签:
衬底
等离子体
系统
功率
电路
2023-04-03
与非常高的温度兼容的可分离临时衬底以及从所述衬底转移工作层的方法与流程
本发明涉及用于微电子元件的半导体材料领域。具体地,本发明涉及一种在高于1000℃或甚至高于1200℃的温度下可分离的临时衬底,以及一种用于制造这种临时衬底的方法。本发明还涉及一种用于将工作层(例如由单晶碳化硅制成的工作层)从所述临时衬底转移至接收衬底的方法。
标签:
衬底
高于
方法
碳化硅
工作
2023-04-03
预模制衬底及制造预模制衬底的方法与流程
本公开涉及一种预模制衬底。
标签:
衬底
预模制
2023-04-02
涂布处理方法及涂布处理装置与流程
本发明涉及一种在衬底形成涂布膜的涂布处理方法及涂布处理装置。
标签:
涂布
衬底
装置
方法
2023-03-31
拓扑选择性沉积方法和使用该方法形成的结构与流程
本公开总体涉及包括在衬底表面上选择性形成材料的方法。更具体地,本公开涉及形成包括拓扑选择性沉积材料的结构的方法。
标签:
选择性
衬底
材料
方法
拓扑
2023-03-29
集成有工程化衬底的电子功率器件的制作方法
集成有工程化衬底的电子功率器件本技术是申请日为2017年8月23日递交的申请号为2017800623979以及发明名称为“集成有工程化衬底的电子功率器件”的中国发明专利申请的分案申请。2.相关申请的交叉引用3.本技术要求2016年8月23日提交的申请号为62/378,382的美国临时专利申请的优先权,其内容以全文引用的方式并入本文,以用于所有目的。
标签:
衬底
专利申请
功率
器件
工程
2023-03-28
衬底处理系统的直接驱动电路中的开关的保护系统的制作方法
本公开涉及衬底处理系统,并且更具体地涉及用于在衬底处理系统中提供rf等离子体功率或rf偏置的驱动电路。
标签:
衬底
等离子体
系统
功率
电路
2023-03-27
预模制衬底及制造预模制衬底的方法与流程
本公开涉及一种预模制衬底。
标签:
衬底
预模制
2023-03-26
集成有工程化衬底的电子功率器件的制作方法
集成有工程化衬底的电子功率器件本技术是申请日为2017年8月23日递交的申请号为2017800623979以及发明名称为“集成有工程化衬底的电子功率器件”的中国发明专利申请的分案申请。2.相关申请的交叉引用3.本技术要求2016年8月23日提交的申请号为62/378,382的美国临时专利申请的优先权,其内容以全文引用的方式并入本文,以用于所有目的。
标签:
衬底
专利申请
功率
器件
工程
2023-03-19
衬底处理系统的直接驱动电路中的开关的保护系统的制作方法
本公开涉及衬底处理系统,并且更具体地涉及用于在衬底处理系统中提供rf等离子体功率或rf偏置的驱动电路。
标签:
衬底
等离子体
系统
功率
电路
2023-03-17
与非常高的温度兼容的可分离临时衬底以及从所述衬底转移工作层的方法与流程
本发明涉及用于微电子元件的半导体材料领域。具体地,本发明涉及一种在高于1000℃或甚至高于1200℃的温度下可分离的临时衬底,以及一种用于制造这种临时衬底的方法。本发明还涉及一种用于将工作层(例如由单晶碳化硅制成的工作层)从所述临时衬底转移至接收衬底的方法。
标签:
衬底
高于
方法
碳化硅
工作
2023-03-17
预模制衬底及制造预模制衬底的方法与流程
本公开涉及一种预模制衬底。
标签:
衬底
预模制
2023-03-16
涂布处理方法及涂布处理装置与流程
本发明涉及一种在衬底形成涂布膜的涂布处理方法及涂布处理装置。
标签:
涂布
衬底
装置
方法
2023-03-14
一种发光二极管衬底结构的制作方法
本实用新型涉及led二极管领域,特别是涉及一种发光二极管衬底结构。
标签:
衬底
特别是
结构
led
二极管
2023-03-09
衬底处理系统的直接驱动电路中的开关的保护系统的制作方法
本公开涉及衬底处理系统,并且更具体地涉及用于在衬底处理系统中提供rf等离子体功率或rf偏置的驱动电路。
标签:
衬底
等离子体
系统
功率
电路
2023-03-08
与非常高的温度兼容的可分离临时衬底以及从所述衬底转移工作层的方法与流程
本发明涉及用于微电子元件的半导体材料领域。具体地,本发明涉及一种在高于1000℃或甚至高于1200℃的温度下可分离的临时衬底,以及一种用于制造这种临时衬底的方法。本发明还涉及一种用于将工作层(例如由单晶碳化硅制成的工作层)从所述临时衬底转移至接收衬底的方法。
标签:
衬底
高于
方法
碳化硅
工作
2023-03-08
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