Nand闪存自动坏块标记方法、装置、存储介质和终端与流程

nand闪存自动坏块标记方法、装置、存储介质和终端
技术领域
[0001]
本发明涉及半导体封装与测试领域，尤其涉及的是一种nand闪存自动坏块标记方法、装置、存储介质和终端。


背景技术：

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nand flash是 flash存储器的一种，具有容量大，擦写速度快的优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。但nand技术上允许坏块的存在，这降低了nand生产工艺要求，也是nand单位容量价格比nor flash低的原因。对于nand来说，如果page（页）数据没有出错或者出错bit个数可以被ecc（纠错）码纠正，那么该认为该page正常，反之，该page所在的块被认定为一个坏块。坏块可分为出厂坏块和动态坏块。出厂坏块为出厂测试时标记的坏块，出厂坏块的特点如下：回读数据为全0，且用erase命令无法擦除；而动态坏块指的是在应用过程中动态产生的坏块。坏块标记即对于已知的坏块进行标记，如果第 1、2或者最后一个页的spare area 区（备用区）的第一个字节不是 ff，通常认为这个块已经被标记成了坏块。nand 应用过程中，通过识别是否有坏块标记判断该blcok是好是坏，避免使用到坏块。可见，找到nand中的坏块并对已发现的坏块进行标记和管理，对于后续nand flash 的应用是非常重要的。
[0003]
传统做法是用机台进行nand坏块标记：以chroma机台为例，对一颗nand flash进行坏块标记，至少需要30分钟，一次仅能容许测试一颗nand flash，耗费时间长，机台占用率高，效率低下；而且机台价格昂贵，增加坏块的标记成本。
[0004]
因此，现有的技术还有待于改进和发展。


技术实现要素：

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本发明的目的在于提供一种nand闪存自动坏块标记方法、装置、存储介质和终端，旨在解决现有的使用机台进行坏块标记耗时长，效率低，标记成本大的问题。
[0006]
本发明的技术方案如下：一种nand闪存自动坏块标记方法，其中，将nand flash装入单片机的pcb板卡中，整个过程在单片机中实现，具体包括以下步骤：读取nand flash的id；使nand flash中的所有块在全部要求的数据模式进行坏块查找；若某一块在某种数据模式下出现数据读出错误，则标记该块为坏块，最终完成nand flash中所有坏块的标记。
[0007]
所述的nand闪存自动坏块标记方法，其中，具体包括以下步骤：s01：读取nand flash的id；s02：选定某种数据模式；s03：使nand flash中的所有块在该种数据模式下进行坏块判断；s04：判断nand flash是否已经完成在所有数据模式下的坏块判断，是则跳转至s05，否则跳转至s02；
s05：对nand flash中所有坏块进行标记，从而完成nand flash中所有坏块的标记。
[0008]
所述的nand闪存自动坏块标记方法，其中，所述s03具体包括以下步骤：s31：对nand flash进行全片擦除后再进行全片写入数据；s32：读出nand flash中的一个块内写入的数据，并判断读出的数据是否出错，是则跳转至s33，否则跳转至s34；s33：对所述块的坏块情况进行记录，并跳转至s34；s34：判断nand flash中的所有块是否都已经完成坏块判断，是则跳转至s04，否则跳转至s32。
[0009]
所述的nand闪存自动坏块标记方法，其中，所述s33中，通过所述块的坏块次数加1实现对所述块的坏块情况进行记录。
[0010]
所述的nand闪存自动坏块标记方法，其中，所述s05中，通过对nand flash中所有坏块次数大于0的块进行标记以实现对nand flash中所有坏块进行标记。
[0011]
一种nand闪存自动坏块标记装置，其中，所述nand闪存自动坏块标记装置设置在单片机的pcb板中，将nand flash装入单片机的pcb板卡中，包括：id读取模块，读取nand flash的id；查找模块，使nand flash中的所有块在全部要求的数据模式进行坏块查找；标记模块，若某一块在某种数据模式下出现数据读出错误，则标记该块为坏块。
[0012]
所述的nand闪存自动坏块标记装置，其中，所述nand闪存自动坏块标记装置设置在stm32单片机的pcb板中。
[0013]
所述的nand闪存自动坏块标记装置，其中，所述标记模块将坏块的地址写入nand flash bbt中。
[0014]
一种存储介质，其中，所述存储介质中存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行上述任一项所述的方法。
[0015]
一种终端设备，其中，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，用于执行上述任一项所述的方法。
[0016]
本发明的有益效果：本发明通过提供一种nand闪存自动坏块标记方法、装置、存储介质和终端，整个坏块标记过程在单片机中实现，完成一个nand flash的坏块标记耗时远比机台短，特别在校验数据时，单片机程序中可任意配置ecc纠错位数（如设置超出8bit/544byte才视为出错，标记为坏块），而机台要实现同样的条件判断，耗时是非常长的，单片机程序五分钟内即可完成一个nand flash坏块标记；而且单片机的成本比机台价格便宜很多，用较低的价格购入多片单片机就可实现大量nand flash的并行测试，可实现在短时间内完成大量nand flash的坏块标记。
附图说明
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图1是本发明中nand闪存自动坏块标记方法的步骤流程图。
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图2是本发明中测试前确认读到flash id的示意图。
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图3是本发明中将坏块地址信息写入nand flash bbt的示意图。
[0020]
图4是本发明中查询坏块的示意图。
[0021]
图5是本发明中nand闪存自动坏块标记装置的示意图。
[0022]
图6是本发明中终端的示意图。
具体实施方式
[0023]
下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0024]
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0025]
如图1所示，一种nand闪存自动坏块标记方法，整个过程在单片机中实现，具体包括以下步骤：s1：选定某种数据模式；s2：对nand flash进行全片擦除后再进行全片写入数据；s3：读出nand flash中的一个块内写入的数据，并判断读出的数据是否出错，是则跳转至s4，否则跳转至s5；s4：所述块的坏块次数加1，跳转至s5；s5：判断nand flash中的所有块是否都已经完成坏块判断，是则跳转至s6，否则跳转至s3；s6：判断nand flash是否已经完成在所有数据模式下的坏块判断，是则跳转至s7，否则跳转至s1；s7：对nand flash中所有坏块次数大于0的块进行标记，从而完成nand flash中所有坏块的标记。
[0026]
其中，在nand flash的坏块标记中，要求所有的块在全部可能的数据模式都不能出现数据读出错误，如果某一个块在某一种数据模式下出现数据读出错误，则判断该块为坏块。
[0027]
本技术方案通过在单片机中实现nand flash的坏块标记，通过stm32单片机的pcb板去控制nand flash，控制程序存储到单片机中，控制单片机对nand flash发送命令，地址，数据，从而找到nand flash中的坏块，将其地址写入nand flash bbt中，完成坏块标记，通过代码编写对nand flash进行操作的过程，从而做到找出nand flash中的坏块并对坏块进行标记。
[0028]
根据上述所述的nand闪存自动坏块标记方法，现列举以下实施例加以说明：1.准备bad block寻找以及标记程序，load进stm32单片机pcb板卡中。
[0029]
2.测试前，确认读到flash id，此时未进行坏块标记，识别不到ic中的坏块，如图2所示。
[0030]
3.发送指令，开始坏块寻找及标记，如下，已获取坏块地址相关信息，将其写入
nand flash bbt中，完成坏块标记，如图3所示。
[0031]
4.根据识别坏块标记，可查询到坏块如图4所示。
[0032]
如图5所示，一种nand闪存自动坏块标记装置，所述nand闪存自动坏块标记装置设置在单片机的pcb板中，将nand flash装入单片机的pcb板卡中，包括：id读取模块103，读取nand flash的id；查找模块101，使nand flash中的所有块在全部要求的数据模式进行坏块查找；标记模块102，若某一块在某种数据模式下出现数据读出错误，则标记该块为坏块。
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请参照图6，本发明实施例还提供一种终端。如示，终端300包括处理器301和存储器302。其中，处理器301与存储器302电性连接。处理器301是终端300的控制中心，利用各种接口和线路连接整个终端的各个部分，通过运行或调用存储在存储器302内的计算机程序，以及调用存储在存储器302内的数据，执行终端的各种功能和处理数据，从而对终端300进行整体监控。
[0034]
在本实施例中，终端300中的处理器301会按照如下的步骤，将一个或一个以上的计算机程序的进程对应的指令加载到存储器302中，并由处理器301来运行存储在存储器302中的计算机程序，从而实现各种功能：将nand flash装入单片机的pcb板卡中，整个过程在单片机中实现；读取nand flash的id；使nand flash中的所有块在全部要求的数据模式进行坏块查找；若某一块在某种数据模式下出现数据读出错误，则标记该块为坏块，最终完成nand flash中所有坏块的标记。
[0035]
存储器302可用于存储计算机程序和数据。存储器302存储的计算机程序中包含有可在处理器中执行的指令。计算机程序可以组成各种功能模块。处理器301通过调用存储在存储器302的计算机程序，从而执行各种功能应用以及数据处理。
[0036]
本申请实施例提供一种存储介质，所述计算机程序被处理器执行时，执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法，以实现以下功能：将nand flash装入单片机的pcb板卡中，整个过程在单片机中实现；读取nand flash的id；使nand flash中的所有块在全部要求的数据模式进行坏块查找；若某一块在某种数据模式下出现数据读出错误，则标记该块为坏块，最终完成nand flash中所有坏块的标记。其中，存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器（static random access memory, 简称sram），电可擦除可编程只读存储器（electrically erasable programmable read-only memory, 简称eeprom），可擦除可编程只读存储器（erasable programmable read only memory, 简称eprom），可编程只读存储器（programmable red-only memory, 简称prom），只读存储器（read-only memory, 简称rom），磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。
[0037]
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
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另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元
显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
[0039]
再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
[0040]
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
[0041]
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。