存储器器件和半导体管芯以及制造存储器器件的方法与流程

技术特征：
1.一种存储器器件，包括：多条位线；多条字线，与所述多条位线相交；多条辅助线，设置在所述多条字线和所述多条位线之间；多个选择器，插入在所述多条位线和所述多条辅助线之间；以及多个存储器单元，插入在所述多条字线和所述多条辅助线之间。2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述多条辅助线与所述多条字线平行，并且所述多条辅助线与所述多条位线相交。3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中，所述多个选择器中的每个选择器分别插入在所述多条位线中的位线与所述多条辅助线中的辅助线的交点之间。4.根据权利要求3所述的存储器器件，其中，所述多个存储器单元中的每个存储器单元分别插入在所述多条字线中的字线和所述多条辅助线中的辅助线之间。5.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述多个选择器和所述多个存储器单元由所述多条辅助线隔开。6.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括多个第一开关，其中，所述多条位线通过所述多个第一开关电耦合到第一电压电平。7.根据权利要求6所述的存储器器件，还包括多个第二开关，其中，所述多条字线通过所述多个第二开关电耦合到第二电压电平，并且所述第二电压电平低于所述第一电压电平。8.根据权利要求6所述的存储器器件，还包括多个第三开关，其中，所述多条辅助线通过所述多个第三开关电耦合到第三电压电平，并且所述第三电压电平低于所述第一电压电平。9.一种半导体管芯，包括：半导体衬底；互连结构，设置在所述半导体衬底上方，所述互连结构包括嵌入式存储器器件，并且所述嵌入式存储器器件包括：多条平行位线；多条平行字线，与所述多条平行位线相交；多条平行辅助线，与所述多条平行位线相交，并且设置在所述多条平行字线和所述多条平行位线之间；多个选择器，插入在所述多条平行位线和所述多条平行辅助线之间；以及多个存储器单元，插入在所述多条平行字线和所述多条平行辅助线之间。10.一种制造存储器器件的方法，包括：在第一电极上方形成磁隧道结(mtj)；在磁隧道结上方形成辅助线，所述辅助线包括位于所述磁隧道结上方的自旋霍尔效应辅助(she辅助)层和位于所述自旋霍尔效应辅助层上方的第二电极；以及在所述辅助线上方形成选择器。