磁盘装置以及写处理方法[0001]本申请享受以日本专利申请2019-142160号(申请日：2019年8月1日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。
技术领域：
：[0002]本发明的实施方式涉及磁盘装置以及写(write，写入)处理方法。
背景技术：
：：[0003]近年来，开发了能够高记录密度地对磁盘(以下，称为盘(disk))写入数据的磁盘装置。在高记录密度地对盘写入数据的情况下，相邻磁道(track)的磁道间距变窄，所以数据的记录品质可能会降低。因此，关于磁盘装置，期望有能够维持记录品质而且能高记录密度地对盘写入数据的技术。例如，存在通过在预定的记录区域内用不同频率的写电流反复写入数据来提高数据的记录品质的技术。技术实现要素：[0004]实施方式提供能够提高数据的可靠性的磁盘装置以及写处理方法。[0005]实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头(head)，其具有向所述盘写入数据的第1写头及第2写头、和从所述盘读取(read，读)数据的读头；以及控制器，其由所述第1写头将写数据写入到所述盘的第1区域，由所述第2写头将所述写数据覆写于在所述第1区域内由所述第1写头写入的所述写数据。附图说明[0006]图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。[0007]图2是表示第1实施方式涉及的相对于盘的头的配置的一例的示意图。[0008]图3是表示扇区(sector)的构成的一例的示意图。[0009]图4是表示被写入了数据的瓦(叠瓦、瓦片)记录区域的一例的示意图。[0010]图5是示意性地表示第1实施方式涉及的两个写头和读头的几何配置的一例的俯视图。[0011]图6是示意性地表示第1实施方式涉及的两个写头和读头的几何配置的一例的俯视图。[0012]图7是表示第1实施方式涉及的读/写系统的构成例的框图。[0013]图8是表示第1实施方式涉及的覆写修正(补正)值的计算处理的一例的时间图(timingchart)。[0014]图9是表示第1实施方式涉及的覆写修正值的计算处理的一例的图。[0015]图10是表示与图9所示的由写头写入的基础(base)数据对应的读取波形、与由写头写入的覆写数据对应的读取波形、和将读取波形以及读取波形重合得到的波形的一例的图。[0016]图11是表示第1实施方式涉及的覆写修正值的计算处理的一例的图。[0017]图12是表示与图11所示的由写头写入的基础数据bsd对应的读取波形、与由写头写入的覆写数据对应的读取波形、和将读取波形以及读取波形重合得到的波形的一例的图。[0018]图13是表示第1实施方式涉及的覆写修正值的计算处理的一例的图。[0019]图14是表示与图13所示的由写头写入的基础数据对应的读取波形、与由写头写入的覆写数据对应的读取波形、和将读取波形以及读取波形重合得到的波形的一例的图。[0020]图15是表示将头定位在中周区域的情况下的覆写处理的一例的图。[0021]图16是表示在中周区域进行了写入的带(band)区域的一例的图。[0022]图17是表示将头定位在外周区域的情况下的覆写处理的一例的图。[0023]图18是表示在外周区域进行了写入的带区域的一例的图。[0024]图19是表示将头定位在内周区域的情况下的覆写处理的一例的图。[0025]图20是表示在内周区域进行了写入的带区域的一例的图。[0026]图21是表示在以预定的记录磁场的频率将覆写数据写入于以预定的记录磁场的频率写入的基础数据的情况下的、重写(ow：overwrite)与扇区错误率的对数值之间的关系的一例的图。[0027]图22是表示在将覆写数据写入于以比写入覆写数据时的记录磁场的频率低的记录磁场的频率写入的基础数据的情况下的、重写与扇区错误率的对数值之间的关系的一例的图。[0028]图23是表示第1实施方式涉及的写处理方法的一例的流程图。[0029]图24是示意性地表示变形例1涉及的两个写头和读头的几何配置的一例的俯视图。[0030]图25是表示将头定位在中周区域的情况下的覆写处理的一例的图。[0031]图26是表示将头定位在外周区域的情况下的覆写处理的一例的图。[0032]图27是表示在外周区域进行了写入的带区域的一例的图。[0033]图28是表示将头定位在内周区域的情况下的覆写处理的一例的图。[0034]图29是表示在内周区域进行了写入的带区域的一例的图。[0035]图30是表示变形例2涉及的磁盘装置的构成的框图。[0036]图31是表示在中周区域进行了写入的多个磁道的一例的图。[0037]图32是表示在外周区域进行了写入的多个磁道的一例的图。[0038]图33是表示在内周区域进行了写入的多个磁道的一例的图。[0039]图34是表示变形例2涉及的写处理方法的一例的流程图。具体实施方式[0040]以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图仅为一例，并非限定发明的范围。[0041](第1实施方式)[0042]图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。[0043]磁盘装置1具备后述的头盘组件(hda：headdiskassembly)、驱动器ic20、头放大器集成电路(以下，有时也称为头放大器ic或者前置放大器)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器(缓冲器)90以及作为单芯片集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(主机)100连接。[0044]hda具有磁盘(以下，称为盘)10、主轴马达(spm)12、搭载着头15的臂(arm)13、以及音圈马达(vcm)14。盘10安装于主轴马达12，通过主轴马达12的驱动而旋转。臂13以及vcm14构成致动器。致动器利用vcm14的驱动，控制搭载于臂13的头15移动到盘10的预定的位置。也可以设置两个或更多数量的盘10以及头15。以下，既有将向磁盘装置1的各部分或者外部设备、例如盘10写入的数据称为写数据的情况，也有将从盘10读取到的数据称为读数据的情况。既有将写数据简称为数据的情况，也有将读数据简称为数据的情况，还有将写数据以及读数据统称为数据的情况。[0045]盘10在其记录区域分配有瓦记录(shingledmagneticrecording：smr)区域10s和介质高速缓存(mediacache)区域10m。以下，将沿着盘10的圆周的方向称为圆周方向(周向)，将与圆周方向交叉的方向称为半径方向(径向)。将盘10的预定的圆周方向的预定的位置称为圆周位置，将盘10的预定的半径方向的预定的位置称为半径位置。另外，有时也将半径位置以及圆周位置统一简称为位置。[0046]瓦记录区域10s记录由主机100请求写入的用户数据等。介质高速缓存区域10m可作为瓦记录区域10s的高速缓存来利用。在瓦记录区域10s中，对磁道的一部分重叠地写入接下来要写的磁道。在此，所谓“将数据重叠写入”，包含“对至少两个数据中的一个数据的一部分重叠其他数据进行写入”。换言之，所谓“将数据重叠写入”，包含“相对于至少两个数据中的一个数据而将其他数据错开并重叠地写入”。因此，瓦记录区域10s的磁道密度(trackperinch：tpi)比没有被重叠写入的记录区域的磁道密度高。在瓦记录区域10s中，分别包括在半径方向上沿一个方向连续地重叠写入的多个磁道的多个磁道群组相互隔开间隔(间隙)而配置。以下，将包括在半径方向上沿一个方向连续地重叠写入的多个磁道的磁道群组称为带区域。带区域包括：在一部分被重叠写入了在半径方向上相邻的磁道(以下，称为相邻磁道)的至少一个磁道、和在最后被重叠写入了的磁道(最终磁道)。最终磁道由于在其一部分没有被重叠写入其他磁道，因此磁道的半径方向的宽度(以下，有时也称为磁道宽度)比在一部分被重叠写入了的磁道宽。此外，在瓦记录区域10s中，也可以并非以瓦记录型式而是以通常的记录型式写入数据。以下，“磁道”以“在盘10的半径方向上划分出的多个区域中的一个区域”、“沿着盘10的圆周方向写入的一圈数据”、“沿着盘10的圆周方向转一圈的路径”、和其他的各种含义来使用。磁道包含多个扇区。“扇区”以“将磁道在圆周方向上划分出的多个区域中的一个区域”、“写入到将磁道在圆周方向上划分出的多个区域中的一个区域的数据”、和其他的各种含义来使用。将磁道的半径方向的宽度称为磁道宽度。既有将预定磁道的预定圆周位置上的磁道宽度的中心位置称为磁道中心(trackcenter)的情况，也有将在预定磁道上通过磁道宽度的中心的路径称为磁道中心的情况。另外，将“被写的磁道”称为“写磁道”。有时也将“除了被重叠写入了相邻磁道的区域之外的剩余的写磁道的区域”称为“读磁道”。另外，既有将“写磁道”简称为“磁道”的情况，也有将“读磁道”简称为“磁道”的情况，还有将“写磁道”以及“读磁道”统一简称为“磁道”的情况。有时也将“写磁道的半径方向的宽度”称为“写磁道宽度”、将“读磁道的半径方向的宽度”称为“读磁道宽度”。有时也将“写磁道宽度”以及“读磁道宽度”统称为“磁道宽度”。[0047]头15将滑块作为主体，具备安装于该滑块的写头15w和读头15r。写头15w对盘10写入数据。例如，写头15w在盘10上对预定的磁道进行写入。写头15w具有多个写头，例如具有两个写头15w1及15w2。写头15w1例如设置在多个写头中距离读头15r最近的位置。写头15w2例如设置在仅次于写头15w1而靠近读头15r的位置。换言之，写头15w1位于读头15r与写头15w2之间。此外，写头15w也可以具有三个以上的写头。以下，既有将一个头15所包含的多个写头、例如写头15w1及15w2中的某一个称为写头15w的情况，也有将两个写头15w1及15w2统称为写头15w的情况。读头15r对记录于盘10的数据进行读取。例如，读头15r对盘10的预定磁道进行读取。[0048]图2是表示本实施方式涉及的相对于盘10的头15的配置的一例的示意图。如图2所示，在半径方向上，将朝向盘10的外周的方向称为外方向(外侧)，将与外方向相反的方向称为内方向(内侧)。另外，如图2所示，在圆周方向上，将盘10旋转的方向称为旋转方向。此外，在图2所示的例子中，旋转方向由逆时针方向表示，但也可以是相反方向(顺时针方向)。在图2中，瓦记录区域10s划分为位于内方向的内周区域ir、位于外方向的外周区域or、以及位于内周区域ir与外周区域or之间的中周区域mr。在图2所示的例子中，表示了半径位置irp、半径位置rp0以及半径位置orp。半径位置irp是比半径位置rp0靠内方向的位置，半径位置orp是比半径位置rp0靠外方向的位置。在图2所示的例子中，半径位置rp0包含于中周区域mr，半径位置orp包含于外周区域or，半径位置irp包含于内周区域ir。此外，半径位置rp0也可以包含于外周区域or，还可以包含于内周区域ir。半径位置irp以及orp分别也可以包含于中周区域mr。在图2所示的例子中，表示了磁道中心iil、磁道中心il0以及磁道中心oil。磁道中心iil比磁道中心il0位于内方向，磁道中心oil比磁道中心il0位于外方向。在图2所示的例子中，磁道中心il0是从中周区域mr的预定磁道的中心通过的路径，磁道中心oil是从外周区域or的预定磁道的中心通过的路径，磁道中心iil是从内周区域ir的预定磁道的中心通过的路径。磁道中心iil、il0以及oil相对于盘10位于同心圆状上。例如，磁道中心iil、il0以及oil位于正圆形上。此外，磁道中心iil、il0以及oil也可以不是圆形，也可以位于在盘10的半径方向上变动的波状上。在图2中，半径位置irp相当于内周区域ir的预定磁道的磁道中心iil，半径位置rp0相当于中周区域mr的预定磁道的磁道中心il0，半径位置orp相当于外周区域or的预定磁道的磁道中心oil。[0049]在头15位于半径位置rp0的情况下，偏斜(skew)角例如成为0°。以下，有时也将半径位置rp0称为基准位置rp0。在头15位于半径位置orp的情况下，偏斜角例如成为正值。随着头15在半径方向上从基准位置rp0向外方向移动，偏斜角的绝对值增大。在头15位于半径位置irp的情况下，偏斜角例如成为负值。随着头15在半径方向上从基准位置rp0向内方向移动，偏斜角的绝对值增大。此外也可以为，在头15位于半径位置orp的情况下，偏斜角为负值。另外也可以为，在头15位于半径位置irp的情况下，偏斜角为正值。[0050]盘10具有多个伺服数据区域sv。以下，有时也将伺服数据区域sv称为伺服图形(servopattern)sv。多个伺服数据区域sv在盘10的半径方向上以放射状延伸并在圆周方向上隔开预定间隔地离散地配置。伺服数据区域sv具有多个伺服扇区。在沿圆周方向连续地排列的两个伺服数据区域sv之间的区域内，写入用户数据等。在预定的磁道上，有时也将写入了用户数据的、两个伺服数据区域sv之间的区域称为数据部。例如，扇区包括伺服扇区和跟随该伺服扇区的数据部。[0051]图3是表示扇区sc的构成的一例的示意图。在图3中，将在圆周方向上进行读取/写入的方向(头15行进的方向)称为读取/写入方向。读取/写入方向相当于头15行进的方向。另外，读取/写入方向例如相当于与图2所示的旋转方向相反的方向。前方相当于读取/写入了的数据的方向，后方相当于自此要进行读取/写入的方向。以下，有时也将前方简称为前或者先、将后方简称为后。[0052]在图3所示的例子中，扇区sc由伺服扇区ss和数据部dtp构成。伺服扇区ss相当于预定磁道上的伺服数据区域sv。伺服扇区ss包含用于将头15定位到盘10的预定的半径位置、例如预定的磁道的伺服数据等。[0053]伺服数据例如包含前导码(preamble)、伺服标记(servomark)、格雷码(graycode)、pad、突发(burst)数据以及后置码(postcode)。此外，伺服扇区ss也可以不包含后置码。前导码、伺服标记、格雷码、pad、突发数据以及后置码按它们的次序朝着读取/写入方向的箭头的顶端连续地配置。前导码包含用于与由伺服标记以及格雷码等所构成的伺服图形的再现信号同步的前导码信息。伺服标记包含表示伺服图形的开始的伺服标记信息。格雷码由预定磁道的地址(柱面地址)和预定磁道的伺服扇区的地址构成。突发数据是为了检测相对于预定磁道的磁道中心的头15的半径方向以及/或者圆周方向的位置偏差(位置误差)所使用的数据(相对位置数据)，由预定周期的重复图形构成。pad包含间隙以及伺服agc等同步信号的pad信息。突发数据例如包括n突发(nburst)以及q突发(qburst)。后置码包含用于对因由与将伺服数据写入盘时的盘10的旋转同步的抖动(可重复性偏摆：rro)产生的相对于盘10和同心圆状的磁道中心(目标路径)的磁道变形引起的误差进行修正的数据(以下，称为rro修正数据)等。[0054]图4是表示被写入了数据的瓦记录区域10s的一例的示意图。图4中仅表示了说明所需的构成。在图4的半径方向上，将对磁道进行重叠写入的方向称为瓦记录方向。在图4中，瓦记录方向是内方向。此外，瓦记录方向也可以是外方向。[0055]在图4所示的例子中，瓦记录区域10s包括带区域tgn。在图4中，为便于说明，带区域tgn中的各磁道呈直线状延长。实际上，带区域tgn中的各磁道是沿着盘10的形状而弯曲的同心圆状。也即是说实际上，带区域tgn中的各磁道的前方的端部与后方的端部是一致的。另外，带区域tgn中的各磁道实际上会产生由干扰和/或其他构造等的影响带来的偏差等。此外，瓦记录区域10s也可以包括两个以上的带区域。[0056]在图4所示的例子中，带区域tgn包括写磁道wtn、wtn 1、wtn 2、wtn 3及wtn 4。写磁道wtn与wtn 1彼此部分重叠。写磁道wtn 1与wtn 2彼此部分重叠。写磁道wtn 2与wtn 3彼此部分重叠。写磁道wtn 3与wtn 4彼此部分重叠。在带区域tgn中，写磁道wtn～wtn 4在半径方向上按该次序被重叠地写入。此外，虽然假设了带区域tgn包括5个磁道，但是也可以包括少于5个的数量的磁道，还可以包括多于5个的数量的磁道。[0057]写磁道wtn具有磁道边界ena和磁道边界enb。在图4所示的例子中，磁道边界ena是写磁道wtn的外方向的端部，磁道边界enb是写磁道wtn的内方向(瓦记录方向)的端部。写磁道wtn 1具有磁道边界en 1a和磁道边界en 1b。在图4所示的例子中，磁道边界en 1a是写磁道wtn 1的外方向的端部，磁道边界en 1b是写磁道wtn 1的内方向(瓦记录方向)的端部。写磁道wtn 2具有磁道边界en 2a和磁道边界en 2b。在图4所示的例子中，磁道边界en 2a是写磁道wtn 2的外方向的端部，磁道边界en 2b是写磁道wtn 2的内方向(瓦记录方向)的端部。写磁道wtn 3具有磁道边界en 3a和磁道边界en 3b。在图4所示的例子中，磁道边界en 3a是写磁道wtn 3的外方向的端部，磁道边界en 3b是写磁道wtn 3的内方向(瓦记录方向)的端部。写磁道(最终磁道)wtn 4具有磁道边界en 4a和磁道边界en 4b。在图4所示的例子中，磁道边界en 4a是写磁道wtn 4的外方向的端部，磁道边界en 4b是写磁道wtn 4的内方向(瓦记录方向)的端部。[0058]写磁道wtn的写磁道宽度wwn是磁道边界ena与enb之间的半径方向的长度。写磁道wtn 1的写磁道宽度wwn 1是磁道边界en 1a与en 1b之间的半径方向的长度。写磁道wtn 2的写磁道宽度wwn 2是磁道边界en 2a与en 2b之间的半径方向的长度。写磁道wtn 3的写磁道宽度wwn 3是磁道边界en 3a与en 3b之间的半径方向的长度。写磁道wtn 4的写磁道宽度wwn 4是磁道边界en 4a与en 4b之间的半径方向的长度。写磁道宽度wwn～wwn 4例如是等同的。此外，写磁道宽度wwn～wwn 4也可以不同。[0059]读磁道rtn是除了写磁道wtn 1被重叠写入了的写磁道wtn的一部分之外的剩余的区域。读磁道rtn 1是除了写磁道wtn 2被重叠写入了的写磁道wtn 1的一部分之外的剩余的区域。读磁道rtn 2是除了写磁道wtn 3被重叠写入了的写磁道wtn 2的一部分之外的剩余的区域。读磁道rtn 3是除了写磁道wtn 4被重叠写入了的写磁道wtn 3的一部分之外的剩余的区域。读磁道rtn 4对应于写磁道wtn 4。读磁道rtn 4相当于带区域tgn中的最终磁道。[0060]读磁道rtn的读磁道宽度rwn是磁道边界ena与en 1a之间的半径方向的长度。读磁道rtn 1的读磁道宽度rwn 1是磁道边界en 1a与en 2a之间的半径方向的长度。读磁道rtn 2的读磁道宽度rwn 2是磁道边界en 2a与en 3a之间的半径方向的长度。读磁道rtn 3的读磁道宽度rwn 3是磁道边界en 3a与en 4a之间的半径方向的长度。读磁道rtn 4的读磁道宽度rwn 4是磁道边界en 4a与en 4b之间的半径方向的长度。也即是说，读磁道宽度rwn 4与写磁道宽度wwn 4等同。[0061]图5是示意性地表示本实施方式涉及的两个写头15w1及15w2和读头15r的几何配置的一例的俯视图。图5中仅表示了说明所需的构成。图5中表示了写头15w1、写头15w2以及读头15r。写头15w1包括：在与半径方向交叉的方向上延伸的侧部的端部we11、在半径方向上位于与端部we11相反位置的端部we12、以及中心部wc1。写头15w1的半径方向的宽度ww1相当于端部we11与端部we12之间的距离。以下，将“写头15w的半径方向的宽度”简称为“写头15w的宽度”。写头15w2包括：在与半径方向交叉的方向上延伸的侧部的端部we21、在半径方向上位于与端部we21相反位置的端部we22、以及中心部wc2。写头15w2的宽度ww2相当于端部we21与端部we22之间的距离。在图5所示的例子中，写头15w2的宽度ww2比写头15w1的宽度ww1大。换言之，写头15w2比写头15w1大。[0062]图5中表示了位于将写头15w1的中心部wc1和写头15w2的中心部wc2连结的线段的中间的中间部mc。为便于说明，有时也将“写头的中心部”、“多个写头中的两个写头的中间部”以及“写头的各部分”简称为“写头”；将“读头的中心部”以及“读头的各部分”简称为“读头”。以下，记载为将中间部mc配置在要写入数据的磁道的磁道中心来写入数据。此外，也可以将写头15w1或者写头15w2配置在要写入数据的磁道的磁道中心来写入数据。另外，也可以将中间部mc、写头15w1或者写头15w2配置在要写入数据的磁道的磁道中心以外的路径来写入数据。以下，有时也将写头15w1与写头15w2之间的圆周方向的间隔称为沿磁道间隔(downtrackseparation：dts)。有时也将写头15w1与写头15w2之间的半径方向的间隔称为跨磁道间隔(crosstrackseparation：cts)。[0063]在图5所示的例子中，中间部mc位于基准位置rp0。在将中间部mc配置于基准位置rp0的情况下，写头15w1、中间部mc、写头15w2以及读头15r沿着圆周方向而排列。在该情况下，写头15w1与写头15w2没有在半径方向上偏离。也即是说，将中间部mc定位在基准位置rp0的情况下的跨磁道间隔cp0为0。在将中间部mc配置于基准位置rp0的情况下，写头15w1与读头15r也没有在半径方向上偏离。另外，在将中间部mc配置于基准位置rp0的情况下，写头15w2与读头15r也没有在半径方向上偏离。此外，也可以为，在将中间部mc配置于基准位置rp0的情况下，写头15w1与写头15w2在半径方向上偏离。也可以为，在将中间部mc定位于基准位置rp0的情况下，写头15w1与读头15r在半径方向上偏离。另外，也可以为，在将中间部mc定位于基准位置rp0的情况下，写头15w2与读头15r在半径方向上偏离。[0064]在图5所示的例子中，在将中间部mc配置于基准位置rp0的情况下，写头15w1和写头15w2在圆周方向上以沿磁道间隔sp0而分离。以下，有时也将写头15w1和写头15w2排列于圆周方向的情况下的沿磁道间隔sp0称为基准沿磁道间隔sp0。[0065]图6是示意性地表示本实施方式涉及的两个写头15w1及15w2和读头15r的几何配置的一例的俯视图。图6中仅表示了说明所需的构成。[0066]在图6所示的例子中，中间部mc位于半径位置irp。换言之，头15在比基准位置rp0向内方向上被定位于与偏斜角θ1相当的半径位置。在将中间部mc配置于半径位置irp的情况下，写头15w1、中间部mc、写头15w2以及读头15r相对于通过半径位置irp的直线而以偏斜角θ1向内方向倾斜。在该情况下，写头15w1与写头15w2在半径方向上以跨磁道间隔cp1偏离。跨磁道间隔cp1例如能够基于偏斜角θ1和基准沿磁道间隔sp0来计算。在将中间部mc配置于半径位置irp的情况下，写头15w1与读头15r也在半径方向上偏离。另外，在将中间部mc配置于半径位置irp的情况下，写头15w2与读头15r也在半径方向上偏离。此外，也可以为，在将中间部mc配置于半径位置irp的情况下，写头15w1与读头15r没有在半径方向上偏离。也可以为，在将中间部mc配置于半径位置irp的情况下，写头15w2与读头15r没有在半径方向上偏离。[0067]在图6所示的例子中，在将中间部mc配置于半径位置irp的情况下，写头15w1与写头15w2在圆周方向上以沿磁道间隔sp1而分离。沿磁道间隔sp1例如能够基于偏斜角θ1和基准沿磁道间隔sp0来计算。[0068]此外，在将中间部mc配置于半径位置orp的情况下，也与将中间部mc定位于半径位置irp的情况同样地，写头15w1、中间部mc、写头15w2以及读头15r相对于通过半径位置orp的直线而以预定的偏斜角向外方向倾斜。在该情况下，写头15w1与写头15w2在半径方向上以预定的跨磁道间隔偏离。该跨磁道间隔例如能够基于预定的偏斜角和基准沿磁道间隔sp0来计算。在将中间部mc配置于半径位置orp的情况下，写头15w1与读头15r也在半径方向上偏离。另外，在将中间部mc配置于半径位置orp的情况下，写头15w2与读头15r也在半径方向上偏离。此外，也可以为，在将中间部mc配置于半径位置orp的情况下，写头15w1与读头15r没有在半径方向上偏离。也可以为，在将中间部mc配置于半径位置orp的情况下，写头15w2与读头15r没有在半径方向上偏离。在将中间部mc配置于半径位置orp的情况下，写头15w1与写头15w2在圆周方向上以预定的沿磁道间隔而分离。该沿磁道间隔例如能够基于偏斜角和基准沿磁道间隔sp0来计算。[0069]驱动器ic20按照系统控制器130(详细而言是后述的mpu60)的控制，控制spm12以及vcm14的驱动。[0070]头放大器ic(前置放大器)30具备读取放大器以及写入驱动器。读取放大器将从盘10读取到的读取信号放大，并输出到系统控制器130(详细而言是后述的读/写(r/w)通道(channel)40)。写入驱动器将与从r/w通道40输出的写数据相应的写电流输出到头15。[0071]易失性存储器70是在电力供给断开时会丢失所保存的数据的半导体存储器。易失性存储器70存储在磁盘装置1的各部分的处理所需的数据等。易失性存储器70例如是dram(dynamicrandomaccessmemory，动态随机存取存储器)或者sdram(synchronousdynamicrandomaccessmemory，同步动态随机存取存储器)。[0072]非易失性存储器80是即使电力供给断开也记录所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器80例如是nor型或者nand型的闪速存储器(flashreadonlymemory：from，闪速只读存储器)。[0073]缓冲存储器90是对在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等暂时进行记录的半导体存储器。此外，缓冲存储器90也可以与易失性存储器70一体地构成。缓冲存储器90例如是dram、sram(staticrandomaccessmemory，静态随机存取存储器)、sdram、feram(ferroelectricrandomaccessmemory，铁电随机存取存储器)或者mram(magnetoresistiverandomaccessmemory，磁阻式随机存取存储器)等。[0074]系统控制器(控制器)130例如使用多个元件集成于单一芯片的被称作片上系统(system-on-a-chip：soc)的大规模集成电路(lsi)来实现。系统控制器130包括读/写(r/w)通道40、硬盘控制器(hdc)50以及微处理器(mpu)60。r/w通道40、hdc50以及mpu60分别彼此电连接。系统控制器130例如与驱动器ic20、头放大器ic30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器90以及主机系统100等电连接。[0075]r/w通道40根据来自后述的mpu60的指示，执行从盘10传输到主机100的读数据以及从主机100传输的写数据的信号处理。r/w通道40具有测定读数据的信号品质的电路或者功能。r/w通道40例如与头放大器ic30、hdc50以及mpu60等电连接。[0076]hdc50根据来自后述的mpu60的指示，控制主机100与r/w通道40之间的数据传输。hdc50例如与r/w通道40、mpu60、易失性存储器70、非易失性存储器80以及缓冲存储器90等电连接。[0077]mpu60是控制磁盘装置1的各部分的主控制器。mpu60经由驱动器ic20控制vcm14，执行进行头15的定位的伺服控制。mpu60经由驱动器ic20控制spm12，使盘10旋转。mpu60控制向盘10的数据的写入动作(工作)，并且选择从主机100传输来的写数据的保存目的地。另外，mpu60控制从盘10的数据的读取动作，并且控制从盘10传输到主机100的读数据的处理。mpu60与磁盘装置1的各部分连接。mpu60例如与驱动器ic20、r/w通道40以及hdc50等电连接。[0078]mpu60包括修正值算出部610以及写入控制部620。mpu60在固件上执行它们各部分、例如修正值算出部610以及写入控制部620等的处理。此外，mpu60也可以具备它们各部分、例如修正值算出部610以及写入控制部620作为电路。[0079]修正值算出部610计算对由与预定的写头15w不同的其他的写头15w将数据(以下，称为覆写数据)覆写于由该预定的写头15w写入到半径区域的数据(以下，称为基础数据)的定时(timing)(以下，有时也称为覆写定时)进行修正的修正值(以下，称为覆写修正值)。覆写修正值相当于将覆写数据的圆周方向的数据图形(以下，简称为数据图形)、圆周位置或者相位与基础数据的数据图形、圆周位置或者相位在圆周方向上对齐而进行覆写的定时。换言之，覆写修正值相当于使覆写数据的数据图形、圆周位置或者相位与基础数据的数据图形、圆周位置或者相位在圆周方向上一致或者以视作实质上一致的程度的偏离而进行覆写的定时。在此，所谓“将数据进行覆写”，除了当然包括“在至少两个数据中的一个数据的半径方向的宽度(以下，简称为数据宽度)内写入其他数据”，也包括“以视作实质上在至少两个数据中的一个数据的数据宽度内写入了其他数据的程度对该一个数据的一部分重叠写入其他数据”。换言之，所谓“将数据进行覆写”，包括“相对于至少两个数据中的一个数据，不偏离地重叠写入其他数据”。另外，所谓“将数据进行覆写”，除了当然包括“以使至少两个数据中的一个数据位于其他数据的数据宽度内的方式写入其他数据”，也包括“以视作至少两个数据中的一个数据实质上位于其他数据的数据宽度内的程度对该一个数据的一部分重叠写入其他数据”。换言之，所谓“将数据进行覆写”，包括“以使至少两个数据中的一个数据相对于其他数据不偏离地对该一个数据重叠写入其他数据”。以下，为便于说明，有时也将“预定数据的数据图形、圆周位置或者相位与其他数据的数据图形、圆周位置或者相位一致”和“以视作预定数据的数据图形、圆周位置或者相位与其他数据的数据图形、圆周位置或者相位实质上一致的程度偏离”包含在内，记载为“预定数据的数据图形、圆周位置或者相位与其他数据的数据图形、圆周位置或者相位一致”。此外，修正值算出部610在以当前的覆写定时对基础数据覆写了覆写数据时，基础数据的数据图形、圆周位置或者相位与覆写数据的数据图形、圆周位置或者相位一致的情况下，也可以不计算覆写修正值。[0080]“基础数据”例如相当于“在根据指令等执行的写处理中最初写入到盘10的预定位置的数据”。换言之，“基础数据”相当于“预先写入到根据指令等所指定的要写入数据的半径区域的数据”。“覆写数据”例如相当于“对基础数据或者覆写数据进行覆写的数据”。[0081]基础数据相当于用低频的写电流(或者记录磁场)、例如在将最高磁化反转间隔设为1t的情况下15t的频率的写电流(或者记录磁场)写入的数据。覆写数据例如相当于用比写入基础数据时的写电流(或者记录磁场)的频率高的写电流(或者记录磁场)的频率写入的数据。此外，覆写数据也可以是用低于等于写入基础数据时的写电流(或者记录磁场)的频率的写电流(或者记录磁场)的频率写入的数据。[0082]基础数据例如包含有与覆写数据所含的信息相同或者视作实质上相同的信息。例如，将基础数据进行写入或者读取的结果与将覆写数据进行写入或者读取的结果相同或者视作实质上相同。如此，在“基础数据和覆写数据所包含的信息相同或者视作实质上相同”的情况下，有时也记作“基础数据与覆写数据相同”。此外，基础数据也可以包含与覆写数据所含的数据不同的信息。换言之，基础数据与覆写数据不同。[0083]在一例中，修正值算出部610基于沿磁道间隔以及头15的圆周方向的线速度(以下，有时也简称为线速度)，计算覆写修正值。例如，修正值算出部610通过用沿磁道间隔除以线速度(沿磁道间隔/线速度)来计算覆写修正值。线速度例如相当于盘10的旋转速度。以下，有时也将根据沿磁道间隔以及线速度等计算出的覆写修正值称为理论修正值。[0084]在一例中，修正值算出部610基于读取基础数据得到的波形(以下，有时也称为基础数据的读取波形)、以及读取覆写数据得到的波形(以下，称为覆写数据的读取波形)等，计算覆写修正值。以下，有时也将根据基础数据的读取波形以及覆写数据的读取波形等计算出的覆写修正值称为实测修正值。此外，修正值算出部610也可以基于基础数据的读取波形、覆写数据的读取波形、以及沿磁道间隔等，计算实测修正值。[0085]此外，修正值算出部610也可以基于基础数据的读取波形、在基于理论修正值进行修正后的覆写定时对该基础数据进行了覆写的覆写数据的读取波形、以及沿磁道间隔，计算覆写修正值(实测修正值)。以下，既有将理论修正值称为覆写修正值的情况，也有将实测修正值称为覆写修正值的情况，还有将理论修正值以及实测修正值称为覆写修正值的情况。修正值算出部610也可以按每个半径区域、例如每个区(zone)或者每个磁道来计算覆写修正值，并将计算出的与各半径区域对应的覆写修正值作为表(table)保存于预定的记录区域、例如盘10的介质高速缓存10m或者非易失性存储器80。[0086]写入控制部620控制数据的写处理。写入控制部620执行由与预定的写头15w不同的其他的写头15w将覆写数据覆写于由该预定的写头15w写入到半径区域的基础数据的处理(以下，有时也称为覆写处理)。例如，写入控制部620在刚刚由预定的写头15w在半径区域写入了基础数据后，由其他的写头15w将覆写数据覆写于该基础数据。换言之，写入控制部620接着由预定的写头15w写入的基础数据而由其他的写头15w将覆写数据覆写于该基础数据。此外，写入控制部620也可以接着由其他的写头15w覆写于基础数据的覆写数据(以下，有时也称为第1覆写数据)，进一步由其他的写头15w将覆写数据(以下，有时也称为第2覆写数据)覆写于第1覆写数据。如此，通过进一步对第1覆写数据覆写第2覆写数据，第2覆写数据的记录品质能够提高。[0087]写入控制部620在半径区域中执行覆写处理时，判定是否调整(或者修正)当前的覆写定时。当在半径区域中执行覆写处理时判定为要调整当前的覆写定时的情况下，写入控制部620从预定的记录区域、例如盘10的介质高速缓存10m或者非易失性存储器80取得与该半径区域对应的覆写修正值，基于覆写修正值来调整当前的覆写定时，并在基于覆写修正值调整出的覆写定时执行覆写处理。写入控制部620例如在半径区域中以当前的覆写定时将覆写数据覆写于基础数据时，判定为基础数据的数据图形与基于当前的覆写定时写入的覆写数据的数据图形不一致的情况下，判定为要调整覆写定时。在一例中，写入控制部620在半径区域中执行覆写处理时，在取得了与该半径区域对应的覆写修正值的情况下，判定为要调整覆写定时。[0088]当在半径区域中执行覆写处理时判定为不调整当前的覆写定时的情况下，写入控制部620基于当前的覆写定时执行覆写处理。写入控制部620例如在半径区域中以当前的覆写定时将覆写数据覆写于基础数据时，判定为基础数据的数据图形与基于当前的覆写定时写入的覆写数据的数据图形一致的情况下，判定为不调整覆写定时。在一例中，写入控制部620在半径区域中执行覆写处理时，在无法取得与该半径区域对应的覆写修正值的情况下，判定为不调整覆写定时。[0089]例如，写入控制部620在刚刚由写头15w1对该半径区域写入了基础数据后，由写头15w2将覆写数据覆写于该基础数据时，判定是否调整由写头15w2进行覆写的当前的覆写定时。在判定为要调整由写头15w2将覆写数据覆写于在半径区域中由写头15w1写入的基础数据的当前的覆写定时的情况下，写入控制部620在基于与该半径区域对应的覆写修正值调整出的覆写定时，将覆写数据覆写于该基础数据。[0090]在一例中，写入控制部620在刚刚由写头15w1在该半径区域写入了基础数据后，由写头15w2将覆写数据覆写于该基础数据时，判定是否调整由写头15w2进行覆写的当前的覆写定时。在判定为要调整由写头15w2将覆写数据覆写于在半径区域中由写头15w1写入的基础数据的当前的覆写定时的情况下，写入控制部620在从由写头15w1写入了基础数据的定时(以下，称为基础定时)起延迟与覆写修正值、例如沿磁道间隔相应的时间后的覆写定时，将覆写数据覆写于该基础数据。[0091]写入控制部620执行瓦记录。例如，写入控制部620根据将头15进行了定位的半径区域或者半径位置，变更(或者设定)瓦记录方向而执行瓦记录。换言之，写入控制部620根据头15的偏斜角，变更瓦记录方向而执行瓦记录。写入控制部620在半径区域、例如预定的区、预定的带区域或者预定的磁道上，沿预定的瓦记录方向执行瓦记录，以使得能够读取地剩下对基础数据覆写有覆写数据的区域(以下，有时也称为覆写区域)。换言之，写入控制部620在预定的带区域中，沿预定的磁道的预定的瓦记录方向重叠写入其他磁道，以使得将该预定的磁道的覆写区域的至少一部分作为读磁道剩下。此外，写入控制部620也可以在预定的带区域中，沿预定的磁道的预定的瓦记录方向重叠写入其他磁道，以使得将该预定的磁道的覆写区域覆盖。换言之，写入控制部620也可以在预定的带区域中，沿预定的磁道的预定的瓦记录方向重叠写入其他磁道，以使得该预定的磁道的覆写区域不作为读磁道剩下。[0092]以下，在头15、头放大器ic30、系统控制器130(r/w通道40、hdc50、以及mpu60等)、易失性存储器70、非易失性存储器80以及缓冲存储器90等中，将执行读处理的系统称为读系统，将执行写处理的系统称为写系统。[0093]图7是表示本实施方式涉及的读/写系统的构成例的框图。[0094]头放大器ic30作为读系统而具有前置放大器(读取放大器)311。前置放大器311将由读头15r从盘10读取到的读数据的读取信号放大。[0095]头放大器ic30作为写系统而具有驱动器(写入驱动器)321以及驱动器(写入驱动器)322。驱动器321例如包括写电流生成电路3211。写电流生成电路3211例如生成与写数据或者对应于写数据的写信号相应的写电流。驱动器322例如包括写电流生成电路3221。写电流生成电路3221例如根据写数据或者对应于写数据的写信号来生成写电流。此外，在图7所示的例子中，虽然表示为头放大器ic30具有两个驱动器321、322(或者两个写电流生成电路3211、3221)，但是根据写头15w所包含的写头的数量，也可以仅具有一个驱动器，还可以具有3个以上的驱动器。[0096]r/w通道40作为读系统而具有输入电路411和解码器412。输入电路411例如对读数据执行信号处理。解码器412例如对读数据执行译码(解码)处理。[0097]r/w通道40作为写系统而具有编码器421、编码器422、延迟(delay)电路423、驱动器(写入驱动器)424和驱动器(写入驱动器)425。编码器421及422分别对写数据wdata执行编码处理。编码器421及422根据信号dsel对写数据执行编码处理，或者输出执行了编码处理的写数据(以下，有时也称为编码数据)。通过根据信号dsel对写数据执行编码处理或者输出编码数据，编码器421及422能够输出信号频率彼此同步了的编码数据。延迟电路423基于延迟信号(或者，与覆写修正值对应的信号)delay生成使信号的频率延迟了的编码数据(以下，有时也称为延迟数据)。换言之，延迟电路423基于延迟信号delay，生成将定时错开了的编码数据(延迟数据)。驱动器424例如具有写信号生成电路4241。写信号生成电路4241例如生成对写数据(编码数据、以及延迟数据)执行了用于生成写电流的信号处理后的写数据(以下，有时也称为写电流数据)、或者用于生成与写数据(编码数据、以及延迟数据)对应的写电流的写信号(以下，有时也称为写电流信号)。驱动器425例如具有写信号生成电路4251。写信号生成电路4251例如生成对写数据(编码数据、以及延迟数据)执行了用于生成写电流的信号处理后的写电流数据、或者与写数据(编码数据、以及延迟数据)对应的写电流信号。[0098]在读系统中，读头15r例如在盘10的预定位置读取由写头15w1写入的基础数据、和由写头15w2覆写于该基础数据的覆写数据。读头15r既可以同时在盘10的预定位置读取由写头15w1写入的基础数据、和由写头15w2覆写于该基础数据的覆写数据，也可以分别读取。读头15r将读取到的基础数据(以下，有时也称为基础读数据)、和被覆写于该基础数据的覆写数据(以下，有时也称为覆写读数据)输出到前置放大器311。前置放大器311将从读头15r输入的基础读数据以及覆写读数据放大并输出到输入电路411。输入电路411对从前置放大器311输入的基础读数据以及覆写读数据执行信号处理，并输出到解码器412。解码器412对从输入电路411输入的基础读数据以及覆写读数据执行译码处理，并输出到hdc50和mpu60中的至少一个。hdc50或者mpu60例如被输入执行了译码处理的基础读数据(以下，有时也称为基础译码数据)rdata和执行了译码处理的覆写读数据(以下，有时也称为覆写译码数据)rdata。hdc50或者mpu60也可以将基础译码数据以及覆写译码数据按每个磁道或者每个区作为表记录于预定的记录区域、例如易失性存储器70、非易失性存储器80、或者介质高速缓存区域10m等。[0099]在写系统中，hdc50或者mpu60基于基础译码数据以及覆写译码数据，生成(计算)覆写修正值(延迟信号)delay。hdc50或者mpu60将从主机100等输入的写数据wdata和信号dsel输出到编码器421以及422。编码器421对从hdc50或者mpu60输入的写数据wdata执行编码处理，并根据信号dsel将编码数据输出到驱动器424和延迟电路423中的至少一个。编码器422对从hdc50或者mpu60输入的写数据wdata执行编码处理，并根据信号dsel将编码数据输出到延迟电路423。延迟电路423使从编码器421或者422输入的编码数据的信号的频率延迟，并将使信号的频率延迟后的延迟数据输出到驱动器425。在驱动器424中，写信号生成电路4241生成与从编码器421输入的编码数据对应的写电流信号，并将生成的写电流信号输出到驱动器321。在驱动器425中，写信号生成电路4251生成与从延迟电路423输入的延迟数据对应的写电流信号，并将生成的写电流信号输出到驱动器322。在驱动器321中，写电流生成电路3211根据从驱动器424输入的写电流信号来生成写电流，并将生成的写电流输出到写头15w1。在驱动器322中，写电流生成电路3221根据从驱动器425输入的写电流信号来生成写电流，并将生成的写电流输出到写头15w2。写头15w1将与写电流对应的基础数据写入到盘10的预定位置。写头15w2在刚刚由写头15w1写入了基础数据后，将与写电流对应的覆写数据覆写于由写头15w1写入的基础数据。[0100]图8是表示本实施方式涉及的覆写修正值的计算处理的一例的时间图。图8中表示了servomark(伺服标记)、writegate(写选通)、writedata(写数据)、read_15w1和read_15w2。servomark表示了读取到预定磁道的预定的伺服扇区ss的伺服标记的定时。writegate表示了写选通的上升及下降的定时。writedata表示了读取到写数据的同步标记(datasyncmark)的定时。read_15w2表示了在预定的磁道上从读取到伺服标记起以预定的时间差读取到由写头15w2写入的数据、例如覆写数据的定时。read_15w1表示了在预定的磁道上从读取到伺服标记起以与由写头15w2要写入数据的时间差相同或者实质上相同的时间差读取到由写头15w1写入的数据、例如基础数据的定时。在图8中，横轴表示时间，时间随着朝箭头的顶端移动而经过。图8的横轴上表示了定时t1、t2、t3、t4、t5以及t6。定时t1相当于伺服标记的上升定时。定时t2相当于伺服标记的下降定时。定时t3相当于写选通的上升定时和开始了数据同步标记的读取的定时。定时t4相当于read_15w2的上升定时。定时t5相当于read_15w2的下降定时和read_15w1的上升定时。定时t6相当于read_15w1的下降定时。图8中表示了定时t4及t5的差量值ctv。[0101]在图8所示的例子中，修正值算出部610取得读取到预定磁道的预定的伺服扇区ss的伺服标记的定时t1，并取得在读取到该伺服标记后在该伺服扇区ss的沿读取/写入方向接着的数据部读取到由写头15w2写入的数据、例如覆写数据的定时t4，根据定时t1及t4，计算时间差dt1。修正值算出部610取得读取到预定磁道的预定的伺服扇区ss的伺服标记的定时t1，并取得在读取到该伺服标记后在该伺服扇区ss的沿读取/写入方向接着的数据部读取到由写头15w1写入的数据、例如基础数据的定时t5，根据定时t1及t5，计算时间差dt2。修正值算出部610例如基于沿磁道间隔以及线速度，计算对时间差dt1及dt2的差量值ctv进行修正的覆写修正值(理论修正值)。此外，修正值算出部610也可以基于时间差dt1及dt2计算覆写修正值。[0102]以下，参照图9、图10、图11、图12、图13以及图14，对覆写修正值的计算处理的一例进行说明。[0103]图9是表示本实施方式涉及的覆写修正值的计算处理的一例的图。图9中表示了将头15定位于内周区域ir而由写头15w1写入的数据、例如基础数据bsd和由写头15w2写入的数据、例如覆写数据owd的一例。在图9中，基础数据bsd的数据图形dp1与覆写数据owd的数据图形dp2例如在圆周方向上具有相同或者实质上相同的周期的图形。基础数据bsd的半径方向的宽度(以下，称为基础数据宽度)比覆写数据owd的半径方向的宽度(以下，称为覆写数据宽度)小。在图9中，数据图形dp1以及数据图形dp2在读取/写入方向上彼此偏离与1/2相位(π)相当的距离dd1。另外，图9中表示了读头15r。[0104]在图9所示的例子中，修正值算出部610将读头15r的中心部rc定位在基础数据bsd以及覆写数据owd的边界位置bd，读取基础数据bsd以及覆写数据owd。修正值算出部610也可以基于与数据图形dp1以及dp2的偏离相当的距离dd1来计算覆写修正值。[0105]图10是表示与图9所示的由写头15w1写入的基础数据bsd对应的读取波形rw1、与由写头15w2写入的覆写数据owd对应的读取波形rw2、和将读取波形rw1以及读取波形rw2重合得到的波形rw3的一例的图。在图10中，纵轴表示读取波形的输出值(读取波形的振幅)。图10的纵轴为，随着向正的箭头方向前进，正值增大，随着向负的箭头方向前进，负值减小。图10的纵轴上表示了输出值-2a、输出值-a、原点(0)、输出值a和输出值2a。在此，-2a<-a<0<a<2a。-2a的绝对值与2a的绝对值相同，-a的绝对值与a的绝对值相同。在图10中，横轴表示时间。图10中表示了由读头15r读取图9所示的由写头15w1在预定磁道写入的数据、例如基础数据bsd得到的读取波形rw1；和由读头15r读取图9所示的由写头15w2在预定磁道写入的数据、例如覆写数据owd得到的读取波形rw2。另外，图10中表示了将读取波形rw1以及读取波形rw2重合得到的波形rw3。如图10所示，在数据图形dp1及dp2偏离的状态下不调整覆写定时而执行了覆写处理的情况下，波形rw3的振幅成为0。因此，计算覆写修正值以使得成为将读取波形rw1以及rw2重合得到的波形的最大振幅的绝对值大于振幅a的振幅。[0106]在图10所示的例子中，修正值算出部610基于与图9所示的数据图形dp1的读取波形rw1和图9所示的数据图形dp2的读取波形rw2的相位差(π)相当的时间差tp1，计算覆写修正值。[0107]图11是表示本实施方式涉及的覆写修正值的计算处理的一例的图。图11中表示了将头15定位在内周区域ir而由写头15w1写入的基础数据bsd和由写头15w2写入的覆写数据owd的一例。在图11中，基础数据bsd的数据图形dp1与覆写数据owd的数据图形dp2在读取/写入方向上彼此偏离与1/4相位(π/2)相当的距离dd2。[0108]在图11所示的例子中，修正值算出部610将读头15r的中心部rc定位在基础数据bsd以及覆写数据owd的边界位置bd，读取基础数据bsd以及覆写数据owd。修正值算出部610也可以基于与数据图形dp1及dp2的偏离相当的距离dd2来计算覆写修正值。[0109]图12是表示与图11所示的由写头15w1写入的基础数据bsd对应的读取波形rw1、与由写头15w2写入的覆写数据owd对应的读取波形rw2、和将读取波形rw1以及读取波形rw2重合得到的波形rw3的一例的图。在图12中，纵轴表示读取波形的输出值(读取波形的振幅)。图12的纵轴为，随着向正的箭头方向前进，正值增大，随着向负的箭头方向前进，负值减小。图12的纵轴上表示了输出值-2a、输出值-1.3a、输出值-a、原点(0)、输出值a、输出值1.3a和输出值2a。在此，-2a<-1.3a<-a<0<a<1.3a<2a。-1.3a的绝对值与1.3a的绝对值相同。在图12中，横轴表示时间。图12中表示了由读头15r读取图11所示的由写头15w1在预定磁道写入的基础数据bsd得到的读取波形rw1、和由读头15r读取图11所示的由写头15w2在预定磁道写入的覆写数据owd得到的读取波形rw2。另外，图12中表示了将读取波形rw1以及读取波形rw2重合得到的波形rw3。如图12所示，在数据图形dp1及dp2偏离的状态下不调整覆写定时而执行了覆写处理的情况下，波形rw3的最大振幅的绝对值成为1.3a。因此，计算覆写修正值以使得成为将读取波形rw1以及rw2重合得到的波形的最大振幅的绝对值大于1.3a的振幅。此外，由于波形rw3的最大振幅的绝对值大于a，因此也可以不计算覆写修正值。[0110]在图12所示的例子中，修正值算出部610基于与图11所示的数据图形dp1的读取波形rw1和图11所示的数据图形dp2的读取波形rw2的相位差(π/2)相当的时间差tp2，计算覆写修正值。此外，由于波形rw3的最大振幅的绝对值大于a，因此修正值算出部610也可以不计算覆写修正值。[0111]图13是表示本实施方式涉及的覆写修正值的计算处理的一例的图。图13中表示了将头15定位在内周区域ir而由写头15w1写入的数据、例如基础数据bsd和由写头15w2写入的数据、例如覆写数据owd的一例。在图13中，基础数据bsd的数据图形dp1与覆写数据owd的数据图形dp2在读取/写入方向上一致。换言之，数据图形dp1以及dp2在读取/写入方向上没有偏离。[0112]在图13所示的例子中，修正值算出部610将读头15r的中心部rc定位在基础数据bsd以及覆写数据owd的边界位置bd，读取基础数据bsd以及覆写数据owd。由于数据图形dp1及dp2一致，因此修正值算出部610也可以不计算覆写修正值。[0113]图14是表示与图13所示的由写头15w1写入的基础数据bsd对应的读取波形rw1、与由写头15w2写入的覆写数据owd对应的读取波形rw2、和将读取波形rw1以及读取波形rw2重合得到的波形rw3的一例的图。在图14中，纵轴表示读取波形的输出值(读取波形的振幅)。图14的纵轴为，随着向正的箭头方向前进，正值增大，随着向负的箭头方向前进，负值减小。在图14中，横轴表示时间。图14中表示了由读头15r读取图13所示的由写头15w1在预定磁道写入的基础数据bsd得到的读取波形rw1、和由读头15r读取图13所示的由写头15w2在预定磁道写入的覆写数据owd得到的读取波形rw2。另外，图14中表示了将读取波形rw1以及读取波形rw2重合得到的波形rw3。如图14所示，在数据图形dp1及dp2一致的状态下执行了覆写处理的情况下，波形rw3的最大振幅的绝对值成为2a。因此，在如图14所示那样数据图形dp1以及dp2一致的情况下，也可以不计算覆写修正值。[0114]在图14所示的例子中，由于图13所示的数据图形dp1的读取波形rw1与图13所示的数据图形dp2一致，因此修正值算出部610不计算覆写修正值。[0115]图15是表示将头15定位在中周区域mr的情况下的覆写处理的一例的图。图15中表示了将头15定位在中周区域mr的半径位置rp0而进行了写入的磁道mtrn。磁道mtrn对基础数据bsd覆写有覆写数据owd。在图15中，基础数据bsd的半径方向的宽度(以下，简称为基础数据bsd的宽度)比覆写数据owd的半径方向的宽度(以下，简称为覆写数据owd的宽度)小。在图15中，覆写数据owd的宽度相当于磁道mtrn的磁道宽度。磁道mtrn包括覆写区域owr、和覆写区域owr以外的区域(以下，称为非覆写区域)nowr。非覆写区域nowr相当于没有对基础数据bsd覆写覆写数据owd的区域，例如相当于被写入了基础数据bsd或者覆写数据owd的区域。在图15所示的磁道mtrn中，覆写区域owr在半径方向上位于中央部，非覆写区域nowr在半径方向上位于覆写区域owr的内方向以及外方向。[0116]在图15所示的例子中，写入控制部620在中周区域mr内将中间部mc定位于半径位置rp0，对磁道mtrn进行写入。在图15所示的例子中，写入控制部620由写头15w1将基础数据bsd写入到磁道mtrn的磁道宽度的中央部，并在由写头15w1写入基础数据bsd后，在基于覆写修正值调整出的覆写定时，由写头15w2将覆写数据owd覆写于基础数据bsd，从而对磁道mtrn进行写入。[0117]图16是表示在中周区域mr进行了写入的带区域mbr的一例的图。图16中表示了带区域mbr。带区域mbr包括磁道mtr11、磁道mtr12以及磁道mtr13。磁道mtr12与磁道mtr11的一部分重叠地写入。磁道mtr13与磁道mtr12的一部分重叠地写入。磁道mtr11包括覆写区域owr11和非覆写区域nowr11。磁道mrt12包括覆写区域owr12和非覆写区域nowr12。磁道mrt13包括覆写区域owr13和非覆写区域nowr13。[0118]在图16所示的例子中，写入控制部620在中周区域mr内以图15所示的头15的状态将外方向作为瓦记录方向来对磁道mtr11、mtr12以及mtr13进行重叠写入。在图16所示的例子中，写入控制部620在中周区域mr内将覆写区域owr11的一部分、覆写区域owr12的一部分以及覆写区域owr13的一部分作为读磁道剩下，而对磁道mtr11、mtr12以及mtr13进行重叠写入。此外，在图16中，写入控制部620在中周区域mr内也可以将内方向作为瓦记录方向来对磁道mtr11、mtr12以及mtr13进行重叠写入。写入控制部620在中周区域mr中对磁道mtr11、mtr12以及mtr13沿内方向重叠写入，也能够与对磁道mtr11、mtr12以及mtr13沿外方向重叠写入的情况同样地，将覆写区域owr11的一部分、覆写区域owr12的一部分以及覆写区域owr13的一部分作为读磁道剩下，而对磁道mtr11、mtr12以及mtr13进行重叠写入。[0119]图17是表示将头15定位在外周区域or的情况下的覆写处理的一例的图。图17中表示了将头15定位在外周区域or的半径位置orp而进行了写入的磁道otrn。在图17中，头15向外方向以预定的偏斜角倾斜。磁道otrn对基础数据bsd覆写有覆写数据owd。在图17中，基础数据bsd的宽度比覆写数据owd的宽度大。在图17中，覆写数据owd的宽度相当于磁道otrn的宽度。磁道otrn包括覆写区域owr和非覆写区域nowr。在图17所示的磁道otrn中，覆写区域owr在半径方向上位于内方向的端部，非覆写区域nowr在半径方向上位于覆写区域owr的外方向。[0120]在图17所示的例子中，写入控制部620在外周区域or内将中间部mc定位于半径位置orp，对磁道otrn进行写入。在图17所示的例子中，写入控制部620由写头15w1将基础数据bsd写入到磁道otrn的磁道宽度的内方向的端部，并在由写头15w1写入基础数据bsd后，在基于覆写修正值调整出的覆写定时，由写头15w2将覆写数据owd覆写于基础数据bsd，从而对磁道otrn进行写入。[0121]图18是表示在外周区域or进行了写入的带区域obr的一例的图。图18中表示了带区域obr。带区域obr包括磁道otr11、磁道otr12以及磁道otr13。磁道otr12与磁道otr11的一部分重叠地写入。磁道otr13与磁道otr12的一部分重叠地写入。磁道otr11包括覆写区域owr21和非覆写区域nowr21。磁道otr12包括覆写区域owr22和非覆写区域nowr22。磁道otr13包括覆写区域owr23和非覆写区域nowr23。[0122]在图18所示的例子中，写入控制部620在外周区域or内以图17所示的头15的状态将外方向作为瓦记录方向来对磁道otr11、otr12以及otr13进行重叠写入。在图18所示的例子中，写入控制部620在外周区域or内将覆写区域owr21、覆写区域owr22以及覆写区域owr23作为读磁道剩下，而对磁道otr11、otr12以及otr13进行重叠写入。此外，在图18中，写入控制部620在外周区域or内也可以将内方向作为瓦记录方向来对磁道otr11、otr12以及otr13进行重叠写入。例如，写入控制部620在外周区域or中对磁道otr11、otr12以及otr13沿内方向进行了重叠写入的情况下，可以在覆写区域oer21对磁道otr12进行重叠写入，在覆写区域oer22对磁道otr13进行覆写。[0123]图19是表示将头15定位在内周区域ir的情况下的覆写处理的一例的图。图19中表示了将头15定位在内周区域ir的半径位置irp而进行了写入的磁道itrn。在图19中，头15向内方向以预定的偏斜角倾斜。磁道itrn包括覆写区域owr和非覆写区域nowr。在图19所示的磁道itrn中，覆写区域owr在半径方向上位于外方向的端部，非覆写区域nowr在半径方向上位于覆写区域owr的内方向。[0124]在图19所示的例子中，写入控制部620在内周区域ir内将中间部mc定位于半径位置irp，对磁道itrn进行写入。在图19所示的例子中，写入控制部620由写头15w1将基础数据bsd写入到磁道itrn的磁道宽度的外方向的端部，并在由写头15w1写入基础数据bsd后，在基于覆写修正值调整出的覆写定时，由写头15w2将覆写数据owd覆写于基础数据bsd，从而对磁道itrn进行写入。[0125]图20是表示在内周区域ir进行了写入的带区域ibr的一例的图。图20中表示了带区域ibr。带区域ibr包括磁道itr11、磁道itr12以及磁道itr13。磁道itr12与磁道itr11的一部分重叠地写入。磁道itr13与磁道itr12的一部分重叠地写入。磁道itr11包括覆写区域owr31和非覆写区域nowr31。磁道itr12包括覆写区域owr32和非覆写区域nowr32。磁道itr13包括覆写区域owr33和非覆写区域nowr33。[0126]在图20所示的例子中，写入控制部620在内周区域ir内以图19所示的头15的状态将内方向作为瓦记录方向来对磁道itr11、itr12以及itr13进行重叠写入。在图20所示的例子中，写入控制部620在内周区域ir内将覆写区域owr31、覆写区域owr32以及覆写区域owr33作为读磁道剩下，而对磁道itr11、itr12以及itr13进行重叠写入。此外，在图19中，写入控制部620在内周区域ir内也可以将外方向作为瓦记录方向来对磁道itr11、itr12以及itr13进行重叠写入。例如，写入控制部620在内周区域ir中对磁道itr11、itr12以及itr13沿外方向进行了重叠写入的情况下，可以在覆写区域owr31对磁道itr12进行重叠写入，在覆写区域owr32对磁道itr13进行重叠写入。[0127]图21是表示在以预定的记录磁场的频率将覆写数据写入于以预定的记录磁场的频率所写入的基础数据的情况下的重写(ow)与扇区错误率(ser)的对数值之间的关系的一例的图。在图21中，横轴表示重写特性(以下，有时也简称为overwrite(ow))[分贝：db]，纵轴表示扇区错误率(以下，有时也称为ser)的对数值。ow相当于在对写入到预定的记录区域、例如分区、磁道或者扇区的预定的数据(以下，有时也称为前数据)覆写或者重叠写入其他数据(以下，有时也称为后数据)的情况下的前数据的衰减率。ser通过对在读取将数据进行了写入的盘10的预定的区域、例如预定磁道的至少一个扇区时产生了错误的扇区的数量除以对该磁道的至少一个扇区进行了读取的扇区数量来计算。写入到盘10的预定区域的数据的ser越低，则视作写入到该区域的数据的记录品质越高，写入到该区域的数据的ser越高，则写入到该区域的数据的记录品质越低。在图21的横轴上，ow随着向箭头的顶端前进而增大。图21的横轴上表示了ow101及102。ow102比ow101大。在图21的纵轴上，ser的对数值随着向箭头的顶端前进而增大。图21的纵轴上表示了ser的对数值er1及er2。ser的对数值er2比ser的对数值er1大。[0128]在图21所示的例子中，以预定的记录磁场的频率将覆写数据写入在了以预定的记录磁场的频率所写入的基础数据。在该情况下，如图21所示，在由从ow101到ow102的范围、且从ser的对数值er1到ser的对数值er2的范围所包围的区域err内，ser的对数值的最大值相当于ser的对数值er2。[0129]图22是表示在将覆写数据写入于以比写入覆写数据时的记录磁场的频率低的记录磁场的频率所写入的基础数据的情况下的重写(ow)与扇区错误率(ser)的对数值之间的关系的一例的图。在图22中，横轴表示ow[分贝：db]，纵轴表示ser的对数值。在图22的横轴上，ow随着向箭头的顶端前进而增大。图22的横轴上表示了ow101及102。在图22的纵轴上，ser的对数值随着向箭头的顶端前进而增大。图22的纵轴上表示了ser的对数值er1及er2。[0130]在图22所示的例子中，将覆写数据写入在了以比写入覆写数据时的记录磁场的频率低的记录磁场的频率所写入的基础数据。在该情况下，图22中的区域err的ser的对数值的最大值比图21中的区域err的ser的对数值的最大值低。也即是说，至少在ow101至102的范围内，相比于如图21所示的例子那样以预定的记录磁场的频率将覆写数据写入于以预定的记录磁场的频率所写入的基础数据，如图22所示的例子那样将覆写数据写入于以比写入覆写数据时的记录磁场的频率低的记录磁场的频率所写入的基础数据，更能够提高记录品质。[0131]图23是表示本实施方式涉及的写处理方法的一例的流程图。[0132]系统控制器130在对半径区域执行覆写处理的情况下，判定是否调整当前的覆写定时(b2301)。在判定为要调整当前的覆写定时的情况下(b2301：是)，系统控制器130基于覆写修正值调整当前的覆写定时(b2302)，并将覆写数据覆写于基础数据(b2303)。例如，系统控制器130将当前的覆写定时调整为从基础定时延迟与覆写修正值相当的量后的覆写定时，在延迟了与覆写修正值相当的量的覆写定时将覆写数据覆写于基础数据。系统控制器130根据半径位置(或者偏斜角)设定瓦记录方向，沿所设定的瓦记录方向分别对进行了覆写的多个磁道进行瓦记录(b2304)，并结束处理。例如，系统控制器130根据半径位置(或者偏斜角)在半径方向上将能够对多个磁道进行重叠写入以使得覆写区域作为读磁道剩下的方向设定为瓦记录方向，沿所设定的瓦记录方向分别对进行了覆写的多个磁道进行瓦记录。在判定为不调整覆写定时的情况下(b2301：否)，系统控制器130将覆写数据覆写于基础数据(b2303)，根据半径位置(或者偏斜角)设定瓦记录方向(b2304)，并结束处理。例如，系统控制器130在当前的覆写定时将覆写数据覆写于基础数据。[0133]根据本实施方式，磁盘装置1在一个头15上具备多个写头15w、例如写头15w1及写头15w2。例如，写头15w1比写头15w2小。磁盘装置1判定是否调整当前的覆写定时。在判定为要调整当前的覆写定时的情况下，磁盘装置1基于覆写修正值调整当前的覆写定时。磁盘装置1由写头15w1在半径区域写入基础数据，并在由写头15w1写入基础数据后，在基于与半径区域对应的覆写修正值调整出的覆写定时，由写头15w2将覆写数据覆写于该基础数据。磁盘装置1根据半径位置设定瓦记录方向，沿所设定的瓦记录方向分别对进行了覆写的多个磁道进行瓦记录。通过这样对盘10写入数据，磁盘装置1能够改善写入到盘10的数据的记录品质。因此，磁盘装置1能够提高数据的可靠性。[0134]接着，对变形例涉及的磁盘装置进行说明。在变形例中，对与前述的实施方式相同的部分赋予相同的标号并省略其详细说明。[0135](变形例1)[0136]变形例1的磁盘装置1与第1实施方式的磁盘装置1的不同之处在于，写头15w的构成不同。[0137]图24是示意性地表示变形例1涉及的两个写头15w1及15w2和读头15r的几何配置的一例的俯视图。图24中仅表示了说明所需的构成。图24中表示了写头15w1、写头15w2以及读头15r。[0138]在图24所示的例子中，写头15w2的宽度ww2比写头15w1的宽度ww1小。换言之，写头15w2比写头15w1小。[0139]图25是表示将头15定位在中周区域mr的情况下的覆写处理的一例的图。图25中表示了将头15定位在中周区域mr的半径位置rp0而进行了写入的磁道mtrm。磁道mtrm对基础数据bsd覆写有覆写数据owd。在图25中，基础数据bsd的宽度比覆写数据owd的宽度大。在图25中，基础数据bsd的宽度相当于磁道mtrm的磁道宽度。磁道mtrm包括覆写区域owr和非覆写区域nowr。在图25所示的磁道mtrm中，覆写区域owr在半径方向上位于中央部，非覆写区域nowr在半径方向上位于覆写区域owr的内方向以及外方向。[0140]在图25所示的例子中，写入控制部620在中周区域mr内将中间部mc定位于半径位置rp0，对磁道mtrm进行写入。在图25所示的例子中，写入控制部620由写头15w1写入基础数据bsd，并在由写头15w1写入基础数据bsd后，在基于覆写修正值调整出的覆写定时，由写头15w2将覆写数据owd覆写于基础数据bsd的宽度的中央部，从而对磁道mtrm进行写入。例如，写入控制部620如图16所示那样在中周区域mr内执行瓦记录。[0141]图26是表示将头15定位在外周区域or的情况下的覆写处理的一例的图。图26中表示了将头15定位在外周区域or的半径位置orp而进行了写入的磁道otrm。在图26中，头15向外方向以预定的偏斜角倾斜。磁道otrm对基础数据bsd覆写有覆写数据owd。在图26中，基础数据bsd的宽度比覆写数据owd的宽度大。在图26中，基础数据bsd的宽度相当于磁道otrm的磁道宽度。磁道otrm包括覆写区域owr和非覆写区域nowr。在图26所示的磁道otrm中，覆写区域owr在半径方向上位于外方向的端部，非覆写区域nowr在半径方向上位于覆写区域owr的内方向。[0142]在图26所示的例子中，写入控制部620在外周区域or内将中间部mc定位于半径位置orp，对磁道otrm进行写入。在图26所示的例子中，写入控制部620由写头15w1写入基础数据bsd，并在由写头15w1写入基础数据bsd后，在基于覆写修正值调整出的覆写定时，由写头15w2将覆写数据owd覆写于基础数据bsd的宽度的外方向的端部，从而对磁道otrm进行写入。[0143]图27是表示在外周区域or进行了写入的带区域obr的一例的图。图27中表示了带区域obr。带区域obr包括磁道otr21、磁道otr22以及磁道otr23。磁道otr22与磁道otr21的一部分重叠地写入。磁道otr23与磁道otr22的一部分重叠地写入。磁道otr21包括覆写区域owr41和非覆写区域nowr41。磁道otr22包括覆写区域owr42和非覆写区域nowr42。磁道otr23包括覆写区域owr43和非覆写区域nowr43。[0144]在图27所示的例子中，写入控制部620在外周区域or内以图26所示的头15的状态将内方向作为瓦记录方向来对磁道otr21、otr22以及otr23进行重叠写入。在图27所示的例子中，写入控制部620在外周区域or内将覆写区域owr41、覆写区域owr42以及覆写区域owr43作为读磁道剩下，而对磁道otr21、otr22以及otr23进行重叠写入。此外，在图27中，写入控制部620在外周区域or内也可以将外方向作为瓦记录方向来对磁道otr21、otr22以及otr23进行重叠写入。例如，写入控制部620在外周区域or中对磁道otr21、otr22以及otr23沿外方向进行了重叠写入的情况下，可以在覆写区域oer41对磁道otr22进行重叠写入，在覆写区域oer42对磁道otr23进行覆写。[0145]图28是表示将头15定位在内周区域ir的情况下的覆写处理的一例的图。图28中表示了将头15定位在内周区域ir的半径位置irp而进行了写入的磁道itrm。在图26中，头15向内方向以预定的偏斜角倾斜。磁道itrm对基础数据bsd覆写有覆写数据owd。在图28中，基础数据bsd的宽度比覆写数据owd的宽度大。在图28中，基础数据bsd的宽度相当于磁道itrm的磁道宽度。磁道itrm包括覆写区域owr和非覆写区域nowr。在图28所示的磁道itrn中，覆写区域owr在半径方向上位于外方向的端部，非覆写区域nowr在半径方向上位于覆写区域owr的内方向。[0146]在图28所示的例子中，写入控制部620在内周区域ir内将中间部mc定位于半径位置irp，对磁道itrm进行写入。在图28所示的例子中，写入控制部620由写头15w1写入基础数据bsd，并在由写头15w1写入基础数据bsd后，在基于覆写修正值调整出的覆写定时，由写头15w2将覆写数据owd覆写于基础数据bsd的宽度的内方向的端部，从而对磁道itrm进行写入。[0147]图29是表示在内周区域ir进行了写入的带区域ibr的一例的图。图29中表示了带区域ibr。带区域ibr包括磁道itr21、磁道itr22以及磁道itr23。磁道itr22与磁道itr21的一部分重叠地写入。磁道itr23与磁道itr22的一部分重叠地写入。磁道itr21包括覆写区域owr51和非覆写区域nowr51。磁道itr22包括覆写区域owr52和非覆写区域nowr52。磁道itr23包括覆写区域owr53和非覆写区域nowr53。[0148]在图29所示的例子中，写入控制部620在内周区域ir内以图28所示的头15的状态将外方向作为瓦记录方向来对磁道itr21、itr22以及itr23进行重叠写入。在图29所示的例子中，写入控制部620在内周区域ir内将覆写区域owr51、覆写区域owr52以及覆写区域owr53作为读磁道剩下，而对磁道itr21、itr22以及itr23进行重叠写入。此外，在图29中，写入控制部620在内周区域ir内也可以将内方向作为瓦记录方向来对磁道itr21、itr22以及itr23进行重叠写入。例如，写入控制部620在内周区域ir中对磁道itr21、itr22以及itr23沿内方向进行了重叠写入的情况下，可以在覆写区域owr51对磁道itr22进行重叠写入，在覆写区域owr52对磁道itr23进行重叠写入。[0149]根据变形例1，磁盘装置1在一个头15上具备多个写头15w、例如写头15w1及写头15w2。例如，写头15w1比写头15w2大。磁盘装置1由写头15w1在半径区域写入基础数据，并在由写头15w1写入基础数据后，在基于与半径区域对应的覆写修正值调整出的覆写定时，由写头15w2将覆写数据覆写于该基础数据。磁盘装置1根据半径位置设定瓦记录方向，在所设定的瓦记录方向对分别进行了覆写的多个磁道进行瓦记录。因此，磁盘装置1能够提高数据的可靠性。[0150](变形例2)[0151]变形例2的磁盘装置1与前述的实施方式以及变形例的磁盘装置1的不同之处在于，并非由瓦记录型式而是由通常的写入型式写入数据。[0152]图30是表示变形例2涉及的磁盘装置1的构成的框图。[0153]盘10在其能够写入数据的区域分配有能够由用户利用的用户数据区域10a、和写系统管理所需的信息的系统区10b。用户数据区域10a与图2所示的瓦记录区域10s同样地，划分有位于内方向的内周区域ir、位于外方向的外周区域or、和位于内周区域ir与外周区域or之间的中周区域mr。[0154]图31是表示在中周区域mr进行了写入的多个磁道mtr11、mtr12以及mtr13的一例的图。在图31中，磁道mtr11、磁道mtr12以及磁道mtr13按它们的顺序朝外方向隔开间隔而配置。[0155]在图31所示的例子中，写入控制部620在中周区域mr内如图15所示那样将磁道mtr11、mtr12以及mtr13在半径方向上隔开间隔来写入。[0156]图32是表示在外周区域or进行了写入的多个磁道otr11、otr12以及otr13的一例的图。在图32中，磁道otr11、otr12以及otr13按它们的顺序朝外方向隔开间隔而配置。[0157]在图32所示的例子中，写入控制部620在外周区域or内如图17所示那样将磁道otr11、otr12以及otr13在半径方向上隔开间隔来写入。[0158]图33是表示在内周区域ir进行了写入的多个磁道itr11、itr12以及itr13的一例的图。在图33中，磁道itr11、itr12以及itr13按它们的顺序朝内方向隔开间隔而配置。[0159]在图33所示的例子中，写入控制部620在内周区域ir内如图19所示那样将磁道itr11、itr12以及itr13在半径方向上隔开间隔来写入。[0160]图34是表示变形例2涉及的写处理方法的一例的流程图。[0161]系统控制器130在半径区域执行覆写处理的情况下，判定是否调整覆写定时(b2301)。在判定为要调整覆写定时的情况下(b2301：是)，系统控制器130基于覆写修正值来调整覆写定时(b2302)，将覆写数据覆写于基础数据(b2303)，并结束处理。在判定为不调整覆写定时的情况下(b2301：否)，系统控制器130将覆写数据覆写于基础数据(b2303)，并结束处理。[0162]根据变形例2，磁盘装置1由写头15w1在半径区域写入基础数据，并在由写头15w1写入基础数据后，在基于与半径区域对应的覆写修正值调整出的覆写定时，由写头15w2将覆写数据覆写于该基础数据。因此，磁盘装置1能够提高数据的可靠性。[0163]说明了几个实施方式，但是这些实施方式是作为例子而提示的，并非意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，在不脱离发明要旨的范围内能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式和/或其变形包含于发明的范围和/或要旨内，并且包含于技术方案中记载的发明及与其等同的范围内。当前第1页1 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技术领域：
：[0002]本发明的实施方式涉及磁盘装置以及写(write，写入)处理方法。
背景技术：
：：[0003]近年来，开发了能够高记录密度地对磁盘(以下，称为盘(disk))写入数据的磁盘装置。在高记录密度地对盘写入数据的情况下，相邻磁道(track)的磁道间距变窄，所以数据的记录品质可能会降低。因此，关于磁盘装置，期望有能够维持记录品质而且能高记录密度地对盘写入数据的技术。例如，存在通过在预定的记录区域内用不同频率的写电流反复写入数据来提高数据的记录品质的技术。技术实现要素：[0004]实施方式提供能够提高数据的可靠性的磁盘装置以及写处理方法。[0005]实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头(head)，其具有向所述盘写入数据的第1写头及第2写头、和从所述盘读取(read，读)数据的读头；以及控制器，其由所述第1写头将写数据写入到所述盘的第1区域，由所述第2写头将所述写数据覆写于在所述第1区域内由所述第1写头写入的所述写数据。附图说明[0006]图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。[0007]图2是表示第1实施方式涉及的相对于盘的头的配置的一例的示意图。[0008]图3是表示扇区(sector)的构成的一例的示意图。[0009]图4是表示被写入了数据的瓦(叠瓦、瓦片)记录区域的一例的示意图。[0010]图5是示意性地表示第1实施方式涉及的两个写头和读头的几何配置的一例的俯视图。[0011]图6是示意性地表示第1实施方式涉及的两个写头和读头的几何配置的一例的俯视图。[0012]图7是表示第1实施方式涉及的读/写系统的构成例的框图。[0013]图8是表示第1实施方式涉及的覆写修正(补正)值的计算处理的一例的时间图(timingchart)。[0014]图9是表示第1实施方式涉及的覆写修正值的计算处理的一例的图。[0015]图10是表示与图9所示的由写头写入的基础(base)数据对应的读取波形、与由写头写入的覆写数据对应的读取波形、和将读取波形以及读取波形重合得到的波形的一例的图。[0016]图11是表示第1实施方式涉及的覆写修正值的计算处理的一例的图。[0017]图12是表示与图11所示的由写头写入的基础数据bsd对应的读取波形、与由写头写入的覆写数据对应的读取波形、和将读取波形以及读取波形重合得到的波形的一例的图。[0018]图13是表示第1实施方式涉及的覆写修正值的计算处理的一例的图。[0019]图14是表示与图13所示的由写头写入的基础数据对应的读取波形、与由写头写入的覆写数据对应的读取波形、和将读取波形以及读取波形重合得到的波形的一例的图。[0020]图15是表示将头定位在中周区域的情况下的覆写处理的一例的图。[0021]图16是表示在中周区域进行了写入的带(band)区域的一例的图。[0022]图17是表示将头定位在外周区域的情况下的覆写处理的一例的图。[0023]图18是表示在外周区域进行了写入的带区域的一例的图。[0024]图19是表示将头定位在内周区域的情况下的覆写处理的一例的图。[0025]图20是表示在内周区域进行了写入的带区域的一例的图。[0026]图21是表示在以预定的记录磁场的频率将覆写数据写入于以预定的记录磁场的频率写入的基础数据的情况下的、重写(ow：overwrite)与扇区错误率的对数值之间的关系的一例的图。[0027]图22是表示在将覆写数据写入于以比写入覆写数据时的记录磁场的频率低的记录磁场的频率写入的基础数据的情况下的、重写与扇区错误率的对数值之间的关系的一例的图。[0028]图23是表示第1实施方式涉及的写处理方法的一例的流程图。[0029]图24是示意性地表示变形例1涉及的两个写头和读头的几何配置的一例的俯视图。[0030]图25是表示将头定位在中周区域的情况下的覆写处理的一例的图。[0031]图26是表示将头定位在外周区域的情况下的覆写处理的一例的图。[0032]图27是表示在外周区域进行了写入的带区域的一例的图。[0033]图28是表示将头定位在内周区域的情况下的覆写处理的一例的图。[0034]图29是表示在内周区域进行了写入的带区域的一例的图。[0035]图30是表示变形例2涉及的磁盘装置的构成的框图。[0036]图31是表示在中周区域进行了写入的多个磁道的一例的图。[0037]图32是表示在外周区域进行了写入的多个磁道的一例的图。[0038]图33是表示在内周区域进行了写入的多个磁道的一例的图。[0039]图34是表示变形例2涉及的写处理方法的一例的流程图。具体实施方式[0040]以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图仅为一例，并非限定发明的范围。[0041](第1实施方式)[0042]图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。[0043]磁盘装置1具备后述的头盘组件(hda：headdiskassembly)、驱动器ic20、头放大器集成电路(以下，有时也称为头放大器ic或者前置放大器)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器(缓冲器)90以及作为单芯片集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(主机)100连接。[0044]hda具有磁盘(以下，称为盘)10、主轴马达(spm)12、搭载着头15的臂(arm)13、以及音圈马达(vcm)14。盘10安装于主轴马达12，通过主轴马达12的驱动而旋转。臂13以及vcm14构成致动器。致动器利用vcm14的驱动，控制搭载于臂13的头15移动到盘10的预定的位置。也可以设置两个或更多数量的盘10以及头15。以下，既有将向磁盘装置1的各部分或者外部设备、例如盘10写入的数据称为写数据的情况，也有将从盘10读取到的数据称为读数据的情况。既有将写数据简称为数据的情况，也有将读数据简称为数据的情况，还有将写数据以及读数据统称为数据的情况。[0045]盘10在其记录区域分配有瓦记录(shingledmagneticrecording：smr)区域10s和介质高速缓存(mediacache)区域10m。以下，将沿着盘10的圆周的方向称为圆周方向(周向)，将与圆周方向交叉的方向称为半径方向(径向)。将盘10的预定的圆周方向的预定的位置称为圆周位置，将盘10的预定的半径方向的预定的位置称为半径位置。另外，有时也将半径位置以及圆周位置统一简称为位置。[0046]瓦记录区域10s记录由主机100请求写入的用户数据等。介质高速缓存区域10m可作为瓦记录区域10s的高速缓存来利用。在瓦记录区域10s中，对磁道的一部分重叠地写入接下来要写的磁道。在此，所谓“将数据重叠写入”，包含“对至少两个数据中的一个数据的一部分重叠其他数据进行写入”。换言之，所谓“将数据重叠写入”，包含“相对于至少两个数据中的一个数据而将其他数据错开并重叠地写入”。因此，瓦记录区域10s的磁道密度(trackperinch：tpi)比没有被重叠写入的记录区域的磁道密度高。在瓦记录区域10s中，分别包括在半径方向上沿一个方向连续地重叠写入的多个磁道的多个磁道群组相互隔开间隔(间隙)而配置。以下，将包括在半径方向上沿一个方向连续地重叠写入的多个磁道的磁道群组称为带区域。带区域包括：在一部分被重叠写入了在半径方向上相邻的磁道(以下，称为相邻磁道)的至少一个磁道、和在最后被重叠写入了的磁道(最终磁道)。最终磁道由于在其一部分没有被重叠写入其他磁道，因此磁道的半径方向的宽度(以下，有时也称为磁道宽度)比在一部分被重叠写入了的磁道宽。此外，在瓦记录区域10s中，也可以并非以瓦记录型式而是以通常的记录型式写入数据。以下，“磁道”以“在盘10的半径方向上划分出的多个区域中的一个区域”、“沿着盘10的圆周方向写入的一圈数据”、“沿着盘10的圆周方向转一圈的路径”、和其他的各种含义来使用。磁道包含多个扇区。“扇区”以“将磁道在圆周方向上划分出的多个区域中的一个区域”、“写入到将磁道在圆周方向上划分出的多个区域中的一个区域的数据”、和其他的各种含义来使用。将磁道的半径方向的宽度称为磁道宽度。既有将预定磁道的预定圆周位置上的磁道宽度的中心位置称为磁道中心(trackcenter)的情况，也有将在预定磁道上通过磁道宽度的中心的路径称为磁道中心的情况。另外，将“被写的磁道”称为“写磁道”。有时也将“除了被重叠写入了相邻磁道的区域之外的剩余的写磁道的区域”称为“读磁道”。另外，既有将“写磁道”简称为“磁道”的情况，也有将“读磁道”简称为“磁道”的情况，还有将“写磁道”以及“读磁道”统一简称为“磁道”的情况。有时也将“写磁道的半径方向的宽度”称为“写磁道宽度”、将“读磁道的半径方向的宽度”称为“读磁道宽度”。有时也将“写磁道宽度”以及“读磁道宽度”统称为“磁道宽度”。[0047]头15将滑块作为主体，具备安装于该滑块的写头15w和读头15r。写头15w对盘10写入数据。例如，写头15w在盘10上对预定的磁道进行写入。写头15w具有多个写头，例如具有两个写头15w1及15w2。写头15w1例如设置在多个写头中距离读头15r最近的位置。写头15w2例如设置在仅次于写头15w1而靠近读头15r的位置。换言之，写头15w1位于读头15r与写头15w2之间。此外，写头15w也可以具有三个以上的写头。以下，既有将一个头15所包含的多个写头、例如写头15w1及15w2中的某一个称为写头15w的情况，也有将两个写头15w1及15w2统称为写头15w的情况。读头15r对记录于盘10的数据进行读取。例如，读头15r对盘10的预定磁道进行读取。[0048]图2是表示本实施方式涉及的相对于盘10的头15的配置的一例的示意图。如图2所示，在半径方向上，将朝向盘10的外周的方向称为外方向(外侧)，将与外方向相反的方向称为内方向(内侧)。另外，如图2所示，在圆周方向上，将盘10旋转的方向称为旋转方向。此外，在图2所示的例子中，旋转方向由逆时针方向表示，但也可以是相反方向(顺时针方向)。在图2中，瓦记录区域10s划分为位于内方向的内周区域ir、位于外方向的外周区域or、以及位于内周区域ir与外周区域or之间的中周区域mr。在图2所示的例子中，表示了半径位置irp、半径位置rp0以及半径位置orp。半径位置irp是比半径位置rp0靠内方向的位置，半径位置orp是比半径位置rp0靠外方向的位置。在图2所示的例子中，半径位置rp0包含于中周区域mr，半径位置orp包含于外周区域or，半径位置irp包含于内周区域ir。此外，半径位置rp0也可以包含于外周区域or，还可以包含于内周区域ir。半径位置irp以及orp分别也可以包含于中周区域mr。在图2所示的例子中，表示了磁道中心iil、磁道中心il0以及磁道中心oil。磁道中心iil比磁道中心il0位于内方向，磁道中心oil比磁道中心il0位于外方向。在图2所示的例子中，磁道中心il0是从中周区域mr的预定磁道的中心通过的路径，磁道中心oil是从外周区域or的预定磁道的中心通过的路径，磁道中心iil是从内周区域ir的预定磁道的中心通过的路径。磁道中心iil、il0以及oil相对于盘10位于同心圆状上。例如，磁道中心iil、il0以及oil位于正圆形上。此外，磁道中心iil、il0以及oil也可以不是圆形，也可以位于在盘10的半径方向上变动的波状上。在图2中，半径位置irp相当于内周区域ir的预定磁道的磁道中心iil，半径位置rp0相当于中周区域mr的预定磁道的磁道中心il0，半径位置orp相当于外周区域or的预定磁道的磁道中心oil。[0049]在头15位于半径位置rp0的情况下，偏斜(skew)角例如成为0°。以下，有时也将半径位置rp0称为基准位置rp0。在头15位于半径位置orp的情况下，偏斜角例如成为正值。随着头15在半径方向上从基准位置rp0向外方向移动，偏斜角的绝对值增大。在头15位于半径位置irp的情况下，偏斜角例如成为负值。随着头15在半径方向上从基准位置rp0向内方向移动，偏斜角的绝对值增大。此外也可以为，在头15位于半径位置orp的情况下，偏斜角为负值。另外也可以为，在头15位于半径位置irp的情况下，偏斜角为正值。[0050]盘10具有多个伺服数据区域sv。以下，有时也将伺服数据区域sv称为伺服图形(servopattern)sv。多个伺服数据区域sv在盘10的半径方向上以放射状延伸并在圆周方向上隔开预定间隔地离散地配置。伺服数据区域sv具有多个伺服扇区。在沿圆周方向连续地排列的两个伺服数据区域sv之间的区域内，写入用户数据等。在预定的磁道上，有时也将写入了用户数据的、两个伺服数据区域sv之间的区域称为数据部。例如，扇区包括伺服扇区和跟随该伺服扇区的数据部。[0051]图3是表示扇区sc的构成的一例的示意图。在图3中，将在圆周方向上进行读取/写入的方向(头15行进的方向)称为读取/写入方向。读取/写入方向相当于头15行进的方向。另外，读取/写入方向例如相当于与图2所示的旋转方向相反的方向。前方相当于读取/写入了的数据的方向，后方相当于自此要进行读取/写入的方向。以下，有时也将前方简称为前或者先、将后方简称为后。[0052]在图3所示的例子中，扇区sc由伺服扇区ss和数据部dtp构成。伺服扇区ss相当于预定磁道上的伺服数据区域sv。伺服扇区ss包含用于将头15定位到盘10的预定的半径位置、例如预定的磁道的伺服数据等。[0053]伺服数据例如包含前导码(preamble)、伺服标记(servomark)、格雷码(graycode)、pad、突发(burst)数据以及后置码(postcode)。此外，伺服扇区ss也可以不包含后置码。前导码、伺服标记、格雷码、pad、突发数据以及后置码按它们的次序朝着读取/写入方向的箭头的顶端连续地配置。前导码包含用于与由伺服标记以及格雷码等所构成的伺服图形的再现信号同步的前导码信息。伺服标记包含表示伺服图形的开始的伺服标记信息。格雷码由预定磁道的地址(柱面地址)和预定磁道的伺服扇区的地址构成。突发数据是为了检测相对于预定磁道的磁道中心的头15的半径方向以及/或者圆周方向的位置偏差(位置误差)所使用的数据(相对位置数据)，由预定周期的重复图形构成。pad包含间隙以及伺服agc等同步信号的pad信息。突发数据例如包括n突发(nburst)以及q突发(qburst)。后置码包含用于对因由与将伺服数据写入盘时的盘10的旋转同步的抖动(可重复性偏摆：rro)产生的相对于盘10和同心圆状的磁道中心(目标路径)的磁道变形引起的误差进行修正的数据(以下，称为rro修正数据)等。[0054]图4是表示被写入了数据的瓦记录区域10s的一例的示意图。图4中仅表示了说明所需的构成。在图4的半径方向上，将对磁道进行重叠写入的方向称为瓦记录方向。在图4中，瓦记录方向是内方向。此外，瓦记录方向也可以是外方向。[0055]在图4所示的例子中，瓦记录区域10s包括带区域tgn。在图4中，为便于说明，带区域tgn中的各磁道呈直线状延长。实际上，带区域tgn中的各磁道是沿着盘10的形状而弯曲的同心圆状。也即是说实际上，带区域tgn中的各磁道的前方的端部与后方的端部是一致的。另外，带区域tgn中的各磁道实际上会产生由干扰和/或其他构造等的影响带来的偏差等。此外，瓦记录区域10s也可以包括两个以上的带区域。[0056]在图4所示的例子中，带区域tgn包括写磁道wtn、wtn 1、wtn 2、wtn 3及wtn 4。写磁道wtn与wtn 1彼此部分重叠。写磁道wtn 1与wtn 2彼此部分重叠。写磁道wtn 2与wtn 3彼此部分重叠。写磁道wtn 3与wtn 4彼此部分重叠。在带区域tgn中，写磁道wtn～wtn 4在半径方向上按该次序被重叠地写入。此外，虽然假设了带区域tgn包括5个磁道，但是也可以包括少于5个的数量的磁道，还可以包括多于5个的数量的磁道。[0057]写磁道wtn具有磁道边界ena和磁道边界enb。在图4所示的例子中，磁道边界ena是写磁道wtn的外方向的端部，磁道边界enb是写磁道wtn的内方向(瓦记录方向)的端部。写磁道wtn 1具有磁道边界en 1a和磁道边界en 1b。在图4所示的例子中，磁道边界en 1a是写磁道wtn 1的外方向的端部，磁道边界en 1b是写磁道wtn 1的内方向(瓦记录方向)的端部。写磁道wtn 2具有磁道边界en 2a和磁道边界en 2b。在图4所示的例子中，磁道边界en 2a是写磁道wtn 2的外方向的端部，磁道边界en 2b是写磁道wtn 2的内方向(瓦记录方向)的端部。写磁道wtn 3具有磁道边界en 3a和磁道边界en 3b。在图4所示的例子中，磁道边界en 3a是写磁道wtn 3的外方向的端部，磁道边界en 3b是写磁道wtn 3的内方向(瓦记录方向)的端部。写磁道(最终磁道)wtn 4具有磁道边界en 4a和磁道边界en 4b。在图4所示的例子中，磁道边界en 4a是写磁道wtn 4的外方向的端部，磁道边界en 4b是写磁道wtn 4的内方向(瓦记录方向)的端部。[0058]写磁道wtn的写磁道宽度wwn是磁道边界ena与enb之间的半径方向的长度。写磁道wtn 1的写磁道宽度wwn 1是磁道边界en 1a与en 1b之间的半径方向的长度。写磁道wtn 2的写磁道宽度wwn 2是磁道边界en 2a与en 2b之间的半径方向的长度。写磁道wtn 3的写磁道宽度wwn 3是磁道边界en 3a与en 3b之间的半径方向的长度。写磁道wtn 4的写磁道宽度wwn 4是磁道边界en 4a与en 4b之间的半径方向的长度。写磁道宽度wwn～wwn 4例如是等同的。此外，写磁道宽度wwn～wwn 4也可以不同。[0059]读磁道rtn是除了写磁道wtn 1被重叠写入了的写磁道wtn的一部分之外的剩余的区域。读磁道rtn 1是除了写磁道wtn 2被重叠写入了的写磁道wtn 1的一部分之外的剩余的区域。读磁道rtn 2是除了写磁道wtn 3被重叠写入了的写磁道wtn 2的一部分之外的剩余的区域。读磁道rtn 3是除了写磁道wtn 4被重叠写入了的写磁道wtn 3的一部分之外的剩余的区域。读磁道rtn 4对应于写磁道wtn 4。读磁道rtn 4相当于带区域tgn中的最终磁道。[0060]读磁道rtn的读磁道宽度rwn是磁道边界ena与en 1a之间的半径方向的长度。读磁道rtn 1的读磁道宽度rwn 1是磁道边界en 1a与en 2a之间的半径方向的长度。读磁道rtn 2的读磁道宽度rwn 2是磁道边界en 2a与en 3a之间的半径方向的长度。读磁道rtn 3的读磁道宽度rwn 3是磁道边界en 3a与en 4a之间的半径方向的长度。读磁道rtn 4的读磁道宽度rwn 4是磁道边界en 4a与en 4b之间的半径方向的长度。也即是说，读磁道宽度rwn 4与写磁道宽度wwn 4等同。[0061]图5是示意性地表示本实施方式涉及的两个写头15w1及15w2和读头15r的几何配置的一例的俯视图。图5中仅表示了说明所需的构成。图5中表示了写头15w1、写头15w2以及读头15r。写头15w1包括：在与半径方向交叉的方向上延伸的侧部的端部we11、在半径方向上位于与端部we11相反位置的端部we12、以及中心部wc1。写头15w1的半径方向的宽度ww1相当于端部we11与端部we12之间的距离。以下，将“写头15w的半径方向的宽度”简称为“写头15w的宽度”。写头15w2包括：在与半径方向交叉的方向上延伸的侧部的端部we21、在半径方向上位于与端部we21相反位置的端部we22、以及中心部wc2。写头15w2的宽度ww2相当于端部we21与端部we22之间的距离。在图5所示的例子中，写头15w2的宽度ww2比写头15w1的宽度ww1大。换言之，写头15w2比写头15w1大。[0062]图5中表示了位于将写头15w1的中心部wc1和写头15w2的中心部wc2连结的线段的中间的中间部mc。为便于说明，有时也将“写头的中心部”、“多个写头中的两个写头的中间部”以及“写头的各部分”简称为“写头”；将“读头的中心部”以及“读头的各部分”简称为“读头”。以下，记载为将中间部mc配置在要写入数据的磁道的磁道中心来写入数据。此外，也可以将写头15w1或者写头15w2配置在要写入数据的磁道的磁道中心来写入数据。另外，也可以将中间部mc、写头15w1或者写头15w2配置在要写入数据的磁道的磁道中心以外的路径来写入数据。以下，有时也将写头15w1与写头15w2之间的圆周方向的间隔称为沿磁道间隔(downtrackseparation：dts)。有时也将写头15w1与写头15w2之间的半径方向的间隔称为跨磁道间隔(crosstrackseparation：cts)。[0063]在图5所示的例子中，中间部mc位于基准位置rp0。在将中间部mc配置于基准位置rp0的情况下，写头15w1、中间部mc、写头15w2以及读头15r沿着圆周方向而排列。在该情况下，写头15w1与写头15w2没有在半径方向上偏离。也即是说，将中间部mc定位在基准位置rp0的情况下的跨磁道间隔cp0为0。在将中间部mc配置于基准位置rp0的情况下，写头15w1与读头15r也没有在半径方向上偏离。另外，在将中间部mc配置于基准位置rp0的情况下，写头15w2与读头15r也没有在半径方向上偏离。此外，也可以为，在将中间部mc配置于基准位置rp0的情况下，写头15w1与写头15w2在半径方向上偏离。也可以为，在将中间部mc定位于基准位置rp0的情况下，写头15w1与读头15r在半径方向上偏离。另外，也可以为，在将中间部mc定位于基准位置rp0的情况下，写头15w2与读头15r在半径方向上偏离。[0064]在图5所示的例子中，在将中间部mc配置于基准位置rp0的情况下，写头15w1和写头15w2在圆周方向上以沿磁道间隔sp0而分离。以下，有时也将写头15w1和写头15w2排列于圆周方向的情况下的沿磁道间隔sp0称为基准沿磁道间隔sp0。[0065]图6是示意性地表示本实施方式涉及的两个写头15w1及15w2和读头15r的几何配置的一例的俯视图。图6中仅表示了说明所需的构成。[0066]在图6所示的例子中，中间部mc位于半径位置irp。换言之，头15在比基准位置rp0向内方向上被定位于与偏斜角θ1相当的半径位置。在将中间部mc配置于半径位置irp的情况下，写头15w1、中间部mc、写头15w2以及读头15r相对于通过半径位置irp的直线而以偏斜角θ1向内方向倾斜。在该情况下，写头15w1与写头15w2在半径方向上以跨磁道间隔cp1偏离。跨磁道间隔cp1例如能够基于偏斜角θ1和基准沿磁道间隔sp0来计算。在将中间部mc配置于半径位置irp的情况下，写头15w1与读头15r也在半径方向上偏离。另外，在将中间部mc配置于半径位置irp的情况下，写头15w2与读头15r也在半径方向上偏离。此外，也可以为，在将中间部mc配置于半径位置irp的情况下，写头15w1与读头15r没有在半径方向上偏离。也可以为，在将中间部mc配置于半径位置irp的情况下，写头15w2与读头15r没有在半径方向上偏离。[0067]在图6所示的例子中，在将中间部mc配置于半径位置irp的情况下，写头15w1与写头15w2在圆周方向上以沿磁道间隔sp1而分离。沿磁道间隔sp1例如能够基于偏斜角θ1和基准沿磁道间隔sp0来计算。[0068]此外，在将中间部mc配置于半径位置orp的情况下，也与将中间部mc定位于半径位置irp的情况同样地，写头15w1、中间部mc、写头15w2以及读头15r相对于通过半径位置orp的直线而以预定的偏斜角向外方向倾斜。在该情况下，写头15w1与写头15w2在半径方向上以预定的跨磁道间隔偏离。该跨磁道间隔例如能够基于预定的偏斜角和基准沿磁道间隔sp0来计算。在将中间部mc配置于半径位置orp的情况下，写头15w1与读头15r也在半径方向上偏离。另外，在将中间部mc配置于半径位置orp的情况下，写头15w2与读头15r也在半径方向上偏离。此外，也可以为，在将中间部mc配置于半径位置orp的情况下，写头15w1与读头15r没有在半径方向上偏离。也可以为，在将中间部mc配置于半径位置orp的情况下，写头15w2与读头15r没有在半径方向上偏离。在将中间部mc配置于半径位置orp的情况下，写头15w1与写头15w2在圆周方向上以预定的沿磁道间隔而分离。该沿磁道间隔例如能够基于偏斜角和基准沿磁道间隔sp0来计算。[0069]驱动器ic20按照系统控制器130(详细而言是后述的mpu60)的控制，控制spm12以及vcm14的驱动。[0070]头放大器ic(前置放大器)30具备读取放大器以及写入驱动器。读取放大器将从盘10读取到的读取信号放大，并输出到系统控制器130(详细而言是后述的读/写(r/w)通道(channel)40)。写入驱动器将与从r/w通道40输出的写数据相应的写电流输出到头15。[0071]易失性存储器70是在电力供给断开时会丢失所保存的数据的半导体存储器。易失性存储器70存储在磁盘装置1的各部分的处理所需的数据等。易失性存储器70例如是dram(dynamicrandomaccessmemory，动态随机存取存储器)或者sdram(synchronousdynamicrandomaccessmemory，同步动态随机存取存储器)。[0072]非易失性存储器80是即使电力供给断开也记录所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器80例如是nor型或者nand型的闪速存储器(flashreadonlymemory：from，闪速只读存储器)。[0073]缓冲存储器90是对在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等暂时进行记录的半导体存储器。此外，缓冲存储器90也可以与易失性存储器70一体地构成。缓冲存储器90例如是dram、sram(staticrandomaccessmemory，静态随机存取存储器)、sdram、feram(ferroelectricrandomaccessmemory，铁电随机存取存储器)或者mram(magnetoresistiverandomaccessmemory，磁阻式随机存取存储器)等。[0074]系统控制器(控制器)130例如使用多个元件集成于单一芯片的被称作片上系统(system-on-a-chip：soc)的大规模集成电路(lsi)来实现。系统控制器130包括读/写(r/w)通道40、硬盘控制器(hdc)50以及微处理器(mpu)60。r/w通道40、hdc50以及mpu60分别彼此电连接。系统控制器130例如与驱动器ic20、头放大器ic30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器90以及主机系统100等电连接。[0075]r/w通道40根据来自后述的mpu60的指示，执行从盘10传输到主机100的读数据以及从主机100传输的写数据的信号处理。r/w通道40具有测定读数据的信号品质的电路或者功能。r/w通道40例如与头放大器ic30、hdc50以及mpu60等电连接。[0076]hdc50根据来自后述的mpu60的指示，控制主机100与r/w通道40之间的数据传输。hdc50例如与r/w通道40、mpu60、易失性存储器70、非易失性存储器80以及缓冲存储器90等电连接。[0077]mpu60是控制磁盘装置1的各部分的主控制器。mpu60经由驱动器ic20控制vcm14，执行进行头15的定位的伺服控制。mpu60经由驱动器ic20控制spm12，使盘10旋转。mpu60控制向盘10的数据的写入动作(工作)，并且选择从主机100传输来的写数据的保存目的地。另外，mpu60控制从盘10的数据的读取动作，并且控制从盘10传输到主机100的读数据的处理。mpu60与磁盘装置1的各部分连接。mpu60例如与驱动器ic20、r/w通道40以及hdc50等电连接。[0078]mpu60包括修正值算出部610以及写入控制部620。mpu60在固件上执行它们各部分、例如修正值算出部610以及写入控制部620等的处理。此外，mpu60也可以具备它们各部分、例如修正值算出部610以及写入控制部620作为电路。[0079]修正值算出部610计算对由与预定的写头15w不同的其他的写头15w将数据(以下，称为覆写数据)覆写于由该预定的写头15w写入到半径区域的数据(以下，称为基础数据)的定时(timing)(以下，有时也称为覆写定时)进行修正的修正值(以下，称为覆写修正值)。覆写修正值相当于将覆写数据的圆周方向的数据图形(以下，简称为数据图形)、圆周位置或者相位与基础数据的数据图形、圆周位置或者相位在圆周方向上对齐而进行覆写的定时。换言之，覆写修正值相当于使覆写数据的数据图形、圆周位置或者相位与基础数据的数据图形、圆周位置或者相位在圆周方向上一致或者以视作实质上一致的程度的偏离而进行覆写的定时。在此，所谓“将数据进行覆写”，除了当然包括“在至少两个数据中的一个数据的半径方向的宽度(以下，简称为数据宽度)内写入其他数据”，也包括“以视作实质上在至少两个数据中的一个数据的数据宽度内写入了其他数据的程度对该一个数据的一部分重叠写入其他数据”。换言之，所谓“将数据进行覆写”，包括“相对于至少两个数据中的一个数据，不偏离地重叠写入其他数据”。另外，所谓“将数据进行覆写”，除了当然包括“以使至少两个数据中的一个数据位于其他数据的数据宽度内的方式写入其他数据”，也包括“以视作至少两个数据中的一个数据实质上位于其他数据的数据宽度内的程度对该一个数据的一部分重叠写入其他数据”。换言之，所谓“将数据进行覆写”，包括“以使至少两个数据中的一个数据相对于其他数据不偏离地对该一个数据重叠写入其他数据”。以下，为便于说明，有时也将“预定数据的数据图形、圆周位置或者相位与其他数据的数据图形、圆周位置或者相位一致”和“以视作预定数据的数据图形、圆周位置或者相位与其他数据的数据图形、圆周位置或者相位实质上一致的程度偏离”包含在内，记载为“预定数据的数据图形、圆周位置或者相位与其他数据的数据图形、圆周位置或者相位一致”。此外，修正值算出部610在以当前的覆写定时对基础数据覆写了覆写数据时，基础数据的数据图形、圆周位置或者相位与覆写数据的数据图形、圆周位置或者相位一致的情况下，也可以不计算覆写修正值。[0080]“基础数据”例如相当于“在根据指令等执行的写处理中最初写入到盘10的预定位置的数据”。换言之，“基础数据”相当于“预先写入到根据指令等所指定的要写入数据的半径区域的数据”。“覆写数据”例如相当于“对基础数据或者覆写数据进行覆写的数据”。[0081]基础数据相当于用低频的写电流(或者记录磁场)、例如在将最高磁化反转间隔设为1t的情况下15t的频率的写电流(或者记录磁场)写入的数据。覆写数据例如相当于用比写入基础数据时的写电流(或者记录磁场)的频率高的写电流(或者记录磁场)的频率写入的数据。此外，覆写数据也可以是用低于等于写入基础数据时的写电流(或者记录磁场)的频率的写电流(或者记录磁场)的频率写入的数据。[0082]基础数据例如包含有与覆写数据所含的信息相同或者视作实质上相同的信息。例如，将基础数据进行写入或者读取的结果与将覆写数据进行写入或者读取的结果相同或者视作实质上相同。如此，在“基础数据和覆写数据所包含的信息相同或者视作实质上相同”的情况下，有时也记作“基础数据与覆写数据相同”。此外，基础数据也可以包含与覆写数据所含的数据不同的信息。换言之，基础数据与覆写数据不同。[0083]在一例中，修正值算出部610基于沿磁道间隔以及头15的圆周方向的线速度(以下，有时也简称为线速度)，计算覆写修正值。例如，修正值算出部610通过用沿磁道间隔除以线速度(沿磁道间隔/线速度)来计算覆写修正值。线速度例如相当于盘10的旋转速度。以下，有时也将根据沿磁道间隔以及线速度等计算出的覆写修正值称为理论修正值。[0084]在一例中，修正值算出部610基于读取基础数据得到的波形(以下，有时也称为基础数据的读取波形)、以及读取覆写数据得到的波形(以下，称为覆写数据的读取波形)等，计算覆写修正值。以下，有时也将根据基础数据的读取波形以及覆写数据的读取波形等计算出的覆写修正值称为实测修正值。此外，修正值算出部610也可以基于基础数据的读取波形、覆写数据的读取波形、以及沿磁道间隔等，计算实测修正值。[0085]此外，修正值算出部610也可以基于基础数据的读取波形、在基于理论修正值进行修正后的覆写定时对该基础数据进行了覆写的覆写数据的读取波形、以及沿磁道间隔，计算覆写修正值(实测修正值)。以下，既有将理论修正值称为覆写修正值的情况，也有将实测修正值称为覆写修正值的情况，还有将理论修正值以及实测修正值称为覆写修正值的情况。修正值算出部610也可以按每个半径区域、例如每个区(zone)或者每个磁道来计算覆写修正值，并将计算出的与各半径区域对应的覆写修正值作为表(table)保存于预定的记录区域、例如盘10的介质高速缓存10m或者非易失性存储器80。[0086]写入控制部620控制数据的写处理。写入控制部620执行由与预定的写头15w不同的其他的写头15w将覆写数据覆写于由该预定的写头15w写入到半径区域的基础数据的处理(以下，有时也称为覆写处理)。例如，写入控制部620在刚刚由预定的写头15w在半径区域写入了基础数据后，由其他的写头15w将覆写数据覆写于该基础数据。换言之，写入控制部620接着由预定的写头15w写入的基础数据而由其他的写头15w将覆写数据覆写于该基础数据。此外，写入控制部620也可以接着由其他的写头15w覆写于基础数据的覆写数据(以下，有时也称为第1覆写数据)，进一步由其他的写头15w将覆写数据(以下，有时也称为第2覆写数据)覆写于第1覆写数据。如此，通过进一步对第1覆写数据覆写第2覆写数据，第2覆写数据的记录品质能够提高。[0087]写入控制部620在半径区域中执行覆写处理时，判定是否调整(或者修正)当前的覆写定时。当在半径区域中执行覆写处理时判定为要调整当前的覆写定时的情况下，写入控制部620从预定的记录区域、例如盘10的介质高速缓存10m或者非易失性存储器80取得与该半径区域对应的覆写修正值，基于覆写修正值来调整当前的覆写定时，并在基于覆写修正值调整出的覆写定时执行覆写处理。写入控制部620例如在半径区域中以当前的覆写定时将覆写数据覆写于基础数据时，判定为基础数据的数据图形与基于当前的覆写定时写入的覆写数据的数据图形不一致的情况下，判定为要调整覆写定时。在一例中，写入控制部620在半径区域中执行覆写处理时，在取得了与该半径区域对应的覆写修正值的情况下，判定为要调整覆写定时。[0088]当在半径区域中执行覆写处理时判定为不调整当前的覆写定时的情况下，写入控制部620基于当前的覆写定时执行覆写处理。写入控制部620例如在半径区域中以当前的覆写定时将覆写数据覆写于基础数据时，判定为基础数据的数据图形与基于当前的覆写定时写入的覆写数据的数据图形一致的情况下，判定为不调整覆写定时。在一例中，写入控制部620在半径区域中执行覆写处理时，在无法取得与该半径区域对应的覆写修正值的情况下，判定为不调整覆写定时。[0089]例如，写入控制部620在刚刚由写头15w1对该半径区域写入了基础数据后，由写头15w2将覆写数据覆写于该基础数据时，判定是否调整由写头15w2进行覆写的当前的覆写定时。在判定为要调整由写头15w2将覆写数据覆写于在半径区域中由写头15w1写入的基础数据的当前的覆写定时的情况下，写入控制部620在基于与该半径区域对应的覆写修正值调整出的覆写定时，将覆写数据覆写于该基础数据。[0090]在一例中，写入控制部620在刚刚由写头15w1在该半径区域写入了基础数据后，由写头15w2将覆写数据覆写于该基础数据时，判定是否调整由写头15w2进行覆写的当前的覆写定时。在判定为要调整由写头15w2将覆写数据覆写于在半径区域中由写头15w1写入的基础数据的当前的覆写定时的情况下，写入控制部620在从由写头15w1写入了基础数据的定时(以下，称为基础定时)起延迟与覆写修正值、例如沿磁道间隔相应的时间后的覆写定时，将覆写数据覆写于该基础数据。[0091]写入控制部620执行瓦记录。例如，写入控制部620根据将头15进行了定位的半径区域或者半径位置，变更(或者设定)瓦记录方向而执行瓦记录。换言之，写入控制部620根据头15的偏斜角，变更瓦记录方向而执行瓦记录。写入控制部620在半径区域、例如预定的区、预定的带区域或者预定的磁道上，沿预定的瓦记录方向执行瓦记录，以使得能够读取地剩下对基础数据覆写有覆写数据的区域(以下，有时也称为覆写区域)。换言之，写入控制部620在预定的带区域中，沿预定的磁道的预定的瓦记录方向重叠写入其他磁道，以使得将该预定的磁道的覆写区域的至少一部分作为读磁道剩下。此外，写入控制部620也可以在预定的带区域中，沿预定的磁道的预定的瓦记录方向重叠写入其他磁道，以使得将该预定的磁道的覆写区域覆盖。换言之，写入控制部620也可以在预定的带区域中，沿预定的磁道的预定的瓦记录方向重叠写入其他磁道，以使得该预定的磁道的覆写区域不作为读磁道剩下。[0092]以下，在头15、头放大器ic30、系统控制器130(r/w通道40、hdc50、以及mpu60等)、易失性存储器70、非易失性存储器80以及缓冲存储器90等中，将执行读处理的系统称为读系统，将执行写处理的系统称为写系统。[0093]图7是表示本实施方式涉及的读/写系统的构成例的框图。[0094]头放大器ic30作为读系统而具有前置放大器(读取放大器)311。前置放大器311将由读头15r从盘10读取到的读数据的读取信号放大。[0095]头放大器ic30作为写系统而具有驱动器(写入驱动器)321以及驱动器(写入驱动器)322。驱动器321例如包括写电流生成电路3211。写电流生成电路3211例如生成与写数据或者对应于写数据的写信号相应的写电流。驱动器322例如包括写电流生成电路3221。写电流生成电路3221例如根据写数据或者对应于写数据的写信号来生成写电流。此外，在图7所示的例子中，虽然表示为头放大器ic30具有两个驱动器321、322(或者两个写电流生成电路3211、3221)，但是根据写头15w所包含的写头的数量，也可以仅具有一个驱动器，还可以具有3个以上的驱动器。[0096]r/w通道40作为读系统而具有输入电路411和解码器412。输入电路411例如对读数据执行信号处理。解码器412例如对读数据执行译码(解码)处理。[0097]r/w通道40作为写系统而具有编码器421、编码器422、延迟(delay)电路423、驱动器(写入驱动器)424和驱动器(写入驱动器)425。编码器421及422分别对写数据wdata执行编码处理。编码器421及422根据信号dsel对写数据执行编码处理，或者输出执行了编码处理的写数据(以下，有时也称为编码数据)。通过根据信号dsel对写数据执行编码处理或者输出编码数据，编码器421及422能够输出信号频率彼此同步了的编码数据。延迟电路423基于延迟信号(或者，与覆写修正值对应的信号)delay生成使信号的频率延迟了的编码数据(以下，有时也称为延迟数据)。换言之，延迟电路423基于延迟信号delay，生成将定时错开了的编码数据(延迟数据)。驱动器424例如具有写信号生成电路4241。写信号生成电路4241例如生成对写数据(编码数据、以及延迟数据)执行了用于生成写电流的信号处理后的写数据(以下，有时也称为写电流数据)、或者用于生成与写数据(编码数据、以及延迟数据)对应的写电流的写信号(以下，有时也称为写电流信号)。驱动器425例如具有写信号生成电路4251。写信号生成电路4251例如生成对写数据(编码数据、以及延迟数据)执行了用于生成写电流的信号处理后的写电流数据、或者与写数据(编码数据、以及延迟数据)对应的写电流信号。[0098]在读系统中，读头15r例如在盘10的预定位置读取由写头15w1写入的基础数据、和由写头15w2覆写于该基础数据的覆写数据。读头15r既可以同时在盘10的预定位置读取由写头15w1写入的基础数据、和由写头15w2覆写于该基础数据的覆写数据，也可以分别读取。读头15r将读取到的基础数据(以下，有时也称为基础读数据)、和被覆写于该基础数据的覆写数据(以下，有时也称为覆写读数据)输出到前置放大器311。前置放大器311将从读头15r输入的基础读数据以及覆写读数据放大并输出到输入电路411。输入电路411对从前置放大器311输入的基础读数据以及覆写读数据执行信号处理，并输出到解码器412。解码器412对从输入电路411输入的基础读数据以及覆写读数据执行译码处理，并输出到hdc50和mpu60中的至少一个。hdc50或者mpu60例如被输入执行了译码处理的基础读数据(以下，有时也称为基础译码数据)rdata和执行了译码处理的覆写读数据(以下，有时也称为覆写译码数据)rdata。hdc50或者mpu60也可以将基础译码数据以及覆写译码数据按每个磁道或者每个区作为表记录于预定的记录区域、例如易失性存储器70、非易失性存储器80、或者介质高速缓存区域10m等。[0099]在写系统中，hdc50或者mpu60基于基础译码数据以及覆写译码数据，生成(计算)覆写修正值(延迟信号)delay。hdc50或者mpu60将从主机100等输入的写数据wdata和信号dsel输出到编码器421以及422。编码器421对从hdc50或者mpu60输入的写数据wdata执行编码处理，并根据信号dsel将编码数据输出到驱动器424和延迟电路423中的至少一个。编码器422对从hdc50或者mpu60输入的写数据wdata执行编码处理，并根据信号dsel将编码数据输出到延迟电路423。延迟电路423使从编码器421或者422输入的编码数据的信号的频率延迟，并将使信号的频率延迟后的延迟数据输出到驱动器425。在驱动器424中，写信号生成电路4241生成与从编码器421输入的编码数据对应的写电流信号，并将生成的写电流信号输出到驱动器321。在驱动器425中，写信号生成电路4251生成与从延迟电路423输入的延迟数据对应的写电流信号，并将生成的写电流信号输出到驱动器322。在驱动器321中，写电流生成电路3211根据从驱动器424输入的写电流信号来生成写电流，并将生成的写电流输出到写头15w1。在驱动器322中，写电流生成电路3221根据从驱动器425输入的写电流信号来生成写电流，并将生成的写电流输出到写头15w2。写头15w1将与写电流对应的基础数据写入到盘10的预定位置。写头15w2在刚刚由写头15w1写入了基础数据后，将与写电流对应的覆写数据覆写于由写头15w1写入的基础数据。[0100]图8是表示本实施方式涉及的覆写修正值的计算处理的一例的时间图。图8中表示了servomark(伺服标记)、writegate(写选通)、writedata(写数据)、read_15w1和read_15w2。servomark表示了读取到预定磁道的预定的伺服扇区ss的伺服标记的定时。writegate表示了写选通的上升及下降的定时。writedata表示了读取到写数据的同步标记(datasyncmark)的定时。read_15w2表示了在预定的磁道上从读取到伺服标记起以预定的时间差读取到由写头15w2写入的数据、例如覆写数据的定时。read_15w1表示了在预定的磁道上从读取到伺服标记起以与由写头15w2要写入数据的时间差相同或者实质上相同的时间差读取到由写头15w1写入的数据、例如基础数据的定时。在图8中，横轴表示时间，时间随着朝箭头的顶端移动而经过。图8的横轴上表示了定时t1、t2、t3、t4、t5以及t6。定时t1相当于伺服标记的上升定时。定时t2相当于伺服标记的下降定时。定时t3相当于写选通的上升定时和开始了数据同步标记的读取的定时。定时t4相当于read_15w2的上升定时。定时t5相当于read_15w2的下降定时和read_15w1的上升定时。定时t6相当于read_15w1的下降定时。图8中表示了定时t4及t5的差量值ctv。[0101]在图8所示的例子中，修正值算出部610取得读取到预定磁道的预定的伺服扇区ss的伺服标记的定时t1，并取得在读取到该伺服标记后在该伺服扇区ss的沿读取/写入方向接着的数据部读取到由写头15w2写入的数据、例如覆写数据的定时t4，根据定时t1及t4，计算时间差dt1。修正值算出部610取得读取到预定磁道的预定的伺服扇区ss的伺服标记的定时t1，并取得在读取到该伺服标记后在该伺服扇区ss的沿读取/写入方向接着的数据部读取到由写头15w1写入的数据、例如基础数据的定时t5，根据定时t1及t5，计算时间差dt2。修正值算出部610例如基于沿磁道间隔以及线速度，计算对时间差dt1及dt2的差量值ctv进行修正的覆写修正值(理论修正值)。此外，修正值算出部610也可以基于时间差dt1及dt2计算覆写修正值。[0102]以下，参照图9、图10、图11、图12、图13以及图14，对覆写修正值的计算处理的一例进行说明。[0103]图9是表示本实施方式涉及的覆写修正值的计算处理的一例的图。图9中表示了将头15定位于内周区域ir而由写头15w1写入的数据、例如基础数据bsd和由写头15w2写入的数据、例如覆写数据owd的一例。在图9中，基础数据bsd的数据图形dp1与覆写数据owd的数据图形dp2例如在圆周方向上具有相同或者实质上相同的周期的图形。基础数据bsd的半径方向的宽度(以下，称为基础数据宽度)比覆写数据owd的半径方向的宽度(以下，称为覆写数据宽度)小。在图9中，数据图形dp1以及数据图形dp2在读取/写入方向上彼此偏离与1/2相位(π)相当的距离dd1。另外，图9中表示了读头15r。[0104]在图9所示的例子中，修正值算出部610将读头15r的中心部rc定位在基础数据bsd以及覆写数据owd的边界位置bd，读取基础数据bsd以及覆写数据owd。修正值算出部610也可以基于与数据图形dp1以及dp2的偏离相当的距离dd1来计算覆写修正值。[0105]图10是表示与图9所示的由写头15w1写入的基础数据bsd对应的读取波形rw1、与由写头15w2写入的覆写数据owd对应的读取波形rw2、和将读取波形rw1以及读取波形rw2重合得到的波形rw3的一例的图。在图10中，纵轴表示读取波形的输出值(读取波形的振幅)。图10的纵轴为，随着向正的箭头方向前进，正值增大，随着向负的箭头方向前进，负值减小。图10的纵轴上表示了输出值-2a、输出值-a、原点(0)、输出值a和输出值2a。在此，-2a<-a<0<a<2a。-2a的绝对值与2a的绝对值相同，-a的绝对值与a的绝对值相同。在图10中，横轴表示时间。图10中表示了由读头15r读取图9所示的由写头15w1在预定磁道写入的数据、例如基础数据bsd得到的读取波形rw1；和由读头15r读取图9所示的由写头15w2在预定磁道写入的数据、例如覆写数据owd得到的读取波形rw2。另外，图10中表示了将读取波形rw1以及读取波形rw2重合得到的波形rw3。如图10所示，在数据图形dp1及dp2偏离的状态下不调整覆写定时而执行了覆写处理的情况下，波形rw3的振幅成为0。因此，计算覆写修正值以使得成为将读取波形rw1以及rw2重合得到的波形的最大振幅的绝对值大于振幅a的振幅。[0106]在图10所示的例子中，修正值算出部610基于与图9所示的数据图形dp1的读取波形rw1和图9所示的数据图形dp2的读取波形rw2的相位差(π)相当的时间差tp1，计算覆写修正值。[0107]图11是表示本实施方式涉及的覆写修正值的计算处理的一例的图。图11中表示了将头15定位在内周区域ir而由写头15w1写入的基础数据bsd和由写头15w2写入的覆写数据owd的一例。在图11中，基础数据bsd的数据图形dp1与覆写数据owd的数据图形dp2在读取/写入方向上彼此偏离与1/4相位(π/2)相当的距离dd2。[0108]在图11所示的例子中，修正值算出部610将读头15r的中心部rc定位在基础数据bsd以及覆写数据owd的边界位置bd，读取基础数据bsd以及覆写数据owd。修正值算出部610也可以基于与数据图形dp1及dp2的偏离相当的距离dd2来计算覆写修正值。[0109]图12是表示与图11所示的由写头15w1写入的基础数据bsd对应的读取波形rw1、与由写头15w2写入的覆写数据owd对应的读取波形rw2、和将读取波形rw1以及读取波形rw2重合得到的波形rw3的一例的图。在图12中，纵轴表示读取波形的输出值(读取波形的振幅)。图12的纵轴为，随着向正的箭头方向前进，正值增大，随着向负的箭头方向前进，负值减小。图12的纵轴上表示了输出值-2a、输出值-1.3a、输出值-a、原点(0)、输出值a、输出值1.3a和输出值2a。在此，-2a<-1.3a<-a<0<a<1.3a<2a。-1.3a的绝对值与1.3a的绝对值相同。在图12中，横轴表示时间。图12中表示了由读头15r读取图11所示的由写头15w1在预定磁道写入的基础数据bsd得到的读取波形rw1、和由读头15r读取图11所示的由写头15w2在预定磁道写入的覆写数据owd得到的读取波形rw2。另外，图12中表示了将读取波形rw1以及读取波形rw2重合得到的波形rw3。如图12所示，在数据图形dp1及dp2偏离的状态下不调整覆写定时而执行了覆写处理的情况下，波形rw3的最大振幅的绝对值成为1.3a。因此，计算覆写修正值以使得成为将读取波形rw1以及rw2重合得到的波形的最大振幅的绝对值大于1.3a的振幅。此外，由于波形rw3的最大振幅的绝对值大于a，因此也可以不计算覆写修正值。[0110]在图12所示的例子中，修正值算出部610基于与图11所示的数据图形dp1的读取波形rw1和图11所示的数据图形dp2的读取波形rw2的相位差(π/2)相当的时间差tp2，计算覆写修正值。此外，由于波形rw3的最大振幅的绝对值大于a，因此修正值算出部610也可以不计算覆写修正值。[0111]图13是表示本实施方式涉及的覆写修正值的计算处理的一例的图。图13中表示了将头15定位在内周区域ir而由写头15w1写入的数据、例如基础数据bsd和由写头15w2写入的数据、例如覆写数据owd的一例。在图13中，基础数据bsd的数据图形dp1与覆写数据owd的数据图形dp2在读取/写入方向上一致。换言之，数据图形dp1以及dp2在读取/写入方向上没有偏离。[0112]在图13所示的例子中，修正值算出部610将读头15r的中心部rc定位在基础数据bsd以及覆写数据owd的边界位置bd，读取基础数据bsd以及覆写数据owd。由于数据图形dp1及dp2一致，因此修正值算出部610也可以不计算覆写修正值。[0113]图14是表示与图13所示的由写头15w1写入的基础数据bsd对应的读取波形rw1、与由写头15w2写入的覆写数据owd对应的读取波形rw2、和将读取波形rw1以及读取波形rw2重合得到的波形rw3的一例的图。在图14中，纵轴表示读取波形的输出值(读取波形的振幅)。图14的纵轴为，随着向正的箭头方向前进，正值增大，随着向负的箭头方向前进，负值减小。在图14中，横轴表示时间。图14中表示了由读头15r读取图13所示的由写头15w1在预定磁道写入的基础数据bsd得到的读取波形rw1、和由读头15r读取图13所示的由写头15w2在预定磁道写入的覆写数据owd得到的读取波形rw2。另外，图14中表示了将读取波形rw1以及读取波形rw2重合得到的波形rw3。如图14所示，在数据图形dp1及dp2一致的状态下执行了覆写处理的情况下，波形rw3的最大振幅的绝对值成为2a。因此，在如图14所示那样数据图形dp1以及dp2一致的情况下，也可以不计算覆写修正值。[0114]在图14所示的例子中，由于图13所示的数据图形dp1的读取波形rw1与图13所示的数据图形dp2一致，因此修正值算出部610不计算覆写修正值。[0115]图15是表示将头15定位在中周区域mr的情况下的覆写处理的一例的图。图15中表示了将头15定位在中周区域mr的半径位置rp0而进行了写入的磁道mtrn。磁道mtrn对基础数据bsd覆写有覆写数据owd。在图15中，基础数据bsd的半径方向的宽度(以下，简称为基础数据bsd的宽度)比覆写数据owd的半径方向的宽度(以下，简称为覆写数据owd的宽度)小。在图15中，覆写数据owd的宽度相当于磁道mtrn的磁道宽度。磁道mtrn包括覆写区域owr、和覆写区域owr以外的区域(以下，称为非覆写区域)nowr。非覆写区域nowr相当于没有对基础数据bsd覆写覆写数据owd的区域，例如相当于被写入了基础数据bsd或者覆写数据owd的区域。在图15所示的磁道mtrn中，覆写区域owr在半径方向上位于中央部，非覆写区域nowr在半径方向上位于覆写区域owr的内方向以及外方向。[0116]在图15所示的例子中，写入控制部620在中周区域mr内将中间部mc定位于半径位置rp0，对磁道mtrn进行写入。在图15所示的例子中，写入控制部620由写头15w1将基础数据bsd写入到磁道mtrn的磁道宽度的中央部，并在由写头15w1写入基础数据bsd后，在基于覆写修正值调整出的覆写定时，由写头15w2将覆写数据owd覆写于基础数据bsd，从而对磁道mtrn进行写入。[0117]图16是表示在中周区域mr进行了写入的带区域mbr的一例的图。图16中表示了带区域mbr。带区域mbr包括磁道mtr11、磁道mtr12以及磁道mtr13。磁道mtr12与磁道mtr11的一部分重叠地写入。磁道mtr13与磁道mtr12的一部分重叠地写入。磁道mtr11包括覆写区域owr11和非覆写区域nowr11。磁道mrt12包括覆写区域owr12和非覆写区域nowr12。磁道mrt13包括覆写区域owr13和非覆写区域nowr13。[0118]在图16所示的例子中，写入控制部620在中周区域mr内以图15所示的头15的状态将外方向作为瓦记录方向来对磁道mtr11、mtr12以及mtr13进行重叠写入。在图16所示的例子中，写入控制部620在中周区域mr内将覆写区域owr11的一部分、覆写区域owr12的一部分以及覆写区域owr13的一部分作为读磁道剩下，而对磁道mtr11、mtr12以及mtr13进行重叠写入。此外，在图16中，写入控制部620在中周区域mr内也可以将内方向作为瓦记录方向来对磁道mtr11、mtr12以及mtr13进行重叠写入。写入控制部620在中周区域mr中对磁道mtr11、mtr12以及mtr13沿内方向重叠写入，也能够与对磁道mtr11、mtr12以及mtr13沿外方向重叠写入的情况同样地，将覆写区域owr11的一部分、覆写区域owr12的一部分以及覆写区域owr13的一部分作为读磁道剩下，而对磁道mtr11、mtr12以及mtr13进行重叠写入。[0119]图17是表示将头15定位在外周区域or的情况下的覆写处理的一例的图。图17中表示了将头15定位在外周区域or的半径位置orp而进行了写入的磁道otrn。在图17中，头15向外方向以预定的偏斜角倾斜。磁道otrn对基础数据bsd覆写有覆写数据owd。在图17中，基础数据bsd的宽度比覆写数据owd的宽度大。在图17中，覆写数据owd的宽度相当于磁道otrn的宽度。磁道otrn包括覆写区域owr和非覆写区域nowr。在图17所示的磁道otrn中，覆写区域owr在半径方向上位于内方向的端部，非覆写区域nowr在半径方向上位于覆写区域owr的外方向。[0120]在图17所示的例子中，写入控制部620在外周区域or内将中间部mc定位于半径位置orp，对磁道otrn进行写入。在图17所示的例子中，写入控制部620由写头15w1将基础数据bsd写入到磁道otrn的磁道宽度的内方向的端部，并在由写头15w1写入基础数据bsd后，在基于覆写修正值调整出的覆写定时，由写头15w2将覆写数据owd覆写于基础数据bsd，从而对磁道otrn进行写入。[0121]图18是表示在外周区域or进行了写入的带区域obr的一例的图。图18中表示了带区域obr。带区域obr包括磁道otr11、磁道otr12以及磁道otr13。磁道otr12与磁道otr11的一部分重叠地写入。磁道otr13与磁道otr12的一部分重叠地写入。磁道otr11包括覆写区域owr21和非覆写区域nowr21。磁道otr12包括覆写区域owr22和非覆写区域nowr22。磁道otr13包括覆写区域owr23和非覆写区域nowr23。[0122]在图18所示的例子中，写入控制部620在外周区域or内以图17所示的头15的状态将外方向作为瓦记录方向来对磁道otr11、otr12以及otr13进行重叠写入。在图18所示的例子中，写入控制部620在外周区域or内将覆写区域owr21、覆写区域owr22以及覆写区域owr23作为读磁道剩下，而对磁道otr11、otr12以及otr13进行重叠写入。此外，在图18中，写入控制部620在外周区域or内也可以将内方向作为瓦记录方向来对磁道otr11、otr12以及otr13进行重叠写入。例如，写入控制部620在外周区域or中对磁道otr11、otr12以及otr13沿内方向进行了重叠写入的情况下，可以在覆写区域oer21对磁道otr12进行重叠写入，在覆写区域oer22对磁道otr13进行覆写。[0123]图19是表示将头15定位在内周区域ir的情况下的覆写处理的一例的图。图19中表示了将头15定位在内周区域ir的半径位置irp而进行了写入的磁道itrn。在图19中，头15向内方向以预定的偏斜角倾斜。磁道itrn包括覆写区域owr和非覆写区域nowr。在图19所示的磁道itrn中，覆写区域owr在半径方向上位于外方向的端部，非覆写区域nowr在半径方向上位于覆写区域owr的内方向。[0124]在图19所示的例子中，写入控制部620在内周区域ir内将中间部mc定位于半径位置irp，对磁道itrn进行写入。在图19所示的例子中，写入控制部620由写头15w1将基础数据bsd写入到磁道itrn的磁道宽度的外方向的端部，并在由写头15w1写入基础数据bsd后，在基于覆写修正值调整出的覆写定时，由写头15w2将覆写数据owd覆写于基础数据bsd，从而对磁道itrn进行写入。[0125]图20是表示在内周区域ir进行了写入的带区域ibr的一例的图。图20中表示了带区域ibr。带区域ibr包括磁道itr11、磁道itr12以及磁道itr13。磁道itr12与磁道itr11的一部分重叠地写入。磁道itr13与磁道itr12的一部分重叠地写入。磁道itr11包括覆写区域owr31和非覆写区域nowr31。磁道itr12包括覆写区域owr32和非覆写区域nowr32。磁道itr13包括覆写区域owr33和非覆写区域nowr33。[0126]在图20所示的例子中，写入控制部620在内周区域ir内以图19所示的头15的状态将内方向作为瓦记录方向来对磁道itr11、itr12以及itr13进行重叠写入。在图20所示的例子中，写入控制部620在内周区域ir内将覆写区域owr31、覆写区域owr32以及覆写区域owr33作为读磁道剩下，而对磁道itr11、itr12以及itr13进行重叠写入。此外，在图19中，写入控制部620在内周区域ir内也可以将外方向作为瓦记录方向来对磁道itr11、itr12以及itr13进行重叠写入。例如，写入控制部620在内周区域ir中对磁道itr11、itr12以及itr13沿外方向进行了重叠写入的情况下，可以在覆写区域owr31对磁道itr12进行重叠写入，在覆写区域owr32对磁道itr13进行重叠写入。[0127]图21是表示在以预定的记录磁场的频率将覆写数据写入于以预定的记录磁场的频率所写入的基础数据的情况下的重写(ow)与扇区错误率(ser)的对数值之间的关系的一例的图。在图21中，横轴表示重写特性(以下，有时也简称为overwrite(ow))[分贝：db]，纵轴表示扇区错误率(以下，有时也称为ser)的对数值。ow相当于在对写入到预定的记录区域、例如分区、磁道或者扇区的预定的数据(以下，有时也称为前数据)覆写或者重叠写入其他数据(以下，有时也称为后数据)的情况下的前数据的衰减率。ser通过对在读取将数据进行了写入的盘10的预定的区域、例如预定磁道的至少一个扇区时产生了错误的扇区的数量除以对该磁道的至少一个扇区进行了读取的扇区数量来计算。写入到盘10的预定区域的数据的ser越低，则视作写入到该区域的数据的记录品质越高，写入到该区域的数据的ser越高，则写入到该区域的数据的记录品质越低。在图21的横轴上，ow随着向箭头的顶端前进而增大。图21的横轴上表示了ow101及102。ow102比ow101大。在图21的纵轴上，ser的对数值随着向箭头的顶端前进而增大。图21的纵轴上表示了ser的对数值er1及er2。ser的对数值er2比ser的对数值er1大。[0128]在图21所示的例子中，以预定的记录磁场的频率将覆写数据写入在了以预定的记录磁场的频率所写入的基础数据。在该情况下，如图21所示，在由从ow101到ow102的范围、且从ser的对数值er1到ser的对数值er2的范围所包围的区域err内，ser的对数值的最大值相当于ser的对数值er2。[0129]图22是表示在将覆写数据写入于以比写入覆写数据时的记录磁场的频率低的记录磁场的频率所写入的基础数据的情况下的重写(ow)与扇区错误率(ser)的对数值之间的关系的一例的图。在图22中，横轴表示ow[分贝：db]，纵轴表示ser的对数值。在图22的横轴上，ow随着向箭头的顶端前进而增大。图22的横轴上表示了ow101及102。在图22的纵轴上，ser的对数值随着向箭头的顶端前进而增大。图22的纵轴上表示了ser的对数值er1及er2。[0130]在图22所示的例子中，将覆写数据写入在了以比写入覆写数据时的记录磁场的频率低的记录磁场的频率所写入的基础数据。在该情况下，图22中的区域err的ser的对数值的最大值比图21中的区域err的ser的对数值的最大值低。也即是说，至少在ow101至102的范围内，相比于如图21所示的例子那样以预定的记录磁场的频率将覆写数据写入于以预定的记录磁场的频率所写入的基础数据，如图22所示的例子那样将覆写数据写入于以比写入覆写数据时的记录磁场的频率低的记录磁场的频率所写入的基础数据，更能够提高记录品质。[0131]图23是表示本实施方式涉及的写处理方法的一例的流程图。[0132]系统控制器130在对半径区域执行覆写处理的情况下，判定是否调整当前的覆写定时(b2301)。在判定为要调整当前的覆写定时的情况下(b2301：是)，系统控制器130基于覆写修正值调整当前的覆写定时(b2302)，并将覆写数据覆写于基础数据(b2303)。例如，系统控制器130将当前的覆写定时调整为从基础定时延迟与覆写修正值相当的量后的覆写定时，在延迟了与覆写修正值相当的量的覆写定时将覆写数据覆写于基础数据。系统控制器130根据半径位置(或者偏斜角)设定瓦记录方向，沿所设定的瓦记录方向分别对进行了覆写的多个磁道进行瓦记录(b2304)，并结束处理。例如，系统控制器130根据半径位置(或者偏斜角)在半径方向上将能够对多个磁道进行重叠写入以使得覆写区域作为读磁道剩下的方向设定为瓦记录方向，沿所设定的瓦记录方向分别对进行了覆写的多个磁道进行瓦记录。在判定为不调整覆写定时的情况下(b2301：否)，系统控制器130将覆写数据覆写于基础数据(b2303)，根据半径位置(或者偏斜角)设定瓦记录方向(b2304)，并结束处理。例如，系统控制器130在当前的覆写定时将覆写数据覆写于基础数据。[0133]根据本实施方式，磁盘装置1在一个头15上具备多个写头15w、例如写头15w1及写头15w2。例如，写头15w1比写头15w2小。磁盘装置1判定是否调整当前的覆写定时。在判定为要调整当前的覆写定时的情况下，磁盘装置1基于覆写修正值调整当前的覆写定时。磁盘装置1由写头15w1在半径区域写入基础数据，并在由写头15w1写入基础数据后，在基于与半径区域对应的覆写修正值调整出的覆写定时，由写头15w2将覆写数据覆写于该基础数据。磁盘装置1根据半径位置设定瓦记录方向，沿所设定的瓦记录方向分别对进行了覆写的多个磁道进行瓦记录。通过这样对盘10写入数据，磁盘装置1能够改善写入到盘10的数据的记录品质。因此，磁盘装置1能够提高数据的可靠性。[0134]接着，对变形例涉及的磁盘装置进行说明。在变形例中，对与前述的实施方式相同的部分赋予相同的标号并省略其详细说明。[0135](变形例1)[0136]变形例1的磁盘装置1与第1实施方式的磁盘装置1的不同之处在于，写头15w的构成不同。[0137]图24是示意性地表示变形例1涉及的两个写头15w1及15w2和读头15r的几何配置的一例的俯视图。图24中仅表示了说明所需的构成。图24中表示了写头15w1、写头15w2以及读头15r。[0138]在图24所示的例子中，写头15w2的宽度ww2比写头15w1的宽度ww1小。换言之，写头15w2比写头15w1小。[0139]图25是表示将头15定位在中周区域mr的情况下的覆写处理的一例的图。图25中表示了将头15定位在中周区域mr的半径位置rp0而进行了写入的磁道mtrm。磁道mtrm对基础数据bsd覆写有覆写数据owd。在图25中，基础数据bsd的宽度比覆写数据owd的宽度大。在图25中，基础数据bsd的宽度相当于磁道mtrm的磁道宽度。磁道mtrm包括覆写区域owr和非覆写区域nowr。在图25所示的磁道mtrm中，覆写区域owr在半径方向上位于中央部，非覆写区域nowr在半径方向上位于覆写区域owr的内方向以及外方向。[0140]在图25所示的例子中，写入控制部620在中周区域mr内将中间部mc定位于半径位置rp0，对磁道mtrm进行写入。在图25所示的例子中，写入控制部620由写头15w1写入基础数据bsd，并在由写头15w1写入基础数据bsd后，在基于覆写修正值调整出的覆写定时，由写头15w2将覆写数据owd覆写于基础数据bsd的宽度的中央部，从而对磁道mtrm进行写入。例如，写入控制部620如图16所示那样在中周区域mr内执行瓦记录。[0141]图26是表示将头15定位在外周区域or的情况下的覆写处理的一例的图。图26中表示了将头15定位在外周区域or的半径位置orp而进行了写入的磁道otrm。在图26中，头15向外方向以预定的偏斜角倾斜。磁道otrm对基础数据bsd覆写有覆写数据owd。在图26中，基础数据bsd的宽度比覆写数据owd的宽度大。在图26中，基础数据bsd的宽度相当于磁道otrm的磁道宽度。磁道otrm包括覆写区域owr和非覆写区域nowr。在图26所示的磁道otrm中，覆写区域owr在半径方向上位于外方向的端部，非覆写区域nowr在半径方向上位于覆写区域owr的内方向。[0142]在图26所示的例子中，写入控制部620在外周区域or内将中间部mc定位于半径位置orp，对磁道otrm进行写入。在图26所示的例子中，写入控制部620由写头15w1写入基础数据bsd，并在由写头15w1写入基础数据bsd后，在基于覆写修正值调整出的覆写定时，由写头15w2将覆写数据owd覆写于基础数据bsd的宽度的外方向的端部，从而对磁道otrm进行写入。[0143]图27是表示在外周区域or进行了写入的带区域obr的一例的图。图27中表示了带区域obr。带区域obr包括磁道otr21、磁道otr22以及磁道otr23。磁道otr22与磁道otr21的一部分重叠地写入。磁道otr23与磁道otr22的一部分重叠地写入。磁道otr21包括覆写区域owr41和非覆写区域nowr41。磁道otr22包括覆写区域owr42和非覆写区域nowr42。磁道otr23包括覆写区域owr43和非覆写区域nowr43。[0144]在图27所示的例子中，写入控制部620在外周区域or内以图26所示的头15的状态将内方向作为瓦记录方向来对磁道otr21、otr22以及otr23进行重叠写入。在图27所示的例子中，写入控制部620在外周区域or内将覆写区域owr41、覆写区域owr42以及覆写区域owr43作为读磁道剩下，而对磁道otr21、otr22以及otr23进行重叠写入。此外，在图27中，写入控制部620在外周区域or内也可以将外方向作为瓦记录方向来对磁道otr21、otr22以及otr23进行重叠写入。例如，写入控制部620在外周区域or中对磁道otr21、otr22以及otr23沿外方向进行了重叠写入的情况下，可以在覆写区域oer41对磁道otr22进行重叠写入，在覆写区域oer42对磁道otr23进行覆写。[0145]图28是表示将头15定位在内周区域ir的情况下的覆写处理的一例的图。图28中表示了将头15定位在内周区域ir的半径位置irp而进行了写入的磁道itrm。在图26中，头15向内方向以预定的偏斜角倾斜。磁道itrm对基础数据bsd覆写有覆写数据owd。在图28中，基础数据bsd的宽度比覆写数据owd的宽度大。在图28中，基础数据bsd的宽度相当于磁道itrm的磁道宽度。磁道itrm包括覆写区域owr和非覆写区域nowr。在图28所示的磁道itrn中，覆写区域owr在半径方向上位于外方向的端部，非覆写区域nowr在半径方向上位于覆写区域owr的内方向。[0146]在图28所示的例子中，写入控制部620在内周区域ir内将中间部mc定位于半径位置irp，对磁道itrm进行写入。在图28所示的例子中，写入控制部620由写头15w1写入基础数据bsd，并在由写头15w1写入基础数据bsd后，在基于覆写修正值调整出的覆写定时，由写头15w2将覆写数据owd覆写于基础数据bsd的宽度的内方向的端部，从而对磁道itrm进行写入。[0147]图29是表示在内周区域ir进行了写入的带区域ibr的一例的图。图29中表示了带区域ibr。带区域ibr包括磁道itr21、磁道itr22以及磁道itr23。磁道itr22与磁道itr21的一部分重叠地写入。磁道itr23与磁道itr22的一部分重叠地写入。磁道itr21包括覆写区域owr51和非覆写区域nowr51。磁道itr22包括覆写区域owr52和非覆写区域nowr52。磁道itr23包括覆写区域owr53和非覆写区域nowr53。[0148]在图29所示的例子中，写入控制部620在内周区域ir内以图28所示的头15的状态将外方向作为瓦记录方向来对磁道itr21、itr22以及itr23进行重叠写入。在图29所示的例子中，写入控制部620在内周区域ir内将覆写区域owr51、覆写区域owr52以及覆写区域owr53作为读磁道剩下，而对磁道itr21、itr22以及itr23进行重叠写入。此外，在图29中，写入控制部620在内周区域ir内也可以将内方向作为瓦记录方向来对磁道itr21、itr22以及itr23进行重叠写入。例如，写入控制部620在内周区域ir中对磁道itr21、itr22以及itr23沿内方向进行了重叠写入的情况下，可以在覆写区域owr51对磁道itr22进行重叠写入，在覆写区域owr52对磁道itr23进行重叠写入。[0149]根据变形例1，磁盘装置1在一个头15上具备多个写头15w、例如写头15w1及写头15w2。例如，写头15w1比写头15w2大。磁盘装置1由写头15w1在半径区域写入基础数据，并在由写头15w1写入基础数据后，在基于与半径区域对应的覆写修正值调整出的覆写定时，由写头15w2将覆写数据覆写于该基础数据。磁盘装置1根据半径位置设定瓦记录方向，在所设定的瓦记录方向对分别进行了覆写的多个磁道进行瓦记录。因此，磁盘装置1能够提高数据的可靠性。[0150](变形例2)[0151]变形例2的磁盘装置1与前述的实施方式以及变形例的磁盘装置1的不同之处在于，并非由瓦记录型式而是由通常的写入型式写入数据。[0152]图30是表示变形例2涉及的磁盘装置1的构成的框图。[0153]盘10在其能够写入数据的区域分配有能够由用户利用的用户数据区域10a、和写系统管理所需的信息的系统区10b。用户数据区域10a与图2所示的瓦记录区域10s同样地，划分有位于内方向的内周区域ir、位于外方向的外周区域or、和位于内周区域ir与外周区域or之间的中周区域mr。[0154]图31是表示在中周区域mr进行了写入的多个磁道mtr11、mtr12以及mtr13的一例的图。在图31中，磁道mtr11、磁道mtr12以及磁道mtr13按它们的顺序朝外方向隔开间隔而配置。[0155]在图31所示的例子中，写入控制部620在中周区域mr内如图15所示那样将磁道mtr11、mtr12以及mtr13在半径方向上隔开间隔来写入。[0156]图32是表示在外周区域or进行了写入的多个磁道otr11、otr12以及otr13的一例的图。在图32中，磁道otr11、otr12以及otr13按它们的顺序朝外方向隔开间隔而配置。[0157]在图32所示的例子中，写入控制部620在外周区域or内如图17所示那样将磁道otr11、otr12以及otr13在半径方向上隔开间隔来写入。[0158]图33是表示在内周区域ir进行了写入的多个磁道itr11、itr12以及itr13的一例的图。在图33中，磁道itr11、itr12以及itr13按它们的顺序朝内方向隔开间隔而配置。[0159]在图33所示的例子中，写入控制部620在内周区域ir内如图19所示那样将磁道itr11、itr12以及itr13在半径方向上隔开间隔来写入。[0160]图34是表示变形例2涉及的写处理方法的一例的流程图。[0161]系统控制器130在半径区域执行覆写处理的情况下，判定是否调整覆写定时(b2301)。在判定为要调整覆写定时的情况下(b2301：是)，系统控制器130基于覆写修正值来调整覆写定时(b2302)，将覆写数据覆写于基础数据(b2303)，并结束处理。在判定为不调整覆写定时的情况下(b2301：否)，系统控制器130将覆写数据覆写于基础数据(b2303)，并结束处理。[0162]根据变形例2，磁盘装置1由写头15w1在半径区域写入基础数据，并在由写头15w1写入基础数据后，在基于与半径区域对应的覆写修正值调整出的覆写定时，由写头15w2将覆写数据覆写于该基础数据。因此，磁盘装置1能够提高数据的可靠性。[0163]说明了几个实施方式，但是这些实施方式是作为例子而提示的，并非意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，在不脱离发明要旨的范围内能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式和/或其变形包含于发明的范围和/或要旨内，并且包含于技术方案中记载的发明及与其等同的范围内。当前第1页1 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