写入与读取目标存储器单元的方法及其集成电路与流程

技术特征：
1.一种读取目标存储器单元的方法，用以自存储器单元阵列中的第一目标存储器单元读取数据，所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元中的每一者在多个主要存取线中的一者与多个次要存取线中的一者之间提供电阻电流路径，所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元共享所述多个主要存取线中的每一者，且所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元中的多于一者共享所述多个次要存取线中的每一者，所述第一目标存储器单元的主要存取线为所述多个主要存取线中的第一者且所述第一目标存储器单元的次要存取线为所述多个次要存取线中的第一者，所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元中的每一特定者所提供的所述电流路径具有一电阻，所述电阻在特定单元处于第一逻辑状态中时比在所述特定单元处于第二逻辑状态中时高，其中在用以寻址所述第一目标存储器单元的读取操作期间，所述方法包括：选择所述第一目标存储器单元以在所述第一次要存取线上提供读取电流；以及根据所述读取电流，并进一步根据处于所述第一逻辑状态中用以共享所述第一次要存取线的存储器单元的数目以及处于所述第二逻辑状态中用以共享所述第一次要存取线的存储器单元的数目，来判定所述第一目标存储器单元的逻辑状态。2.根据权利要求1所述的读取目标存储器单元的方法，其中选择所述第一目标存储器单元包括在所述第一主要存取线及所述第一次要存取线上施加读取选择电压差，同时在所述存储器阵列中非所述第一目标存储器单元的所述多个存储器单元中的每一者上施加小于所述读取选择电压差的电压差。3.根据权利要求2所述的读取目标存储器单元的方法，其中在所述第一主要存取线及所述第一次要存取线上施加读取选择电压差包括：将主要存取线读取选择电压施加至所述第一主要存取线；将主要存取线读取非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述主要存取线而不施加至所述第一主要存取线；将次要存取线读取选择电压施加至所述第一次要存取线；以及将次要存取线读取非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述次要存取线而不施加至所述第一次要存取线。4.根据权利要求1所述的读取目标存储器单元的方法，其中判定所述第一目标存储器单元的所述逻辑状态包括：判定所述第一次要存取线上的漏电流电平；以及根据经侦测的读取电流电平及经判定的漏电流电平来判定所述第一目标存储器单元的所述逻辑状态。5.根据权利要求4所述的读取目标存储器单元的方法，其中判定所述第一次要存取线上的所述漏电流电平包括：将主要存取线读取非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述主要存取线；将次要存取线读取选择电压施加至所述第一次要存取线；以及将次要存取线读取非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述次要存取线而不施加至所述第一次要存取线。6.根据权利要求1所述的读取目标存储器单元的方法，包括：在所述读取操作的第一区段内同时进行下述步骤：
将主要存取线读取非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述主要存取线，将次要存取线读取选择电压施加至所述第一次要存取线，以及将次要存取线读取非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述次要存取线而不施加至所述第一次要存取线；将根据由所述读取操作的所述第一区段产生的所述第一次要存取线上的电流电平所获取的值作为参考电流值；以及在所述读取操作的第二区段内同时进行下述步骤：将主要存取线读取选择电压施加至所述第一主要存取线，将所述主要存取线读取非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述主要存取线而不施加至所述第一主要存取线，将所述次要存取线读取选择电压施加至所述第一次要存取线，以及将次要存取线读取非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述次要存取线而不施加至所述第一次要存取线；将根据由所述读取操作的所述第二区段产生的所述第一次要存取线上的电流电平所获取的值作为读取电流值；以及根据所述读取电流值与所述参考电流值之间的差来判定所述第一目标存储器单元的所述逻辑状态。7.根据权利要求6所述的读取目标存储器单元的方法，其中将根据由所述读取操作的所述第一区段产生的所述第一次要存取线上的电流电平所获取的值作为所述参考电流值包括：以来自所述第一次要存取线的电流与预定参考电流的总和为参考电容充电，且其中将根据由所述读取操作的所述第二区段产生的所述第一次要存取线上的所述电流电平所获取的值作为所述读取电流值包括以来自所述第一次要存取线的电流为感测电容充电，且其中判定所述第一目标存储器单元的所述逻辑状态包括将经充电参考电容上的电压与在经充电感测电容上的电压进行比较。8.根据权利要求7所述的读取目标存储器单元的方法，其中将根据由所述读取操作的所述第一区段产生的所述第一次要存取线上的电流电平所获取的值作为所述参考电流值还包括：在以来自所述第一次要存取线的电流与所述预定参考电流的所述总和为所述参考电容充电之前，将所述参考电容预先充电至预定电压，且其中将根据由所述读取操作的所述第二区段产生的所述第一次要存取线上的电流电平所获取的值作为所述读取电流值包括：在以来自所述第一次要存取线的电流为感测电容充电之前，将所述感测电容预先充电至预定电压。9.根据权利要求6所述的读取目标存储器单元的方法，为与参考单元的参考阵列一起使用，各自在参考主要存取线与所述多个次要存取线中的各个一者之间提供电阻电流路径，其中将根据由所述读取操作的所述第一区段产生的所述第一次要存取线上的电流电平所获取的值作为所述参考电流值包括：
在所述读取操作的所述第一区段中的施加步骤内的同时进行下述步骤：将主要存取线参考电压施加至所述参考主要存取线；以及以来自所述第一次要存取线的电流为参考电容充电，且其中将根据由所述读取操作的所述第二区段产生的所述第一次要存取线上的电流电平所获取的值作为所述读取电流值包括：在所述读取操作的所述第二区段中的所述施加步骤内的同时进行下述步骤：将所述主要存取线读取非选择电压施加至所述参考主要存取线；以及以来自所述第一次要存取线的电流为感测电容充电，且其中所述判定所述第一目标存储器单元的所述逻辑状态的步骤包括将经充电参考电容上的电压与经充电感测电容上的电压进行比较。10.根据权利要求1所述的读取目标存储器单元的方法，其中所述主要存取线为所述存储器单元阵列的位线且所述次要存取线为所述存储器单元阵列的字线。11.根据权利要求1所述的读取目标存储器单元的方法，其中所述主要存取线为所述存储器单元阵列的字线且所述次要存取线为所述存储器单元阵列的位线。12.根据权利要求1所述的读取目标存储器单元的方法，为用以进一步自所述多个存储器单元阵列中的第二存储器单元读取数据，第二目标存储器单元的所述次要存取线为所述多个次要存取线中的第二者，其中判定所述第一目标存储器单元的所述逻辑状态包括：将根据处于所述第一逻辑状态中用以共享所述第一次要存取线的存储器单元的数目及处于所述第二逻辑状态中用以共享所述第一次要存取线的存储器单元的数目所获取的值作为第一漏电流参考值；以及根据所述读取电流及经获取的第一漏电流参考值来判定所述第一目标存储器单元的所述逻辑状态，所述方法还包括：针对寻址所述第二目标存储器单元的数据读取操作来作出所述经获取的第一漏电流参考值的有效性判定；以及若所述有效性判定指示所述经获取的第一漏电流参考值对于寻址所述第二目标存储器单元的数据读取操作为有效的，则选择所述第二目标存储器单元以在所述第二主要存取线上提供第二读取电流；以及根据所述第二读取电流且进一步根据所述经获取的第一漏电流参考值来判定所述第二目标存储器单元的所述逻辑状态。13.根据权利要求12所述的读取目标存储器单元的方法，其中作出有效性判定包括：若所述第二次要存取线不同于所述第一次要存取线，则判定所述第一漏电流参考值对于寻址所述第二目标存储器单元的数据读取操作并不为有效的。14.根据权利要求12所述的读取目标存储器单元的方法，其中作出有效性判定包括：若从获取所述第一漏电流参考值后已经过预定量的时间，则判定所述第一漏电流参考值对于寻址所述第二目标存储器单元的数据读取操作并不为有效的。15.根据权利要求12所述的读取目标存储器单元的方法，其中作出有效性判定包括：若从获取所述第一漏电流参考值后已对所述存储器单元阵列的单元执行至少预定数目n次的
中间读取操作，且n>1，则判定所述第一漏电流参考值对于寻址所述第二目标存储器单元的数据读取操作并不为有效的。16.根据权利要求12所述的读取目标存储器单元的方法，其中作出有效性判定包括：若所述第一漏电流参考值已降至低于预定最小值，则判定所述第一漏电流参考值对于寻址所述第二目标存储器单元的数据读取操作并不为有效的。17.一种写入目标存储器单元的方法，用以将数据写入至存储器单元阵列中的第一目标存储器单元，所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元中的每一者在多个主要存取线中的一者与多个次要存取线中的一者之间提供电阻电流路径，所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元共享所述多个主要存取线中的每一者，且所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元中的多于一者共享所述多个次要存取线中的每一者，所述第一目标存储器单元的所述主要存取线为所述多个主要存取线中的第一者，且所述第一目标存储器单元的所述多个次要存取线为所述次要存取线中的第一者，所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元中的每一特定者所提供的所述电流路径具有一电阻，所述电阻在特定单元处于第一逻辑状态中时比在所述特定单元处于第二逻辑状态中时高，其中在用以寻址所述第一目标存储器单元的写入操作期间，所述方法包括：根据处于所述第一逻辑状态中用以共享所述第一次要存取线的存储器单元的数目及处于所述第二逻辑状态中用以共享所述第一次要存取线的存储器单元的数目来侦测漏电流；以及在选择用以写入的所述第一目标存储器单元时，根据用以写入的所需数据值及经侦测的漏电流，在所述第一次要存取线上施加写入电流。18.根据权利要求17所述的写入目标存储器单元的方法，其中所述侦测漏电流包括：同时进行以下施加步骤：将主要存取线写入非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述多个主要存取线，将次要存取线写入选择电压施加至所述第一次要存取线，以及将次要存取线写入非选择电压施加至所述存储器单元阵列中的所有所述多个次要存取线而不施加至所述第一次要存取线；以及根据由所述施加步骤产生的所述第一次要存取线上的电流来获取漏电流值。19.根据权利要求18所述的写入目标存储器单元的方法，其中在所述第一次要存取线上施加写入电流包括：在所述第一次要存取线上提供藉由通过所述目标存储器单元所需的预定写入电流给定的写入电流，以便将所述所需数据值写入至所述目标存储器单元，并根据所述获取的漏电流值再加上漏电流补偿电流。20.一种集成电路，包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元中的每一者在多个主要存取线中的一者与多个次要存取线中的一者之间提供电阻电流路径，所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元共享所述多个主要存取线中的每一者，且所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元中的多于一者共享所述多个次要存取线中的每一者，第一目标存储器单元的所述主要存取线为所述多个主要存取线中的第一者，且所述第一目标存储器单元的所述次要存取线为所述多个次要存取线中的第一者，所述存储器单元阵列中的所述多
个存储器单元中的每一特定者所提供的所述电流路径具有一电阻，所述电阻在特定单元处于第一逻辑状态中时比在所述特定单元处于第二逻辑状态中时高；控制器，耦接至所述存储器单元阵列以在寻址所述第一目标存储器单元的读取操作中将偏压电压配置提供至所述存储器单元阵列的所述多个主要存取线及所述多个次要存取线，所述偏压电压配置包含：第一偏压配置，用以根据共享所述第一次要存取线的所述存储器单元阵列中的所有所述多个存储器单元的所述逻辑状态，以在所述第一次要存取线上产生漏电流，以及第二偏压配置，用以根据所述目标存储器单元的所述逻辑状态以及共享所述第一次要存取线的所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元中的所有其他者的所述逻辑状态，以在所述第一次要存取线上产生读取电流；以及感测电路，根据在应用所述第二偏压配置时产生的所述读取电流及在应用所述第一偏压配置时产生的所述漏电流两者来侦测所述目标存储器单元的所述逻辑状态。21.一种集成电路，包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元中的每一者在多个主要存取线中的一者与多个次要存取线中的一者之间提供电阻电流路径，所述存储器单元阵列中的多个存储器单元共享所述多个主要存取线中的每一者，且所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元中的多于一者共享所述多个次要存取线中的每一者，第一目标存储器单元的所述主要存取线为所述多个主要存取线中的第一者，且所述第一目标存储器单元的所述多个次要存取线为所述次要存取线中的第一者，所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元中的每一特定者所提供的所述电流路径具有一电阻，所述电阻在特定单元处于第一逻辑状态中时比在所述特定单元处于第二逻辑状态中时高；漏电流获取电路；写入电流产生器；控制器，耦接至所述存储器单元阵列，用以在写入操作中寻址所述目标存储器单元：将第一偏压电压配置提供至所述存储器单元阵列的所述多个主要存取线及所述多个次要存取线，所述第一偏压电压配置为根据用以共享所述第一次要存取线的所述存储器单元阵列中的所有所述多个存储器单元的所述逻辑状态，而在所述第一次要存取线上产生漏电流；根据所述漏电流来控制所述漏电流获取电路以获取漏电流值；将第二偏压配置提供至所述存储器单元阵列的所述多个主要存取线及所述多个次要存取线以便选择用以写入的所述目标存储器单元；以及控制所述写入电流产生器以将写入电流驱动至所述第一次要存取线上，所述写入电流取决于用以写入的所需数据值及所述获取的漏电流值。