驱动芯片的制作方法

技术特征：
1.一种驱动芯片，其特征在于，包括：电压采样单元(21)、第一比较器(22)、脉冲频率调制单元(23)、逻辑和驱动单元(24)、电流源(25)、延时单元(26)、第二比较器(27)、第三比较器(28)；第一比较器(22)用于将电压采样单元(21)采集到的输出电压信息与第一参考电压进行比较，并将比较结果发生至脉冲频率调制单元(23)；脉冲频率调制单元(23)，用于根据比较结果发送对应的脉冲频率调制信号给逻辑和驱动单元(24)；逻辑和驱动单元(24)，用于根据接收到的脉冲频率调制信号分别驱动第一、第二和第三mos管(m1、m2、m3)的导通状态，其中，逻辑和驱动单元(24)与第三mos管(m3)栅极之间连接有延时单元(26)，以确保第二mos管(m2)先于第三mos管(m3)关断；第二、第三比较器(27、28)分别用于将正相输入端输入的电压与负相输入端设置的参考电压比较，当输入的电压大于参考电压时，通过逻辑和驱动单元(24)向第一mos管(m1)发关断电流源(25)的信号；第一、第二mos管(m1、m2)的漏极相连，并引出第一驱动输出端口base1，第三mos管(m3)的漏极引出第二驱动输出端口base2。2.如权利要求1所述的驱动芯片，其特征在于，所述驱动芯片用于对达林顿管(3)进行控制，所述达林顿管(3)用作充电器或适配器的功率开关，所述达林顿管(3)包括：第一npn三极管(31)和第二npn三极管(32)，第一npn三极管(31)的发射极与第二npn三极管(32)的基极连接，第一npn三极管(31)的集电极与第二npn三极管(32)的集电极连接；第一npn三极管(31)的基极与第一驱动输出端口base1连接；第二npn三极管(32)的基极与第二驱动输出端口base2连接。3.如权利要求2所述的驱动芯片，其特征在于，第二npn三极管(32)的发射极与电流检测电阻(rcs)的一端连接，电流检测电阻(rcs)另一端接地；第二比较器(27)的正相输入端分别与第三比较器(28)的正相输入端、电流检测电阻(rcs)、第二npn三极管(32)的发射极连接，第二比较器(27)的负相输入端接入预设的第二参考电压，第二比较器(27)的输出端与逻辑和驱动单元(24)连接；第三比较器(28)的负相输入端接入预设的第三参考电压，第三比较器(28)的输出端与逻辑和驱动单元(24)连接。4.如权利要求3所述的驱动芯片，其特征在于，第二参考电压/第三参考电压的比值范围为50％～100％。5.如权利要求1所述的驱动芯片，其特征在于，延时单元(26)的延时时长为0～100纳秒。6.如权利要求2所述的驱动芯片，其特征在于，所述达林顿管用于驱动变压器(4)，变压器(4)的输入绕组(np)的一端与交流电源连接，输入绕组(np)的另一端与第一npn三极管(31)的集电极和第二npn三极管(32)的集电极连接；变压器(4)的输出绕组(ns)两端经过整流二极管与负载连接；变压器(4)的辅助绕组(na)的一端与分压电路(1)连接，另一端接地。7.如权利要求6所述的驱动芯片，其特征在于，分压电路(1)包括：第一反馈电阻(rfb1)和第二反馈电阻(rfb2)；第一反馈电阻(rfb1)的一端与变压器(4)的辅助绕组(na)的一端连接，另一端分别与电压采样单元(21)和第二反馈电阻(rfb2)的一端连接；第二反馈电阻(rfb2)的另一端接地。8.如权利要求1至7中任一项所述的驱动芯片，其特征在于，驱动芯片还包括：低电压锁定单元(29)，其与供电引脚(vcc)连接，用于在控制电路(2)的工作电压低于预设电压时保护控制电路(2)。

技术总结
本发明提供一种驱动芯片，本发明驱动芯片有两个驱动输出端口，因此可以对达林顿管进行驱动，而通过使用达林顿管作为功率开关，在基本不增大功率开关面积和成本的前提下，极大地降低了功率开关的基极驱动电流，从而降低了驱动芯片的功率损耗，减少了驱动芯片温升，大幅度提高了驱动芯片的驱动功率上限，并可相应减少供电电容，节省了系统成本。节省了系统成本。节省了系统成本。


技术研发人员：黄裕泉 许如柏
受保护的技术使用者：辉芒微电子（深圳）有限公司
技术研发日：2020.03.18
技术公布日：2021/10/11