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具温度补偿的电源启动电路的制作方法

2021-10-09 04:02:00 来源:中国专利 TAG:电路 电源 启动 补偿 温度

技术特征:
1.一种电源启动电路,其特征在于,包含:一第一电流源,耦接于一第一系统电压,用于根据一内部操作电压,产生一内部操作电流;一电流放大器,耦接于所述第一电流源和所述第一系统电压,用于根据所述内部操作电流和一参数,产生一放大电流和对应于所述放大电流的一参考电压;其中所述内部操作电压和所述参考电压具有正温度系数,且所述内部操作电流和所述放大电流具有负温度系数;以及一温度补偿电路,耦接于所述电流放大器,用于根据所述参考电压,产生具温度补偿的一输出电压。2.如权利要求1所述的电源启动电路,其特征在于,所述第一电流源包含:一第一电晶体,包含一第一端,耦接于所述第一系统电压;一第二端,耦接于一第一节点;以及一控制端,耦接于一第二节点;一第二电晶体,包含一第一端,耦接于所述第一节点;一第二端,耦接于一第二系统电压;以及一控制端,耦接于所述第一节点;一第三电晶体,包含一第一端,耦接于所述第一系统电压;一第二端,耦接于所述第二节点;以及一控制端,耦接于所述第二节点;一第四电晶体,包含一第一端,耦接于所述第二节点;一第二端;以及一控制端,耦接于所述第一节点;以及一第一电阻,包含一第一端,耦接于所述第四电晶体的所述第二端;以及一第二端,耦接于所述第二系统电压;其中,所述内部操作电压为所述第一电阻的所述第一端和所述第四电晶体的所述第二端的电压,且所述内部操作电流为流经所述第一电阻的电流。3.如权利要求2所述的电源启动电路,其特征在于,所述电流放大器包含:一第五电晶体,包含一第一端,耦接于所述第一系统电压;一第二端,耦接于一参考电压;以及一控制端,耦接于所述第二节点;以及一第二电阻,包含一第一端,耦接于所述参考电压;以及一第二端,耦接于所述第二系统电压;其中,所述放大电流为流经所述第二电阻的电流。4.如权利要求3所述的电源启动电路,其特征在于,所述第三电晶体与所述第五电晶体之间的纵横比为1:k,且k是所述参数。5.如权利要求3所述的电源启动电路,其特征在于,所述参考电压是以如下方程式表示:;其中,vref是所述参考电压,k是所述参数,i是所述内部操作电流,m*r是所述第二电阻的电阻值,vi是所述内部操作电压,且n*r是所述第一电阻的电阻值。6.如权利要求3所述的电源启动电路,其特征在于,所述第一电晶体、所述第三电晶体及所述第五电晶体是p型电晶体,所述第一电晶体、所述第三电晶体及所述第五电晶体的所
述第一端是源极,所述第一电晶体、所述第三电晶体及所述第五电晶体的所述第二端是汲极,且所述第一电晶体、所述第三电晶体及所述第五电晶体的所述控制端是闸极。7.如权利要求2所述的电源启动电路,其特征在于,所述第二电晶体及所述第四电晶体是n型电晶体,所述第二电晶体及所述第四电晶体的所述第一端是汲极,所述第二电晶体及所述第四电晶体的所述第二端是源极,所述第二电晶体及所述第四电晶体的所述控制端是闸极。8.如权利要求7所述的电源启动电路,其特征在于,所述内部操作电压是所述第四电晶体的所述源极的电压。9.如权利要求2所述的电源启动电路,其特征在于,所述温度补偿电路,包含:一第二电流源,耦接于所述第一系统电压与所述输出电压之间,用于根据所述第一系统电压,产生一正温度系数电流;以及一第六电晶体,包含一第一端,耦接于所述第二电流源和所述输出电压;一第二端,耦接于所述第二系统电压;以及一控制端,耦接于所述参考电压;其中所述第六电晶体根据所述参考电压,产生一负温度系数电流;其中,当所述电源启动电路的一操作温度上升时,所述负温度系数电流下降以使所述输出电压下降,且所述正温度系数电流上升以补偿所述输出电压;以及其中,当所述电源启动电路的所述操作温度下降时,所述负温度系数电流上升以使所述输出电压上升,且所述正温度系数电流下降以补偿所述输出电压。10.如权利要求9所述的电源启动电路,其特征在于,所述第六电晶体是n型电晶体,所述第六电晶体的所述第一端是汲极,所述第六电晶体的所述第二端是源极,且所述第六电晶体的所述控制端是闸极。

技术总结
本发明公开了一种具温度补偿的电源启动电路,包含一第一电流源、一电流放大器以及一温度补偿电路。该第一电流源耦接于一第一系统电压,用于根据一内部操作电压,产生一内部操作电流。该电流放大器耦接于该第一电流源和该第一系统电压,用于根据该内部操作电流和一参数,产生一放大电流和对应于该放大电流的一参考电压;其中该内部操作电压和该参考电压具有正温度系数,且该内部操作电流和该放大电流具有负温度系数。该温度补偿电路耦接于该电流放大器,用于根据该参考电压,产生具温度补偿的一输出电压。利用本发明,能够产生稳定的输出电压,进而确保后续电路能够正常操作。进而确保后续电路能够正常操作。进而确保后续电路能够正常操作。


技术研发人员:蔡水河 林柏成
受保护的技术使用者:常州欣盛半导体技术股份有限公司
技术研发日:2021.09.08
技术公布日:2021/10/8
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