一种LDO过流保护电路的制作方法

技术特征：
1.一种ldo过流保护电路，其特征在于包括：过流保护结构和电流折返结构；其中，所述过流保护结构和所述电流折返结构相连接；所述过流保护结构通过电流镜构成的环路箝位最大输出电流，所述电流折返结构采用误差放大器构成的负反馈环路产生与输出电压成比例的电流折返输出电流，通过调节电流折返结构的外部电阻能够调节过流限与折返点电压，从而避免稳压器产生闩锁。2.根据权利要求1所述的ldo过流保护电路，其特征在于：所述过流保护结构包括晶体管mp1、晶体管mp2、晶体管mp3、晶体管mp6、晶体管mn1和晶体管mn2；其中，所述晶体管mp1的栅极连接至所述晶体管mp6的漏极，所述晶体管mp1的源极连接至电压vin；所述晶体管mp1的漏极连接至晶体管mp2的源极；所述晶体管mp2的栅极连接至电压vout；所述晶体管mp2的源极连接至晶体管mpi的漏极；所述晶体管mp2的漏极连接至晶体管mn1的栅极和漏极以及所述晶体管mn2的棚极；所述晶体管mp3的栅极连接至电压vb；所述晶体管mp3的源极连接至电压vin；所述晶体管mp3的漏极连接至晶体管mp6的栅极、晶体管mn2的漏极；所述晶体管mp6的栅极连接至晶体管mp3的漏极；所述晶体管mp6的源极连接至电压vin；所述晶体管mp6的漏极连接至晶体管mp1的栅极；所述晶体管mn1的栅极与漏极相连，并连接至所述晶体管mn2的栅极；所述晶体管mn1的源极连接至地vss；所述晶体管mn2的源极连接至地vss；所述晶体管mn2的漏极连接至晶体管mp6的栅极、晶体管mp3的漏极。3.根据权利要求2所述的ldo过流保护电路，其特征在于：所述电流折返结构包括晶体管mp4、晶体管mp5、晶体管mn3、电阻r1、电阻r2和误差放大器ea；其中，所述晶体管mp4的栅极连接至晶体管mp5的棚极和漏极；所述晶体管mp4的源极连接至电压vin；所述晶体管mp4的漏极连接至晶体管mp6的栅极、晶体管mp3的漏极；所述晶体管mp4的源极连接至电压vin；所述晶体管mp5的栅极与漏极相连，并连接至所述晶体管mp4的栅极、晶体管mn3的漏极；所述晶体管mp5的源极连接至电压vin；所述晶体管mn3的栅极连接至所述误差放大器ea的输出端；所述晶体管mn3的源极连接至电阻r2；所述晶体管mn3的漏极连接至晶体管mp5的栅极和漏极；所述误差放大器ea的正输入端连接至电压vout；所述误差放大器ea的负输入端连接至电阻r1、电阻r2；所述误差放大器ea的输出端连接至晶体管mn3的栅极；电阻r1的一端连接至电阻r2、误差放大器ea的负输入端；电阻r1的另一端连接至地vss；电阻r2的一端连接至晶体管mn3的源极；电阻r2的另一端连接至电阻r1、误差放大器ea的负输入端。4.根据权利要求3所述的ldo过流保护电路，其特征在于：所述误差放大器ea包括晶体管mp7、晶体管mp8、晶体管mp9、晶体管mp10、晶体管mp11、晶体管mn4、晶体管mn5、晶体管mn6和晶体管mn7；其中，所述晶体管mp7的栅极连接至电压vb3，所述晶体管mp7的源极连接至电压vin；所述晶体管mp7的漏极连接至晶体管mp8的源极、晶体管mp9的源极；
所述晶体管mp8的栅极连接至电压vout；所述晶体管mp8的源极连接至晶体管mp9的源极；所述晶体管mp8的漏极连接至晶体管mn4的源极、晶体管mn6的漏极；所述晶体管mp9的栅极连接至电压vr；所述晶体管mp9的漏极连接至晶体管mn5的源极、晶体管mn7的漏极；所述晶体管mp10的栅极与漏极相连，并连接至晶体管mp11的栅极、晶体管mn4的漏极；所述晶体管mp10的原极连接至电压vin；所述晶体管mp11的栅极连接至晶体管mn4的漏极；所述晶体管mp11的源极连接至电压vin；所述晶体管mp11的漏极连接至晶体管mn5的漏极；所述晶体管mn4的栅极连接至所述晶体管mn5的栅极，并连接至电压vb；所述晶体管mn4的源极连接至晶体管mn6的漏极、晶体管mn8的漏极；所述晶体管mn5的栅极连接至电压vb2；所述晶体管mn5的源极连接至晶体管mn7的漏极；所述晶体管mn6的栅极连接至晶体管mn7的栅极，并连接至电压vb1；所述晶体管mn6的源极连接至电压vss；所述晶体管mn7的栅极连接至电压vb1；所述晶体管mn7的源极连接至vss。5.根据权利要求3所述的ldo过流保护电路，其特征在于：所述误差放大器ea为折叠式有源负载放大器。6.根据权利要求2所述的ldo过流保护电路，其特征在于：所述晶体管mp1为镜像管。

技术总结
本发明公开了一种LDO过流保护电路，包括：过流保护结构和电流折返结构；其中，所述过流保护结构和所述电流折返结构相连接；所述过流保护结构通过电流镜构成的环路箝位最大输出电流，所述电流折返结构采用误差放大器构成的负反馈环路产生与输出电压成比例的电流折返输出电流，通过调节电流折返结构的外部电阻能够调节过流限与折返点电压，从而避免稳压器产生闩锁。本发明与传统过流限结构相比，可降低功耗，保护功率管不被烧毁；与传统折返式相比，可以通过调节外部电阻方便地调节过流限与折返点电压，从而避免闩锁。从而避免闩锁。从而避免闩锁。


技术研发人员：晋超超 朱天成 候骏马 宋鸿蕾
受保护的技术使用者：天津津航计算技术研究所
技术研发日：2021.06.16
技术公布日：2021/10/8