形成半导体器件及电路的方法与流程

技术特征：
1.一种输出电路，所述输出电路包括：电压跟随器晶体管，所述电压跟随器晶体管被配置为接收第一信号，所述第一信号表示从第一电压源形成的输入电压，所述电压跟随器晶体管被配置为从小于所述第一电压源的第二供电电压形成输出电压，并且将输出处的输出电流供应给负载；增益晶体管，所述增益晶体管被配置为响应于所述输出电压的增大而从所述输出吸收电流，所述增益晶体管具有控制电极；和参考电路，所述参考电路耦接到所述增益晶体管的所述控制电极并被配置为响应于所述输出电压的所述增大而增大供应给所述增益晶体管的所述控制电极的第一电压，所述参考电路具有传导参考电流的参考晶体管。2.根据权利要求1所述的输出电路，其中所述电压跟随器晶体管具有被耦接以接收所述第二供电电压的漏极、被耦接以作为所述输出电流的来源的源极、以及栅极。3.根据权利要求1所述的输出电路，其中所述参考晶体管具有控制电极，所述控制电极被耦接以接收所述第一信号并且传导所述参考电流，其中所述参考电流响应于所述输出电压的变化而变化。4.根据权利要求3所述的输出电路，其中所述参考电路响应于所述参考电流的变化而改变供应给所述增益晶体管的所述控制电极的所述第一电压；并且所述电压跟随器晶体管的栅极通常耦接到所述参考晶体管的栅极并被耦接以接收所述输入电压，其中所述电压跟随器晶体管具有源极，所述源极耦接到所述增益晶体管的源极并被耦接以供应所述输出电压。5.根据权利要求1所述的输出电路，其中所述参考电路形成第一电流，所述参考晶体管被配置为传导所述第一电流的第一部分作为所述参考电流；并且所述参考电路包括第一晶体管，所述第一晶体管传导所述参考电流的第二部分作为第二电流，并且与所述第二电流的变化成比例地改变供应给所述增益晶体管的所述控制电极的所述第一电压。6.根据权利要求5所述的输出电路，其中所述参考电路包括：第一电流源，所述第一电流源耦接到所述增益晶体管的所述控制电极，其中所述第一电流源传导所述第二电流；和第二电流源，所述第二电流源具有被耦接以接收所述第一电压电源的第一端子和被耦接以供应所述第一电流的第二端子。7.根据权利要求1所述的输出电路，还包括精度电路，所述精度电路被配置为将所述电压跟随器晶体管的漏极电压限制为基本上所述参考电路的参考晶体管的漏极电压；和第一精度晶体管，所述第一精度晶体管具有源极，所述源极通常耦接到所述电压跟随器晶体管的漏极并被耦接以接收所述第二供电电压，所述第一精度晶体管具有耦接到所述第一精度晶体管的漏极的栅极，所述精度电路包括第二精度晶体管，所述第二精度晶体管具有耦接到所述第一精度晶体管的所述栅极的栅极、耦接到所述参考晶体管的漏极的源极以及被耦接以传导所述参考电流的漏极。8.一种形成转换器电路的方法，所述方法包括：耦接电压跟随器晶体管以从第一电路接收控制信号，所述第一电路在第一操作电压下操作，所述电压跟随器晶体管被配置为由小于所述第一操作电压的第二操作电压形成输出电压，其中所述输出电压表示所述控制信号并且是在输出处形成的，并且其中所述电压跟
随器晶体管在所述第二操作电压下供应输出电流；以及将参考电路配置为控制输出晶体管以响应于所述输出电压的减小而从所述输出吸收电流。9.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：将所述半导体器件的放大器电路配置为在第一操作电压下操作并且形成以所述第一操作电压为参考的第一信号；将所述半导体器件的输出晶体管配置为在小于所述第一操作电压的第二操作电压下操作，所述输出晶体管被配置为由所述第二操作电压形成输出电压并且还形成通过所述输出晶体管的输出电流，其中所述输出电压是在输出处形成的并且表示所述第一信号；以及将参考电路配置为形成与所述输出电流基本上成比例的参考电流，所述参考电路被配置为控制第一晶体管以响应于所述参考电流的变化而从所述输出吸收电流。10.根据权利要求9所述的方法，其中配置所述参考电路包括耦接参考晶体管以形成所述参考电流，其中所述参考晶体管的栅极连接到所述输出晶体管的栅极，其中所述参考电流的变化改变所述第一晶体管的栅极电压。

技术总结
本申请涉及形成半导体器件及电路的方法。在一个实施方案中，放大器电路可被配置有输出晶体管，该输出晶体管在输出处形成输出电流和输出电压。该放大器电路还可包括参考电路，该参考电路可被配置为形成与输出电流基本上成比例的参考电流。参考电路的实施方案还可被配置为控制晶体管以响应于参考电流的变化而从该输出吸收电流。该输出吸收电流。该输出吸收电流。


技术研发人员：M
受保护的技术使用者：半导体组件工业公司
技术研发日：2021.01.15
技术公布日：2021/9/9