振动分离装置的制作方法

1.本发明涉及振动分离装置。


背景技术：

2.以往，已知如下的振动分离装置，即，对大小、形状、重量等不同的被分离部件赋予振动，将被分离部件分离为在斜面上升的被分离部件和在斜面下降的被分离部件。例如，在通过滚筒镀敷处理在长方体状的芯片部件形成电极的情况下，一般是将芯片部件和作为通电媒介物的由钢球构成的介质浸渍于镀敷液中而进行。而且，在滚筒镀敷处理之后，通过振动分离装置将芯片部件和介质分离。
3.作为这种振动分离装置，已知如下的振动分离装置，即，在部件供给部的供给口的下方附近配设了最上段振动分离板，并在最上段振动分离板的斜面上升侧以及下降侧分别配设了呈台阶状下降的中间振动分离板(例如，参照专利文献1)。
4.在先技术文献
5.专利文献
6.专利文献1：日本特开2005
‑
21792号公报
7.在像专利文献1记载的那样的振动分离装置的情况下，在各振动分离板，成为在介质之中混入了芯片部件的状态，有时在各振动分离板的斜面下降的介质之中会卷入芯片部件。


技术实现要素：

8.发明要解决的课题
9.本发明是鉴于上述以往的状况而完成的，其目的在于，提供一种能够将被分离部件以高精度进行分离的振动分离装置。
10.用于解决课题的技术方案
11.(1)本发明涉及的振动分离装置具备：部件供给部，供给被分离部件；第1振动分离部，具有振动的第1倾斜面，将从所述部件供给部供给的被分离部件分离为在所述第1倾斜面上升的被分离部件和在所述第1倾斜面下降的被分离部件；第2振动分离部，具有振动的第2倾斜面，配置在所述第1振动分离部的所述第1倾斜面的下降侧的端部的下方，将从所述第1倾斜面的下降侧的端部下落的被分离部件分离为在所述第2倾斜面上升的被分离部件和在所述第2倾斜面下降的被分离部件；拦截机构；以及控制部，在所述第1倾斜面以及所述第2倾斜面中的至少任一个倾斜面，所述拦截机构设为对向该倾斜面的斜面下侧移动的被分离部件进行拦截的拦截状态和解除所述拦截状态而允许向斜面下侧移动的开放状态中的任一状态，所述控制部进行将所述拦截机构选择性地切换为所述拦截状态和所述开放状态中的任一者的控制。
12.(2)本发明涉及的振动分离装置具备：部件供给部，供给被分离部件；第1振动分离部，具有振动的第1倾斜面，将从所述部件供给部供给的被分离部件分离为在所述第1倾斜
面上升的被分离部件和在所述第1倾斜面下降的被分离部件；第2振动分离部，具有振动的第2倾斜面，配置在所述第1振动分离部的所述第1倾斜面的下降侧的端部的下方，将从所述第1倾斜面的下降侧的端部下落的被分离部件分离为在所述第2倾斜面上升的被分离部件和在所述第2倾斜面下降的被分离部件；第3振动分离部，具有振动的第3倾斜面，配置在所述第1振动分离部的所述第1倾斜面的上升侧的端部的下方，将从所述第1倾斜面的上升侧的端部下落的被分离部件分离为在所述第3倾斜面上升的被分离部件和在所述第3倾斜面下降的被分离部件；拦截机构；以及控制部，在所述第1倾斜面、所述第2倾斜面以及所述第3倾斜面中的至少任一个倾斜面，所述拦截机构设为对向该倾斜面的斜面下侧移动的被分离部件进行拦截的拦截状态和解除所述拦截状态而允许向斜面下侧移动的开放状态中的任一状态，所述控制部进行将所述拦截机构选择性地切换为所述拦截状态和所述开放状态中的任一者的控制。
13.(3)在(1)或(2)中，还具有：间歇供给机构，对所述拦截机构所作用的所述倾斜面间歇性地供给被分离部件，所述控制部进行将所述间歇供给机构切换为供给被分离部件的供给状态和停止被分离部件的供给的供给停止状态中的任一状态的控制。
14.(4)在(3)中，所述控制部在将所述拦截机构控制为所述拦截状态的状态下，将所述间歇供给机构从供给停止状态切换为供给状态，在将所述间歇供给机构切换为供给状态之后，在经过给定时间后将所述拦截机构切换为开放状态。
15.(5)在(4)中，所述给定时间为6秒以上。
16.(6)在(1)～(5)中，所述拦截机构构成为作用于所述第2倾斜面。
17.(7)在(2)中，所述第2倾斜面的上升侧的端部和所述第3倾斜面的上升侧的端部相互对置地配置，所述被分离部件是长方体状的被分离部件和球状的被分离部件的混合部件，所述振动分离装置还具备对所述长方体状的被分离部件进行回收的长方体状部件回收部，所述长方体状部件回收部配置在将从所述第2倾斜面的上升侧的端部以及所述第3倾斜面的上升侧的端部各自下落的被分离部件一同接受的位置，所述位置是所述第2倾斜面的上升侧的端部的下方且所述第3倾斜面的上升侧的端部的下方。
18.(8)在(2)中，所述第2倾斜面的下降侧的端部和所述第3倾斜面的下降侧的端部相互对置地配置，所述被分离部件是长方体状的被分离部件和球状的被分离部件的混合部件，所述振动分离装置还具备对所述球状的被分离部件进行回收的球状部件回收部，所述球状部件回收部配置在将从所述第2倾斜面的下降侧的端部以及所述第3倾斜面的下降侧的端部各自下落的被分离部件一同接受的位置，所述位置是所述第2倾斜面的下降侧的端部的下方且所述第3倾斜面的下降侧的端部的下方。
19.(9)在(1)中，还具备：第1倾斜角度调整部，调整所述第1倾斜面的倾斜角度；以及第2倾斜角度调整部，调整所述第2倾斜面的倾斜角度。
20.(10)在(2)中，还具备：第1倾斜角度调整部，调整所述第1倾斜面的倾斜角度；第2倾斜角度调整部，调整所述第2倾斜面的倾斜角度；以及第3倾斜角度调整部，调整所述第3倾斜面的倾斜角度。
21.(11)在(1)中，还具备振动状态设定部，所述振动状态设定部能够将所述第1振动分离部的振动状态和所述第2振动分离部的振动状态分别设定为不同的振动状态，所述控制部根据由所述振动状态设定部设定的振动状态对所述第1振动分离部的振动状态和所述
第2振动分离部的振动状态分别进行控制。
22.(12)在(2)中，还具备振动状态设定部，所述振动状态设定部能够将所述第1振动分离部的振动状态、所述第2振动分离部的振动状态以及所述第3振动分离部的振动状态分别设定为不同的振动状态，所述控制部根据由所述振动状态设定部设定的振动状态对所述第1振动分离部的振动状态、所述第2振动分离部的振动状态以及所述第3振动分离部的振动状态分别进行控制。
23.发明效果
24.根据本发明，能够提供一种能够将被分离部件以高精度进行分离的振动分离装置。
附图说明
25.图1是示意性地示出一个实施方式涉及的振动分离装置的侧视图。
26.图2是示出作为个实施方式涉及的被分离部件的层叠陶瓷电容器的立体图。
27.图3是示出作为一个实施方式涉及的被分离部件的由钢球构成的介质的立体图。
28.图4是示意性地示出一个实施方式涉及的振动分离装置的拦截机构的作用的侧视图，示出拦截机构刚刚变成拦截状态之后。
29.图5是示意性地示出一个实施方式涉及的振动分离装置的拦截机构的作用的侧视图，示出拦截机构正在成为拦截状态。
30.图6是示意性地示出一个实施方式涉及的振动分离装置的拦截机构的作用的侧视图，示出拦截机构变成了开放状态。
31.图7是示意性地示出一个实施方式涉及的振动分离装置的电结构的功能框图。
32.图8是示意性地示出基于一个实施方式的变形例的侧视图。
33.图9是示意性地示出基于一个实施方式的另一个变形例的侧视图。
34.图10是示意性地示出基于一个实施方式的又一个变形例的侧视图。
35.附图标记说明
36.1：振动分离装置；
37.5：部件供给部；
38.10：第1振动分离部；
39.11a：第1倾斜面的上升侧的端部；
40.11b：第1倾斜面的下降侧的端部；
41.11s：第1倾斜面；
42.13：第1倾斜角度调整部；
43.20：第2振动分离部；
44.21a：第2倾斜面的上升侧的端部；
45.21b：第2倾斜面的下降侧的端部；
46.21s：第2倾斜面；
47.23：第2倾斜角度调整部；
48.30：第3振动分离部；
49.31a：第3倾斜面的上升侧的端部；
50.31b：第3倾斜面的下降侧的端部；
51.31s：第3倾斜面；
52.33：第3倾斜角度调整部；
53.40：拦截机构；
54.50：间歇供给机构；
55.60：长方体状部件回收部；
56.65：球状部件回收部；
57.70：控制部；
58.80：振动状态设定部；
59.c：芯片部件(被分离部件、长方体状的被分离部件)；
60.m：介质(被分离部件、球状的被分离部件)。
具体实施方式
61.以下，参照附图对本公开的一个实施方式进行说明。如图1所示，本实施方式涉及的振动分离装置1具备部件供给部5、第1振动分离部10、第2振动分离部20、第3振动分离部30、拦截机构40、间歇供给机构50、长方体状部件回收部60、以及球状部件回收部65。
62.部件供给部5配置在第1振动分离部10的上方。部件供给部5包含料斗5a。料斗5a通过使投入到内部的被分离部件向下方下落，从而对第1振动分离部10供给被分离部件。
63.本实施方式涉及的被分离部件是图2所示的芯片部件c和图3所示的介质m的混合部件。芯片部件c是通过滚筒镀敷处理形成了电极的长方体状的被分离部件。介质m是在对芯片部件c进行滚筒镀敷处理时作为虚设件(dummy)使用的由钢球构成的球状的被分离部件。在以下的说明中，有时将芯片部件c和介质m的混合部件称为被分离部件cm。
64.如图1所示，第1振动分离部10具备第1振动板11、第1振动发生部12、以及第1倾斜角度调整部13。
65.第1振动板11具有接受从部件供给部5下落的被分离部件cm的第1倾斜面11s。第1倾斜面11s由第1振动板11的平坦的上表面构成。第1振动板11被支承为能够以摆动轴14为轴而在图1中在箭头e方向上进行摆动。第1振动板11通过第1倾斜角度调整部13倾斜地配置为在图1中朝向左侧成为上升斜坡。第1振动板11配置为上表面的第1倾斜面11s的倾斜角度相对于水平面成为例如5
°
以上且6
°
以下的范围内。该倾斜角度是一个例子，第1倾斜面11s的倾斜角度并不限定在该范围内。
66.第1振动板11的第1倾斜面11s被加工为与芯片部件c之间产生适度的摩擦而使受到振动的芯片部件c容易在第1倾斜面11s上升的状态，或者由产生这样的摩擦的材质构成。例如，第1倾斜面11s由包含天然橡胶、nbr(丁腈橡胶)等合成橡胶的橡胶衬垫构成。
67.第1振动分离部10将供给到第1倾斜面11s的被分离部件cm分离为在第1倾斜面11s上升的被分离部件(主要是芯片部件c)和在第1倾斜面11s下降的被分离部件(主要是介质m)。第1倾斜面11s具有上升侧的端部11a和下降侧的端部11b。
68.第1振动发生部12对第1振动板11赋予上升方向的振动。第1振动发生部12例如具备如下结构，即，具有使用了超声波振子、电磁铁、马达等公知的振动发生源和将其发生振动传递到第1振动板11的机构。第1振动发生部12只要能够对第1振动板11适当地赋予上升
方向的振动即可，并不限定于上述结构。
69.本实施方式涉及的振动分离装置1能够通过后述的振动状态设定部80以及控制部70来设定第1振动分离部10的振动状态，即，基于第1振动发生部12的第1振动板11的振动状态。
70.第1倾斜角度调整部13以摆动轴14为轴使第1振动板11摆动而对第1倾斜面11s的倾斜角度进行调整。在本实施方式中，第1倾斜角度调整部13配置在第1振动板11的下方且靠近上升侧的端部11a的位置。第1倾斜角度调整部13通过使第1振动板11的端部上下运动，从而使第1振动板11摆动，由此对第1倾斜面11s的倾斜角度进行调整。第1倾斜角度调整部13例如包含流体压力缸等致动器而构成，但是只要能够适当地调整第1振动板11的倾斜角度即可，并不限定于上述结构。
71.如图1所示，第2振动分离部20在第1倾斜面11s的下降侧的端部11b的下方隔开给定的间隔配置。第2振动分离部20具备第2振动板21、第2振动发生部22、以及第2倾斜角度调整部23。
72.第2振动板21具有接受从第1倾斜面11s的下降侧的端部11b下落的被分离部件的第2倾斜面21s。第2倾斜面21s由第2振动板21的平坦的上表面构成。第2振动板21被支承为能够以摆动轴24为轴在图1中在箭头f方向上摆动。第2振动板21通过第2倾斜角度调整部23倾斜地配置为在图1中朝向左侧成为上升斜坡。第2振动板21配置为上表面的第2倾斜面21s的倾斜角度相对于水平面为例如4.5
°
以下的角度，且在图1中朝向左侧成为上升斜坡。该倾斜角度是一个例子，第2倾斜面21s的倾斜角度并不限定在该范围内，即，并不限定在超过0
°
且4.5
°
以下的范围内。
73.第2振动板21的第2倾斜面21s与第1振动板11的第1倾斜面11s同样地，被加工为与芯片部件c之间产生适度的摩擦而使受到振动的芯片部件c容易在第2倾斜面21s上升的状态，或者由产生这样的摩擦的材质(例如，上述的橡胶)构成。
74.第2振动分离部20将供给到第2倾斜面21s的被分离部件cm分离为在第2倾斜面21s上升的被分离部件(芯片部件c)和在第2倾斜面21s下降的被分离部件(介质m)。第2倾斜面21s具有上升侧的端部21a和下降侧的端部21b。
75.第2振动发生部22对第2振动板21赋予上升方向的振动。第2振动发生部22可以是与上述的第1振动发生部12相同结构的部件，但是只要能够对第2振动板21适当地赋予上升方向的振动即可，其结构没有限定。
76.本实施方式涉及的振动分离装置1能够通过后述的振动状态设定部80以及控制部70来设定第2振动分离部20的振动状态，即，基于第2振动发生部22的第2振动板21的振动状态。
77.第2倾斜角度调整部23以摆动轴24为轴使第2振动板21摆动而对第2倾斜面21s的倾斜角度进行调整。在本实施方式中，第2倾斜角度调整部23配置在第2振动板21的下方且靠近下降侧的端部21b的位置。第2倾斜角度调整部23通过使第2振动板21的端部上下运动，从而使第2振动板21摆动，由此对第2倾斜面21s的倾斜角度进行调整。第2倾斜角度调整部23可以是与上述的第1倾斜角度调整部13相同结构的部件，但是只要能够适当地调整第2振动板21的倾斜角度即可，并不限定于上述结构。
78.如图1所示，第3振动分离部30在第1倾斜面11s的上升侧的端部11a的下方隔开给
定的间隔而配置。第3振动分离部30具备第3振动板31、第3振动发生部32、以及第3倾斜角度调整部33。
79.第3振动板31具有接受从第1倾斜面11s的上升侧的端部11a下落的被分离部件的第3倾斜面31s。第3倾斜面31s由第3振动板31的平坦的上表面构成。第3振动板31被支承为能够以摆动轴34为轴而在图1中在箭头g方向上摆动。第3振动板31通过第3倾斜角度调整部33倾斜地配置为在图1中朝向右侧成为上升斜坡。第3振动板31配置为上表面的第3倾斜面31s的倾斜角度相对于水平面以例如7.5
°
以上倾斜。该倾斜角度是一个例子，第3倾斜面31s的倾斜角度并不限定于该角度。
80.第3振动板31的第3倾斜面31s与第1振动板11的第1倾斜面11s同样地，被加工为与芯片部件c之间产生适度的摩擦而使受到振动的芯片部件c容易在第3倾斜面31s上升的状态，或者由产生这样的摩擦的材质(例如，上述的橡胶)构成。
81.第3振动分离部30将供给到第3倾斜面31s的被分离部件cm分离为在第3倾斜面31s上升的被分离部件(芯片部件c)和在第3倾斜面31s下降的被分离部件(介质m)。第3倾斜面31s具有上升侧的端部31a和下降侧的端部31b。
82.第3振动发生部32对第3振动板31赋予上升方向的振动。第3振动发生部32可以是与上述的第1振动发生部12相同结构的部件，但是只要能够对第3振动板31适当地赋予上升方向的振动即可，并不限定于上述结构。
83.本实施方式涉及的振动分离装置1能够通过后述的振动状态设定部80以及控制部70来设定第3振动分离部30的振动状态，即，基于第3振动发生部32的第3振动板31的振动状态。
84.第3倾斜角度调整部33以摆动轴34为轴使第3振动板31摆动而对第3倾斜面31s的倾斜角度进行调整。在本实施方式中，第3倾斜角度调整部33配置在第3振动板31的下方且靠近下降侧的端部31b的位置。第3倾斜角度调整部33通过使第3振动板31的端部上下运动，从而使第3振动板31摆动，由此对第3倾斜面31s的倾斜角度进行调整。第3倾斜角度调整部33可以是与上述的第1倾斜角度调整部13相同结构的部件，但是只要能够适当地调整第3振动板31的倾斜角度即可，并不限定于上述结构。
85.拦截机构40是如下的机构，即，在第1倾斜面11s、第2倾斜面21s以及第3倾斜面31s中的至少任一个倾斜面，设为对向该倾斜面的斜面下侧移动的被分离部件cm在该倾斜面的中途进行拦截的“拦截状态”和解除该拦截状态而允许向斜面下侧移动的“开放状态”中的任一状态。在本实施方式中，该拦截机构40设置在第2振动分离部20。
86.如图1所示，设置在第2振动分离部20的拦截机构40包含拦截板41。拦截板41由在铅垂方向上竖立的具有给定高度的板材构成。拦截板41具有与第2倾斜面21s的宽度(在图1、图4～图6中为附图的表里方向上的尺寸)同等或者其以上的宽度。拦截板41能够上下运动地配置在第2振动板21的长边方向(倾斜方向)中央部附近的上方。拦截板41在其宽度方向上的两端部各自具有侧壁部41b。侧壁部41b向第2倾斜面21s的上升侧延伸。通过侧壁部41b，可防止通过拦截板41拦截的被分离部件洒落。
87.拦截板41被电动马达、电磁螺线管、流体压力缸等未图示的致动器驱动，使得在上下方向上移动。如图4以及图5所示，拦截板41下降而在其下端靠近第2倾斜面21s或与第2倾斜面21s抵接的位置成为上述拦截状态。拦截板41在拦截状态下接受在第2倾斜面21s向斜
面下侧移动过来的被分离部件cm并进行拦截。
88.如图6所示，拦截板41上升而在与第2倾斜面21s相距给定距离的位置成为上述开放状态。若拦截板41成为开放状态，则被拦截板41拦截的被分离部件cm向斜面下侧移动。拦截板41被后述的控制部70切换控制为拦截状态和开放状态中的任一状态。
89.间歇供给机构50临时接受从第1倾斜面11s的下降侧的端部11b下落的被分离部件cm并储存，接下来将储存的被分离部件cm供给到第2倾斜面21s的比拦截板41的位置靠上升侧。间歇供给机构50被切换为将被分离部件供给到第2倾斜面21s的“供给状态”和停止被分离部件的供给的“供给停止状态”中的任一状态。
90.如图4～图6所示，间歇供给机构50包含旋转式的供给容器51而构成。供给容器51是沿着第2倾斜面21s的宽度方向(附图的表里方向)延伸的流槽状的容器，具有剖面为半圆弧状的底部51a和开口部51b。供给容器51设置为能够以沿着自身的延伸方向延伸的旋转轴51c为轴而进行转动。供给容器51接受电动马达等未图示的致动器的动力而进行旋转。
91.如图1所示，供给容器51的开口部51b向上的状态成为上述供给停止状态。在供给停止状态下，在供给容器51的内部被投入从第1倾斜面11s的下降侧的端部11b下落的被分离部件cm并储存一定量的被分离部件。如图4所示，供给容器51在箭头h方向上旋转，如图5所示，开口部51b向下的状态成为上述供给状态。在供给状态下，储存在供给容器51内的被分离部件供给到第2倾斜面21s。若供给容器51内变空，被分离部件的供给结束，则供给容器51向反方向旋转而返回到供给停止状态。
92.供给容器51被后述的控制部70切换控制为供给状态和供给停止状态中的任一状态。另外，关于间歇供给机构50，只要是能够临时接受并储存从第1倾斜面11s的下降侧的端部11b下落的被分离部件cm且能够将储存的被分离部件cm供给到第2倾斜面21s的比拦截板41靠上升侧的结构即可，并不限定于上述供给容器51，可以包含任何方式。
93.如图1所示，在本实施方式涉及的振动分离装置1中，第2倾斜面21s的上升侧的端部21a和第3倾斜面31s的上升侧的端部31a相互对置地配置。
94.如图1所示，长方体状部件回收部60是对芯片部件c进行回收的部分。本实施方式涉及的长方体状部件回收部60包含第1回收盘61。第1回收盘61配置在将从第2倾斜面21s的上升侧的端部21a以及第3倾斜面31s的上升侧的端部31a各自下落的芯片部件c一同接受的位置，该位置是第2倾斜面21s的上升侧的端部21a的下方且第3倾斜面31s的上升侧的端部31a的下方。
95.球状部件回收部65是对介质m进行回收的部分。本实施方式涉及的球状部件回收部65包含与第2振动分离部20对应的第2回收盘66和与第3振动分离部30对应的第3回收盘67。第2回收盘66配置在第2倾斜面21s的下降侧的端部21b的下方且接受从该端部21b下落的作为被分离部件的介质m的位置。第3回收盘67配置在第3倾斜面31s的下降侧的端部31b的下方且接受从该端部31b下落的作为被分离部件的介质m的位置。
96.如图7所示，本实施方式涉及的振动分离装置1还具备对上述的拦截机构40、间歇供给机构50进行控制的控制部70。此外，在本实施方式中，如图7所示，还具备由控制部70进行控制的振动状态设定部80。
97.图7是示意性地示出振动分离装置1的电结构的功能框图。如图7所示，在控制部70电连接有拦截机构40以及间歇供给机构50各自具备的驱动部件(例如，上述致动器等)。此
外，在控制部70电连接有振动状态设定部80。
98.控制部70进行将上述的拦截机构40的拦截板41选择性地切换为拦截状态和开放状态中的任一者的控制。此外，控制部70进行将上述的间歇供给机构50的供给容器51切换为供给被分离部件的供给状态和停止被分离部件的供给的供给停止状态中的任一状态的控制。
99.振动状态设定部80与第1振动分离部10的第1振动发生部12、第2振动分离部20的第2振动发生部22以及第3振动分离部30的第3振动发生部32分别电连接。而且，振动状态设定部80将第1振动板11的振动状态、第2振动板21的振动状态、以及第3振动板31的振动状态分别设定为不同的振动状态。控制部70根据由振动状态设定部80设定的振动状态对第1振动分离部10的第1振动板11的振动状态、第2振动分离部20的第2振动板21的振动状态、以及第3振动分离部30的第3振动板31的振动状态分别进行控制。另外，上述的所谓电连接，包含有线连接以及无线连接这两者，可采用任一者的连接方式。
100.具备以上的结构的本实施方式涉及的振动分离装置1像以下那样起作用而对被分离部件进行分离。拦截机构40的拦截板41以及间歇供给机构50的供给容器51的动作由控制部70进行控制。
101.首先，通过控制部70将间歇供给机构50的供给容器51设为供给停止状态，并将拦截机构40的拦截板41设为拦截状态。包含多个芯片部件c以及多个介质m的被分离部件cm被投入到部件供给部5的料斗5a内，并从料斗5a供给到第1振动分离部10的第1倾斜面11s。在被分离部件cm中，在振动的第1倾斜面11s，多个芯片部件c上升，与此相反地，多个介质m滚落，由此被分离为多个芯片部件c和多个介质m。在第1倾斜面11s上升的芯片部件c从上升侧的端部11a下落到第3振动分离部30的第3倾斜面31s。在第1倾斜面11s滚落的介质m从第1倾斜面11s的下降侧的端部11b下落到成为供给停止状态的间歇供给机构50的供给容器51。
102.在此，有时从第1倾斜面11s的下降侧的端部11b下落的介质m中会混有埋没在介质m中等而未能分离的芯片部件c。从第1倾斜面11s的下降侧的端部11b下落的被分离部件经过间歇供给机构50继续被第2振动分离部20分离。另一方面，有时从第1倾斜面11s的上升侧的端部11a下落的芯片部件c中会混有少量的介质m。从第1倾斜面11s的上升侧的端部11a下落的被分离部件继续被第3振动分离部30分离。
103.从第1倾斜面11s的下降侧的端部11b下落的被分离部件被供给停止状态的供给容器51接受，并在供给容器51内储存一定量。接下来，供给容器51旋转而如图4所示地切换为供给状态，供给容器51内的被分离部件下落到第2振动分离部20的第2倾斜面21s。在供给容器51成为供给状态时，停止从部件供给部5供给被分离部件。
104.下落到第2倾斜面21s的被分离部件被拦截板41拦截。在被拦截板41拦截的被分离部件中，由于第1倾斜面11s振动，从而如图5所示，芯片部件c在斜面上升，并从被拦截的介质m之中分离。
105.在介质m被拦截板41拦截在第1倾斜面11s上且芯片部件c在第1倾斜面11s上升的状态经过了给定时间之后，如图6所示，拦截板41上升而成为开放状态。由此，被拦截板41拦截的介质m在第1倾斜面11s滚落，并从第2倾斜面21s的下降侧的端部21b下落到球状部件回收部65的第2回收盘66而被回收。另一方面，在第2倾斜面21s上升的芯片部件c从上升侧的端部21a下落到长方体状部件回收部60的第1回收盘61而被回收。此后，供给容器51返回到
供给停止状态，并且拦截板41返回到拦截状态，被分离部件从部件供给部5供给到第1振动分离部10，重复上述动作。
106.像上述的那样，控制部70在将拦截机构40控制为拦截状态的状态下，将间歇供给机构50从供给停止状态切换为供给状态，在将间歇供给机构50切换为供给状态之后，在经过给定时间后将拦截机构40切换为开放状态。此后，控制部70再次重复进行将拦截机构40控制为拦截状态并且将间歇供给机构50设为供给停止状态这样的控制。
107.在将间歇供给机构50切换为供给状态之后，直到将拦截机构40切换为开放状态为止的上述给定时间是为了从被拦截的被分离部件之中使芯片部件c在第2倾斜面21s上升而分离所赋予的时间。该给定时间例如优选为5秒以上且10秒以下。这是基于以下理由，即，若低于5秒，则芯片部件c的分离有可能变得不充分，若超过10秒，则虽然能够将芯片部件c充分地分离，但是会产生浪费的处理时间。该给定时间在5秒以上且10秒以下的范围之中更优选为6秒以上。
108.被第1振动分离部10分离的芯片部件c，即，在第1倾斜面11s上升的被分离部件从上升侧的端部11a下落到第3振动分离部30的第3倾斜面31s。下落到第3倾斜面31s的芯片部件c在振动的第3倾斜面31s上升并从上升侧的端部31a下落到长方体状部件回收部60的第1回收盘61而被回收。在此，在下落到第3倾斜面31s的被分离部件之中存在介质m的情况下，该介质m在第3倾斜面31s滚落并从下降侧的端部31b下落到球状部件回收部65的第3回收盘67而被回收。
109.通过以上的作用，在振动分离装置1中，在作为供给到部件供给部5的多个芯片部件c以及多个介质m的混合部件的被分离部件中，多个芯片部件c被回收到第1回收盘61，多个介质m被回收到第2回收盘66或第3回收盘67而被分离。
110.根据上述的本实施方式涉及的振动分离装置1，可达到以下的效果。
111.本实施方式涉及的振动分离装置1具备：部件供给部5，供给被分离部件；第1振动分离部10，具有振动的第1倾斜面11s，将从部件供给部5供给的被分离部件分离为在第1倾斜面11s上升的被分离部件和在第1倾斜面11s下降的被分离部件；第2振动分离部20，具有振动的第2倾斜面21s，配置在第1振动分离部10的第1倾斜面11s的下降侧的端部11b的下方，将从第1倾斜面11s的下降侧的端部11a下落的被分离部件分离为在第2倾斜面21s上升的被分离部件和在第2倾斜面21s下降的被分离部件；第3振动分离部30，具有振动的第3倾斜面31s，配置在第1振动分离部10的第1倾斜面11s的上升侧的端部11a的下方，将从第1倾斜面11s的上升侧的端部11a下落的被分离部件分离为在第3倾斜面31s上升的被分离部件和在第3倾斜面31s下降的被分离部件；拦截机构40；以及控制部70，在第1倾斜面11s、第2倾斜面21s以及第3倾斜面31s中的至少任一个倾斜面，拦截机构40设为对向该倾斜面的斜面下侧移动的被分离部件进行拦截的拦截状态和解除拦截状态而允许向斜面下侧移动的开放状态中的任一状态，控制部70进行将拦截机构40选择性地切换为拦截状态和开放状态中的任一者的控制。在一个实施方式中，拦截机构40具体设置在第2振动分离部20。
112.由此，下落到第2倾斜面21s的被分离部件在第2倾斜面21s的下降被拦截机构40拦截，此时，芯片部件c能够不被卷入到在第2倾斜面21s下降的介质m而在第2倾斜面21s上升。因而，能够在第2振动分离部20中进行精度高的分离。
113.本实施方式涉及的振动分离装置1还具有对拦截机构40所作用的第2倾斜面21s间
歇性地供给被分离部件的间歇供给机构50，控制部70进行将间歇供给机构50切换为供给被分离部件的供给状态和停止被分离部件的供给的供给停止状态中的任一状态的控制。
114.由此，能够在适当的定时将被分离部件供给到设置了拦截机构40的第2振动分离部20，因此能够进行更高精度的分离。
115.在本实施方式涉及的振动分离装置1中，控制部70在将拦截机构40控制为拦截状态的状态下将间歇供给机构50从供给停止状态切换为供给状态，在将间歇供给机构50切换为供给状态之后，在经过给定时间后将拦截机构40切换为开放状态。
116.由此，在将被分离部件供给到第2倾斜面21s之后，将被分离部件在第2倾斜面21s的下降拦截给定时间，由此，能够更有效地防止欲在第2倾斜面21s上升的芯片部件c被卷入到在第2倾斜面21s下降的介质m并在第2倾斜面21s下降而不被分离这样的不良情况。
117.在本实施方式的振动分离装置1中，在将间歇供给机构50切换为供给状态之后，直到将拦截机构40切换为开放状态为止的给定时间为6秒以上。
118.由此，用于从被拦截机构40拦截的被分离部件之中使芯片部件c在第2倾斜面21s上升而分离的时间变得充分。其结果是，能够更有效地防止欲在第2倾斜面21s上升的少量的芯片部件c被卷入到在第2倾斜面21s下降的大量的介质m并在第2倾斜面21s下降而不被分离这样的不良情况。
119.在本实施方式的振动分离装置1中，拦截机构40构成为作用于第2倾斜面21s。
120.被第1振动分离部10分离的介质m侧的被分离部件，即，从第1倾斜面11s的下降侧的端部11b下落的被分离部件在多数情况下在大量的介质m中混有少量的芯片部件c，成为分离比较困难的状态。因此，如果像本实施方式那样使得拦截机构40作用于第2倾斜面21s，则即使在分离容易变得困难的第2倾斜面21s也能够进行精度高的分离。
121.在本实施方式的振动分离装置1中，第2倾斜面21s的上升侧的端部21a和第3倾斜面31s的上升侧的端部31a相互对置地配置，被分离部件是作为长方体状的被分离部件的芯片部件c和作为球状的被分离部件的介质m的混合部件，振动分离装置1还具备对芯片部件c进行回收的长方体状部件回收部60，长方体状部件回收部60配置在将从第2倾斜面21s的上升侧的端部21a以及第3倾斜面31s的上升侧的端部31a各自下落的芯片部件c一同接受的位置，该位置是第2倾斜面21s的上升侧的端部21a的下方且第3倾斜面31s的上升侧的端部31a的下方。
122.由此，能够将从被分离部件分离的大量的芯片部件c汇集到一处长方体状部件回收部60进行回收。
123.本实施方式的振动分离装置1具备对第1倾斜面11s的倾斜角度进行调整的第1倾斜角度调整部13、对第2倾斜面21s的倾斜角度进行调整的第2倾斜角度调整部23、以及对第3倾斜面31s的倾斜角度进行调整的第3倾斜角度调整部33。
124.在第1倾斜面11s、第2倾斜面21s以及第3倾斜面31s，除了被分离部件的大小、形状、重量等以外，有时还根据所分离的被分离部件的存在比率等各种各样的与被分离部件相关的变动要素而存在容易将被分离部件分离的适当的倾斜角度。因此，若能够对第1倾斜面11s、第2倾斜面21s以及第3倾斜面31s的倾斜角度分别进行调整，则能够容易地设定为该适当的倾斜角度。本实施方式具备上述第1倾斜角度调整部13、第2倾斜角度调整部23以及第3倾斜角度调整部33，因此能够将第1倾斜面11s、第2倾斜面21s以及第3倾斜面31s容易地
调整为容易将被分离部件分离的适当的倾斜角度，其结果是，能够分别提高在第1倾斜面11s、第2倾斜面21s以及第3倾斜面31s的分离精度。
125.本实施方式的振动分离装置还具备振动状态设定部80，振动状态设定部80能够将第1振动分离部10的振动状态、第2振动分离部20的振动状态、以及第3振动分离部30的振动状态分别设定为不同的振动状态，控制部70根据由振动状态设定部80设定的振动状态对第1振动分离部10的振动状态、第2振动分离部20的振动状态、以及第3振动分离部30的振动状态分别进行控制。
126.在第1振动分离部10、第2振动分离部20以及第3振动分离部30中，除了被分离部件的大小、形状、重量等以外，有时还根据所分离的被分离部件的存在比率等各种各样的与被分离部件相关的变动要素而存在容易将被分离部件分离的适当的振动状态。因此，若能够将第1振动分离部10、第2振动分离部20以及第3振动分离部30的振动状态分别设定为不同的振动状态，则能够容易地设定为该适当的振动状态。本实施方式具备上述振动状态设定部80，因此能够将第1振动分离部10、第2振动分离部20以及第3振动分离部30容易地调整为容易将被分离部件分离的适当的振动状态，其结果是，能够分别提高第1振动分离部10、第2振动分离部20以及第3振动分离部30中的分离精度。另外，在本实施方式中所说的振动状态是指发生的振动的振幅、振动频率等。
127.接着，通过图8～图10对基于上述一个实施方式涉及的振动分离装置1的结构的变形例进行说明。在变形例的说明时，对同一构成要素标注同一附图标记，并省略或简化关于这些结构的说明，仅对不同点进行说明。
128.在图8所示的振动分离装置1中，在全部的振动分离部具备拦截机构40。即，在图8所示的振动分离装置1中，不仅是第2振动分离部20，在第1振动分离部10和第3振动分离部30也设置有包含拦截板41的拦截机构40。
129.设置在第1振动分离部10的拦截机构40包含对在第1倾斜面11s下降的被分离部件进行拦截的拦截板41。此外，设置在第3振动分离部30的拦截机构40包含对在第3倾斜面31s下降的被分离部件进行拦截的拦截板41。
130.根据该变形例，除了第2振动分离部20以外，第1振动分离部10以及第3振动分离部30中的分离精度也分别提高，因此能够进一步提高作为装置整体的分离精度。另外，在图8所示的变形例中，与上述一个实施方式同样地，对第2振动分离部20设置有间歇供给机构50，但是也可以在第1振动分离部10以及第3振动分离部30也设置间歇供给机构50。另外，在将拦截机构40设置于第1振动分离部10的情况下，也可以与间歇供给机构50进行的定时同样地对从部件供给部5的料斗5a供给被分离部件的定时进行控制，从而使部件供给部5作为间歇供给机构50发挥功能。
131.在图9所示的振动分离装置1中，第2振动分离部20的第2振动板21和第3振动分离部30的第3振动板31的倾斜方向分别与上述实施方式相反。即，第2振动板21倾斜地配置为在图9中朝向右侧成为上升斜坡。第3振动板31倾斜地配置为在图9中朝向左侧成为上升斜坡。在该振动分离装置1中，第2倾斜面21s的下降侧的端部21b和第3倾斜面31s的下降侧的端部31b相互对置地配置。
132.对介质m进行回收的球状部件回收部65包含第1回收盘61。该第1回收盘61配置在将从第2倾斜面21s的下降侧的端部21b以及第3倾斜面31s的下降侧的端部31b各自下落的
介质m一同接受的位置，该位置是第2倾斜面21s的下降侧的端部21b的下方且第3倾斜面31s的下降侧的端部31b的下方。
133.此外，对芯片部件c进行回收的长方体状部件回收部60包含与第2振动分离部20对应的第2回收盘66和与第3振动分离部30对应的第3回收盘67。第2回收盘66配置在第2倾斜面21s的上升侧的端部21a的下方且接受从该端部21a下落的作为被分离部件的芯片部件c的位置。第3回收盘67配置在第3倾斜面31s的上升侧的端部31a的下方且接受从该端部31a下落的作为被分离部件的芯片部件c的位置。
134.根据图9所示的变形例，能够将从被分离部件分离的大量的介质m汇集到一处球状部件回收部65进行回收。
135.图10示出又一个变形例。该变形例在图1所示的振动分离装置1中不具备第3振动分离部30，并在第1倾斜面11s的上升侧的端部11a的下方配置有构成长方体状部件回收部60的第4回收盘62。在该变形例中，在第1振动分离部10中在第1倾斜面11s上升的被分离部件从上升侧的端部11a下落而被第4回收盘62直接回收。在该变形例中，优选对第1倾斜面11s的倾斜角度、第1振动分离部10的振动状态进行调整，使得从第1倾斜面11s的上升侧的端部11a下落的被分离部件几乎都为芯片部件c。
136.根据该变形例，由于不具备第3振动分离部30，从而具有能够降低装置成本、减小设置空间等优点。
137.以上，对实施方式进行了说明，但是本公开并不限制于上述的实施方式，能够适当地进行变更。
138.例如，只要对第1倾斜面11s、第2倾斜面21s以及第3倾斜面31s中的至少任一个倾斜面设置拦截机构40即可。因此，可以如图8所示，对第1倾斜面11s、第2倾斜面21s以及第3倾斜面31s全部设置拦截机构40，也可以对第1倾斜面11s、第2倾斜面21s以及第3倾斜面31s中的任意两个倾斜面设置。此外，如图10所示，作为振动分离部，只要至少具备第1振动分离部10和第2振动分离部20即可，第3振动分离部30的设置可以是任意的。
139.拦截机构40并不限定于拦截板41那样的结构，只要是能够对在成为对象的倾斜面下降的被分离部件进行拦截的结构即可，其结构可以是任何方式。例如，还能够构成为对作为拦截被分离部件的对象的倾斜面呈帘状地喷出高压的空气而对被分离部件进行拦截。
140.间歇供给机构50并不限定于供给容器51那样的结构，只要是能够间歇性地供给给定量的被分离部件的结构即可，其结构可以是任何方式。
141.控制部70也可以构成为，除了拦截机构40、间歇供给机构50以及振动状态设定部80以外还进行第1倾斜角度调整部13、第2倾斜角度调整部23以及第3倾斜角度调整部33的控制。