膜状黏合剂、黏合片及半导体装置的制作方法

1.本发明涉及一种膜状黏合剂、黏合片及半导体装置。


背景技术：

2.近年来，将半导体元件(半导体芯片)层叠为多层而成的层叠mcp(multi chip package：多芯片封装)正在普及，其作为移动电话、便携式音频设备用存储器半导体封装等而被搭载。并且，随着移动电话等的多功能化，半导体封装的高速化、高密度化、高集成化等也正在推进中。随之，通过使用铜作为半导体芯片电路的配线材料来实现高速化。并且，从提高与复杂的搭载基板的连接可靠性、促进从半导体封装的排热的观点考虑，逐渐使用将铜作为材料的引线框等。
3.但是，从铜具有容易腐蚀的特性及低成本化的观点考虑，用于确保电路面的绝缘性的涂覆材料也趋于被简化，因此半导体封装具有难以确保电特性的倾向。尤其，在层叠有多层半导体芯片的半导体封装中，因腐蚀而产生的铜离子在黏合剂内部移动，具有容易引起半导体芯片内或半导体芯片/半导体芯片之间的电信号的损耗的倾向。
4.并且，从高功能化的观点考虑，将半导体元件连接于复杂的搭载基板的情况较多，为了提高连接可靠性，具有喜好将铜作为材料的引线框的倾向。即使在这种情况下，有时由从引线框产生的铜离子引起的电信号的损耗成为问题。
5.另外，在使用了将铜作为材料的部件的半导体封装中，从该部件产生铜离子，这引起电故障的可能性高，有可能无法得到充分的耐hast性。
6.从防止电信号的损耗等的观点考虑，正在对捕捉在半导体封装内产生的铜离子的黏合剂进行研究。例如，在专利文献1中公开了一种半导体装置制造用黏合片，其具有热塑性树脂和有机系络合物形成化合物，该热塑性树脂具有环氧基且不具有羧基，该有机系络合物形成化合物具有在环原子中包含叔氮原子的杂环化合物，并与阳离子形成络合物。
7.以往技术文献
8.专利文献
9.专利文献1：日本特开2013
‑
026566号公报


技术实现要素：

10.发明要解决的技术课题
11.然而，以往的黏合剂在抑制伴随黏合剂内的铜离子的移动的不良情况的方面并不充分，仍有改善的余地。
12.因此，本发明的主要目的在于提供一种能够充分抑制伴随黏合剂内的铜离子的移动的不良情况的膜状黏合剂。
13.用于解决技术课题的手段
14.本发明的发明人进行了深入研究，结果发现通过使用具有特定范围的玻璃化转变温度(tg)的丙烯酸橡胶能够充分抑制黏合剂内的铜离子渗透，从而完成了本发明。
15.本发明的一侧面提供一种膜状黏合剂，其用于黏合半导体元件和搭载半导体元件的支承部件，其中，所述膜状黏合剂含有丙烯酸橡胶，丙烯酸橡胶满足下述条件(i)或条件(ii)中的任一个。
16.条件(i)：具有源自丙烯腈的构成单元且具有超过12℃的玻璃化转变温度(tg)。
17.条件(ii)：不具有源自丙烯腈的构成单元且具有0℃以上的玻璃化转变温度(tg)。
18.通过使用这种丙烯酸橡胶能够充分抑制黏合剂内的铜离子的移动的理由未必明确，但本发明的发明人认为，这是因为随着丙烯酸橡胶的玻璃化转变温度(tg)变高而分子运动性有变低的倾向，铜离子在分子的间隙通过的概率变低。
19.本发明的另一侧面提供一种黏合片，其具备：基材；及上述膜状黏合剂，设置于基材的一个面上。基材可以为切割带。
20.本发明的另一侧面提供一种半导体装置，其具备：半导体元件；搭载半导体元件的支承部件；及黏合部件，设置于半导体元件及支承部件之间，并黏合半导体元件与支承部件，并且黏合部件为上述膜状黏合剂或其固化物。
21.发明效果
22.根据本发明，可提供一种能够充分抑制伴随黏合剂内的铜离子的移动的不良情况的膜状黏合剂。并且，根据本发明，可提供一种使用这种膜状黏合剂的黏合片及半导体装置。
附图说明
23.图1是表示膜状黏合剂的一实施方式的示意剖视图。
24.图2是表示黏合片的一实施方式的示意剖视图。
25.图3是表示黏合片的另一实施方式的示意剖视图。
26.图4是表示黏合片的另一实施方式的示意剖视图。
27.图5是表示黏合片的另一实施方式的示意剖视图。
28.图6是表示半导体装置的一实施方式的示意剖视图。
29.图7是表示半导体装置的另一实施方式的示意剖视图。
具体实施方式
30.以下，适当参考附图对本发明的实施方式进行说明。但是，本发明并不限定于以下实施方式。在以下的实施方式中，除非特别明示的情况，否则其构成要件(也包括步骤等)并不是必须的。各图中的构成要件的大小是概念性的大小，构成要件之间的大小的相对关系并不限定于各图所示的关系。
31.关在本说明书中的数值及其范围也同样，并不限制本发明。在本说明书中，使用“～”表示的数值范围表示将记载于“～”前后的数值分别作为最小值及最大值而包含的范围。在本说明书中阶段性地记载的数值范围中，以一个数值范围记载的上限值或下限值可以替换为其他阶段性地记载的数值范围的上限值或下限值。并且，在本说明书中所记载的数值范围中，该数值范围的上限值或下限值可以替换为实施例所示的值。
32.在本说明书中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯或与其相对应的甲基丙烯酸酯。
33.一实施方式所涉及的膜状黏合剂为用于黏合半导体元件与搭载半导体元件的支
承部件的膜状黏合剂，并且膜状黏合剂含有丙烯酸橡胶(以下，有时称为“(a)成分”)。
34.膜状黏合剂能够通过将含有(a)成分的黏合剂组合物成型为膜状而得到。膜状黏合剂及黏合剂组合物可以为半固化(b阶)状态。
35.(a)成分为具有源自(甲基)丙烯酸酯的构成单元作为主要成分的橡胶。关于(a)成分中的源自(甲基)丙烯酸酯的构成单元的含量，以构成单元总量为基准，例如可以为70质量％以上、80质量％以上或90质量％以上。(a)成分可以包含源自具有环氧基、醇性或酚性羟基、羧基等交联性官能团的(甲基)丙烯酸酯的构成单元。
36.(a)成分满足下述条件(i)或条件(ii)中的任一个。
37.条件(i)：具有源自丙烯腈的构成单元且具有超过12℃的玻璃化转变温度(tg)。
38.条件(ii)：不具有源自丙烯腈的构成单元且具有0℃以上的玻璃化转变温度(tg)。
39.关于条件(i)，在(a)成分具有源自丙烯腈的构成单元的情况下，(a)成分的玻璃化转变温度(tg)可以为超过12℃且55℃以下、15℃以上且30℃以下或19℃以上且25℃以下。关于条件(ii)，在(a)成分不具有源自丙烯腈的构成单元的情况下，(a)成分的玻璃化转变温度(tg)可以为0℃以上且50℃以下、10℃以上且30℃以下或15℃以上且25℃以下。若(a)成分的tg为各条件的下限以上，则具有能够防止黏合剂组合物的柔软性变得过高的倾向。由此，在切割晶圆时容易切断膜状黏合剂，能够防止产生毛刺(burr)。若(a)成分的tg为各条件的上限以下，则具有能够抑制黏合剂组合物的柔软性下降的倾向。由此，在将膜状黏合剂贴附于晶圆时，具有容易将空隙充分埋入的倾向。并且，能够防止由晶圆的密合性下降引起的切割时的碎化(chipping)。在此，玻璃化转变温度(tg)是指使用dsc(热差示扫描量热仪)(例如，rigaku corporation制造，thermo plus 2)测定出的值。
40.(a)成分的玻璃化转变温度(tg)例如能够通过调整具有高tg的(甲基)丙烯酸酯与具有低tg的(甲基)丙烯酸酯的比例而调整为规定的范围。
41.作为具有源自丙烯腈的构成单元的(a)成分的市售品，例如可以举出sg
‑
p3、sg
‑
80h、htr
‑
860p
‑
3csp(均为nagase chemtex corporation制造)等。作为不具有源自丙烯腈的构成单元的(a)成分的市售品，例如可以举出kh
‑
ct
‑
865(hitachi chemical co.,ltd.制造)等。
42.膜状黏合剂(黏合剂组合物)可以包含(a)成分，但还可以含有其他成分。作为其他成分，例如可以举出颜料、离子捕集剂、抗氧化剂等。
43.相对于(a)成分的总质量100质量份，其他成分的含量可以为0质量份～30质量份。
44.图1是表示膜状黏合剂的一实施方式的示意剖视图。图1所示的膜状黏合剂1(黏合膜)是将黏合剂组合物成型为膜状而成的。膜状黏合剂1可以为半固化(b阶)状态。这种膜状黏合剂1能够通过将黏合剂组合物涂布于支承膜而形成。当使用黏合剂组合物的清漆(黏合剂清漆)时，将(a)成分及根据需要添加的其他成分混合于溶剂中，并将混合液进行混合或混炼而制备黏合剂清漆，将黏合剂清漆涂布于支承膜，并对溶剂进行加热干燥而将其去除，由此能够形成膜状黏合剂1。
45.支承膜只要能够承受上述加热干燥，则不受特别限定，例如可以为聚酯膜、聚丙烯膜、聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚酰亚胺膜、聚醚酰亚胺膜、聚醚萘二甲酸酯膜、聚甲基戊烯膜等。支承膜可以为将两种以上膜组合而成的多层膜，也可以为表面由硅酮系、二氧化硅系等的脱模剂等进行处理而成的膜。支承膜的厚度例如可以为1～200μm或5～170μm。
46.能够使用通常的搅拌机、研磨机(raikai mixer)、三辊、球磨机等分散机，将它们适当组合来进行混合或混炼。
47.黏合剂清漆的制备中所使用的溶剂只要能够将各成分均匀地溶解、混炼或分散，则没有限制，能够使用以往公知的溶剂。作为这种溶剂，例如可以举出丙酮、甲基乙基酮、甲基乙基酮、环己酮等酮系溶剂、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、n
‑
甲基
‑2‑
吡咯烷酮、甲苯、二甲苯等。在干燥速度快且价格低的观点上，溶剂可以为甲基乙基酮、环己酮等。
48.作为将黏合剂清漆涂布于支承膜的方法，能够使用公知的方法，例如可以举出刮刀涂布法、辊涂法、喷涂法、凹版涂布法、棒涂法、帘式涂布法等。加热干燥的条件只要为能够使所使用的溶剂充分挥发的条件，则没有特别限制，能够在50～150℃下加热1～30分钟来进行。
49.膜状黏合剂的厚度可以为50μm以下。若膜状黏合剂的厚度为50μm以下，则半导体元件与搭载半导体元件的支承部件之间的距离靠近，因此具有容易发生由铜离子引起的不良情况的倾向。本实施方式所涉及的膜状黏合剂能够充分抑制黏合剂内的铜离子的移动(渗透)，因此能够将其厚度设为50μm以下。膜状黏合剂1的厚度可以为40μm以下、30μm以下、20μm以下或10μm以下。膜状黏合剂1的厚度的下限并不受特别限制，例如能够设为1μm以上。
50.半固化(b阶)状态下的膜状黏合剂的铜离子渗透时间可以超过250分钟，也可以为300分钟以上、350分钟以上或400分钟以上。通过铜离子渗透时间超过250分钟，可预测即使在制作半导体装置时发生固化不足等不良情况，也更不易发生由铜离子引起的不良情况。
51.图2是表示黏合片的一实施方式的示意剖视图。图2所示的黏合片100具备基材2和设置于基材2上的膜状黏合剂1。图3是表示黏合片的另一实施方式的示意剖视图。图3所示的黏合片110具备基材2、设置于基材2上的膜状黏合剂1及设置于膜状黏合剂1的与基材2相反的一侧的面的覆盖膜3。
52.基材2并不受特别限制，可以为基材膜。基材膜可以与上述支承膜相同。
53.覆盖膜3用于防止膜状黏合剂的损伤或污染，例如可以为聚乙烯膜、聚丙烯膜、表面经剥离剂处理的膜等。覆盖膜3的厚度例如可以为15～200μm或70～170μm。
54.黏合片100、110能够与形成上述膜状黏合剂的方法同样地通过将黏合剂组合物涂布于基材膜而来形成。将黏合剂组合物涂布于基材2的方法可以与将上述黏合剂组合物涂布于支承膜的方法相同。
55.黏合片110能够通过进一步将覆盖膜3层叠于膜状黏合剂1上而得到。
56.黏合片100、110也可以使用预先制作的膜状黏合剂来形成。在该情况下，黏合片100能够通过使用辊式层压机(roll laminate)、真空层压机等在规定条件(例如，室温(20℃)或加热状态)下进行层压来形成。黏合片100能够连续制造，从效率优异的角度来看，可以在加热状态下使用辊式层压机来形成。
57.黏合片的另一实施方式是基材2为切割带的切割晶粒接合(dicing/die
‑
bond ing)一体型黏合片。若使用切割晶粒接合一体型黏合片，则对于半导体晶圆的层合工序为一次，因此能够实现工作的效率化。
58.作为切割带，例如可以举出聚四氟乙烯膜、聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚酰亚胺膜等塑料膜等。并且，切割带根据需要可以进行底漆涂布、uv处理、电晕放电处理、研磨处理、蚀刻处理等表面处理。切割带可以具有胶黏性
(adhesiveness)。这种切割带可以为对上述塑料膜赋予胶黏性而得到的带，也可以为在上述塑料膜的单面上设置压敏胶黏剂层而得到的带。压敏胶黏剂层可以为压敏型或辐射线固化型中的任一个，只要在切割时具有不会使半导体元件飞散的充分的胶接力(adhesive force)，在之后的半导体元件的拾取工序中具有不会损伤半导体元件的程度的低胶接力，则不受特别限制，能够使用以往公知的压敏胶黏剂层。
59.从经济性及膜的操作性的观点考虑，切割带的厚度可以为60～150μm或70～130μm。
60.作为这种切割晶粒接合一体型黏合片，例如可以举出具有图4所示的结构的切割晶粒接合一体型黏合片、具有图5所示的结构的切割晶粒接合一体型黏合片等。图4是表示黏合片的另一实施方式的示意剖视图。图5是表示黏合片的另一实施方式的示意剖视图。图4所示的黏合片120依次具备切割带7、压敏胶黏剂层6及膜状黏合剂1。图5所示的黏合片130可以具备切割带7和设置于切割带7上的膜状黏合剂1。
61.黏合片120例如能够通过在切割带7上设置压敏胶黏剂层6，进一步在压敏胶黏剂层6上层叠膜状黏合剂1而得到。黏合片130例如能够通过贴合切割带7和膜状黏合剂1而得到。
62.膜状黏合剂及黏合片可以用于半导体装置的制造，可以用于包括如下工序的半导体装置的制造：在0℃～90℃下，将膜状黏合剂及切割带贴合于半导体晶圆或已经单片化的半导体元件(半导体芯片)之后，通过使用旋转刀刃、激光或伸长的分割而得到带有膜状黏合剂的半导体元件之后，将该带有膜状黏合剂的半导体元件黏合于有机基板、引线框或其他半导体元件上。
63.作为半导体晶圆，例如可以举出单晶硅、多晶硅、各种陶瓷、砷化镓等化合物半导体等。
64.膜状黏合剂及黏合片能够用作用于贴合ic、lsi等半导体元件和42合金引线框、铜引线框等引线框；聚酰亚胺树脂、环氧树脂等塑料膜；使聚酰亚胺树脂、环氧树脂等塑料含浸在玻璃不织布等基材中并使其固化而成的材料；氧化铝等的陶瓷等半导体搭载用支承部件等的晶粒接合用黏合剂。
65.膜状黏合剂及黏合片在将多个半导体元件层叠而成的结构的stacked
‑
pkg(层叠式
‑
pkg)中也适合用作用于黏合半导体元件和半导体元件的黏合剂。在该情况下，其中一个半导体元件成为搭载半导体元件的支承部件。
66.膜状黏合剂及黏合片例如也能够用作保护倒装芯片型半导体装置的半导体元件的背面的保护片、用于密封倒装芯片型半导体装置的半导体元件的表面与被黏体之间的密封片等。
67.关于使用膜状黏合剂来制造的半导体装置，使用附图进行具体说明。另外，近年来提出了各种结构的半导体装置，本实施方式所涉及的膜状黏合剂的用途并不限定于以下说明的结构的半导体装置。
68.图6是表示半导体装置的一实施方式的示意剖视图。图6所示的半导体装置200具备：半导体元件9；搭载半导体元件9的支承部件10；及设置于半导体元件9与支承部件10之间，并黏合半导体元件9及支承部件10的黏合部件1c(膜状黏合剂或其固化物)。黏合部件1c为膜状黏合剂或其固化物。半导体元件9的连接端子(未图示)经由导线(wire)11而与外部
连接端子(未图示)电连接，并且利用密封材料12进行了密封。
69.图7是表示半导体装置的另一实施方式的示意剖视图。在图7所示的半导体装置210中，将第一级半导体元件9a利用黏合部件1c黏合于形成有端子13的支承部件10，在第一级半导体元件9a上进一步利用黏合部件1c黏合有第二级半导体元件9b。第一级半导体元件9a及第二级半导体元件9b的连接端子(未图示)经由导线11而与外部连接端子电连接，并且利用密封材料12进行了密封。黏合部件1c为膜状黏合剂或其固化物。如此，本实施方式所涉及的膜状黏合剂也能够适当用于重叠有多个半导体元件的结构的半导体装置。
70.图6及图7所示的半导体装置(半导体封装)例如经过如下工序而得到：将膜状黏合剂设置于半导体元件与支承部件之间或半导体元件与半导体元件之间，并将它们进行加热压接而使两者黏合，然后根据需要经过引线接合工序、使用密封材料的密封工序、包括使用焊料的回流的加热熔融工序等。加热压接工序中的加热温度通常为20～250℃，载荷通常为0.1～200n，加热时间通常为0.1～300秒钟。
71.作为将膜状黏合剂设置于半导体元件与支承部件之间或半导体元件与半导体元件之间的方法，如上所述，可以为预先制作带有膜状黏合剂的半导体元件之后，将其贴附于支承部件或半导体元件的方法。
72.支承部件可以包括将铜作为材料的部件。在本实施方式所涉及的半导体装置中，利用膜状黏合剂或其固化物黏合半导体元件和支承部件，因此即使在使用将铜作为材料的部件作为半导体装置的构成部件的情况下，也能够减少从该部件产生的铜离子的影响，能够充分抑制发生由铜离子引起的电故障。
73.在此，作为将铜作为材料的部件，例如可以举出引线框、配线、导线、散热材料等，在任何部件中使用了铜的情况下，均能够减少铜离子的影响。
74.接着，对使用图4所示的切割晶粒接合一体型黏合片时的半导体装置的制造方法的一实施方式进行说明。另外，使用切割晶粒接合一体型黏合片的半导体装置的制造方法并不限定于以下说明的半导体装置的制造方法。
75.首先，将半导体晶圆压接于黏合片120(切割晶粒接合一体型黏合片)中的膜状黏合剂1上，并将其黏合保持而进行固定(安装工序)。可以一边利用压接辊等按压机构按压一边进行本工序。
76.接着，进行半导体晶圆的切割。由此，将半导体晶圆切断为规定的尺寸而制造多个单片化的带有膜状黏合剂的半导体元件(半导体芯片)。切割例如能够通过常规方法从半导体晶圆的电路面侧进行。并且，在本工序中，例如能够采用进行切入直至切割带的被称作全切(full cut)的切断方式、通过在半导体晶圆上切入一半切口并在冷却下进行拉伸而分割的切断方式、使用激光的切断方式等。作为本工序中所使用的切割装置并不受特别限定，能够使用以往公知的切割装置。
77.为了剥离在切割晶粒接合一体型黏合片上黏合固定的半导体元件，进行半导体元件的拾取。作为拾取方法并不受特别限定，能够采用以往公知的各种方法。例如，可以举出利用顶针将各个半导体元件从切割晶粒接合一体型黏合片侧推顶，并利用拾取装置拾取被推顶的半导体元件的方法等。
78.在此，当压敏胶黏剂层为辐射线(例如，紫外线)固化型时，向该压敏胶黏剂层照射辐射线之后进行拾取。由此，压敏胶黏剂层对膜状黏合剂的胶接力下降，容易剥离半导体元
件。其结果，能够在不损伤半导体元件的状态下进行拾取。
79.接着，将通过切割而形成的带有膜状黏合剂的半导体元件经由膜状黏合剂而黏合于用于搭载半导体元件的支承部件。可以通过压接来进行黏合。作为晶粒接合的条件并不受特别限定，根据需要能够适当设定。具体而言，例如能够在晶粒接合温度80～160℃、接合载荷5～15n、接合时间1～10秒的范围内进行。
80.根据需要，可以设置使膜状黏合剂热固化的工序。通过使将支承部件和半导体元件经过上述黏合工序而黏合的膜状黏合剂热固化，能够更牢固地进行黏合固定。当进行热固化时，可以同时施加压力而进行固化。本工序中的加热温度能够根据膜状黏合剂的构成成分适当变更。加热温度例如可以为60～200℃。另外，可以一边阶段性地变更温度或压力一边进行本工序。
81.接着，进行用接合线将支承部件的端子部(内部引线)的顶端和半导体元件上的电极焊盘电连接的引线接合工序。作为接合线，例如使用金线、铝线、铜线等。进行引线接合时的温度可以在80～250℃或80～220℃的范围内。加热时间可以为几秒～几分钟。可以在上述温度范围内进行了加热的状态下，并用由超声波产生的振动能量和由施加加压产生的压接能量来进行接线。
82.接着，进行利用密封树脂密封半导体元件的密封工序。本工序是为了保护搭载于支承部件的半导体元件或接合线而进行的。本工序通过用模具对密封用树脂进行成型来进行。作为密封树脂，例如可以为环氧系树脂。因密封时的热及压力而基板及残渣被埋入，能够防止由黏合界面处的气泡引起的剥离。
83.接着，在后固化工序中，使在密封工序中固化不足的密封树脂完全固化。即使在密封工序中膜状黏合剂未被热固化的情况下，也能够在本工序中进行密封树脂的固化的同时使膜状黏合剂热固化来进行黏合固定。本工序中的加热温度能够根据密封树脂的种类适当设定，例如可以在165～185℃的范围内，加热时间可以为0.5～8小时左右。
84.接着，使用回流炉对黏合于支承部件的带有膜状黏合剂的半导体元件进行加热。在本工序中，可以在支承部件上将经树脂密封的半导体装置进行表面安装。作为表面安装的方法，例如可以举出预先将焊料供给到印刷线路板上之后，利用暖风等进行加热熔融来进行焊接的回流焊等。作为加热方法，例如可以举出热风回流、红外线回流等。并且，加热方法可以为对整体加热的方法，也可以为对局部进行加热的方法。加热温度例如可以在240～280℃的范围内。
85.当将半导体元件层叠为多层时，引线接合工序等的热历程变多，对由存在于膜状黏合剂与半导体元件的界面的气泡引起的剥离的影响有可能变大。然而，本实施方式所涉及的膜状黏合剂通过使用特定的丙烯酸橡胶而具有凝聚力下降、埋入性得到提高的倾向。因此，气泡难以卷入半导体装置内，能够容易使密封工序中的气泡扩散，从而能够防止由黏合界面处的气泡引起的剥离。
86.实施例
87.以下，根据实施例及比较例对本发明进行具体说明，但本发明并不限定于这些。
88.(实施例1、实施例2及比较例1)
89.[膜状黏合剂的制作]
[0090]
＜黏合剂清漆的准备＞
[0091]
将表1所示的丙烯酸橡胶溶液用作黏合剂清漆。另外，表1所示的数值是指丙烯酸橡胶溶液的固体成分的质量份。
[0092]
(a)成分：丙烯酸橡胶
[0093]
(a1)丙烯酸橡胶a：sg
‑
p3溶剂变更品(将sg
‑
p3(商品名，nagase chemtex corporation制造，丙烯酸橡胶的甲基乙基酮溶液)的溶剂进行变更而得到的物质)，源自丙烯腈的构成单元：有，重均分子量：70万，实测tg：12℃，溶剂：环己酮
[0094]
(a2)丙烯酸橡胶b：源自丙烯腈的构成单元：有，重均分子量：70万，实测tg：22℃，溶剂：环己酮
[0095]
(a3)丙烯酸橡胶c：源自丙烯腈的构成单元：无，重均分子量：50万，实测tg：20℃，溶剂：环己酮
[0096]
＜膜状黏合剂的制作＞
[0097]
用100目的过滤器过滤所制作的黏合剂清漆，并进行了真空脱泡。作为基材膜，准备厚度38μm的实施了脱模处理的聚对苯二甲酸乙二酯(pet)膜，并将真空脱泡后的黏合剂清漆涂布于pet膜上。将所涂布的黏合剂清漆以在90℃下5分钟、接着在130℃下5分钟的2个阶段进行加热干燥，得到了处于b阶状态的实施例1、实施例2及比较例1的膜状黏合剂。在膜状黏合剂中，根据黏合剂清漆的涂布量将厚度调整为20μm。
[0098]
[铜离子渗透时间的测定]
[0099]
＜a液的制备＞
[0100]
将无水硫酸铜(ii)2.0g溶解于蒸馏水1020g中，并搅拌至硫酸铜完全溶解，从而制备出铜离子浓度以cu元素换算为浓度500mg/kg的硫酸铜水溶液。将所得到的硫酸铜水溶液作为a液。
[0101]
＜b液的制备＞
[0102]
将无水硫酸钠1.0g溶解于蒸馏水1000g中，并搅拌至硫酸钠完全溶解。向其中进一步加入n
‑
甲基
‑2‑
吡咯烷酮(nmp)1000g，并进行了搅拌。然后，进行气冷，直至成为室温，从而得到了硫酸钠水溶液。将所得到的溶液作为b液。
[0103]
＜铜离子渗透时间的测定＞
[0104]
将上述中所制作的实施例1、实施例2及比较例1的膜状黏合剂(厚度：20μm)分别切成直径约3cm的圆状。接着，准备了两片厚度1.5mm、外径约3cm、内径1.8cm的硅衬垫片(silicon packing sheet)。用两片硅衬垫片夹住切成圆状的膜状黏合剂，并将其用容积50ml的两个玻璃制槽(cell)的凸缘部夹住，并且用橡胶筋进行了固定。
[0105]
接着，向其中一个玻璃制槽中注入a液50g之后，向另一个玻璃制槽中注入了b液50g。将mars carbon(火星碳)(staedtler mars gmbh&co.kg制造，)作为碳电极插入各槽中。将a液侧作为阳极，将b液侧作为阴极，并连接了阳极和直流电源(a&d company,limited制造，直流电源装置ad
‑
9723d)。并且，将阴极和直流电源经由电流计(sanwa electricinstrument co.,ltd.制造，degital multimeter(数位万用电表)pc
‑
720m)串联连接。在室温下，以施加电压24.0v施加了电压，施加之后开始测量电流值。将测定时间设为500分钟，将电流值的上升时间设为铜离子渗透时间。本评价中，可以说电流值的上升时间越慢，铜离子渗透越得到抑制。将结果示于表1中。
[0106]
[表1]
[0107][0108]
如上所述，确认到本发明的膜状黏合剂能够充分抑制黏合剂内的铜离子渗透。
[0109]
符号说明
[0110]1‑
膜状黏合剂，1c
‑
黏合部件，2
‑
基材，3
‑
覆盖膜，6
‑
压敏胶黏剂层，7
‑
切割带，9、9a、9b
‑
半导体元件，10
‑
支承部件，11
‑
导线，12
‑
密封材料，13
‑
端子，100、110、120、130
‑
黏合片，200、210
‑
半导体装置。