用于消除激光标记周边的隆起的包含阳离子的研磨用组合物的制作方法

1.本发明涉及晶片表面的研磨所使用的研磨用组合物，特别是涉及在晶片的研磨工序中用于形成没有晶片周边部(例如也称为激光标记部分)的高低差的、平坦的研磨面的研磨用组合物。


背景技术：

2.半导体制品所使用的硅晶片经过打磨(lapping)工序(粗研磨工序)与抛光(polishing)工序(精密研磨工序)而加工成镜面。抛光工序包含预抛光工序(预研磨工序)和精抛光工序(精研磨工序)。
3.对于硅晶片，有时出于识别等目的，通过对该硅晶片的表面照射激光而带上条形码、数字、记号等标记(激光标记)。激光标记的赋予一般在结束硅基板的打磨工序后，开始抛光工序前进行。通常，通过用于带上激光标记的激光照射，在激光标记周缘的硅晶片表面产生隆起(鼓起)。硅晶片之中的激光标记的部分本身不用于最终制品，但是如果在赋予激光标记后的抛光工序中上述隆起不被适当消除，则可能有时成品率超乎必要地降低。因此，期望在预研磨工序中适当地消除激光标记周缘的隆起。
4.消除激光标记的隆起，是使从晶片的激光标记周边的基准平面(水平面)到隆起的最高点的高度小。
5.专利文献1中提出了意图使激光标记高度低的研磨完研磨对象物的制造方法。
6.专利文献2中提出了意图降低在硬激光标记的周缘部产生的突起的凹凸的研磨用组合物以及使用了该研磨用组合物的硅基板的研磨方法。
7.专利文献3中提出了意图消除硬激光标记周缘的隆起的研磨方法。
8.现有技术文献
9.专利文献
10.专利文献1：国际公开第2015/019706号
11.专利文献2：国际公开第2017/110315号
12.专利文献3：日本特开2017
‑
183359号公报


技术实现要素：

13.发明所要解决的课题
14.但是，专利文献1记载的研磨完研磨对象物的制造方法是使激光标记高度为30nm以下的方法，并且需要使用两种研磨用组合物的两阶段的研磨工序，在适当消除激光标记周缘的隆起方面存在改善的余地。
15.另外，专利文献2记载的研磨用组合物以及使用了该研磨用组合物的硅基板的研磨方法是使在硬激光标记的周缘部产生的突起降低至20nm～30nm左右的方法，在适当消除激光标记周缘的隆起方面存在改善的余地。
16.另外，专利文献3记载的研磨方法是使激光标记高度为50nm以下的方法，并且需要
使用两种研磨浆料的二阶段研磨工序，在适当消除激光标记周缘的隆起方面存在改善的余地。
17.本发明提供以在晶片的研磨工序中消除激光标记周边部的隆起为目的而获得平坦的研磨面的研磨用组合物，和使用了该研磨用组合物的晶片的研磨方法。
18.用于解决课题的手段
19.本发明人等为了解决上述课题进行了深入研究，结果发现由于激光标记周边部的隆起部与其它部分相比润湿性高，因此为了使研磨成分有效地与隆起部接触通过研磨使隆起部平坦，研磨成分的亲水性与疏水性的平衡是必要的，认为为了使研磨成分中的研磨粒子有效地与激光标记的隆起部接触，使研磨粒子更亲水是必要的。而且发现，相对于作为磨粒的二氧化硅粒子以特定量具有溶解了的二氧化硅成分与作为用于赋予碱性的阳离子成分的四烷基铵离子的组合物能够高效地对激光标记的隆起部进行研磨，从而完成了本发明。
20.即，本发明，作为第1观点，涉及一种研磨用组合物，其为包含二氧化硅粒子和水的研磨用组合物，其特征在于：该研磨用组合物进一步以相对于二氧化硅粒子的sio2为0.400～1.500:1的质量比包含四烷基铵离子，且以相对于二氧化硅粒子的sio2为0.100～1.500:1的质量比包含在该研磨用组合物中溶解了的sio2。
21.作为第2观点，涉及第1观点所述的研磨用组合物，所述四烷基铵离子来自选自碱性硅酸盐、氢氧化物、碳酸盐、硫酸盐和卤化物中的化合物，并且在所述研磨用组合物中以0.2质量％～8.0质量％的比例被包含。
22.作为第3观点，涉及第1观点所述的研磨用组合物，所述溶解了的sio2来自四烷基硅酸铵、硅酸钾、硅酸钠或它们的混合物，并且在所述研磨用组合物中以0.1质量％～8.0质量％的比例被包含。
23.作为第4观点，涉及第1观点～第3观点中任一项所述的研磨用组合物，所述溶解了的sio2为具有小于1nm的平均一次粒径的二氧化硅、或硅酸阴离子。
24.作为第5观点，涉及第1观点～第4观点中任一项所述的研磨用组合物，所述四烷基铵离子为四甲基铵离子、四乙基铵离子、四丙基铵离子、四丁基铵离子、乙基三甲基铵离子、二乙基二甲基铵离子、甲基三乙基铵离子或它们的混合物。
25.作为第6观点，涉及第1观点～第5观点中任一项所述的研磨用组合物，所述二氧化硅粒子具有1nm～100nm的平均一次粒径，并且基于二氧化硅粒子的二氧化硅浓度为0.1质量％～30质量％。
26.作为第7观点，涉及第1观点～第6观点中任一项所述的研磨用组合物，所述研磨用组合物的ph为11～13。
27.作为第8观点，涉及第1观点～第7观点中任一项所述的研磨用组合物，其用于硅晶片的激光标记的消除。
28.作为第9观点，涉及一种消除硅晶片的激光标记的方法，其使用第1观点～第8观点中任一项所述的研磨用组合物。
29.作为第10观点，涉及第1观点～第8观点中任一项所述的研磨用组合物的制造方法，其包含下述工序：将水性硅溶胶与四烷基氢氧化铵、氢氧化钾、氢氧化钠或它们的混合物混合，在40℃～100℃下进行0.5小时～20小时的加热，来制造碱性硅酸盐，并生成来自该
碱性硅酸盐的溶解了的sio2。
30.作为第11观点，涉及第1观点～第8观点中任一项所述的研磨用组合物的制造方法，其包含将水性硅溶胶与四烷基硅酸铵、硅酸钾、硅酸钠或它们的混合物混合的工序。
31.作为第12观点，涉及一种研磨用组合物的制造方法，其包含下述工序：将第1观点～第8观点中任一项所述的研磨用组合物在被研磨材料的研磨前或研磨中用水稀释，而将基于二氧化硅粒子的二氧化硅浓度调制为0.1质量％～4.0质量％，将四烷基铵离子调制为0.2质量％～4.0质量％，并将溶解了的sio2调制为0.1质量％～2.0质量％。
32.作为第13观点，涉及一种硅晶片的研磨方法，其使用通过第12观点所述的方法制造的研磨用组合物。
33.发明的效果
34.本发明的研磨用组合物，在晶片的研磨工序中使用该研磨用组合物进行了研磨的情况下，具有消除激光标记周边部的隆起、获得平坦的研磨面的效果。
具体实施方式
35.本发明是一种研磨用组合物，其为包含二氧化硅粒子和水的研磨用组合物，其特征在于：该研磨用组合物进一步以相对于二氧化硅粒子的sio2为0.400～1.500:1的质量比包含四烷基铵离子，且以相对于二氧化硅粒子的sio2为0.100～1.500:1的质量比包含在该研磨用组合物中溶解了的sio2。
36.本发明的研磨用组合物包含的二氧化硅粒子，可以使用来自具有1nm～100nm的平均一次粒径的二氧化硅粒子的水性分散体的二氧化硅粒子。这些水性分散体为硅溶胶，硅溶胶中的二氧化硅为本发明的研磨用组合物中的二氧化硅粒子，硅溶胶中的水性介质可以置换成研磨用组合物中的水。研磨用组合物中的水起因于上述硅溶胶中的水，但除此之外，为了稀释研磨用组合物，可以进一步添加水。
37.本发明所使用的二氧化硅粒子为由氮吸附法求出的平均一次粒径为1nm～100nm的胶态二氧化硅。如果平均一次粒径小于1nm则研磨速度变低，此外二氧化硅粒子的凝集易于发生，因此研磨用组合物的稳定性变低。如果平均一次粒径大于100nm则在晶片表面易于产生划伤，此外研磨面的平坦性变差。
38.在二氧化硅粒子被分散于水性介质而得的硅溶胶中包含0.5μm以上的粗大粒子的情况下，优选将该粗大粒子除去。粗大粒子的除去可使用强制沉降法、精密过滤法。精密过滤所使用的过滤器，可举出深层过滤器、褶皱过滤器、膜滤器以及中空丝过滤器等，都可以使用。此外，过滤器的材质，可举出棉、聚丙烯、聚苯乙烯、聚砜、聚醚砜、尼龙、纤维素以及玻璃等，都可以使用。过滤器的过滤精度由绝对过滤精度(99.9％以上被捕捉的粒子的大小)表示，在上述二氧化硅粒子中，从生产效率(处理时间、过滤器的堵塞的程度等)的观点考虑，优选用绝对过滤精度0.5μm～1.0μm的过滤器进行处理。
39.硅溶胶可以用氨等调节ph，可以在硅溶胶中添加聚合物和螯合剂等。硅溶胶的ph调节可以在化合物(聚合物)、螯合剂的添加前、后、或添加前后进行。
40.本发明的研磨用组合物的ph可设定在11～13、或11～12的范围。优选在研磨前设定上述ph。
41.用于设定这些ph的碱成分可以使用氢氧化钠、氢氧化钾、氨、氢氧化伯铵、氢氧化
仲铵、氢氧化叔铵、氢氧化季铵(例如，可举出四烷基氢氧化铵)、有机胺和碱金属碳酸盐等的水溶液。特别优选使用氢氧化钠、氢氧化钾水溶液、四烷基氢氧化铵水溶液。
42.作为四烷基氢氧化铵，可举出例如，四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、乙基三甲基氢氧化铵、二乙基二甲基氢氧化铵和甲基三乙基氢氧化铵。特别优选使用四甲基氢氧化铵。
43.本发明的研磨用组合物包含四烷基铵离子与在研磨用组合物中溶解了的sio2，这些四烷基铵离子与溶解了的sio2构成碱性硅酸盐。
44.本发明的研磨用组合物包含的四烷基铵离子为四甲基铵离子、四乙基铵离子、四丙基铵离子、四丁基铵离子、乙基三甲基铵离子、二乙基二甲基铵离子、甲基三乙基铵离子或它们的混合物。
45.上述四烷基铵离子来自选自碱性硅酸盐、氢氧化物、碳酸盐和卤化物中的化合物。本发明的研磨用组合物可以以在研磨用组合物中为0.2质量％～8.0质量％的比例包含四烷基铵离子。
46.溶解了的sio2(以下，也称为溶解了的二氧化硅、溶解sio2、溶解二氧化硅等)是指溶解于研磨组合物的水性介质中的不具有粒子性的二氧化硅成分，通过对研磨组合物进行离心过滤，可以分离二氧化硅粒子与溶解了的sio2。由于溶解了的sio2难以通过透射型电子显微镜观察来确认，因此认为不具有粒子性，或者即使存在低聚物等，平均一次粒径也小于1nm。即，溶解了的sio2是具有小于1nm的平均一次粒径的二氧化硅或硅酸阴离子，硅酸阴离子是硅酸离子单体、硅酸离子二聚物或胶体状硅酸离子胶束等。这些均溶解于研磨用组合物中。
47.并且，溶解了的sio2可以以硅酸阴离子的形式存在。
48.构成这些溶解了的sio2的低聚物状二氧化硅、硅酸阴离子可以含有作为抗衡离子的阳离子。
49.与二氧化硅粒子同时存在的溶解了的sio2，优选存在一定量的赋予碱性的阳离子，溶解了的sio2与碱性阳离子形成碱性硅酸盐。在本发明中，二氧化硅磨粒(二氧化硅粒子)与水来自水性硅溶胶，通过在水性硅溶胶中添加碱性硅酸盐，可以制造本发明的研磨用组合物。
50.另外，研磨用组合物所包含的阳离子可以是来自碱性硅酸盐的阳离子与来自氢氧化物、碳酸盐的阳离子的总量。
51.上述溶解了的sio2来自包含四烷基硅酸铵、硅酸钾、硅酸钠或它们的混合物的碱性硅酸盐。本发明的研磨用组合物中，作为磨粒的二氧化硅粒子的一部分也可以溶解。本发明的研磨用组合物，可以以在研磨用组合物中为0.1质量％～8.0质量％的比例包含溶解了的sio2。特别是，可以优选使用四烷基硅酸铵。四烷基铵与其他硅酸盐的比率可以以1:0～0.8、或1:0～0.5、或1:0～0.35的范围使用。
52.相对于作为磨粒的二氧化硅粒子，按质量比计，以(四烷基铵离子)/(sio2粒子)＝0.400～1.500，(溶解sio2)/(sio2粒子)＝0.100～1.500的比例包含四烷基铵离子与溶解了的sio2，这作为用于消除硅晶片的激光标记的研磨用组合物的研磨特性是优选的。
53.本发明的研磨用组合物可以将水性硅溶胶与碱性硅酸盐进行混合来制造。根据需要，可以添加氢氧化物、碳酸盐、硫酸盐和卤化物等。
54.作为碱性硅酸盐，可使用例如，四烷基硅酸铵、硅酸钾、硅酸钠或它们的混合物。
55.作为氢氧化物，可举出例如，四烷基氢氧化铵、氢氧化钾和氢氧化钠。
56.作为碳酸盐，可举出例如，四烷基碳酸铵、碳酸钾和碳酸钠。
57.作为硫酸盐，可举出例如，四烷基硫酸铵、硫酸钾和硫酸钠。
58.作为卤化物，可举出例如，四烷基氯化铵、四烷基溴化铵、氯化钾、溴化钾、氯化钠和溴化钠。
59.上述碱性硅酸盐可以通过将水性硅溶胶与四烷基氢氧化铵、氢氧化钾、氢氧化钠或它们的混合物混合，在40℃～100℃下，进行0.5小时～20小时的加热来制造。经过这些制造碱性硅酸盐的工序，可得到本发明的研磨用组合物。
60.四烷基硅酸铵如果以例如四甲基硅酸铵为例进行说明，则可以通过将二氧化硅浓度5.0质量％～50质量％、碱金属含量(na含量)0.0001质量％～0.5000质量％的水性硅溶胶，与浓度5.0质量％～25质量％的四甲基氢氧化铵水溶液在60℃～100℃下进行2小时～10小时的加热来制造。上述加热可以使用分散器等搅拌装置在搅拌下进行。
61.得到的四烷基硅酸铵可以以sio2/m2o换算的摩尔比为2～4、典型地摩尔比为3.0来制造。上述m表示四甲基铵离子、四乙基铵离子、四丙基铵离子、或四丁基铵离子、乙基三甲基铵离子、二乙基二甲基铵离子、或甲基三乙基铵离子。sio2浓度为1.0质量％～20质量％、典型地为10质量％，四烷基氢氧化铵浓度为1.0质量％～20质量％、典型地为10质量％，固体成分为2.0质量％～40质量％、典型地为20质量％。
62.碱金属硅酸盐如果以例如硅酸钾为例进行说明，则可以通过将二氧化硅浓度5.0质量％～50质量％、碱金属含量(na含量)0.0001质量％～0.5000质量％的水性硅溶胶，与浓度2.0质量％～48质量％的氢氧化钾水溶液在60℃～100℃下，进行2小时～10小时的加热来制造。上述加热可以在添加氢氧化钾水溶液前，在40℃～50℃下对水性硅溶胶进行0.5小时～1小时的加热，在该温度的水性硅溶胶中添加氢氧化钾水溶液，添加后在90℃～100℃的温度下，加热2小时～10小时来制造。上述加热可以使用分散器等搅拌装置在搅拌下进行。
63.得到的碱金属硅酸盐可以以sio2/m2o换算的摩尔比为2～5，典型地摩尔比为3.85来进行制造。上述m表示钾离子或钠离子。sio2浓度为2.0质量％～30质量％、典型地为20质量％，氢氧化钾浓度为1.0质量％～30质量％、典型地为9.7质量％。固体成分为3.0质量％～60质量％、典型地为30质量％。
64.上述二氧化硅粒子为来自水性硅溶胶的二氧化硅粒子，通过在硅溶胶中可选地添加碱成分、水溶性化合物和螯合剂可以制成研磨液。
65.水溶性化合物可以使用任意的水溶性化合物。例如，可以使用羟乙基纤维素、甘油、聚甘油、聚乙烯醇、或者羧基或磺酸基改性聚乙烯醇。可以以相对于本发明的研磨用组合物为0.005质量％～1.0质量％的比例含有。
66.在本发明的研磨用组合物中可以添加螯合剂。作为螯合剂，例如，可举出氨基羧酸系螯合剂及膦酸系螯合剂。
67.作为氨基羧酸系螯合剂，例如，可举出乙二胺四乙酸、氮川三乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、羟基乙基乙二胺三乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、1,3
‑
丙二胺四乙酸、1,3
‑
二胺
‑2‑
羟基丙烷四乙酸、羟基乙基亚氨基二乙酸、二羟基乙基甘氨酸、乙二醇醚二胺四乙酸、二羧基
甲基谷氨酸和乙二胺
‑
n,n
’‑
二琥珀酸。
68.作为膦酸系螯合剂，例如，可举出羟基乙叉二膦酸、氮川三(亚甲基膦酸)、膦酰基丁烷三羧酸和乙二胺四(亚甲基膦酸)。
69.可以以相对于本发明的研磨用组合物为0.005质量％～1.0质量％的比例含有螯合剂。
70.作为可以适用本发明的晶片的研磨用组合物的晶片，例如，可举出硅晶片、sic晶片、gan晶片、gaas晶片、gap晶片、玻璃晶片、铝晶片和蓝宝石晶片等。
71.对晶片进行研磨时的研磨装置有单面研磨方式和双面研磨方式，本发明的晶片用研磨液组合物可以用于任何装置。
72.通过使用本发明的研磨用组合物进行研磨，在晶片的研磨工序中可以制造晶片的中心部与周边部(激光标记部分)的高低差小的获得平坦研磨面的晶片。
73.可以使用本发明的研磨用组合物来对带有激光标记的晶片的激光标记周边部的隆起进行研磨。
74.在本发明中，经过对带有激光标记的晶片进行预研磨的工序，可以进行使用本发明的研磨用组合物对带有激光标记的晶片的激光标记周边部的隆起进行研磨的工序。
75.可以对相对于水平面为50nm～500nm、或50nm～200nm高度的激光标记周边部的隆起进行研磨直到30nm～负10nm，优选25nm～0nm，更优选0nm。研磨后的激光标记周边部变为负10nm左右，这是因为有时为通过研磨而激光标记周边部朝向激光标记部分的凹坑下降到负10nm左右的状态。它们是凹坑的边缘被研磨而显示负的数值，理想地优选为0nm。
76.实施例
77.(合成例1)tma硅酸盐(四甲基硅酸铵)的合成
78.将二氧化硅浓度35质量％的硅溶胶用阳离子交换树脂(
オルガノ
社制
アンバーライト
ir
‑
120b)进行离子交换，向得到的酸性硅溶胶2940g(碱含量0.03质量％)中加入离子交换水3060g后，搅拌下进一步添加25％四甲基氢氧化铵4000g。搅拌该溶液的同时升温至80℃，保持6小时，从而得到了期望的tma硅酸盐溶液。
79.得到的tma硅酸盐以sio2/m2o换算的摩尔比为3.0(m为四甲基铵)，sio2浓度为10质量％，四烷基氢氧化铵浓度为10质量％，固体成分为20质量％。
80.(合成例2)k硅酸盐(硅酸钾)的合成
81.将二氧化硅浓度35质量％的硅溶胶用阳离子交换树脂(
オルガノ
社制
アンバーライト
ir
‑
120b)进行离子交换，在得到的酸性硅溶胶5880g(碱含量0.03质量％)中加入离子交换水2100g后，搅拌的同时升温至43℃。升温后，搅拌下添加48％氢氧化钾2020g，搅拌该溶液的同时升温至96℃后，保持6小时，从而得到了期望的k硅酸盐溶液。
82.得到的k硅酸盐以sio2/m2o换算的摩尔比为3.85(k为钾)，sio2浓度为20质量％，氢氧化钾浓度为9.7质量％，固体成分为30质量％。
83.(研磨用组合物的调制)
84.按如下所示的比例添加由氮吸附法(bet法)求出的平均一次粒径45nm的胶态二氧化硅(二氧化硅磨粒，日产化学(株)制，商品名
スノーテックス
，基于硅溶胶的二氧化硅粒子)、碱性硅酸盐(使用上述合成例1的tma硅酸盐，上述合成例2的k硅酸盐)、氢氧化物、碳酸盐、螯合剂(乙二胺四乙酸四钠盐)、甘油，剩余部分为水，制造了研磨用组合物。
85.需要说明的是，在实施例1～实施例8和比较例1～比较例3中，以0.2质量％含有乙二胺四乙酸，在实施例1～实施例8和比较例1～比较例3中，以0.3质量％含有甘油。
86.显示了得到的研磨用组合物中的作为基于硅溶胶的二氧化硅粒子的sio2质量％，作为溶解的二氧化硅成分的sio2质量％，阳离子的含量(质量％)。
87.tma表示四甲基铵离子，tmah表示四甲基氢氧化铵，tmas表示四甲基硅酸铵，tmac表示四甲基碳酸铵，ks表示硅酸钾，kc表示碳酸钾。
88.上述碳酸盐作为ph缓冲剂起作用。上述氢氧化物作为ph调节剂起作用。
89.【表1】
90.表1
[0091][0092]
【表2】
[0093]
表2
[0094][0095]
将实施例1～实施例8，以及比较例1～比较例3的研磨用组合物用纯水稀释10倍(即，研磨用组合物中的sio2磨粒的浓度设定为0.8质量％)，用于下述研磨试验。
[0096]
(研磨条件)
[0097]
作为研磨机，使用了浜井产业(株)制的双面研磨机(商品名13bf)。
[0098]
定盘尺寸为外径933.4mm，内径349.4mm。
[0099]
被研磨晶片为硅晶片，直径200mm，传导型p型，结晶方位为米勒(
ミラー
)指数<100>，电阻率为100ω
·
cm以下。
[0100]
研磨枚数为载体(
キャリア
)上设置硅晶片1枚，同时研磨3组共3枚。
[0101]
研磨垫为jh rhodes(株)社制，商品名lp
‑
57，槽宽为2mm，槽间距为20mm。
[0102]
研磨载荷为150g/cm2。
[0103]
下定盘转速为20rpm，上定盘转速为6.6rpm，旋转比率为3.0。
[0104]
研磨时间为每批60分钟，用同一研磨垫进行3批的研磨。
[0105]
研磨液量为25升，以6.4升/分钟供给研磨液，在中途不进行新的研磨液的补充。
[0106]
研磨时研磨液的液温为23℃～25℃。
[0107]
(研磨试验结果)
[0108]
表3中，研磨速度表示3批次的平均研磨速度(μm/分钟)，激光标记消除性显示第3批次的激光标记高度(距离硅晶片的高度(nm))，ph记载了初始ph、和每个批次的ph值。
[0109]
激光标记高度的测定方法使用(株)
ニコンインステック
社制的光干涉显微镜系统bw
‑
m7000，对一定宽度(500μm)进行扫描而得到粗糙度曲线，对所得的粗糙度曲线测定了晶片表面的最高部分与最低部分的高度的差值。
[0110]
【表3】
[0111]
表3
[0112][0113]
可知本发明的研磨用组合物中，二氧化硅粒子与水以外的成分的作用大，通过含有特定量的四烷基铵离子，含有特定量的溶解了的二氧化硅，从而显示优异的激光标记消除性。认为这是由于除了二氧化硅磨粒外，还包含溶解了的二氧化硅成分。研磨粒子为二氧化硅粒子，二氧化硅粒子本身的硅烷醇基显然有助于亲水性，但认为通过与二氧化硅粒子一起还存在溶解了的二氧化硅成分，从而作为磨粒的二氧化硅粒子亲水化而与激光标记周边部的隆起部有效地接触，而使隆起部平坦化。另外，认为研磨用组合物中的二氧化硅磨粒
通过碱成分而在研磨用组合物中溶解达到溶解平衡，但通过含有碱性硅酸盐，通过包含初始溶解了的二氧化硅成分，从而防止二氧化硅磨粒向研磨用组合物中的溶解，在整个研磨工序中维持高的ph，同时能够防止二氧化硅磨粒的溶解，因此二氧化硅粒子(二氧化硅磨粒)有效地研磨激光标记，激光标记的消除性在垫(
パット
)的初期至第2批、第3批中显示了良好的激光标记消除性。
[0114]
另一方面，在不含有研磨初始时溶解了的二氧化硅成分的比较例1和比较例3中，不能发挥上述的效果，另外，认为在比较例2中，虽然含有溶解了的二氧化硅成分，但由于不含有特定量的四甲基铵离子，因此无法维持高ph。
[0115]
产业可利用性
[0116]
通过使用本发明的研磨用组合物，能够在晶片的研磨工序中进行激光标记周边部的隆起的消除而提供平坦的研磨面。