技术特征:
1.一种单基质双发射荧光粉,其特征在于,所述单基质双发射荧光粉的化学式为:cs2sn1‑
x
‑
y
bi
x
sb
y
cl6,0.005≤x≤0.09,0.05≤y≤0.25。2.如权利要求1所述单基质双发射荧光粉,其特征在于,所述单基质双发射荧光粉的化学式为:cs2sn1‑
x
‑
y
bi
x
sb
y
cl6,0.005≤x≤0.09,y=0.15。3.如权利要求1所述单基质双发射荧光粉,其特征在于,所述单基质双发射荧光粉的化学式为:cs2sn1‑
x
‑
y
bi
x
sb
y
cl6,x=0.09,y=0.15。4.一种权利要求1~3任意一项所述单基质双发射荧光粉的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将含cs的化合物、含sn的化合物、含bi的化合物和含sb的化合物混合,加入盐酸水热反应完全,冷却,清洗,干燥反应产物得到单基质双发射荧光粉,其中,水热反应温度为80
‑
220℃。5.如权利要求4所述单基质双发射荧光粉的制备方法,其特征在于,所述含cs的化合物为cs的氧化物、cs的碳酸盐、cs的氢氧化物、cs的硝酸盐或cs的氯化物;含sn的化合物为sn的氧化物、sn的碳酸盐、sn的氢氧化物、sn的硝酸盐或sn的氯化物;含bi的化合物为bi的氧化物、bi的碳酸盐、bi的氢氧化物、bi的硝酸盐或bi的氯化物;含sb的化合物为sb的氧化物、sb的碳酸盐、sb的氢氧化物、sb的硝酸盐或sb的氯化物。6.如权利要求5所述单基质双发射荧光粉的制备方法,其特征在于,所述含cs的化合物为cs的氯化物;所述含sn的化合物为sn的氯化物;所述含bi的化合物为bi氯化物;所述含sb的化合物为sb的氯化物。7.如权利要求5所述单基质双发射荧光粉的制备方法,其特征在于,所述冷却为以10~30℃/1h的速度冷却至室温。8.一种权利要求1~3任意一项所述单基质双发射荧光粉在制备植物照明设备中的应用。9.如权利要求8所述应用,其特征在于,所述应用中植物照明设备的紫外led芯片发射波长为300nm~400nm。10.一种植物照明led,其特征在于,所述led由权利要求1~3任意一项所述单基质双发射荧光粉与紫外光led二极管芯片封装制备得到。
技术总结
本发明公开了一种单基质双发射荧光粉及其制备方法与应用,属于发光材料技术领域。单基质双发射荧光粉的化学式为:Cs2Sn1‑
技术研发人员:王静 甘伟江 楼孙棋 曹鲁豫
受保护的技术使用者:中山大学
技术研发日:2021.05.07
技术公布日:2021/9/6
再多了解一些
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